KR100377066B1 - 플라즈마디스플레이와그제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 디스플레이 장치에 관한 것이고, 플라즈마 디스플레이 장치는 기판(32) 표면에 고정된 유리 몸체(38)를 가지는 전방 패널(54)을 포함한다. 유리 몸체는 노출 표면내에 다수의 채널(40)을 가지며 채널 사이에는 직립형 리브(44)가 위치한다. 도전성 제 1 전극(48)은 각각이 분리된 채널의 기저부를 따라 연장하며 몸체상에 위치한다. 제 1 전극은 바람직하게는 유리 몸체내에 삽입된다. 투명 전방 패널은 후방 패널(31) 상부에 위치하고 유리 몸체상에 놓여서 고정된다. 평행하게 배치된 다수의 제 2 전극은 실질적으로 제 1 전극에 수직하여 전방 패널과 후방 패널 사이를 연장한다. 다른 색을 발광하는 인광 물질이 채널상에 코팅되고 채널은 플라즈마 기체로 충진된다.
Description
플라즈마 디스플레이는 한정된 희귀 불활성 기체내에서 글로우(glow) 방전 어레이를 선택적으로 여기시킴으로써 동작한다. 자외선광을 발생하는 He-Xe 또는 Ne-Xe 가스 혼합물과 같은 가스 혼합물내에 글로 방전을 발생시킴으로써 풀-칼라(full color) 디스플레이가 만들어진다. 자외선은 인광 물질을 여기시켜 원하는 색의 광을 발생시킨다. 이러한 디스플레이는 에이. 소벨의 1991년 12월 8일자 IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE의 vol. 19, no. 6, p1032-1047의 "플라즈마 디스플레이"와 피. 에스. 프리트만의 1995년 10월자 INFORMATION DISPLAY의 p22-28의 "플라즈마 디스플레이 패널은 저비용의 기술인가?"에 개시된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 전형적인 플라즈마 디스플레이 패널(10)은 그 표면상에 위치하며 평행하게 이격배치된 다수의 제 1 전극(14)을 가지는 후방 유리기판(12)을 포함한다. 유리와 같은 유전체 재료로 구성된 박막층(15)은 전극(14)을 덮는다. 배리어층(16)은 제 1 전극(14)들 사이의 유리 기판(12) 표면상에 위치한다. 배리어층(16)은 기판(12) 표면으로부터 제 1 전극(14)의 두께보다 더 길게 돌출한다. 적색, 녹색 및 청색(R-G-B) 인광 물질층(18, 20, 22) 각각은 배리어층(16) 사이에서 일정 간격으로 교대로 배치된 제 1 전극(14) 상부에 위치한다. 전방 투명 유리 기판(24)은 배리어층(16)에 의해 후방 유리 기판(12)으로부터 이격되도록 후방 유리 기판(12) 상부에 위치하고 배리어층(16)상에 놓인다.
평행하게 이격배치된 제 2 전극(26) 어레이가 전방 기판(24) 내부 표면상에 위치하고 제 1 전극(14)에 대하여 실질적으로 수직으로 연장한다. 전형적으로 유리인 유전체 재료층(28)이 제 2 전극(26)을 덮는다. MgO층(29)은 유전체층(28)을 덮는다. 적절한 방법으로 전극에 인가된 전압은 원하는 시간에 배리어에 의해 형성되는 영역 내에서 기체내의 플라즈마를 여기시키고, 유지하고, 소멸시킨다. 개별 화소의 어드레싱은 패널의 주위에서 외부 회로를 사용함으로써 행해진다. 배리어 구조는 전형적으로 방전을 어드레싱된 화소에 한정하는데 사용되어, 인접한 화소 엘리먼트 사이의 전기 및 광 누화를 제거한다.
AC 플라즈마 디스플레이에서, 화소의 칼럼은 배리어에 의해 분리되고, 제 1 전극은 배리어 사이의 갭 하부에 배치된다. DC 플라즈마 디스플레이에서, 배리어 구조는 전형적으로 교차되어 각각의 화소 엘리먼트에 상자-모양의 구조를 제공한다. 현재 기술에서, 배리어는 원하는 높이와 애스펙트비를 가진 배리어를 점증적으로 제공하는 다수의 고정밀 실크 스크리닝 단계에 의해 형성된다. 배리어의 높이 대 폭의 애스펙트비는 스크리닝 단계의 재현성에 의해 결정되고 전형적으로 2 또는 3값으로 제한되고, 이에 의해 얻을 수 있는 화소 밀도가 제한된다. 제조가 간단하고 더 높은 애스펙트비를 제공하는 배리어 구조를 형성할 수 있는 선택적인 수단이 필요하다.
