KR100348996B1 - A method of LCD - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시장치의 화소전극을 구성하는 ITO막을 식각하는 에칭방법에 관련된 것으로써, ITO막의 에천트에 의하여 하부 금속막의 손상을 방지함과 아울러 에칭속도를 빠르게하여 작업공정을 단축하고, 에천트의 온도를 비교적 낮게 유지하여 에천트의 증발량을 줄이므로써 에천트의 소비량을 줄이고, 에천트에 포함된 유해물질이 작업자에게 적게 노출되도록 하는데 목적이 있다.The present invention relates to an etching method for etching an ITO film constituting a pixel electrode of a liquid crystal display device. The present invention prevents damage to a lower metal film by an etchant of an ITO film, and also speeds up an etching rate to shorten a work process. The purpose of the present invention is to reduce the consumption of etchant by reducing the evaporation amount of the etchant by keeping the temperature of the etchant relatively low, and to reduce the exposure of harmful substances contained in the etchant to the worker.
상기 목적 달성을 위하여 본 발명의 ITO막의 에칭방법은 적어도 Cr,Al,Mo 등이 하부막으로 형성되어 있는 기판 위에 절연막 등을 개재하여 ITO막을 증착하는 단계,In order to achieve the above object, the etching method of the ITO film of the present invention comprises the steps of depositing an ITO film over an insulating film or the like on a substrate on which at least Cr, Al, Mo, etc. are formed as a lower film,
상기 비정질 상태의 ITO막을 15℃∼45℃의 옥살산((COOH)22H2O) 에천트로 식각하는 단계,Etching the amorphous ITO membrane with an oxalic acid ((COOH) 2 2H 2 O) etchant at 15 ° C. to 45 ° C.,
상기 ITO막의 식각 후에 그 ITO막을 어닐링하여 결정화하는 단계를 거친다.After etching the ITO film, the ITO film is annealed to crystallize.
Description
본 발명은 액정표시장치의 화소전극을 구성하는 ITO(Indium Tin Oxide)막의 에칭불량을 해소하는 것에 관련된 것이고, 특히, 특히 ITO막의 에천트의 소비량을 줄이고, 종래보다 에칭 속도를 빠르게 함과 아울러 에천트의 유해성을 감소시키는 것에 관련된 것이다.The present invention relates to eliminating the etching defect of the indium tin oxide (ITO) film constituting the pixel electrode of the liquid crystal display device. To reduce the hazards of the cheat.
일반적으로 액정표시장치의 한 예의 구조는 도 1 및 도 2에서 알 수 있는바와 같이 게이트버스라인(60)이 수평방향으로 형성되고, 데이터버스라인(70)이 상기 게이트버스라인과 교차하도록 수직방향으로 형성된다.In general, the structure of an example of a liquid crystal display device is a vertical direction such that the gate bus line 60 is formed in the horizontal direction and the data bus line 70 intersects the gate bus line as shown in FIGS. 1 and 2. Is formed.
상기 게이트버스라인(60)과 데이터버스라인(70)이 교차하여 형성하는 영역 내에 화소전극(40)이 형성되고, 그 화소전극은 게이트버스라인 및 데이터버스라인이 교차하는 교차부 부분에 형성되는 TFT(50)와 연결된다.The pixel electrode 40 is formed in an area where the gate bus line 60 and the data bus line 70 cross each other, and the pixel electrode is formed at an intersection of the gate bus line and the data bus line. It is connected with the TFT 50.
상기 TFT는 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극(60a), 데이터버스라인에서 분기하는 소스전극(70a) 및 드레인전극(70b)과 반도체층(90)의 조합에 의하여 구성된다.The TFT is constituted by a combination of the gate electrode 60a branching off the gate bus line, the source electrode 70a branching off the data bus line, and the drain electrode 70b and the semiconductor layer 90.
