KR100339346B1 - 액정표시소자제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시소자의 스토리지 커패시터 제조방법에 관한 것으로, 스토리지 커패시터용량을 증가시켜 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 감소시킴으로서 액정표시장치의 개구율을 증가시키기 위한 것이다.
본 발명은 절연성 투명기판상에 박막 트랜지스터부와 스토리지 커패시터 하부 전극을 형성하는 단계와, 상기 박막트랜지스터부 및 스토리지 커패시터 하부전극이 형성된 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 스토리지 커패시터 하부전극의 소정부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 절연층 상부에 불투명 도전막을 형성하는 단계, 및 상기 불투명 도전막을 패터닝하여 상기 박막트랜지스터부와 스토리지 커패시터 하부전극 상부에 각각 블랙 매트릭스 및 커패시터 상부전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 액정표시소자 제조방법을 제공함으로써 스토리지 커패시터부의 면적을 크게 감소시켜 액정표시장치의 개구율 증가를 도모한다.
Description
본 발명은 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 액정표시소자의 스토리지 커패시터(storage capacitor) 제조에 관한 것이다.
종래의 액정표시장치 하판(박막트랜지스터 어레이부)의 픽셀(pixel)부 박막 트랜지스터 및 스토리지 커패시터부의 단면구조도를 제 1 도에 도시한 바, 이를 참조하여 종래의 액정표시소자 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
유리나 석영과 같은 절연성 투명기판(1)위에 버퍼층인 산화막(2)을 형성하고, 이 위에 비정질 실리콘이나 다결정실리콘을 증착하고 소정패턴으로 패터닝하여섬(island)모양의 반도체층(3)을 형성한 후, 그 전면에 게이트절연막(4)을 형성하고 이 위에 도우프드(doped) 폴리실리콘 또는 실리사이드(silicide)를 증착하고 이를 소정패턴으로 패터닝하여 게이트전극(5)과 스토리지 커패시터의 하부전극(5')을 형성한다.
이어서 n형 또는 p형의 불순물을 주입시킨 후 활성화시켜 상기 반도체층(3)소정부분에 소오스 및 드레인영역(S/D)을 형성한 다음, 전면에 층간절연막(6)과 ITO(Indium Tin Oxide)막(7)을 연속적으로 증착한 후, ITO막(7)을 소정패턴으로 패터닝하여 화소전극(7)을 형성하고, 상기 층간절연막(6)과 게이트절연막(4)을 선택적으로 식각하여 상기 소오스 및 드레인영역(S/D)을 노출시키는 콘택홀을 형성한후, 이 위에 금속막을 증착하고 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 소오스 및 드레인영역(S/D)에 각각 접속되는 소오스 및 드레인전극(8)을 형성한다.
액정표시장치에 있어서는 스토리지 커패시터가 차지하는 면적이 크면 클수록 개구율이 작아지며, 스위칭소자인 박막트랜지스터의 오프(off)시 화소전극의 전압 변동을 일정값 이하로 작게 유지하기 위해 일정값 이상이 스토리지 커패시턴스가 필요하게 되는데 상기 종래의 방법으로는 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 감소시키는데 한계가 따르는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 스토리지 커패시터가 차지하는 면적을 감소시킴으로서, 액정표시장치의 개구율을 증가시키는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 액정표시소자 제조방법은 절연성 투명 기판상부에 박막트랜지스터부와 스토리지 커패시터 하부전극이 형성된 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계, 상기 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 스토리지 커패시터 하부전극의 소정부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 절연층 상부에 불투명 도전막을 형성하는 단계, 및 상기 불투명 도전막을 패터닝하여 상기 박막트랜지스터부와 스토리지 커패시터 하부전극 상부에 각각 블랙 매트릭스 및 커패시터 상부전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하이 본 발명을 상세히 설명한다.
제 2 도에 본 발명에 의한 액정표시장치 하판(박막트랜지스터 어레이부)의 픽셀부 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터부의 단면구조도를 도시한 바, 이를 참조하여 본 발명의 액정표시소자 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
유리나 석영과 같은 절연성 투명기판(1)위에 버퍼층(2)인 산화막을 형성하고, 이 위에 비정질실리콘이나 다결정실리콘을 증착하고 소정패턴으로 패터닝하여 섬(island)모양의 반도체층(3)을 형성한 후, 그 전면에 게이트절연막(4)을 형성하고 이 위에 도우프드(doped) 폴리실리콘 또는 실리사이트(sillcide)를 증착하고 이를 소정패턴으로 패터닝하여 게이트전극(5)과 스토리지 커패시터의 하부전극(5')을형성한다.
이어서 n형 또는 p형의 불순물을 주입시킨 후 활성화시켜 상기 반도체층(3)소정부분에 소오스 및 드레인영역(S/D)을 형성한 다음, 전면에 층간절연막(6)과 ITD(Indium Tin Oxide)막(7)을 연속적으로 증착한 후, ITO막(7)을 소정패턴으로 패터닝하여 화소전극(7)을 형성하고, 상기 층간절연막(6)과 게이트절연막(4)을 선택적으로 식각하여 상기 소오스 및 드레인영역(S/D)을 노출시키는 콘택홀을 형성한 후, 이 위에 금속막을 증착하고 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 소오스 및 드레인영역(S/D)에 각각 접속되는 소오스 및 드레인전극(8)을 형성한다.
