KR100393040B1 - 플라즈마표시소자의제조방법 - Google Patents
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Abstract
전면기판에 투명전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명전극층의 상면에 소정 패턴의 메탈 버스전극을 형성하는 단계와, 상기 메탈 버스전극의 상면에 설정된 투명전극의 폭과 동일한 폭으로 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계와, 상기 유전체층에 의해 노출된 투명전극층을 제거하여 소정패턴의 투명전극을 형성하는 투명전극 형성단계를 포함하여 된 플라즈마 표시소자의 제조방법을 개시한다.
Description
본 발명은 플라즈마 표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판에 형성된 전극과 유전체층이 개선된 플라즈마 표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시소자란 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서 방전 메카니즘에 의하여 AC형과 DC형으로 양분될 수 있다. DC형이란 상기 플라즈마 표시소자를 구성하는 각 전극들이 방전셀에 봉입되는 가스층에 직접적으로 노출되어 그에 인가되는 전압이 그대로 방전가스층에 인가되는 것이고, AC형이란 각 전극들이 방전가스층과 유전체층에 의하여 분리되어 방전현상시 발생되는 하전입자들을 상기 전극들이 흡수하지 않고 벽전하를 형성하게 되며 이 벽전하를 이용하여 다음 방전을 일으키는 것이다. 또한 플라즈마 표시 소자의 방전셀에 형성되는 전극의 수에 따라 2전극형, 3전극형, 4전극형등으로 분류되는 것으로 2전극형은 2개의 전극으로 어드레싱(Addressing) 및 유지(Sustain)를 위한 전압이 함께 인가되는 것이고 3전극형은 면방전형이라고도 불리우는 것으로 방전셀의 측면에 위치하는 전극에 인가하는 전압에 의하여 스위칭되거나 또는 유지되도록 한 것이다.
상술한 바와 같은 플라즈마 표시소자에 있어서, 전극 즉, 투명전극은 ITO을 이용하여 소정의 패턴으로 형성된다. 그러나 상기 ITO를 이용한 투명전극은 패턴이 미세화 되고, 그 길이가 길어짐에 따라 선저항이 상대적으로 커지게 된다. 이러한 현상은 전극에 전압이 인가되는 측으로부터 멀어질수록 플라즈마 표시소자의 휘도가 상대적으로 저하되는 문제점을 가진다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 종래에는 각 전극에 저항을 줄이기 위한 보조전극을 설치하는 방안이 제안되었는데, 이러한 전극의 일 예를 도 1에 나타내 보였다.
도시된 바와 같이 격벽(11)이 형성된 기판(10)과 결합되어 방전공간을 형성하는 전면기판(15)의 하면에 소정패턴의 투명전극(16)이 형성되고, 이 투명전극(16)의 상면에 이와 나란한 방향으로 메탈 버스전극(17)이 형성된다. 상기투명전극(16)의 상면에 형성된 메탈 버스전극(17)은 상기 투명전극(16)의 폭보다 좁은 폭으로 형성되고, 상기 투명전극(16)과 메탈 버스전극(17)이 형성된 기판(15)의 상면에는 유전체층(18)이 형성된다.
상술한 바와 같이 구성된 전면기판(15)상에 전극을 형성하기 위한 방법을 도 2a 내지 도 2i에 나타내 보였다. 도시된 바와 같이 투명한 기판(15)에 ITO를 이용하여 투명전극층(16a)을 형성(도 2a)하고, 이 투명전극층(16a)의 상면에 감광막층(16b)을 형성(도 2b)한 후 소정패턴을 가지는 마스크를 이용하여 노광하여 노광된 부위를 경화시킨다(도 2c 내지 도 2d). 상술한 바와 같이 노광이 완료되면, 현상액(developer)를 사용하여 감광성수지를 제거(도 2e)하고, 감광막이 제거되어 노출된 전극을 에칭하여 제거(도 2f)한다.
상술한 바와 같이 전극의 패턴이 완료되면 스트리퍼(stripper)를 이용하여 감광막을 제거(도 2g)하여 소정패턴의 투명전극(16)을 완성하고, 이 투명전극의 상면에 메탈 버스전극(17)을 인쇄 또는 증착법에 의해 형성(도 2h)한다. 그리고 상기 투명전극(16)과 메탈 버스전극(17)이 형성된 전면기판(15)에 유전체층(18)을 형성한다.
