KR100373327B1 - Electronic devices having horizontal carbon nanotubes and method for forming the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탄소 나노튜브의 길이를 조절할 수 있고, 탄소 나노튜브와 기판 간의 밀착성을 강화시킬 수 있으며 탄소 나노튜브 형성 이후의 공정을 용이하게 진행할 수 있는 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 기판 상에 수직으로 형성된 금속촉매 측벽에 기판과 평행한 탄소나노튜브를 선택적으로 성장시키는 공정과, 탄소 나노튜브를 보호절연막으로 덮어 고정시키며 탄소 나노튜브 영역 상부를 평탄하게 함으로써 이후의 반도체공정을 자유롭게 적용시킬 수 있도록 하는데 그 특징이 있다. 이와 같이 기판에 평행하게 형성된 탄소 나노튜브와 기판의 밀착성이 유지된 상태에서는 이후의 반도체공정을 자유롭게 적용시킬 수 있고, 이를 통해 균일한 특성의 소자를 가공할 수 있게 되어 집적회로 칩의 제조가 가능하다.The present invention can control the length of the carbon nanotubes, can enhance the adhesion between the carbon nanotubes and the substrate, and the electronic device having a horizontal carbon nanotubes that can easily proceed the process after the carbon nanotubes formed and its manufacture A process for selectively growing carbon nanotubes parallel to a substrate on a metal catalyst sidewall formed vertically on a substrate, covering the carbon nanotubes with a protective insulating film, and flattening the carbon nanotube region thereafter. It is characterized by the ability to freely apply the semiconductor process. As described above, in the state where the adhesion between the carbon nanotubes formed in parallel with the substrate and the substrate is maintained, the following semiconductor processes can be freely applied, and thus the devices of uniform characteristics can be processed to manufacture integrated circuit chips. Do.
Description
본 발명은 탄소 나노튜브를 이용한 전자소자에 관한 것으로, 특히 기판에 수평한 탄소나노튜브 형성 방법 및 그를 이용한 전자소자 및 집적소자 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an electronic device using carbon nanotubes, and more particularly, to a method of forming carbon nanotubes horizontally on a substrate, and a method of manufacturing electronic devices and integrated devices using the same.
현재까지 시도되고 있는 탄소나노튜브를 이용한 소자 제조 방법은, 탄소 나노튜브를 아크방전을 이용해 성장시킨 후 정제하고 개개의 미소한 튜브를 취급하여 소자화하거나, 촉매금속을 모재에 증착시킨 후 이로부터 튜브를 모재에 수직한 방향으로 성장시켜 소자에 집적하는 방법이 이용된다. 후자의 경우 반도체 제조 공정을 이용한 소자 제조가 가능하나 원천적으로 무작위로 성장되는 탄소나노튜브는 길이가 불균일하여 균일한 소자의 제조가 어렵다.A device manufacturing method using carbon nanotubes, which has been tried until now, is grown by using carbon nanotubes by arc discharge, and purified and treated by individual microtubes, or the catalyst metal is deposited on a base material, and then a tube is produced. Is grown in a direction perpendicular to the base material and integrated into the device. In the latter case, it is possible to manufacture a device using a semiconductor manufacturing process, but it is difficult to manufacture a uniform device because carbon nanotubes grown at random randomly have a nonuniform length.
도 1은 종래기술에 따라 기판(10)을 덮는 전도성 고분자층(11) 상에 수직 방향으로 성장된 탄소 나노튜브(12)를 구비하여 수직 방향으로 전자를 방출하는 전계방출 디스플레이 소자의 단면도이다. 도 1과 같이 길이가 일정하지 않은 탄소 나노튜브(12)를 구비하는 전계방출 소자는 균일한 전자의 전계방출이 어렵고, 따라서 집적회로 제조시 소자간 특성이 균일하지 않을 가능성이 있다. 도 1에서 미설명 도면부호 '13'은 스페이서, '14'는 그리드, '15'는 형광체, '16'은 상부전극을 각각나타낸다.1 is a cross-sectional view of a field emission display device that emits electrons in a vertical direction with carbon nanotubes 12 grown in a vertical direction on a conductive polymer layer 11 covering a substrate 10 according to the prior art. As shown in FIG. 1, the field emission device including the carbon nanotubes 12 having non-uniform lengths is difficult to emit uniform electrons, and therefore, there is a possibility that the characteristics between devices may not be uniform during integrated circuit manufacturing. In FIG. 1, reference numeral 13 denotes a spacer, 14 denotes a grid, 15 denotes a phosphor, and 16 denotes an upper electrode.