다음에 기판 전면에 절연막(9)을 증착하고, 절연막(9)과 상기 층간절연막(6)의 소정부분을 선택적으로 식각하여 상기 스토리지 커패시터 하부전극(5')의 일정부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한다.
이어서, 이 위에 금속이나 실리사이드와 같은 불투명한 막을 증착한 후, 이를 소정패턴으로 패터닝하여 블랙 매트릭스(black matrix)(10)와 스토리지 커패시터 상부전극(10')을 각각 소오스 및 드레인전극(8)과 스토리지 커패시터 하부전극(5')상부에 형성한다.
이 경우, 블랙 매트릭스로 사용되는 막을 스토리지 커패시터 상부전극(10')으로 이용하여 화소전극(7)과 스토리지 커패시터 상부전극(10')으로 이용하여 화소전극(7)과 스토리지 커패시터 하부전극(5')사이의 커패시터와는 별도로 화소전극(7)과 스토리지 커패시터 상부전극(10')사이에 커패시터가 형성되어 스토리지 커패시턴스가 그 만큼 증가하게 된다.
즉, 제 3 도에 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 방법으로 스토리지 커패시터를 형성할 경우(제 3 도 (b)참조), 종래의 스토리지 커패시터 용량인 Cst.A(화소전극과 스토리지 커패시터의 하부전극사이의 커패시턴스)보다 Cat.B(화소전극과 스토리지 커패시터 상부전극사이의 커패시턴스)만큼 스토리지 커패시터 용량이 증가되므로 이만큼 스토리지 커패시터 면적을 감소시킬 수 있게 된다.
제 3 도에서 미설명부호 CLC는 액정의 커패시턴스를 나타낸다.
이상 상술한 바와 같이 본 발명의 방법에 의해 액정표시장치의 박막트랜지스터 어레이부를 제조하게 되면, 종래 방법에 의한 경우보다 스토리지 커패시터부의 면적을 크게 감소시킬 수 있어 액정표시장치의 개구율을 증가시킬 수 있다.
따라서 액정표시장치의 화면밝기를 향상시키고 화소부 단위면적당 픽셀수를 증가시킬 수 있어 HD급 표시소자 분야에 적용이 가능하게 된다.
제 1 도는 종래 기술에 따른 액정표시소자 단면구조도
제 2 도는 본 발명에 따른 액정표시소자 단면구조도
제 3 도는 종래 기술에 따른 액정표시소자와 본 발명에 따른 액정표시소자의 픽셀부 등가회로도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 절연성 투명기판 2 : 버퍼층
3 : 반도체층 4 : 게이트절연막
5 : 게이트전극 5' : 스토리지 커패시터 하부전극
6 : 층간절연막 7 : 화소전극
8 : 소오스 및 드레인전극 9 : 절연막
10 : 블랙 매트릭스 10' : 스토리지 커패시터 상부전극
Claims (2)
- 절연성 투명기판상부에 박막트랜지스터와 스토리지 커패시터 하부전극을 형성하는 단계와,상기 박막트랜지스터부 및 스토리지 커패시터 하부전극이 형성된 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계,상기 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 스토리지 커패시터 하부전극의 소정부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계,상기 절연층 상부에 불투명 도전막을 형성하는 단계, 및상기 불투명 도전막을 패터닝하여 상기 박막트렌지스터부와 스토리지 커패시터 하부전극 상부에 각각 블랙 매트릭스 및 커패시터 상부전극을 동시에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 콘택홀을 통해 스토리지 커패시터 하부전극과 상부전극이 접속되는 것을 특정으로 하는 액정표시소자 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940018756A KR100339346B1 (ko) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 액정표시소자제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940018756A KR100339346B1 (ko) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 액정표시소자제조방법 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR100339346B1 true KR100339346B1 (ko) | 2003-05-17 |
Family
ID=37480170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019940018756A KR100339346B1 (ko) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 액정표시소자제조방법 |
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| KR (1) | KR100339346B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453633B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-10-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기 전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR100532026B1 (ko) * | 1998-12-04 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 광센서의 스토리지커패시터 및 그 제조방법 |
| KR101190072B1 (ko) | 2005-12-30 | 2012-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 |
| KR20160060302A (ko) * | 2014-11-20 | 2016-05-30 | 한국과학기술원 | 날숨을 이용하는 에너지 수확 소자 및 그 제조방법 |
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| JPS6428622A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-31 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device |
-
1994
- 1994-07-29 KR KR1019940018756A patent/KR100339346B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR101626964B1 (ko) | 2014-11-20 | 2016-06-02 | 한국과학기술원 | 날숨을 이용하는 에너지 수확 소자 및 그 제조방법 |
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