상술한 바와 같이 전면기판(15)의 상면에 소정패턴의 투명전극(16)과 메탈 버스전극(17)을 형성하는 것은 감광막의 도포 노광 현상 등 다단계의 공정을 수행하여야 하므로 작업이 번거롭고, 이에 따른 불량 발생률이 높다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 전극의 형성에 따른 공정을 단순화시켜 전극의 형성에 따른 플라즈마 표시소자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 플라즈마 표시소자의 분리 사시도,
도 2a 내지 도 2i는 플라즈마 표시소자의 전면기판에 전극과 유전체층을 형성하기 위한 방법을 단계적으로 도시한 단면도,
도 3a 내지 도 3f는 플라즈마 표시소자의 전면기판에 전극과 유전체층을 형성하기 위한 방법을 단계적으로 도시한 단면도,
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명>
20; 전면기판 21; 투명전극
22; 메탈 버스전극 23; 유전체층
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 기판의 전면에 투명전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명전극층의 상면에 소정패턴의 메탈 버스전극을 형성하는 단계와, 상기 메탈 버스전극의 상면에 투명전극의 폭과 동일한 폭으로 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계와, 상기 유전체층에 의해 노출된 투명전극층을 제거하여 소정패턴의 투명전극을 형성하는 투명전극 형성단계를 포함하여 된 것을 그 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 특징은, 기판과, 기판의 상면에 소정의 패턴으로 형성된 투명전극과, 상기 각 투명전극의 상면에 투명전극의 폭보다 좁은 폭으로 형성된 메탈 버스전극과, 각 전극의 형성된 기판의 상면에 형성되는 유전체층을 가지는 플라즈마 표시소자의 제조방법에 있어서, 상기 기판의 상면에 투명전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명전극층의 상면에 소정패턴의 메탈 버스전극을 형성하는 단계와, 상기 메탈 버스전극의 상면과 투명전극의 폭과 동일한 폭으로 투명전극층의 상면에 제1유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계와, 상기 제1유전체층에 의해 노출된 상기 투명전극층을 제거하여 소정패턴의 투명전극을 형성하는 전극형성단계와, 상기 제1유전체층이 형성된 기판의 상면에 제1유전체층과 동일한 높이로 제2유전체층을 형성하는 제2유전체층 형성단계를 포함하여 된 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
가스 방전소자인 플라즈마 표시소자는 도 1에 도시된 바와 같이 투명한 전면기판(20)의 상면에 소정패턴의 투명전극(21)이 형성되고, 이 투명전극(21)의 상면에 이와 나란한 방향으로 메탈 버스전극(22)이 형성된다. 상기 투명전극(21)의 상면에 형성된 메탈 버스전극(22)은 상기 투명전극(21)의 폭보다 좁은 폭으로 형성되고, 상기 투명전극과 메탈 버스전극(22)이 형성된 전면기판(20)의 상면에는 유전체층(23)이 형성된다. 그리고 상기와 같이 전극이 형성된 기판은 상면에 어드레스 전극(31)과, 이 어드레스 전극과 나란한 방향으로 격벽(32)이 형성된 배면기판(30)과 접합된다.
상술한 바와 같이 구성된 플라즈마 표시소자를 제조하기 위해서는 투명한 전면기판의 상면에 각 전극과 유전체층을 형성하고, 상기 배면기판이 어드레스 전극과 격벽을 형성하는 공정을 각각 수행한 후 투명한 기판과 배면기판을 상호 접합하여 제조하게 된다.
도 3a 내지 도 3f에는 상기 전면기판의 제조공정 즉, 전면기판의 상면에 전극층과 유전체층을 형성하는 방법을 나타내 보였다.
먼저 도 3a에 도시된 바와 같이 세정이 완료된 후 건조된 투명한 전면기판(20)의 상면에 ITO 나 산화 아연(SnO2)을 이용하여 도전성 투명박막층(21a)을 형성하는 투명박막층 형성단계를 수행한다. 투명박막층의 형성이 완료되면 도3b에 도시된 바와 같이 알루미늄 등을 이용하여 소정패턴의 메탈 버스전극(22)을 상기 투명박막층(21a)의 상면에 형성한다. 상기 메탈 버스 전극(22)의 형성은 투명박막층(21a)의 상면에 인쇄법에 의해 인쇄시킨 후 이를 건조 및 소성시킴으로써 이루어진다. 여기에서 상기 메탈 버스전극(22)의 폭은 이 후의 공정의 공정에 의해 형성되는 투명전극을 가리지 않도록 가능한한 좁은 폭으로 형성함이 바람직하다.