한편, 3차원 소자 구조에서 튜브의 접착 안정성이 문제가 되며, 기판 상에 수직하게 형성된 튜브 사이에 공간이 있어 추후의 반도체 공정을 진행하기 어렵다. 즉, 소자 특성이 단일 소자 내에서뿐만 아니라 소자간에도 불균일하여 집적소자 제조가 어렵고, 성장된 튜브 상에 기존의 평면적 반도체공정을 적용하기 위해서는 공정이 복잡해질 수 있고, 구현하는 소자 구조에 제약이 따르게 된다.On the other hand, the adhesion stability of the tube in the three-dimensional device structure is a problem, there is a space between the tubes formed vertically on the substrate it is difficult to proceed with the semiconductor process later. In other words, because device characteristics are not only uniform within a single device but also between devices, integrated device manufacturing is difficult, and in order to apply an existing planar semiconductor process on a grown tube, the process may be complicated and constraints are placed on the device structure to be implemented. .
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 탄소 나노튜브의 길이를 조절할 수 있고, 탄소 나노튜브와 기판 간의 밀착성을 강화시킬 수 있으며 탄소 나노튜브 형성 이후의 공정을 용이하게 진행할 수 있는, 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention for solving the above problems, can adjust the length of the carbon nanotubes, can enhance the adhesion between the carbon nanotubes and the substrate and can easily proceed the process after the carbon nanotubes, horizontal carbon It is an object to provide an electronic device having a nanotube and a method of manufacturing the same.
도 1은 종래기술에 따라 수직 방향으로 성장된 탄소 나노튜브를 구비하는 전계방출 디스플레이 소자의 단면도,1 is a cross-sectional view of a field emission display device having carbon nanotubes grown in a vertical direction according to the prior art;
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 제조 공정 단면도,2A to 2E are cross-sectional views of an electronic device manufacturing process including horizontal carbon nanotubes according to a first embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따라 수평 탄소 나노튜브의 다발을 둥글게 형성한 것을 보이는 평면도,3 is a plan view showing a rounded bundle of horizontal carbon nanotubes according to a second embodiment of the present invention;
도 4 및 도 5는 각각 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따라 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자의 단면도.4 and 5 are cross-sectional views of electronic devices having horizontal carbon nanotubes according to the third and fourth embodiments of the present invention, respectively.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
20, 40, 50: 기판 21, 41, 51: 절연막20, 40, 50: substrate 21, 41, 51: insulating film
22, 42, 52: 촉매 금속막 패턴 23, 43, 53: 탄소 나노튜브22, 42, 52: catalytic metal film pattern 23, 43, 53: carbon nanotubes
24: 보호 절연막 25: 전극24: protective insulating film 25: electrode
44, 54: 소오스 전극(source electrode)44, 54: source electrode
45, 55: 드레인 전극 (drain electrode) 56: 발광층45, 55: drain electrode 56: light emitting layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 수평 탄소나노 튜브를 구비하는 소자 제조 방법에 있어서, 기판 상에 절연막 패턴을 형성하는 제1 단계; 상기 절연막 패턴의 일측면에 촉매 금속막 패턴을 형성하는 제2 단계; 상기 기판과 평행한 탄소 나노튜브를 상기 촉매 금속막 패턴으로부터 성장시키는 제3 단계; 및 절연막을 형성하여 상기 탄소 나노튜브를 덮는 제4 단계를 포함하는 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 소자 제조 방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including a horizontal carbon nanotube, the method comprising: forming an insulating film pattern on a substrate; Forming a catalyst metal film pattern on one side of the insulating film pattern; Growing carbon nanotubes parallel to the substrate from the catalytic metal film pattern; And forming a insulating film to cover the carbon nanotubes, thereby providing a device manufacturing method having the horizontal carbon nanotubes.