KR100354127B1 - Control method and apparatus for plasma etching - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마식각장치에서 식각시 손상을 줄이고 식각비를 변경할 수 있는 플라즈마 식각을 위한 제어방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 기준주파수로 발진하는 단일 RF발진기와, 발진되는 기준주파수를 역위상으로 변환하는 위상변환기, 단일 설정 전력의 비율을 조절하는 비율조절기, 및 조절된 비율로 각각 인가되는 전력을 역위상차가 나는 주파수로 나누어 상하부 전극에 각각 인가하는 두개의 RF증폭기와 정합기로 구성된다. 따라서, 본 발명은 쳄버내의 상부전극과 하부전극에 위상이 다른 주파수를 공급하고 그 전력비도 조절가능하여 식각시의 손상을 줄이면서 식각물에 대한 정밀한 식각비를 얻는 것이 가능한 효과를 제공한다.The present invention relates to a control method and apparatus for plasma etching that can reduce damage during etching and change the etching rate in the plasma etching apparatus. The present invention provides a single RF oscillator for oscillating at a reference frequency, a phase shifter for converting the oscillating reference frequency to an inverse phase, a ratio regulator for adjusting a ratio of a single set power, and an inverse phase difference between the powers applied at an adjusted ratio. I consist of two RF amplifiers and matchers, each divided by frequency and applied to the upper and lower electrodes. Accordingly, the present invention provides an effect capable of obtaining a precise etch ratio for an etching material while supplying a frequency different in phase to the upper electrode and the lower electrode in the chamber and controlling the power ratio thereof.

Description

플라즈마 식각을 위한 제어방법 및 장치{Control method and apparatus for plasma etching}Control method and apparatus for plasma etching

본 발명은 플라즈마식각(plasma etching)장비에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 단일 고주파발진기의 발진 주파수를 위상반전시키고 전력의 비율을 조절하여 쳄버내의 상하부 전극에 나누어 인가하여 식각시 손상을 줄이고 식각비 변경을 할수 있도록 한 플라즈마식각 제어방법 및 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma etching equipment, and more particularly, to reverse the oscillation frequency of a single high frequency oscillator and to adjust the ratio of power to the upper and lower electrodes in the chamber to reduce damage during etching and etching ratio The present invention relates to a plasma etching control method and apparatus for enabling modification.

종래 반도체 제조공정에서, 반도체 웨이퍼(wafer) 표면에 미세가공을 실시하기 위하여 처리실내에 도입된 반응성 가스의 고주파클럭방전을 이용한 플라즈마 식각 장치가 널리 이용되고 있다. 이와 관련된 선행기술로, 1989년 10월 3일자 미국특허 제 4,871,421호의 "SPLIT-PHASE DRIVER FOR PLASMA ETCH SYSTEM"와 1995년 6월 2일자 일본 특개평 7-142199호의 "플라즈마처리장치 및 그 제어방법"이 있다. 이를 도 1 및 도 2를 통해 각각 간략하게 설명한다.BACKGROUND ART In the conventional semiconductor manufacturing process, a plasma etching apparatus using high frequency clock discharge of reactive gas introduced into a processing chamber in order to perform fine processing on a semiconductor wafer surface is widely used. Prior art related to this, "SPLIT-PHASE DRIVER FOR PLASMA ETCH SYSTEM" of U.S. Patent No. 4,871,421 of October 3, 1989 and "Plasma processing apparatus and control method thereof" of Japanese Patent Laid-Open No. Hei 7-142199 of June 2, 1995 There is this. This will be briefly described with reference to FIGS. 1 and 2, respectively.