발명의 요약
본 발명의 실시예에서 표면을 가진 유리로 구성된 몸체를 구비하는 후방 패널을 포함하는 디스플레이가 제공된다. 평행하게 이격배치된 다수의 채널이 몸체 표면상에 위치하고 직립형 리브(rib)는 채널 사이에 배치된다. 평행하게 이격배치된 다수의 제 1 전극은 몸체상에 위치하고 각각의 전극은 채널중 분리된 하나를 따라 연장한다. 전방 패널은 몸체 상부에서 연장하여 후방 패널에 고정된다. 평행하게 이격배치된 다수의 제 2 전극은 전방 패널과 후방 패널 사이에 위치하고 몸체상의 제 1 전극에 수직으로 연장한다.
본 발명의 실시예는 또한 바인더내에 분산된 유리 입자인 테이프를 가진 적어도 하나의 그린 테이프층을 형성하는 단계를 포함하는 디스플레이 제조 방법에 관한 것이다. 평행하게 이격배치된 채널이 그린 테이프층중 하나의 층 표면내에 형성되고, 직립형 리브가 채널 사이에 위치한다. 그린 테이프는 유리 입자가 용융되어 하나의 표면내에 채널을 가지는 유리 몸체를 형성할 수 있는 온도에서 소결(firing)된다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 및 이러한 디스플레이의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예는 디스플레이의 전방 플레이트와 후방 플레이트 사이에 세라믹 배리어를 가진 플라즈마 디스플레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래의 플라즈마 디스플레이의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 대한 투시도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 몸체에 대한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 플라즈마 디스플레이 패널의 몸체를 형성하기 위한 다중층 구조를 도시하는 분해 정면도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따라 그린 테이프 내부로 플라즈마 배리어를 엠보싱하는 한가지 방법과 엠보싱된 테이프의 단면도를 도시한다.
도 6은 그린 세라믹 테이프내에 형성되고 소결된 엠보싱된 배리어의 현미경 사진이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따라 그린 테이프 내부로 배리어를 엠보싱하는 다른 방법과 엠보싱된 테이프의 단면도를 도시한다.
도 8은 상부에 전극 세트가 장착되는 프레임의 투시도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 전체적으로 참조 부호 30으로 표시된다. 디스플레이 패널(30)은 금속, 세라믹 및 유리와 같은 적합한 강성 재료로 구성되며 실질적으로 평탄하고 대향하는 표면(34, 36)을 가지는 평면 기판(32)을 구비하는 후방 패널(31)을 포함한다. 금속으로 구성된 기판(32)이 바람직하다. 기판(32)의 표면(34)상에 유리로 구성된 몸체(38)가 위치한다. 여기서 "유리"라고 사용되는 용어는 전체적으로 또는 적어도 일부가 유리화할 수 있는 재료를 의미한다. 유리 몸체(38)는 적합한 결합 재료에 의해 기판(32)에 결합된다. 이하에서 설명되듯이, 몸체(38)는 함께 용융된 다수의 층 또는 단일 유리층으로 구성된다. 몸체(38)는 상부 표면(42)내에 직립형 배리어 리브(44)에 의해 이격되는 다수의 평행 채널(40)을 갖는다. 채널(40)은 모두 실질적으로 같은 폭을 가진다. 표면(46)은 몸체(38)의 일측면을 따라 연장한다.
평행하게 이격배치된 제 1 전극(48)은 몸체(38) 내에 삽입되고 각각의 채널(40)의 하부면 아래에서 하부면을 따라 연장한다. 하지만, 원한다면 제 1 전극(48)은 채널(40)의 하부면상에서 하부면을 따라 위치하거나 또는 몸체(38)와 기판(32) 사이의 몸체(38)의 후방 표면상에 위치할 수 있다. 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 인광 물질로 구성된 인광 물질층(50)이 교대로 배치된 채널(40)중 하나의 채널 표면 바람직하게는 하부면을 포함하는 표면상에 코팅된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 접속 채널(52)이 몸체(38)의 상부면(42)내에 위치하고 각각의 채널(40)의 일단부를 따라 연장한다. 채널(52)은 채널(40) 모두를 접속시킨다. 채널(52)은 몸체(38)와 기판(32)을 통해 연장하는 홀(53)까지 연장하고, 이를 통해, 이하에서 설명되는 바와 같이, 채널이 공핍화되고 플라즈마 기체로 재충진될 수 있다.
실질적으로 평탄한 유리 전방 패널(54)은 모든 채널(40, 52)을 덮지만 표면(46)은 덮지 않도록 몸체(38) 상부에서 연장하고 리브(44)상에 위치한다. 전방 패널(54)은 유리 프릿(frit)과 같은 적합한 결합 재료(57)에 의해 리브(44)에 고정된다. 비록 전방 패널(54)이 방전 기체를 유지하기 위하여 외부 에지부 주위에서만 후방 패널에 밀봉되어야 하지만, 전방 패널(54)을 모든 리브(44)에 결합시키는 것이 바람직하다. 이는 전방 패널(54)과 몸체(38) 사이에 강한 결합을 제공한다. 강한 결합의 장점은 디스플레이로 하여금 채널(40) 내부의 상승된 기체 압력을 지탱할 수 있게 한다는 것이다. 상승된 압력에서 동작하는 패널은 저압에서 동작하는 패널보다 더 짧은 배리어를 사용할 수 있다. 짧은 배리어는 긴 배리어보다 훨씬 용이하게 특히, 고분해능과 정밀한 배리어 피치(pitch)가 요구될 때 용이하게 제조될 수 있다. 고압 방전은 또한 저압 방전보다 훨씬 더 빠르게 발생하고, 이로써 더 높은 구동률과 밝은 디스플레이에 요구되는 광출력을 증가시킬 수 있다.