또, 상기 TFT를 포함하여 덮는 보호막(80)이 구성되고, 드레인전극부의 보호막에 형성된 콘택홀(80a)을 통하여 드레인전극(70b)과 접촉되는 화소전극이 보호막(80)위에 구성되고, 그 보호막 위의 화소전극(40)의 단부 일부가 적어도 게이트절연막(55)를 개재하여 게이트버스라인(60)의 일부와 중첩되므로써 보조용량전극(40a)이 구성된다.A protective film 80 including the TFT is formed, and a pixel electrode in contact with the drain electrode 70b is formed on the protective film 80 through a contact hole 80a formed in the protective film of the drain electrode portion. The storage capacitor electrode 40a is formed by overlapping a part of the end portion of the pixel electrode 40 with at least a portion of the gate bus line 60 via at least the gate insulating film 55.
상기와 같은 구조를 갖는 액정표시장치의 제조방법은 투명기판(10) 위에Cr,Al,Mo 등의 금속막으로 된 게이트버스라인(60) 및 게이트전극(60a)을 패터닝하여 형성하고, 상기 게이트전극 등이 형성된 패턴막 위에 SiNx,SiOx 등의 무기막으로 된 게이트절연막(55)과, a-Si층(90a) 및 n+이온이 도핑된 a-Si층(90b)을 연속적층하여 형성하고, a-Si층(90a) 및 n+이온이 도핑된 a-Si층(90b)을 소정의 패턴으로 형성하여 반도체층(90)을 형성한다.The manufacturing method of the liquid crystal display device having the above structure is formed by patterning a gate bus line 60 and a gate electrode 60a made of a metal film such as Cr, Al, Mo on the transparent substrate 10, and forming the gate. A gate insulating film 55 made of an inorganic film such as SiNx, SiOx and the like, and an a-Si layer 90a and an a-Si layer 90b doped with n + ions are formed on the pattern film on which the electrode or the like is formed, The a-Si layer 90a and the a-Si layer 90b doped with n + ions are formed in a predetermined pattern to form the semiconductor layer 90.
이어서, Cr,Al,Mo 등의 금속막으로 된 데이터버스라인(70), 소스전극(70a),드레인전극(70b)을 패터닝하여 형성하므로써, 스위칭소자로 기능하는 TFT(50)가 구성된다.Subsequently, by forming the data bus line 70, the source electrode 70a, and the drain electrode 70b made of metal films such as Cr, Al, and Mo, a TFT 50 serving as a switching element is formed.
상기 TFT가 형성된 기판 위에 SiNx,SiOx 등의 무기막 이나 BCB(benzocyclob-etene) 등의 유기막으로 된 보호막(80)을 형성하고, 상기 드레인전극부 위의 보호막에 콘택홀(80a)을 형성하여 드레인전극의 일부가 노출되도록한다.A protective film 80 made of an inorganic film such as SiNx or SiOx or an organic film such as benzocyclob-etene (BCB) is formed on the substrate on which the TFT is formed, and a contact hole 80a is formed in the protective film on the drain electrode part. A portion of the drain electrode is exposed.
이어서, 콘택홀이 형성된 보호막 위에 위에 ITO막을 증착한 후 패터닝하여 화소전극(40) 및 보조용량전극(40a)을 형성한다.Subsequently, an ITO film is deposited on the passivation layer on which the contact hole is formed, and then patterned to form the pixel electrode 40 and the storage capacitor electrode 40a.
그런데, 종래의 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 특히, 결정화된 ITO막을 패터닝하는 과정에서 ITO막의 에천트 즉, FeCl3계, HNO3+HCl계 등의 에천트를 사용할 경우에는 Cr, Al,Mo 등으로 된 하부의 데이터버스라인 및 게이트버스라인 등이 손상되어 단선되거나, 옥살산(COOH)22H2O)을 에천트로 사용할 경우에는 에천트의 온도를 80℃정도 까지 올려야 하고, ITO막의 에칭속도가 느린 단점이 있다.By the way, in the conventional method of manufacturing a liquid crystal display device, in the case of using an etchant of the ITO film, i.e., FeCl 3 , HNO 3 + HCl, etc. in the process of patterning the crystallized ITO film, Cr, Al, If the data bus line or gate bus line in the lower part such as Mo is damaged and disconnected, or if oxalic acid (COOH) 2 2H 2 O) is used as an etchant, the temperature of the etchant should be raised to about 80 ° C and the etching of the ITO film The disadvantage is slow speed.