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연막 패턴; 상기 절연막 패턴의 측면에 형성된 촉매 금속막 패턴; 상기 촉매 금속막 패턴으로부터 성장되어 상기 기판과 평행한 탄소 나노튜브; 상기 탄소 나노튜브에 전기적 신호를 공급하는 소스 전극; 상기 소스 전극과 마주보며 상기 탄소 나노튜브에서 방출된 전자를 공급받는 드레인 전극; 및 상기 탄소 나노튜브와 평행하게 형성된 게이트 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다.In addition, the present invention for achieving the above object, a substrate; An insulating film pattern formed on the substrate; A catalyst metal film pattern formed on side surfaces of the insulating film pattern; Carbon nanotubes grown from the catalytic metal film pattern and parallel to the substrate; A source electrode supplying an electrical signal to the carbon nanotubes; A drain electrode facing the source electrode and receiving electrons emitted from the carbon nanotubes; And it provides an electronic device comprising a gate electrode formed in parallel with the carbon nanotubes.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 기판; 상기 기판 상에 형성된 절연막 패턴; 상기 절연막 패턴의 측면에 형성된 촉매 금속막 패턴; 상기 촉매 금속막 패턴으로부터 성장되어 상기 기판과 평행한 탄소 나노튜브; 상기 탄소 나노튜브에 전기적 신호를 공급하는 소스 전극; 상기 소스 전극과 마주보며 상기 탄소 나노튜브에서 방출된 전자를 공급받는 드레인 전극; 및 상기 드레인 전극과 상기 탄소 나노튜브 사이에 형성된 발광층을 포함하는 발광소자(light emitting device)를 제공한다.In addition, the present invention for achieving the above object, a substrate; An insulating film pattern formed on the substrate; A catalyst metal film pattern formed on side surfaces of the insulating film pattern; Carbon nanotubes grown from the catalytic metal film pattern and parallel to the substrate; A source electrode supplying an electrical signal to the carbon nanotubes; A drain electrode facing the source electrode and receiving electrons emitted from the carbon nanotubes; And it provides a light emitting device (light emitting device) comprising a light emitting layer formed between the drain electrode and the carbon nanotubes.
본 발명은 기판 상에 수직으로 형성된 금속촉매 측벽에 기판과 평행한 탄소나노튜브를 선택적으로 성장시키는 공정과, 탄소 나노튜브를 보호절연막으로 덮어 고정시키며 탄소 나노튜브 영역 상부를 평탄하게 함으로써 이후의 반도체공정을 자유롭게 적용시킬 수 있도록 하는데 그 특징이 있다. 이와 같이 기판에 평행하게 형성된 탄소 나노튜브와 기판의 밀착성이 유지된 상태에서는 이후의 반도체공정을 자유롭게 적용시킬 수 있고, 이를 통해 균일한 특성의 소자를 가공할 수 있게되어 집적회로 칩의 제조가 가능하다.The present invention provides a process for selectively growing carbon nanotubes parallel to the substrate on the metal catalyst sidewalls formed vertically on the substrate, covering the carbon nanotubes with a protective insulating film, and flattening the upper portions of the carbon nanotube regions. It is characterized by the freedom to adapt the process. As described above, in the state in which the adhesion between the carbon nanotubes formed in parallel with the substrate and the substrate is maintained, the semiconductor process of the present invention can be freely applied, and the integrated circuit chip can be manufactured by processing a device having uniform characteristics. Do.