전방 패널(54)의 내부 표면(56)상에는 평행하게 이격배치된 다수의 제 2 전극(58)이 위치한다. 제 2 전극(58)은 채널(40)을 가로질러 제 1 전극(48)에 수직으로 연장한다. 제 2 전극(58)은 인듐-주석 산화물(ITO)과 같은 도전성 투명 재료 또는 금속 박막 혹은 미세 와이어일 수 있다. AC 디스플레이에서, 제 2 전극은 유리와 같은 절연 재료로 코팅된다. 전극은 가요성 리본형 커넥터와 같은 커넥터에 의해 패널 주위에 부착된 외부 구동 전자 장치에 접속될 수 있다. 바람직하게는, 몸체(38) 에지부 표면(46)상에 집적 회로 및 커패시터등과 같은 여러 전기 소자(60)들이 장착되고, 이들은 플라즈마 디스플레이를 구동하고 제어하기 위한 전기 회로들에 함께 접속된다. 제 1 전극(48)과 제 2 전극(58)은 표면(46)상의 회로에 접속된다. 그러나, 원한다면 구동 및 제어 회로를 형성하는 소자(60)는 기판(32) 표면(36)상에 장착될 수 있고 기판(32)과 몸체(38)내의 비아를 통해 또는 기판(32)과 몸체(38) 에지부 주위로 연장하는 도체에 의해 전극(48, 58)에 접속된다. 소자(60)가 기판(32)의 표면(36)상에 장착되면, 절연체 재료층이 소자(60)를 금속 기판(32)으로부터 절연시키기 위해 표면(36)상에 제공된다.
디스플레이 패널(30)은 몸체(38)를 먼저 형성함으로써 만들어진다. 몸체(38)는 다수의 그린 테이프층을 형성함으로써 만들어진다. 각각의 그린 테이프층은 수지로 이루어진 바인더에서의 유리입자와, 계면 활성제 및 액상 용액내의 붕해제의 혼합물이다. 이러한 그린 테이프층을 위한 재료에 대한 예들이 미국 특허 출원 번호 제 08/467,351호 "Method For Producing Laminated, Co-Fired, Ceramic Substates With Cutouts For Device Placement", 미국 특허 출원 번호 제 08/379,266호 "Low Loss Dielectric Glasses", 미국 특허 출원 번호 제 08/379,264호 "Electric Feedthroughs For Ceramic Circuit Board Support Substrates", 미국 특허 출원 번호 제 08/379,263호(11634) "Glass Bonding Layer For Ceramic Circuit Board Support Substrate" 및 미국 특허 출원 번호 제 08/379,265호(11664) "Conductive Via Fill Ink For Ceramic Multilayer Circuit Board On Support Substrates"등에 개시된다. 각각의 출원서가 여기서는 참조를 위해 인용된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 다수의 그린 테이프층(62, 64, 66, 68)은 중첩되어 적층되고 기판(32)의 표면(34)상에 위치하여 다층 후방 패널 구조물을 형성한다. 그러나, 그린 테이프(62, 64, 66, 68)를 적층하기 이전에, 다수의 도전 스트립이 중간의 그린 테이프층(66) 표면상에 형성되어 제 1 전극(48)을 형성한다. 도전 스트립은 그린 테이프층(66)상에 도전성 재료를 실크 스크리닝 또는 진공 증착과 같이 적절히 증착하거나 또는 단지 그린 테이프층(66)의 표면상에 도전성 호일 또는 와이어로 구성된 스트립을 위치시킴으로써 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 전극(48)은 다층 구조물의 일부가 된다.
다음으로, 채널(40, 52)은 프레싱 또는 엠보싱에 의해 적어도 다층 구조물의 상부 그린 테이프층(62)에 형성된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 그린 테이프층(62)내의 채널(40, 52)을 엠보싱하기 위한 방법은 예를 들면, 금속 플레이트를 에칭 또는 전기 주조하여 형성되는 다이(70)를 가지고 엠보싱하여, 원하는 구조물의 반대되는(이하 반전) 구조물을 가지도록 하는 것이다. 다이(70)는 적합한 온도와 압력으로 그린 테이프층(62)에 프레싱되어 도 6에 도시된 바와 같이 채널(40, 52)과 리브(44)의 패턴을 테이프 표면 내부로 엠보싱하도록 한다. 다층 구조물 내부에 형성된 이후에 채널(40, 52)을 그린 테이프층(62) 내에 선택적으로 엠보싱하기 위하여, 그린 테이프층(62)은 다른 그린 테이프층(64, 66, 68)이 적층되기 전에 채널(40, 52)로 엠보싱될 수 있다.