이하 종래의 ITO막의 각각의 패터닝 방법에 대하여 더 구체적으로 설명한다.Hereinafter, each patterning method of the conventional ITO film will be described in more detail.
(1) ITO막의 에천트로 FeCl3계, HNO3+HCl계를 사용할 경우.(1) When FeCl 3 or HNO 3 + HCl is used as an etchant for the ITO membrane.
먼저 콘택홀(80a)이 형성된 보호막(80) 위에 ITO막을 스퍼터법으로 증착한 후, 비정질 상태의 ITO막을 소정의 온도로 어닐링하여 결정화 상태로 만든다.First, an ITO film is deposited on the protective film 80 on which the contact hole 80a is formed by a sputtering method, and then an amorphous ITO film is annealed to a predetermined temperature to bring it into a crystallized state.
이어서, 어닐링 공정으로 결정화된 ITO막 위에 포토레지스트를 도포하고, 소정의 패턴으로 현상한 후, 그 포토레지스트의 현상된 패턴에 따라 FeCl3계, HNO3+HCl계의 에천트를 이용하여 결정화된 ITO막을 식각한다.Next, a photoresist is applied onto the ITO film crystallized by the annealing process, developed in a predetermined pattern, and then crystallized using an etchant of FeCl 3 and HNO 3 + HCl based on the developed pattern of the photoresist. Etch the ITO membrane.
상기와 같은 과정을 거치는 ITO막의 식각 방법은 FeCl3계, HNO3+HCl계 에천트와 하부층에 형성된 데이터버스라인 및 게이트버스라인 즉, Cr,Al,Mo 등의 금속막이 반응하여 금속막이 단선되거나 손상되는 문제가 발생한다.The etching method of the ITO film through the above process is a metal film is disconnected due to the reaction of the FeCl 3 , HNO 3 + HCl etchant and the data bus line and gate bus line formed in the lower layer, that is, Cr, Al, Mo, etc. There is a problem of damage.
(2) ITO막의 에천트로 옥살산을 사용할 경우.(2) When oxalic acid is used as the etchant of the ITO membrane.
먼저, 콘택홀이 형성된 보호막(80) 위에 ITO막을 스퍼터법으로 증착한 후, 비정질 상태의 ITO막을 소정의 온도로 어닐링하여 결정화 상태로 만든다.First, an ITO film is deposited on the protective film 80 on which the contact hole is formed by the sputtering method, and then, an amorphous ITO film is annealed to a predetermined temperature to bring it into a crystallized state.
이어서, 어닐링 공정으로 결정화된 ITO막 위에 포토레지스트를 도포하고, 소정의 패턴으로 현상한 후, 그 포토레지스트의 현상된 패턴에 따라 약 80℃정도로 가열된 옥살산 에천트를 이용하여 결정화된 ITO막을 식각한다.Subsequently, a photoresist is applied on the crystallized ITO film by an annealing process, developed in a predetermined pattern, and then the crystallized ITO film is etched using an oxalic acid etchant heated to about 80 ° C. according to the developed pattern of the photoresist. do.
상기와 같은 과정을 거치는 ITO막의 식각 방법은 옥살산이 비교적 높은 온도로 가열되기 때문에 옥살산에서 나오는 OH기의 증발량이 많고, 증발되는 OH기가 작업자의 호흡기에 침투할 가능성이 높아 작업자에게 해를 유발할 가능성이 높고, 특히, 온도를 높이더라도 에칭속도가 떨어지는 단점이 있다.In the etching method of the ITO membrane through the above process, since oxalic acid is heated to a relatively high temperature, the amount of evaporation of OH groups from oxalic acid is high and the evaporated OH groups are likely to penetrate the respiratory organs of workers, which may cause harm to workers. High, in particular, there is a disadvantage that the etching rate falls even if the temperature is increased.