이하 도 2a 내지 도 2e를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자 제조 방법을 설명한다.먼저, 도 2a에 도시한 바와 같이, 모재 즉 기판(20) 상에 절연막(21) 패턴을 형성하고, 수 나노미터 두께의 금속박막을 증착하고 선택적으로 식각하여 절연막(21) 패턴의 일측면에 촉매 금속막 패턴(22)을 형성한다. 상기 촉매 금속막 패턴(22)으로는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이들의 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 촉매 금속막 패턴(22)은 적당한 경사각으로 절연막(21) 패턴의 일측면에만 금속박막을 증착하여 형성할 수도 있으며, 촉매 금속막 패턴(22)의 면적은 사용자가 요구하는 전류의 크기에 따라 자유롭게 제어한다.Hereinafter, a method of manufacturing an electronic device having horizontal carbon nanotubes according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2E. First, as shown in FIG. A pattern of the insulating film 21 is formed on the substrate, and a metal thin film having a thickness of several nanometers is deposited and selectively etched to form the catalyst metal film pattern 22 on one side of the insulating film 21 pattern. It is preferable to use iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co) and alloys thereof as the catalyst metal film pattern 22. The catalyst metal film pattern 22 may be formed by depositing a metal thin film only on one side of the pattern of the insulating film 21 at an appropriate inclination angle, and the area of the catalyst metal film pattern 22 depends on the amount of current required by the user. Control freely.
다음으로 도 2b에 보이는 바와 같이, 열화학증착법 또는 플라즈마 화학증착법을 사용하여 촉매 금속막 패턴(22)에 수직하게 즉, 기판(20)에 평행한 탄소 나노튜브(23)를 성장시킨다. 이때 성장된 탄소 나노튜브(22)의 길이는 불규칙하다. 이는 탄소 나노튜브(23)의 성장에 작용하는 금속촉매 입자가 공간상으로 불균일하게 위치할 수 있기 때문에 입자의 크기와 결정성에 따라 우선적으로 자라는 부분이 상대적으로 길어진다. 탄소나노튜브는 열 또는 플라즈마 에너지를 이용해 아세틸렌(C2H2)이나 메탄(CH4) 등의 탄소를 포함하는 전구체(precursor)를 분해하여 성장가능하다.Next, as shown in FIG. 2B, carbon nanotubes 23 that are perpendicular to the catalyst metal film pattern 22, that is, parallel to the substrate 20, are grown by using thermal chemical vapor deposition or plasma chemical vapor deposition. At this time, the length of the grown carbon nanotubes 22 is irregular. This is because the metal catalyst particles acting on the growth of the carbon nanotubes 23 may be non-uniformly placed in space, and thus the portion that grows preferentially becomes longer depending on the size and crystallinity of the particles. Carbon nanotubes can be grown by decomposing precursors containing carbon such as acetylene (C 2 H 2 ) or methane (CH 4 ) using heat or plasma energy.
이어서 도 2c에 도시한 바와 같이, SOG(Silicon-on-glass) 등과 같은 보호 절연막(24)을 전체 구조 상에 형성하여 탄소 나노튜브와 모재인 기판(20)의 밀착성을 강화시킨다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, a protective insulating film 24 such as silicon-on-glass (SOG) is formed on the entire structure to enhance adhesion between the carbon nanotubes and the substrate 20 as the base material.
다음으로 도 2d에 보이는 바와 같이, 리소그라피 및 식각 과정을 통하여 보호절연막(24)을 선택적으로 제거하고, 탄소 나노튜브(23)를 선택적으로 식각하여 불균형 성장한 나노튜브 길이를 정형화시킨다. 이때, 보호절연막(24)과 탄소 나노튜브(23)는 식각에 사용되는 개스에 따라 동시에 식각될 수도 있고, 선택적으로 식각할 수 있다. 균일한 전자소자 제조를 위해서는 선택적 식각을 이용하는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 2D, the protective insulating layer 24 is selectively removed through lithography and etching, and the carbon nanotubes 23 are selectively etched to form unbalanced nanotube lengths. In this case, the protective insulating layer 24 and the carbon nanotubes 23 may be simultaneously etched or selectively etched depending on the gas used for etching. In order to manufacture a uniform electronic device, it is preferable to use selective etching.