도 1은 종래 플라즈마식각을 위한 제어장치의 일예로써, 단일 고주파(radio frequency; RF)증폭기(11)에서 약 400㎑의 고주파전원이 코일(12)로 인가된다. 여기서, 코일(12,13)은 다중탭(multiple taps)을 포함하여 탭의 선택에 따라 인가되는 고주파전원의 증폭도와 위상에 대한 정합을 실시한다. 임피던스 정합을 거친 고주파전원은 역위상회로로 동작하는 트랜스포머(14)로 전달된다. 트랜스포머(14)는 접지된 중앙탭(center tap)(142)을 가지는 코일(141)과 페라이트코어(ferrite core)로 이루어진다. 코일(141)의 한쪽은 콘덴서(15)를 통해 쳄버(17)내의 상부전극(18)에 연결되고, 다른 한쪽은 콘덴서(16)를 통해 하부전극(19)에 연결된다. 하부전극(19)상에는 웨이퍼(W)가 탑재되어 있다. 트랜스포머(14)는 코일(13)을 통해 전달된 고주파전원을 코일(141) 양쪽에 180°위상 차이가 나도록 역위상의 전력을 만들어 각각의 전극(18,19)에 인가한다. 이때, 상부전극(18)과 하부전극(19)은 5:5의 비율로 180°차이나는 전력을 각각 공급받아 식각을 수행한다.1 is an example of a control apparatus for a conventional plasma etching, a high frequency power of about 400 kHz from a single radio frequency (RF) amplifier 11 is applied to the coil 12. Here, the coils 12 and 13 include multiple taps to match the amplification degree and phase of the high frequency power source applied according to the selection of the taps. The high frequency power source, which has undergone impedance matching, is delivered to a transformer 14 operating as an antiphase circuit. The transformer 14 consists of a coil 141 and a ferrite core having a center tap 142 grounded. One of the coils 141 is connected to the upper electrode 18 in the chamber 17 through the condenser 15, and the other is connected to the lower electrode 19 through the condenser 16. The wafer W is mounted on the lower electrode 19. The transformer 14 applies the high frequency power transmitted through the coil 13 to the respective electrodes 18 and 19 by making an antiphase power so as to have a 180 ° phase difference on both sides of the coil 141. In this case, the upper electrode 18 and the lower electrode 19 are etched by receiving electric power of 180 degrees at a ratio of 5: 5.

도 2는 종래 플라즈마식각을 위한 제어장치의 다른예로써, 단일 RF발진기(21)를 통해 고정된 기준주파수의 고주파파형을 발진시켜 위상제어기(22)로 인가한다. 위상제어기(22)는 분광검출기(28)를 통해 피드백되는 실제 위상과 RF발진기(21)로부터 인가되는 고주파파형의 위상을 서로 비교하고, 그 비교결과에 따라 고주파 파형의 위상이 목표한 위상이 되도록 위상변환을 수행한다. 분광검출기(28)는 쳄버(25)에 부착되어 플라즈마가 켜졌을 때의 위상을 검출하며, 검출된 위상을 위상제어기(22)로 피드백 입력한다. 위상제어기(22)와 쳄버(25)내의 상부전극(26) 사이에는 RF증폭기(23A)와 정합기(24A)가 차례로 연결되며, 위상제어기(22)와 쳄버(25)내 하부전극(27) 사이에도 RF증폭기(23B)와 정합기(24B)가 차례로 연결된다. 하부전극(27)에는 웨이퍼(W)가 탑재되어 있다. 위상제어기(22)를 통해 위상 변환된 전력은 상부전극(26)측의 RF증폭기(23A)와 하부전극(27)측의 RF증폭기(23B)에 교대로 각각 공급된다. 즉, 첫번째 주파수는 상부전극(26)측 RF증폭기(23A)에 공급하고, 두번째 주파수는 하부전극(27)측 RF증폭기(23B)로 공급한다. RF증폭기(23A,23B)는 공급되는 주파수는 대응되게 연결된 정합기(24A,24B)로 인가되어 임피던스 정합을 실시한 후 해당 전극(26,27)에 인가된다.2 is another example of a control apparatus for the conventional plasma etching, and oscillates a high frequency waveform of a fixed reference frequency through a single RF oscillator 21 and applies it to the phase controller 22. The phase controller 22 compares the actual phase fed back through the spectroscope 28 with the phase of the high frequency waveform applied from the RF oscillator 21 so that the phase of the high frequency waveform becomes a desired phase according to the comparison result. Perform phase shift. The spectrometer 28 is attached to the chamber 25 to detect the phase when the plasma is turned on, and feeds back the detected phase to the phase controller 22. The RF amplifier 23A and the matcher 24A are sequentially connected between the phase controller 22 and the upper electrode 26 in the chamber 25, and the lower electrode 27 in the phase controller 22 and the chamber 25 is connected in turn. The RF amplifier 23B and the matcher 24B are connected in turn. The wafer W is mounted on the lower electrode 27. Power phase-converted through the phase controller 22 is alternately supplied to the RF amplifier 23A on the upper electrode 26 side and the RF amplifier 23B on the lower electrode 27 side, respectively. That is, the first frequency is supplied to the RF amplifier 23A on the upper electrode 26 side, and the second frequency is supplied to the RF amplifier 23B on the lower electrode 27 side. The RF amplifiers 23A and 23B are supplied to the matching circuits 24A and 24B to which the supplied frequencies are correspondingly connected, and then applied to the corresponding electrodes 26 and 27 after performing impedance matching.