도 7을 참조하면, 그린 테이프층(62) 내에 채널(40, 52)을 엠보싱하는 다른 방법이 도시된다. 이러한 방법은 엠보싱될 반전 구조물을 가진 표면을 구비하는 롤러(72)를 포함하는 엠보싱 롤러(72, 74)를 사용한다. 다층 구조물 또는 단일 그린 테이프층(62)은 롤러(72, 74) 사이를 통과하여 그 표면에 채널(40, 52)과 리브(44)를 엠보싱한다.
채널(40, 52)은 또한 하나 이상의 그린 테이프층을 통하는 가늘고 긴 홀을 커팅하거나 또는 펀칭함으로써 형성될 수 있다. 그린 테이프층이 적층되어 다층구조물을 형성할 때 그곳에 채널(40, 52)과 리브(44)가 제공된다. 홀이 하나 이상의 그린 테이프층을 통해 완전하게 커팅 또는 펀칭될 수 있기 때문에, 이는 엠보싱 기술에 의해 제공되는 것보다 더 깊은 채널을 제공한다. 게다가, 채널(40, 52)과 리브(44)는 그린 테이프층 내에 주조될 수 있다. 일반적으로 그린 테이프층은 경질 플라스틱판상에 층 재료를 독터 블레이딩(doctor blading)함으로써 형성된다. 채널을 주조하기 위해, 테이프는 반전 채널 패턴이 몰딩된 플라스틱판 상에서 독터 블레이딩된다. 플라스틱이 벗겨지고 난 후, 채널 구조물이 그린 테이프층내에 남는다.
다음으로 다층 구조물은 그린 테이프층내의 유리가 용융되는 온도로 소결된다. 다층 구조물을 소결하는 동안, 액상 용액이 가장 먼저 증발하고 수지는 유리 구조물을 기판에 결합시키는 역할을 할 것이다. 다음으로 그린 테이프층내의 유리는 함께 용융되어 기판(32)에 결합된 유리 몸체(38)를 형성하고 어드레스 전극(48)이 내부에 삽입되고 채널(40, 46)과 리브(44)가 표면에 형성된다.
후방 패널 다층 구조물에 적합한 재료는 코오디어라이트 충진제(900-925℃ 소결 온도) 몸체(38)를 가진 MgO-Al2O3-SiO2유리로 구성된 기판(32)으로서 구리-몰리부덴-구리 금속 샌드위치층; 포스테라이트와 코오디어라이트(825-850℃ 소결 온도) 몸체를 가진 Mg0-ZnO-B2O3유리로 구성된 코바아 금속 기판; 및 납 붕규산 유리와 알루미나 충진제(775-800℃ 소결 온도) 몸체를 가진 구리-스테인레스 강철-구리로 구성된 금속 샌드위치층을 포함한다. 다른 기판 재료는 니켈, 구리-니켈-구리및 스테인레스 강철을 포함한다.
따라서, 디스플레이 패널(30)의 후방 패널을 형성하는데 필요한 방법은 이하의 단계를 포함한다:
1. 유리와 바인더의 현탁액을 독터 블레이딩함으로써 그린 테이프층을 형성한다. 유리는 전방 패널과 동일한 열적 팽창 계수를 포함한 원하는 특성을 제공하기 위해 혼합된다. 전형적인 테이프의 두께는 0.05-0.5㎜이다.
2. 금속 코어가 플라즈마 후방 패널의 원하는 활성 영역의 크기보다 크게 커팅된다. 이러한 커팅된 금속 코어는 필요하다면 소결하자마자 강한 부착력의 산화물을 형성하는 금속으로 적절히 전기 도금된다. 필요에 따라 인쇄 정합 마킹이 다음으로 제공된다.
3. 단계 2로부터의 금속 코어는 혼합 유리와 금속 코어 사이에 강한 결합을 제공하고 또한 소결/동시-소결(co-firing) 동안 x-y 수축을 최소화하는 글레이즈로 인쇄된다.
4. 단계 1의 그린 테이프층이 사이징(sizing)을 위해 블랭킹되고, 원하는 비아 홀을 제공하기 위해 펀칭되고, 정확한 인쇄 정합을 위해 정렬 마킹을 가지고 핀홀을 펀칭한다. 도체가 원하는 곳에 부착될 칩을 구동하기 위한 전극과 접속부를 형성하기 위해 인쇄된다. x-y 수축을 제거하기 위해, 소결 불가능한 불활성 재료로 구성된 층이 적층된 그린 테이프층의 최상부에 제공된다. 이러한 불활성 재료층은 테이프의 형태이거나 또는 최상층을 형성하는 그린 테이프의 최상부에 잉크로 스크린 인쇄될 수 있다. 이러한 소결 불가능한 불활성 재료층의 화학적 조성은 알루미나, 지르코니아, 붕소 질화물 혹은 내화 물질 또는 이들의 화합물일 수 있다.