본 발명은 상기 문제점을 동시에 해결하기 위하여 ITO막을 어닐링 하지 않은 상태인 비정질 상태로 증착한 후, 그 상태에서 옥살산의 에천트로 ITO막의 패턴을 형성한다. 즉, ITO막이 비정질 상태에서는 결정의 결합이 느슨하고, 공극이 크기 때문에 비교적 낮은 온도인 40℃ 정도의 옥살산의 에천트도 쉽게 내부로 침투하여 에칭속도를 빠르게 진행할 수 있다.In order to solve the above problems simultaneously, the present invention deposits an ITO film in an amorphous state in which it is not annealed, and then forms a pattern of the ITO film with an etchant of oxalic acid in that state. That is, in the amorphous state of the ITO film, the bonds of the crystals are loose and the pores are large, so that an etchant of oxalic acid of about 40 ° C., which is a relatively low temperature, can also easily penetrate into the inside and accelerate the etching rate.
특히, 옥살산의 에천트는 Cr,Al,Mo 등의 하부막에 손상을 입히지 않을 뿐만아니라 에천트의 온도를 80℃정도로 올리지 않아도 80℃정도에서 에칭하는 것보다 2배정도 빠른 에칭속도를 유지할 수 있으므로 에천트의 증발에 의한 유해물질이 작업자에게 적게 노출되도록 할 수 있다.In particular, the oxalic acid etchant not only damages the underlying films of Cr, Al, Mo, etc., but also maintains the etching speed about twice as fast as etching at 80 ° C without raising the temperature of the etchant to about 80 ° C. It is possible to reduce the exposure of harmful substances to workers by the evaporation of the cloth.
따라서 본 발명의 목적은 ITO막의 패턴을 형성하는 과정에서, ITO막의 에천트에 의하여 하부 금속막의 손상을 방지함과 아울러 에칭속도를 빠르게하여 작업공정을 단축하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to shorten the work process by preventing the damage of the lower metal film by the etchant of the ITO film and increasing the etching speed in the process of forming the pattern of the ITO film.
본 발명의 또 다른 목적은 에천트의 온도를 비교적 낮게 유지하여 에천트의 증발량을 줄이므로써 에천트의 소비량을 줄이고, 에천트에 포함된 유해물질이 작업자에게 적게 노출되도록 하는데 있다.Still another object of the present invention is to reduce the consumption of etchant by keeping the temperature of the etchant relatively low to reduce the evaporation amount of the etchant, and to reduce the harmful substances contained in the etchant to the worker.
도 1은 일반적인 액정표시장치의 평면도이고,1 is a plan view of a general liquid crystal display device;
도 2는 도 1의 A-A´선을 따라 절단하여 나타내는 단면도이고,FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1;
도 3a, 도 3b는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.3A and 3B are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
10 투명기판 40,140 화소전극10 Transparent substrate 40,140 pixel electrode
40a 보조용량전극 50 TFT40a auxiliary capacitance electrode 50 TFT
55 게이트절연막 60 게이트버스라인55 Gate Insulation 60 Gate Bus Line
60a 게이트전극 70 데이터버스라인60a gate electrode 70 data bus line
70a 소스전극 70b 드레인전극70a source electrode 70b drain electrode
80 보호막 80a 콘택홀80 Shield 80a Contact Hole
90 반도체층 240 포토레지스트90 Semiconductor Layer 240 Photoresist
상기 목적 달성을 위한 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 적어도 금속막의 패턴이 포함되어 형성된 기판 위에 비정질 상태로 ITO막을 형성하는 공정,Method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object is a step of forming an ITO film in an amorphous state on a substrate formed with at least a pattern of a metal film,
상기 비정질 상태의 ITO막을 옥살산의 에천트로 식각하여 소정의 패턴으로 형성하는 공정,Etching the amorphous ITO film with an etchant of oxalic acid to form a predetermined pattern,
상기 식각에 의하여 패턴이 형성된 ITO막을 200℃ 정도의 온도로 어닐링하여 결정화하거나, 경화 등의 공정진행 과정에서 자연적으로 결정화 되도록 하는 ITO막결정화 공정을 포함하는 것을 특징으로한다.It characterized in that it comprises an ITO film crystallization process to anneal the ITO film patterned by the etching at a temperature of about 200 ℃ or to crystallize naturally during the process of the curing or the like.