그런데, 위와 같은 종래의 기술은 코일을 사용하여 정합하기 때문에 정확한 정합을 할 수 없으며, 전력이 공급되고 있는 도중에 정합 코일을 조정하면 노이즈가 발생하여 쳄버 내부에서의 아크(arc)를 줄 가능성이 있고, 고주파전극에 가해지는 전력이 상하부가 고정되어 식각물에 대한 식각시에 변경해 볼 수 없는 문제점이 있다. 또한 다른 종래기술은 쳄버내의 플라즈마를 분석하여 피드백제어하므로 초기 동일한 위상이 인가되어 이상방전의 원인이 되며, RF위상이 쳄버내의 상태에 따라 변화하여 안정된 플라즈마를 기대할 수 없고 RF를 인가하는 순서가 면기되어 있지 않아 초기 인가시 많은 손상을 초래하는 문제점이 있다.However, the conventional technique as described above does not allow accurate matching because of matching using a coil, and if the matching coil is adjusted while power is being supplied, there is a possibility that noise may occur and give an arc inside the chamber. The upper and lower parts of the power applied to the high frequency electrode are fixed, and thus there is a problem that the power applied to the high frequency electrode cannot be changed at the time of etching the etchant. In addition, another conventional technique analyzes and feedbacks the plasma in the chamber so that the same phase is initially applied to cause abnormal discharge, and the RF phase changes according to the state in the chamber, so that stable plasma cannot be expected and the order in which RF is applied There is a problem that causes a lot of damage during the initial application.

따라서, 본 발명은 목적은 전술한 점들을 감안하여 안출된 것으로, 단일 RF발진기에서 발진되는 기준주파수를 역위상시키고 고주파 전력의 비율을 조절하여 상부전극과 하부전극에 각각 인가하므로, 식각시 손상을 줄이면서 식각비를 변경할 수 있도록 한 플라즈마식각을 위한 제어방법 및 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above-described points, and since the reference frequency oscillated in a single RF oscillator is reversed and the ratio of high frequency power is applied to the upper electrode and the lower electrode, respectively, damage during etching is caused. The present invention provides a control method and apparatus for plasma etching to reduce the etching rate while reducing the etching rate.

도 1은 종래 플라즈마 식각을 위한 제어장치의 일예를 나타낸 구성도,1 is a configuration diagram showing an example of a control apparatus for conventional plasma etching;

도 2는 종래 플라즈마 식각을 위한 제어장치의 다른 예를 나타낸 구성도,2 is a configuration diagram showing another example of a control apparatus for conventional plasma etching;

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 식각을 위한 제어장치를 나타내는 구성도.3 is a block diagram showing a control device for plasma etching in accordance with the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

31 : RF발진기 32 : 위상변환기31: RF Oscillator 32: Phase Shifter

33 : 입력조절기 34 : 비율조절기33: input controller 34: ratio controller

35A,35B : RF증폭기 36A,36B : 정합기35A, 35B: RF Amplifier 36A, 36B: Matcher

37 : 쳄버 38 : 상부전극37: chamber 38: upper electrode

39 : 하부전극 W : 웨이퍼39: lower electrode W: wafer

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈마식각을 위한 제어방법은, 플라즈마 쳄버내의 상부전극과 하부전극에 고주파 전원을 공급하여 플라즈마 식각을 수행하는 방법에 있어서, (1) 기준주파수의 고주파 파형을 역위상 변환하여 역위상차가 나는 주파수를 나누어 출력하는 단계와, (2) 단일 설정 전력을 비율 조절하여 각각 출력하는 단계, 및 (3) 상기 역위상차가 나는 각 주파수를 갖는 비율 조절된 각 전력을 상기 상부전극과 하부전극에 각각 인가하는 단계를 포함한다.The control method for plasma etching of the present invention for achieving the above object, in the method of performing plasma etching by supplying a high frequency power to the upper electrode and the lower electrode in the plasma chamber, (1) a high frequency waveform of the reference frequency Outputting by dividing a frequency having an inverse phase difference by inverting the phase; (2) outputting a ratio of a single set power, and (3) outputting each of the ratio-controlled power having each frequency having the inverse phase difference. Applying to the upper electrode and the lower electrode, respectively.