5. 이상에서 언급된 유리로 구성된 다중 그린 테이프층은 불활성 재료층을 따라 라미네이팅 고정물에 적층되고, 라미네이트내에 적절한 입자 패킹 밀도를 제공하기에 충분히 높은 라미네이팅 압력에서 매우 높은 온도(그린 테이프 제조시 바인더로서 사용된 수지의 유리화 온도 또는 그 이상의 온도)로 라미네이팅된다. 사용될 테이프의 수는 동시-소결된 배리어 높이 및 각각의 그린 테이프와 동시-소결된 테이프 두께에 의해 부분적으로 한정된다.
6. 단계 5에서의 라미네이트가 플라즈마 후방 패널에 필요한 배리어와 채널 패턴을 제공하기 위해 엠보싱된다. 이는 추가의 단계로 또는 단계 5에 조합되어 수행될 수 있다.
엠보싱은 원하는 배리어와 채널 패턴의 반전을 가진 다이를 사용하여 수행할 수 있다. 그러나, 다이내의 반전 배리어 모양은 직각 또는 테이퍼(tapered) 형태이다. 다이 재료는 금속 또는 금속 합금일 수 있다. 엠보싱이 별도의 단계로 수행될 경우, 원하는 입자 패킹 밀도를 다시 얻기 위해 라미네이팅 압력과 같은 또는 더 높은 엠보싱 압력이 필요하다. 엠보싱 압력과 다이 설계는 또한 그린 테이프와 불활성 재료층의 z-수축을 고려한 원하는 동시-소결된 배리어 높이에 의존한다. 전형적인 배리어 높이는 0.05-0.2㎜이다. 다이에 대한 그린 테이프의 점착성을 제거하기 위해 엠보싱 다이에 이형제가 제공될 수 있다.
7. 단계 6의 엠보싱된 적층물은 금속 코어에 동시-라미네이팅(colaminating)된다. 이는 또한 핫 프레싱(hot pressing)에 의해 수행될 수 있지만, 엠보싱된 배리어의 뒤틀림을 방지하기 위하여 단계 5와 단계 6에서 적용된 압력보다 더 낮아야 한다. 가요성 재료와 톨링(tolling)/고정 시스템으로 단계 5 내지 단계 7이 하나의 단계로 조합될 수 있다.
8. 이어 동시-라미네이팅된 적층물(금속상의 유리)이 다층 기판을 형성하기 위하여 동시-소결된다. 불활성 재료는 단순한 세정 처리에 의해 동시-소결 기판으로부터 제거된다.
9. 삼색 UV 플라즈마 인광 물질은 채널내에 증착되고 각각의 색은 엠보싱된 배리어에 의해 분리된다. 인광 물질 분말은 유기물 바인더와 혼합되고 적절한 배치이후에 스크린 프린팅에 의해 채널내에 증착된다. 선택적으로, 용매-수지 혼합물내에 부유하는 인광 물질 분말은 적합한 마스크를 통해 채널 내부로 분무될 수 있다. 이어 다층 기판은 상부면이 건조되고 인광 물질내의 유기물 바인더를 베이킹(baking)하기 위해 소결된다.
예
1. 그린 테이프층은 충진 재료와 바인더 시스템을 가진 MgO-Al2O3-SiO2유리-세라믹 시스템의 현탁액을 독터 블레이딩함으로써 형성된다. 소결 불가능한 불활성 상부층은 또한 Al2O3분말과 바인더를 가진 그린 테이프 형태로 구성된다. 모든 테이프는 인쇄 정합 마킹을 갖도록 블랭킹되고 펀칭된다.
2. 이어 그린 테이프는 적층되고 원하는 라미네이트를 얻기 위해 90℃, 110psi의 높은 압력에서 라미네이팅된다.
3. 엠보싱은 90℃, 1500psi에서 반전 채널-배리어 패턴을 가진 기계 황동 다이를 사용하여 수행된다. 이형제는 엠보싱 이전에 엠보싱 다이상에서 브러싱(brushing)된다. 이형제는 그린 테이프의 바인더 시스템과 호환성을 가진 계면 활성제-용매 혼합물로 구성되는 조성을 가지므로써 라미네이트가 다이에 고착되지 않거나 또는 떨어져 나가도록 한다.
다이는 0.625㎜ 피치에서 0.25㎜ 배리어 폭과 0.1㎜의 동시-소결된 배리어 높이를 갖도록 설계된다. 엠보싱 기술에 대한 (주로 라미네이션과 엠보싱 압력에 대한) 변형은 같은 엠보싱 다이를 사용하여 0.15㎜ 높이의 동시-소결된 배리어를 재생산할 수 있도록 한다.