상술한 바와 같이 메탈 버스 전극(22)의 형성이 완료되면, 도 3c에 도시된 바와 같이 후술하는 투명전극의 폭과 동일한 폭을 가지도록 메탈 버스전극(22)의 상면과 투명박막층(21a)의 상면에 투명한 제1유전체층(23a)을 형성한다. 상기 제1유전체층(23a)의 형성은 실크인쇄법을 이용하여 형성함이 바람직하나 이 방법에 의해 한정되지 않고 상기 메탈 버스전극(22)과 나란한 방향으로 유전체층을 형성할 수 있는 방법이면 어느 것이나 가능하다.
제1유전체층(23a)의 형성이 완료되면 도 3d에 도시된 바와 같이 메탈 버스전극(22)과 제1유전체층(23a)이 형성됨으로써 노출된 투명박막층을 제거한다. 상기 투명박막층은 에칭가공하여 제거한다. 이때에 상기 제1유전체층(23a)은 에칭액이 묻지 않도록 마스크 역할을 하게되므로 제1유전체층(23a)의 폭과 동일한 폭으로 투명전극(21)이 형성된다.
상기 투명박막층(21a)을 에칭하여 투명전극(21)의 형성이 완료되면, 전면기판(20)의 상면에 상기 제1유전체층(23a)의 높이로 제2유전체층(23b)을 전면 인쇄하여 형성한다. 여기에서 상기 제2유전체층(23b)는 제1유전체층(23a)과 동일한 높이로 형성함이 바람직하다. 그리고 상기 제2유전체층(23b)을 건조시킨 후 소성시킨다. 여기에서 상기 제1유전체층(23a)과 제2유전체층(23b)은 동일한 재질을 이용하여 동일한 높이로 형성함이 바람직하다.
상술한 바와 같이 전면기판의 형성이 완료되면 상기 별도의 공정으로 제작되어 베이스 기판 즉, 격벽과 어드레스 라인이 형성된 베이스 기판과 결합하여 플라즈마 표시소자를 제조한다.
상술한 바와 같이 플라즈마 표시소자의 제조방법은 기판에 투명전극을 형성함에 있어서, 별도의 감광막을 도포하여 형성하는 포토레지스트법을 이용하지 않고 제1유전체층이 투명박막층을 소정의 패턴으로 에칭하기 위한 마스크의 역할을 하게 되므로 기판에 전극층을 형성하기 위한 공정을 단순화시킬 수 있으며 나아가서는 생산성의 향상을 도모할 수 있다. 또한 공정의 단순화로 불량률의 발생을 줄일 수 있는 이점을 가진다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 들어 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 본원발명의 기술적 범위내에서 당업자에 의해 다양한 형태로 변형 가능함은 물론이다.
Claims (4)
- 전면기판에 투명전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명전극층의 상면에 소정패턴의 메탈 버스전극을 형성하는 단계와, 상기 메탈 버스전극의 상면에 설정된 투명전극의 폭과 동일한 폭으로 유전체층을 형성하는 유전체층 형성단계와, 상기 유전체층에 의해 노출된 투명전극층을 제거하여 소정패턴의 투명전극을 형성하는 투명전극 형성단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 투명전극 형성단계에 의해 투명전극이 형성된 전면기판의 노출된 상면에 유전체층을 형성하는 단계를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자의 제조방법.
- 전면기판과, 전면기판의 상면에 소정의 패턴으로 형성된 투명전극과, 상기 각 투명전극의 상면에 투명전극의 폭보다 좁은 폭으로 형성된 메탈 버스전극과, 각 전극의 형성된 기판의 상면에 형성되는 유전체층을 가지는 플라즈마 표시소자의 제조방법에 있어서,상기 기판의 상면에 투명전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명전극층의 상면에 소정패턴의 메탈 버스전극을 형성하는 단계와, 상기 메탈 버스전극의 상면과 투명전극층의 상면에 설정된 투명전극의 폭과 동일한 폭으로 제1유전체층을 형성하는유전체층 형성단계와, 상기 제1유전체층에 의해 노출된 상기 투명전극층을 제거하여 소정패턴의 투명전극을 형성하는 전극 형성단계와, 상기 제1유전체층이 형성된 전면기판의 상면에 제2유전체층을 형성하는 제2유전체층 형성단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1유전체층의 높이와 제2유전체층의 높이가 같거나 또는 제2유전체층이 높게 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 표시소자의 제조방법.
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1997
- 1997-05-22 KR KR1019970019974A patent/KR100393040B1/ko not_active IP Right Cessation
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