본 발명의 목적을 달성하기 위한 플라즈마식각을 위한 제어장치는, 플라즈마 쳄버내의 상부전극과 하부전극에 고주파 전원을 공급하여 플라즈마식각을 수행하는 장치에 있어서, 기준주파수의 고주파파형으로 발진하는 단일 RF발진기와, 상기 발진되는 기준주파수의 고주파파형을 역위상 변환하여 역위상차가 나는 주파수를 나누어 출력하는 위상변환기와, 단일 설정 전력과 설정 비율을 각각 입력받아 전력을 설정 비율로 조절하여 각각 출력하는 조절수단, 및 상기 위상변환기에서 역위상 변환된 주파수의 상기 비율 조절된 전력을 상기 상부전극과 하부전극에 각각 인가하는 수단을 포함한다.In order to achieve the object of the present invention, a control apparatus for plasma etching includes a single RF oscillator for oscillating with a high frequency waveform of a reference frequency in a device for performing plasma etching by supplying high frequency power to an upper electrode and a lower electrode in a plasma chamber. And a phase shifter for dividing the high frequency waveform of the oscillated reference frequency by inverse phase and dividing the frequency having an inverse phase difference, and adjusting means for receiving a single set power and a set ratio, respectively, and adjusting the power to a set ratio to output each. And means for applying said proportioned power of said inverse phase-converted frequency in said phase shifter to said upper and lower electrodes, respectively.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 기술하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마식각을 위한 제어장치의 구성도를 나타낸다. 도 3에 나타낸 장치는 기준주파수의 고주파파형을 발진시키는 단일 RF발진기(31)와, 발진되는 기준주파수의 고주파파형 위상을 역위상 변환하여 180°차이가 나는 두 주파수로 나누는 위상변환기(32)를 구비한다. 도 3의 장치는 또한, 미도시된 마이크로프로세서로부터 단일 설정된 전력을 입력받아 출력하는 입력조절기(33)와, 마이크로프로세서로부터 설정된 비율을 입력받아 전력의 비율을 조절하여 출력하는 비율조절기(34)를 구비한다. 상하부 전극(38,39)측에 각각 대응되게 연결되는 RF증폭기(35A,35B)는 비율조절기(34)로부터 인가되는 서로 다른 비율의 고주파 전력을 위상변환기(32)로부터 인가되는 180°위상이 다른 주파수에 실어 출력한다. 한편, 도 3의 장치는 두개의 RF증폭기(35A,35B)에 대응하게 연결되어 인가되는 180°차이가 나는 주파수의 서로 다른 고주파 전력을 정합하는 두개의 정합기(36A,36B)와, 쳄버(37)내에 위치하여 정합기(36A,36B)로부터 전력을 인가받아 식각을 수행하는 상하부전극(38,39)을 구비한다. 이러한 구성을 갖는 도 3 장치의 플라즈마 식각을 위한 제어동작에 대해 구체적으로 설명한다.3 is a block diagram of a control device for plasma etching according to the present invention. The apparatus shown in FIG. 3 includes a single RF oscillator 31 for oscillating a high frequency waveform of a reference frequency, and a phase converter 32 for dividing the high frequency waveform phase of an oscillating reference frequency into two frequencies having a 180 ° difference. Equipped. The apparatus of FIG. 3 also includes an input controller 33 for receiving and outputting a single set of power from a microprocessor (not shown), and a proportion controller 34 for receiving a set ratio from a microprocessor and adjusting and outputting a ratio of power. Equipped. The RF amplifiers 35A and 35B connected to the upper and lower electrodes 38 and 39, respectively, have 180 ° phases different from each other by applying a different ratio of high frequency power from the phase adjuster 34. Output on frequency. On the other hand, the apparatus of Figure 3 is connected to the two RF amplifiers (35A, 35B) corresponding to the two matchers (36A, 36B) to match the different high-frequency power of the 180 degrees difference applied and the chamber ( And upper and lower electrodes 38 and 39 positioned within 37 to receive an electric power from the matching devices 36A and 36B. A control operation for plasma etching of the apparatus of FIG. 3 having such a configuration will be described in detail.