4. 사용된 금속 코어는 적절하게 그레이징된 Cu-Mo-Cu 시스템이다. 엠보싱 적층물의 동시-라미네이팅은 90℃, 60psi에서 핫 라미네이팅 압력으로 수행된다.
5. 910℃에서 동시-소결된 이후에, 알루미나층은 초음파를 사용하여 세정되고 삼색 인광 물질은 각각의 색에 대해 분리된 스크린을 사용하여 세 단계로 인쇄된다. 인광 물질의 베이킹 압력은 720℃이다.
다음으로 전기 소자(60)가 표면(46)에 장착되어 상호 접속되고 원하는 구동 회로 및 제어 회로를 형성하기 위하여 제 1 전극에 접속된다. 이어 전방 패널(54)이 후방 패널(31) 상부에 놓이고 리브(44)상에 위치된다. 다음으로 결합 프릿이 리브(44)상에 위치하여 전방 패널(54)을 리브(44)에 결합시키도록 한다. 먼저 전방 패널(54)의 내부 표면상에 제 2 전극(58)이 제공된다. 제 2 전극은 실크 스크리닝 또는 진공 증착과 같은 원하는 기술로 전방 패널(54)의 내부 표면상에 코팅될수 있다. 선택적으로, 제 2 전극(58)은 전방 패널(54) 또는 리브(44)를 가로질러 신장되며 평행하게 이격배치된 다수의 와이어이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 평행하게 이격배치된 와이어(76)는 직사각형 프레임(78)의 두 평행면을 가로질러 신장되고 프레임(78)에 고정된다. 다음으로 프레임(78)이 후방 패널을 가로질러 위치될 수 있으며 와이어(76)는 리브(44)상에 놓인다. 다음으로 전방 패널(54)은 리브상에 놓이고 그곳에 밀봉된다. 이어 와이어(76)의 단부가 절단되고 프레임(78)이 제거된다. AC 디스플레이에서, 와이어(76)는 절연체층 바람직하게는 유리로 구성된 층으로 프레임(78)상에 장착되기 이전 또는 이후에 코팅된다. 와이어(76)의 단부는 유리가 없는 상태가 되어 전기 구동 회로에 쉽게 접속될 수 있도록 한다. 다음으로 채널(40)은 후방 패널(31)과 접속 채널(52)내의 홀(53)을 통해 진공을 끌어냄으로써 공핍화한다. 채널(40)이 홀(53)을 통해 적합한 플라즈마 기체로 충진된 이후에 홀(53)이 밀봉된다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마 디스플레이에는 기판상에 장착된 유리 몸체 및 채널 어레이와 채널 어레이 표면상에 위치하는 리브가 제공된다. 어드레스 전극이 몸체 내부 또는 몸체 표면상에 채널의 하부를 따라 연장하는 제 1 전극을 가지며 형성된다. 다른 색을 발광하는 인광 물질이 채널 내부에 제공된다. 전방 채널은 채널 상부에 장착되고 리브상에 놓여서 고정된다. 제 2 전극은 전방 패널과 리브 사이에 제공된다. 전기 소자는 몸체에 장착될 수 있고 패널을 위한 구동 회로와 제어 회로를 제공하기 위하여 함께 접속되고 전극에 접속된다.
후방 패널의 바람직한 다층 구조물은 플라즈마 디스플레이를 제조하는데 있어서 비용 효과가 있다. 금속 기판은 파손에 대한 강도와 저항력을 상당히 증가시킨다. 채널을 형성하는 공정이 유리를 사용한 기술보다 더 간단하고 비용이 덜 든다. 베이스 구조상의 교차하는 x-y 도체는 상부에 위치하는 유리상으로의 와이어링을 필요로 하지 않는다. 다층 유리 구조물에서, 신호는 많은 층을 통과할 수 있고 어드레싱에 대한 선택의 범위를 넓힌다.
비록 본 발명에 따르면 디스플레이가 플라즈마 디스플레이로서 설명되었지만, 진공 형광 디스플레이와 같은 형태의 다른 디스플레이도 가능하고, 이는 같은 구조를 갖는다. 또한, 본 발명에 따른 디스플레이가 평행하게 이격배치된 리브의 단일 세트를 가짐으로써 리브 사이에 평행하게 이격배치된 채널을 형성하도록 기술되었지만, 제 1 세트의 리브의 적어도 일부에 수직으로 그리고 가로질러 연장하는 제 2 세트의 리브를 가짐으로써 리브 사이에 개별적인 챔버를 형성하도록 할 수도 있다.