상기 ITO막의 하부에 형성되는 금속 패턴은 Cr,Al,MO 중 선택되는 어느 하나이상의 막으로 이루어지고, 옥살산의 에천트 온도는 15℃∼45℃가 유지되도록 한다.The metal pattern formed under the ITO film is made of one or more films selected from Cr, Al, and MO, and the etchant temperature of oxalic acid is maintained at 15 ° C to 45 ° C.
이하, 본 발명의 액정표시장치의 제조방법에 있어서, 화소전극을 구성하는 ITO막의 에칭방법 및 작용에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the etching method and the operation of the ITO film constituting the pixel electrode in the manufacturing method of the liquid crystal display device of the present invention will be described in detail.
본 발명의 설명에 있어서, 종래와 동일 구성요소에 대하여는 동일부호를 적용하여 설명한다.In the description of the present invention, the same components as in the prior art will be described with the same reference numerals.
먼저, 하나의 예로 도 3a의 구조와 같이 투명기판(10) 위에 Cr,Al,Mo 등의 금속막으로 된 게이트전극(60a) 등을 패터닝하여 형성하고, 상기 게이트전극 등이 형성된 패턴 막 위에 SiNx,SiOx 등의 무기막으로 된 게이트절연막(55)과, a-Si층(90a) 및 n+이온이 도핑된 a-Si층(90b)을 구성하는 반도체층(90)을 형성하고, Cr,Al,Mo 등의 금속막으로 된 데이터버스라인(70), 소스전극(70a),드레인전극(70b)을 형성하여 스위칭소자로 기능하는 TFT(50)를 구성하고, 상기 TFT가 구성된 기판 위에 SiNx,SiOx 등의 무기막 이나 BCB(benzocyclobetene) 등의 유기막으로 된 보호막(80)을 형성하고, 상기 드레인전극부 위의 보호막에 콘택홀(80a)을 형성하여 드레인전극의 일부가 노출되도록하는 구조까지는 종래의 제조방법이 이용된다.First, as an example, as shown in FIG. 3A, a gate electrode 60a made of a metal film such as Cr, Al, Mo, or the like is patterned on the transparent substrate 10, and SiNx is formed on the pattern film on which the gate electrode is formed. A gate insulating film 55 made of an inorganic film such as SiOx, a semiconductor layer 90 constituting the a-Si layer 90a and the a-Si layer 90b doped with n + ions, and forming Cr, Al A data bus line 70 made of a metal film such as Mo, a source electrode 70a, and a drain electrode 70b are formed to form a TFT 50 functioning as a switching element, and SiNx, A protective film 80 made of an inorganic film such as SiOx or an organic film such as benzocyclobetene (BCB) is formed, and a contact hole 80a is formed in the protective film on the drain electrode to expose a part of the drain electrode. Conventional manufacturing methods are used.
상기 도 3a의 액정표시장치의 기판의 구조를 구성한 후, 그 기판 위에 도 3b에서와 같이 ITO막(140)을 스퍼터법으로 비정질 상태로 증착한다.After the structure of the substrate of the liquid crystal display of FIG. 3A is formed, an ITO film 140 is deposited on the substrate in an amorphous state by a sputtering method as shown in FIG. 3B.
상기 증착된 ITO막(140)은 비정질 상태를 유지하는 상태에서, 그 ITO막 위에 포토레지스트(240)가 스핀코팅법으로 도포되고, 그 포토레지스트(240)는 화소전극을 형성할 수 있는 소정의 패턴으로 현상된다.In the state in which the deposited ITO film 140 is maintained in an amorphous state, a photoresist 240 is coated on the ITO film by spin coating, and the photoresist 240 is formed to form a pixel electrode. Developed into a pattern.
상기 현상된 포토레지스트의 패턴을 따라 15℃∼45℃ 내에서 적절한 온도의 옥살산 에천트를 이용하여 비정질 상태의 노출된 부분의 ITO막을 에칭한다.The ITO film in the exposed portion in the amorphous state is etched using an oxalic acid etchant at an appropriate temperature within 15 ° C. to 45 ° C. following the developed photoresist pattern.