도 3에서, 단일 RF발진기(31)는 0.1㎒∼60㎒ 사이의 단일 기준주파수의 고주파파형을 발진시켜 위상변환기(32)로 공급한다. 위상변환기(32)는 공급된 기준주파수의 고주파파형을 역위상 즉, 180°위상이 다른 주파수로 변환하여 두개의 RF증폭기(35A,35B)에 교대로 출력한다. 즉, 첫번째 주파수는 상부 RF증폭기(35A)로, 두번째 주파수는 하부 RF증폭기(35B)로 각각 인가한다. 물론, 180°위상 차이가 나는 주파수의 고주파 파형을 RF증폭기(35A,35B)에 동시 인가할 수도 있도 첫번째 주파수를 하부 RF증폭기(35B)에, 두번째 주파수를 상부 RF증폭기(35A)에 인가할 수도 있다.In Fig. 3, a single RF oscillator 31 oscillates a high frequency waveform of a single reference frequency between 0.1 MHz and 60 MHz and supplies it to the phase converter 32. The phase converter 32 converts the high frequency waveform of the supplied reference frequency into an inverted phase, that is, 180 ° out of phase, and alternately outputs them to the two RF amplifiers 35A and 35B. That is, the first frequency is applied to the upper RF amplifier 35A and the second frequency to the lower RF amplifier 35B, respectively. Of course, a high frequency waveform having a 180 ° phase difference may be simultaneously applied to the RF amplifiers 35A and 35B, and the first frequency may be applied to the lower RF amplifier 35B and the second frequency may be applied to the upper RF amplifier 35A. have.

한편, 입력조절기(33)는 마이크로프로세서(미도시)로부터 단일 설정 전력을 입력받아 두 출력단을 통해 비율조절기(34)로 출력한다. 비율조절기(34)는 두 입력단을 통해 입력되는 전력을 마이크로프로세서(미도시)로부터 설정 비율을 입력받아 해당 비율로 조절하여 RF증폭기(35A,35B)에 각각 인가한다. 예를 들어, 단일 설정 전력이 1000W이고, 설정 비율이 6:4이면 비율조절기(34)는 1000W 전력을 600W와 400W로 각기 조절하여 상부측 RF증폭기(35A)에 600W 전력을 인가하고 하부측 RF증폭기(35B)에 400W 전력을 인가한다. RF증폭기(35A,35B)는 인가된 주파수의 전력을 대응하는 정합기(36A,36B)로 출력하여 정합시킨 후 대응하는 전극(38,39)에 인가한다. 이때, 쳄버(37)내의 상하부 전극(38,39)에는 서로 다른 위상의 서로 다른 전력이 공급된다.On the other hand, the input controller 33 receives a single set power from a microprocessor (not shown) and outputs to the ratio controller 34 through two output stages. The proportion controller 34 receives a set ratio from a microprocessor (not shown) through the power input through the two input terminals, adjusts the ratio to a corresponding ratio, and applies it to the RF amplifiers 35A and 35B, respectively. For example, if the single set power is 1000W and the set ratio is 6: 4, the ratio adjuster 34 adjusts the 1000W power to 600W and 400W, respectively, to apply 600W power to the upper RF amplifier 35A and lower RF. 400W power is applied to the amplifier 35B. The RF amplifiers 35A and 35B output the power of the applied frequency to the corresponding matchers 36A and 36B, match them, and apply them to the corresponding electrodes 38 and 39. At this time, the upper and lower electrodes 38 and 39 in the chamber 37 are supplied with different powers of different phases.

본 실시예에서는, 전력을 단일 설정하여 비율조절하였지만, 상하부 RF 전력 설정 및 비율 조절을 완전히 분리하여 별도로 공급하는 실시예도 당업자에게는 설명하지 않아도 자명하다.In the present embodiment, although the power is adjusted by setting a single, it is obvious to those skilled in the art that an embodiment in which the upper and lower RF power setting and the ratio adjustment are separately supplied and separately supplied is provided.

상술한 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 식각을 위한 제어방법 및 장치는, 위상분할로 고주파를 인가하는 쳄버에서 동일주파수의 발진기로부터 위상반전을 실시하고 전력비를 조절하여 역위상의 서로 다른 전력을 상하부에 나누어 공급하므로 식각시 손상을 줄일 수 있고, 식각비 변경을 할 수 있는 효과를 갖는다.As described above, in the control method and apparatus for plasma etching of the present invention, in a chamber to which a high frequency is applied by phase division, phase inversion is performed from an oscillator of the same frequency and power ratio is adjusted so that different powers in reverse phase are applied to upper and lower parts. Since supply is divided, the damage during etching can be reduced, and the etching rate can be changed.