Claims (8)
- 표면을 가진 유리 몸체를 구비하는 후방 패널;상기 몸체 표면상에 위치되며, 직립형 리브에 의해 분리되는 평행하게 이격배치된 다수의 채널을 포함하는 일체로 형성된 세라믹층;상기 몸체상에서 상기 일체로 형성된 세라믹층 아래에 위치되며, 각각이 상기 채널 각각의 하부면을 형성하는 유전체 세라믹층 아래에서 유전체 세라믹층을 따라 연장하는 평행하게 이격배치된 다수의 제 1 전극;상기 후방 패널을 가로질러 연장하며 상기 후방 패널에 놓여서 고정되는 전방 패널; 및상기 전방 패널과 상기 후방 패널 사이에 위치하며 상기 제 1 전극에 수직으로 연장하는 평행하게 이격배치된 다수의 제 2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
- 제 1 항에 있어서, 상기 후방 패널은 표면을 가지는 기판을 더 포함하고 상기 몸체는 상기 기판 표면에 장착되어 고정되는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
- 제 2 항에 있어서, 상기 각각의 채널중 적어도 하나의 단부를 가로질러 연장하고 상기 채널을 접속시키는 상기 몸체 표면내의 접속 채널 및 상기 접속 채널로부터 상기 몸체와 상기 기판을 통해 연장하는 홀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
- 제 2 항에 있어서, 상기 채널 표면상에 코팅되어 다른 색을 발광하는 인광 물질 및 상기 채널내 플라즈마 기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이.
- 금속으로 이루어진 기판과 상기 기판 표면에 장착되어 고정되는 유리 몸체를 가지는 후방 패널;상기 몸체의 표면상에 위치되며, 직립형 리브에 의해 분리되는 평행하게 이격배치된 다수의 채널을 포함하는 일체로 형성된 세라믹층;상기 몸체상에 위치되고 상기 일체로 형성된 세라믹층에 의해 덮이며, 각각이 분리된 채널의 하부를 따라 하부 아래로 연장하는 평행하게 이격배치된 다수의 제 1 전극;상기 후방 패널을 가로질러 연장하며 상기 후방 패널에 놓여서 고정되는 투명 전방 패널;상기 전방 패널과 상기 후방 패널 사이를 연장하며 상기 제 1 전극에 수직하는 평행하게 이격배치된 다수의 제 2 전극; 및상기 채널내의 플라즈마 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
- 제 5 항에 있어서, 상기 채널의 하부면상에 다른 색을 발광하는 인광 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이.
- 각각이 바인더에서 분산된 유리 입자인 적어도 하나의 그린 테이프층을 형성하는 단계;상기 그린 테이프층중 하나의 층 표면에 평행하게 이격배치된 다수의 채널을 형성하는 단계를 포함하는데, 상기 채널들 사이에 직립형 리브가 위치되며;상기 채널과 상기 리브를 가진 층이 적층물 상부에 위치하도록 상기 그린 테이프층에 적층하는 단계; 및상기 유리 입자가 함께 용융되어 표면에 채널을 가지는 유리 몸체를 형성하도록 하는 온도에서 상기 그린 테이프층의 적층물을 소결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 제조 방법.
- 자신을 가로질러 연장하는 평행하게 이격배치된 제 1 전극을 가지는 몸체를 형성하는 단계;다수의 이격배치된 채널들을 가지는 일체형 세라믹층을 형성하는 단계를 포함하는데, 상기 채널들 사이에 직립형 리브가 위치되고, 상기 채널들 사이의 이격은 상기 전극 사이의 이격과 동일하며;상기 각각의 제 1 전극의 바로 위에 채널들을 위치시키기 위해 상기 몸체에 세라믹층을 결합하는 단계;사각형 프레임의 두 측면 사이에 평행하게 이격배치된 다수의 와이어를 배치하는 단계;상기 와이어가 상기 제 1 전극에 수직하게 연장하도록 상기 몸체 위로 프레임을 위치시키는 단계;상기 몸체와 상기 와이어 위에 투명 재료로 이루어진 전방 패널을 위치시키는 단계; 및상기 와이어가 상기 전방 패널과 상기 몸체 사이에 고정되도록 상기 전방 패널을 상기 몸체에 결합시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 제조 방법.