전술한 과정에 의해 탄소 나노튜브(23)와 기판(20)의 밀착성이 강화되고, 탄소 나노튜브(23)의 길이가 일정해짐에 따라, 이후 통상의 반도체공정도 자유롭게 적용할 수 있다. 예컨대 도 2e에 보이는 바와 같이 전극(25)을 제조하면 탄소 나노튜브(23)의 단부와 전극(25) 사이의 간격이 일정해져 전자수송 및 전계방출의 균일도가 향상되어 안정적으로 동작하는 탄소나노튜브 전자소자를 제조할 수 있다.As the adhesion between the carbon nanotubes 23 and the substrate 20 is strengthened by the above-described process, and the length of the carbon nanotubes 23 becomes constant, a general semiconductor process can be freely applied thereafter. For example, as shown in FIG. 2E, when the electrode 25 is manufactured, the interval between the ends of the carbon nanotubes 23 and the electrodes 25 is constant, thereby improving the uniformity of electron transport and field emission, and thus stably operating carbon nanotubes. Electronic devices can be manufactured.
전술한 바와 같이 탄소 나노튜브를 기판에 평행하게 형성하고, 그 상부에 보호 절연막을 형성함으로써 리소그라피 및 식각을 통해 탄소 나노튜브 패턴을 자유롭게 성형할 수 있다. 도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 탄소 나노튜브 형성 공정 단면도로서, 전술한 본 발명의 제1 실시예에 따른 도 2a 내지 도 2c의 과정과 동일하게 수평 탄소 나노튜브(23) 성장, 보호절연막 형성 공정을 실시한 다음, 보호절연막과 탄소 나노튜브 단부를 선택적으로 식각하여 수평 탄소 나노튜브(23) 다발의 단부(A)를 둥글게 형성한 것을 보이는 평면도이다.As described above, by forming the carbon nanotubes in parallel with the substrate and forming a protective insulating layer thereon, the carbon nanotube patterns may be freely formed through lithography and etching. 3 is a cross-sectional view of a carbon nanotube forming process according to a second embodiment of the present invention, in which the growth of horizontal carbon nanotubes 23 is performed in the same manner as in FIGS. 2A to 2C according to the first embodiment of the present invention; After the protective insulating film forming process is performed, the protective insulating film and the carbon nanotube ends are selectively etched to form rounded ends A of the horizontal carbon nanotubes 23.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따라 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자의 단면도로서, 기판(40), 상기 기판 상에 형성된 절연막 패턴(41), 상기 절연막 패턴(41)의 측면에 형성된 촉매 금속막 패턴(42), 상기 촉매 금속막 패턴(42)으로부터 성장되어 기판(40)과 평행한 탄소 나노튜브(43), 상기 탄소 나노튜브(43)에 전기적 신호를 주기 위한 소스 전극(44), 상기 소스 전극(44)과 마주보며 탄소 나노튜브(43)에서 방출된 전자를 공급받는 드레인 전극(45) 및 탄소 나노튜브(43) 아래에 형성된 게이트 전극(46)을 포함하는 전자소자를 보이고 있다. 상기 게이트 전극(46)은 탄소 나노튜브(43) 상부에 형성될 수도 있다. 게이트 전극(46)은 탄소나노튜브에 전자가 원활하게 흐를 수 있는 채널을 형성하는 역할을 한다.4 is a cross-sectional view of an electronic device having horizontal carbon nanotubes according to a third exemplary embodiment of the present invention, wherein the substrate 40, the insulating film pattern 41 formed on the substrate, and the side surfaces of the insulating film pattern 41 are formed. A carbon nanotube 43 which is grown from the formed catalyst metal film pattern 42, the catalyst metal film pattern 42 and parallel to the substrate 40, and a source electrode for providing an electrical signal to the carbon nanotube 43; 44, an electronic device including a drain electrode 45 receiving the electrons emitted from the carbon nanotubes 43 facing the source electrode 44 and a gate electrode 46 formed under the carbon nanotubes 43. Is showing. The gate electrode 46 may be formed on the carbon nanotubes 43. The gate electrode 46 serves to form a channel through which electrons can flow smoothly in the carbon nanotubes.