Claims (8)

플라즈마 쳄버내의 상부전극과 하부전극에 고주파 전원을 공급하여 플라즈마 식각을 수행하는 방법에 있어서,In the method of performing plasma etching by supplying a high frequency power to the upper electrode and the lower electrode in the plasma chamber, (1) 기준주파수의 고주파 파형을 역위상 변환하여 역위상차가 나는 주파수를 나누어 출력하는 단계;(1) inversely converting a high frequency waveform of a reference frequency to divide and output a frequency having an inverse phase difference; (2) 단일 설정 전력을 비율 조절하여 각각 출력하는 단계; 및(2) scaling and outputting a single set power; And (3) 상기 역위상차가 나는 각 주파수를 갖는 비율 조절된 각 전력을 상기 상부전극과 하부전극에 각각 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 식각을 위한 제어방법.And (3) applying each of the ratio-controlled powers having respective frequencies having the reversed phase difference to the upper electrode and the lower electrode, respectively. 제 1항에 있어서, 상기 제 (3) 단계는 역위상차가 나는 주파수를 상부전극과 하부전극에 교대로 인가하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각을 위한 제어방법.The method of claim 1, wherein the step (3) comprises applying an alternating frequency to the upper electrode and the lower electrode. 제 2항에 있어서, 상기 제 (3) 단계는 역위상차가 나는 첫번째 주파수를 상부전극에 공급하고, 두번째 주파수를 하부전극에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각을 위한 제어방법.The method of claim 2, wherein the step (3) comprises supplying a first frequency having an inverse phase difference to the upper electrode and a second frequency to the lower electrode. 플라즈마 쳄버내의 상부전극과 하부전극에 고주파 전원을 공급하여 플라즈마식각을 수행하는 장치에 있어서,In the apparatus for performing plasma etching by supplying a high frequency power to the upper electrode and the lower electrode in the plasma chamber, 기준주파수의 고주파파형으로 발진하는 단일 RF발진기;A single RF oscillator oscillating with a high frequency waveform of a reference frequency; 상기 발진되는 기준주파수의 고주파파형을 역위상 변환하여 역위상차가 나는 주파수를 나누어 출력하는 위상변환기;A phase converter configured to inversely convert the high frequency waveform of the oscillated reference frequency to divide and output a frequency having an inverse phase difference; 단일 설정 전력과 설정 비율을 각각 입력받아 전력을 설정 비율로 조절하여 각각 출력하는 조절수단; 및Adjusting means for receiving a single set power and a set ratio, respectively, and outputting power by adjusting the set ratio; And 상기 위상변환기에서 역위상 변환된 주파수의 상기 비율 조절된 전력을 상기 상부전극과 하부전극에 각각 인가하는 수단을 포함하는 플라즈마 식각을 위한 제어장치.And means for applying said proportioned power of said inversely phase converted frequency in said phase shifter to said upper electrode and said lower electrode, respectively. 제 4항에 있어서, 상기 RF발진기는 0.1㎒∼60㎒ 주파수로 발진함을 특징으로 하는 플라즈마 식각을 위한 제어장치.5. The control apparatus of claim 4, wherein the RF oscillator oscillates at a frequency of 0.1 MHz to 60 MHz. 제 4항에 있어서, 상기 위상변환기는 180°위상 차이가 나는 주파수로 변환함을 특징으로 하는 플라즈마 식각을 위한 제어장치.The apparatus of claim 4, wherein the phase shifter converts the frequency to 180 ° out of phase. 제 4항에 있어서, 상기 조절수단은The method of claim 4, wherein the adjusting means 단일 설정 전력을 두 출력단을 통해 출력하는 입력조절기; 및An input regulator for outputting a single set power through two output stages; And 상기 입력조절기의 두 출력단을 통해 출력되는 전력을 설정 비율에 따라 각각 비율 조절하여 출력하는 비율조절기를 구비함을 특징으로 하는 플라즈마 식각을 위한 제어장치.And a ratio controller for controlling and outputting power output through two output terminals of the input controller according to a predetermined ratio. 제 7항에 있어서, 상기 인가수단은The method of claim 7, wherein said applying means 상기 위상변환기와 비율조절기로부터 위상이 다른 주파수와 비율 조절된 전력을 인가받아 출력하는 두개의 RF증폭기; 및Two RF amplifiers for outputting the frequency-differentiated frequency and ratio-regulated power from the phase shifter and the ratio regulator; And 상기 두개의 RF증폭기에 대응되게 연결되어 위상이 다른 주파수의 서로 다른 전력을 정합하여 대응되는 상부전극과 하부전극에 각각 인가하는 두개의 정합기를 구비함을 특징으로 하는 플라즈마 식각을 위한 제어장치.And two matchers connected corresponding to the two RF amplifiers to match different powers having different phases with different phases, respectively, and apply them to the corresponding upper and lower electrodes, respectively.