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| US6140767A (en) * | 1997-04-25 | 2000-10-31 | Sarnoff Corporation | Plasma display having specific substrate and barrier ribs |
| KR100497786B1 (ko) * | 1997-04-25 | 2005-06-29 | 사르노프 코포레이션 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
| US6168490B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-01-02 | Sarnoff Corporation | Back panel for a plasma display device |
| JP3394173B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-04-07 | 富士通株式会社 | ガス放電パネル及びその排気方法 |
| JP3877024B2 (ja) | 1998-04-13 | 2007-02-07 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成方法と装置並びにそれらに用いるフィラメント状成形体とその成形体の製造方法 |
| US6140759A (en) * | 1998-07-17 | 2000-10-31 | Sarnoff Corporation | Embossed plasma display back panel |
| US20020017855A1 (en) * | 1998-10-01 | 2002-02-14 | Complete Substrate Solutions Limited | Visual display |
| US6300714B1 (en) * | 1999-07-22 | 2001-10-09 | U.S. Philips Electronics | Display panel |
| EP1389342B1 (en) * | 2001-01-29 | 2009-04-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fibers or ribbons for use in the manufacture of structures in flat panel display |
| US6553662B2 (en) | 2001-07-03 | 2003-04-29 | Max Levy Autograph, Inc. | Method of making a high-density electronic circuit |
| JP2003092068A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマディスプレイの背面板とその製造方法 |
| KR100827390B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2008-05-06 | 오리온피디피주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽용 엠보싱형성방법과 그장치 및 이에 따른 후면기판을 지니는 플라즈마디스플레이 패널 |
| KR100551767B1 (ko) * | 2003-10-02 | 2006-02-10 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
| DE102006006820B4 (de) * | 2005-02-14 | 2014-07-31 | Futaba Corp. | IC-Chip-Beschichtungsmaterial sowie Zwischenprodukt und Verfahren zur Herstellung einer Vakuumfluoreszenzdisplayvorrichtung |
| US7642720B2 (en) * | 2006-01-23 | 2010-01-05 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Addressable microplasma devices and arrays with buried electrodes in ceramic |
| US8493071B1 (en) * | 2009-10-09 | 2013-07-23 | Xilinx, Inc. | Shorted test structure |
| US8802454B1 (en) | 2011-12-20 | 2014-08-12 | Xilinx, Inc. | Methods of manufacturing a semiconductor structure |
| KR102125905B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2020-06-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 인쇄 회로 기판, 표시 장치 및 인쇄 회로 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7016929A (ko) * | 1970-11-19 | 1972-05-24 | ||
| NL7317435A (nl) * | 1973-12-20 | 1975-06-24 | Philips Nv | Gasontladingspaneel. |
| US4270823A (en) * | 1978-09-01 | 1981-06-02 | Burroughs Corporation | Method of forming conductors in slots in a plate |
| GB2054259A (en) * | 1979-06-27 | 1981-02-11 | Modern Controls Inc | Gas discharge display device |
| US4256533A (en) * | 1980-01-14 | 1981-03-17 | Modern Controls, Inc. | Method of constructing layered glass display panels |
| US4374457A (en) * | 1980-08-04 | 1983-02-22 | Wiech Raymond E Jr | Method of fabricating complex micro-circuit boards and substrates |
| US4510417A (en) * | 1983-05-02 | 1985-04-09 | Burroughs Corporation | Self-scan gas discharge display panel |
| US4546065A (en) * | 1983-08-08 | 1985-10-08 | International Business Machines Corporation | Process for forming a pattern of metallurgy on the top of a ceramic substrate |
| JPS6286656A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Murata Mfg Co Ltd | チヤネルプレ−トの製造方法 |
| US4963114A (en) * | 1987-11-25 | 1990-10-16 | Bell Communications Research, Inc. | Process for fabrication of high resolution flat panel plasma displays |
| JPH01213936A (ja) * | 1988-02-20 | 1989-08-28 | Fujitsu General Ltd | Ｐｄｐの放電セル形成用中間層およびその製造方法 |
| JPH0743996B2 (ja) * | 1988-03-02 | 1995-05-15 | ガス放電表示装置の製造方法 | |
| KR920004143B1 (ko) * | 1990-07-04 | 1992-05-25 | 삼성전관 주식회사 | 플라즈마 표시소자 |
| JP2999531B2 (ja) * | 1990-09-14 | 2000-01-17 | 沖電気工業株式会社 | 厚膜層のエッチング方法 |
| US5265327A (en) * | 1991-09-13 | 1993-11-30 | Faris Sadeg M | Microchannel plate technology |
| US5424605A (en) * | 1992-04-10 | 1995-06-13 | Silicon Video Corporation | Self supporting flat video display |
| US5240671A (en) * | 1992-06-01 | 1993-08-31 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of forming recessed patterns in insulating substrates |
| US5440201A (en) * | 1992-08-26 | 1995-08-08 | Tektronix, Inc. | Plasma addressing structure with wide or transparent reference electrode |
| KR0127666B1 (ko) * | 1992-11-25 | 1997-12-30 | 모리시다 요이찌 | 세라믹전자부품 및 그 제조방법 |
| US5308556A (en) * | 1993-02-23 | 1994-05-03 | Corning Incorporated | Method of making extrusion dies from powders |
| US5686790A (en) * | 1993-06-22 | 1997-11-11 | Candescent Technologies Corporation | Flat panel device with ceramic backplate |
| US5714840A (en) * | 1995-03-07 | 1998-02-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Plasma display panel |
| JP3591910B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2004-11-24 | 大日本印刷株式会社 | プラズマディスプレイパネルのセル障壁製造方法 |
| US5723945A (en) * | 1996-04-09 | 1998-03-03 | Electro Plasma, Inc. | Flat-panel display |
| JPH10188793A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-07-21 | Hitachi Ltd | ガス放電型表示パネル、ガス放電型表示パネルの製造方法およびガス放電型表示パネルを用いた表示装置 |
-
1997
- 1997-01-30 WO PCT/US1997/000542 patent/WO1997028554A1/en not_active Application Discontinuation
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