이어서, 에칭 후 ITO막 위에 남아있는 포토레지스트(240)를 스트립하여 제거하고, 비정질 상태의 ITO막을 200℃정도의 온도를 가하여 어닐링한다. 상기 ITI막의 어닐링은 높은 온도를 강제로 가하지 않고, ITO막 경화 등의 공정 진행과정에서 자연적으로 진행되도록 할 수도 있다. 상기 어닐링 공정에 의하여 비정질 상태의 ITO막이 결정질 상태의 ITO막으로 되어 저저항, 광의 고투율을 갖는 화소전극으로 기능하게 된다.Subsequently, the photoresist 240 remaining on the ITO film after the etching is stripped and removed, and the amorphous ITO film is annealed by applying a temperature of about 200 ° C. The annealing of the ITI film may be performed naturally in a process such as hardening the ITO film without forcing a high temperature. By the annealing process, the ITO film in the amorphous state becomes an ITO film in the crystalline state, and functions as a pixel electrode having low resistance and high transmittance of light.
상기에서 알 수 있는 것처럼 본 발명의 ITO막의 에칭방법의 핵심은 비정질 상태에서 비교적 낮은 온도의 옥살산의 에천트로 에칭하므로써, ITO막 내부로 에천트의 침투를 빠르게 하여 식각 속도를 빠르게 할 수 있고, 종래의 FeCl3계, HNO3+HCl계 에천트를 사용하지 않으므로써 하층에 형성되어 있는 금속막의 손상을 최소로 줄일 수 있다.As can be seen from the above, the core of the etching method of the ITO film of the present invention is by etching with an etchant of oxalic acid at a relatively low temperature in an amorphous state, so that the etching rate can be increased by increasing the penetration of the etchant into the inside of the ITO film. By not using FeCl 3 and HNO 3 + HCl based etchant, damage to the metal film formed in the lower layer can be minimized.
본 발명은 역 스테거형의 스위칭 소자에 ITO 화소전극을 접촉시켜 구성하는 구조를 이용하여 설명하였지만, ITO막을 패터닝하는 방법에 있어서는 본 구조에 한정되지 않고, 어떤 구조에도 본 발명의 아이디어를 적용할 수 있다.Although the present invention has been described using a structure in which an ITO pixel electrode is brought into contact with an inverted staggered switching element, the method of patterning an ITO film is not limited to this structure, and the idea of the present invention can be applied to any structure. have.
본 발명은 Cr,Al,Mo 등이 하부막으로 형성되어 있는 기판 위에 절연막 등을 개재하여 ITO막을 증착하고, 그 ITO막을 식각할 때 ITO막이 비정질 상태에서 15℃∼45℃의 옥살산 에천트로 먼저 식각한 후, 식각 후에 어닐링하므로써 에칭속도를 빠르게 함과 아울러, Cr,Al,Mo 등으로 이루어진 하부막의 손상을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, an ITO film is deposited on a substrate on which Cr, Al, Mo, etc. are formed as a lower film, through an insulating film, and the like, and when the ITO film is etched, the ITO film is first etched with an oxalic acid etchant of 15 ° C to 45 ° C in an amorphous state. After the etching, annealing after etching can increase the etching rate and prevent damage to the underlying film made of Cr, Al, Mo, or the like.
또, 비교적 낮은 온도의 에천트를 이용하므로 에천트의 증발량을 줄어, 에천트의 소비량을 작게할 수 있고, 에천트의 증발량에 비례하여 함께 증발되는 에천트의 유해물질이 작업자에게 적게 노출되도록 하는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the use of etchant at a relatively low temperature reduces the evaporation amount of the etchant, thereby reducing the consumption of the etchant, and reducing the exposure of the harmful substances of the etchant to the worker. The effect can be obtained.
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02251990A (en) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Ricoh Co Ltd | Formation of transparent electrode pattern |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02251990A (en) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Ricoh Co Ltd | Formation of transparent electrode pattern |
| JPH05142554A (en) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Active matrix substrate |
| JPH07141932A (en) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Kanto Chem Co Inc | Etching liquid composition for transparent conductive film |
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