상기와 같은 전자소자는 탄소 나노튜브가 단전자 수송(single electron transport)을 하는 특성을 이용하여 단전자 트랜지스터를 구현할 수도 있다.The electronic device as described above may implement a single electron transistor by using carbon nanotubes to perform single electron transport.
도 5는 본 발명의 제4 실시예에 따라 수평 탄소 나노튜브를 구비하는 전자소자의 단면도로서, 기판(50), 상기 기판 상에 형성된 절연막 패턴(51), 상기 절연막 패턴(51)의 측면에 형성된 촉매 금속막 패턴(52), 상기 촉매 금속막 패턴(52)으로부터 성장되어 기판(50)과 평행한 탄소 나노튜브(53), 상기 탄소 나노튜브(53)에 전기적 신호를 주기 위한 소스 전극(54), 상기 소스 전극(54)과 마주보며 탄소 나노튜브(53)에서 방출된 전자를 공급받는 드레인 전극(55) 및 드레인 전극(55)과 탄소 나노튜브(53) 사이에 형성된 발광층(56)을 보이고 있다.FIG. 5 is a cross-sectional view of an electronic device having horizontal carbon nanotubes according to a fourth embodiment of the present invention, wherein the substrate 50, the insulating film pattern 51 formed on the substrate, and the side surfaces of the insulating film pattern 51 are shown in FIG. A carbon nanotube 53 which is grown from the formed catalyst metal film pattern 52, the catalyst metal film pattern 52 and parallel to the substrate 50, and a source electrode for providing an electrical signal to the carbon nanotube 53; 54), a drain electrode 55 facing the source electrode 54 and receiving the electrons emitted from the carbon nanotubes 53, and a light emitting layer 56 formed between the drain electrode 55 and the carbon nanotubes 53. Is showing.
이와 같이 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자소자는 InGaAsP계열 또는 GaN 계열의 발광층(56)을 구비함으로 전자 펌핑 레이저(electron pumped laser)로서 역할할 수 있다. 이러한 전자 펌핑 레이저는 탄소나노튜브에서 이동한 전자(ballistic electron)가 탄소 나노튜브(53) 내부에서는 저항을 느끼지 않고 고에너지를 가지다가 드레인 전극(55)과 접합되어 있는 InGaAsP계열 또는 GaN 계열의 발광층(56)을 여기시켜 레이저 발진이 가능하게 한다. 물론 레이저로서 동작하기 위해서는 발광물질을 공동형(cavity)으로 형성할 수도 있다.이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.As such, the electronic device according to the fourth embodiment of the present invention may serve as an electron pumped laser by including the InGaAsP series or GaN based light emitting layer 56. The electron pumping laser has an InGaAsP or GaN-based light emitting layer in which ballistic electrons moved from carbon nanotubes have high energy without feeling resistance in the carbon nanotubes 53 and are bonded to the drain electrodes 55. Excitation of 56 enables laser oscillation. Of course, in order to operate as a laser, the light emitting material may be formed in a cavity. The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and does not depart from the spirit of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various substitutions, modifications, and changes can be made therein.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 기판에 수평하게 탄소 나노튜브를 성장시키고, 탄소 나노튜브를 보호절연막으로 덮은 다음 이후의 공정을 실시함으로써 기존에 개발된 반도체 평면공정(planar technology)을 이용할 수 있어 관련 공정기술을 별도로 개발할 필요가 없다.The present invention made as described above can grow the carbon nanotubes horizontally on the substrate, cover the carbon nanotubes with a protective insulating film, and then carry out the subsequent steps to use the conventional planar technology developed in the related art There is no need to develop the technology separately.
또한 수평 탄소나노튜브의 길이를 조절할 수 있어 특성이 균일한 소자의 제조가 가능하다.In addition, the length of the horizontal carbon nanotubes can be adjusted to allow the fabrication of devices with uniform characteristics.
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