KR100326918B1 - Circuits for protecting an abnormal high voltage of projection TV - Google Patents
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Abstract
프로젝션 텔레비젼의 CRT(cathode ray tube)에 과도한 전압이 인가되는 경우에 이를 조기에 차단하여 주요 부품의 파손을 방지할 수 있는 고압 상승 억제 보호회로가 개시된다. 본 발명에 의하면, 이상 고압 발생 시에 고압 출력펄스의 상승분 만큼 과전압 정류부에서 정류 후 과전압 검출부의 제너다이오드에서 검출하고 이의 출력상태에 따라 고압구동 출력부를 제어하여 고압 구동 출력부의 출력 파형을 고압이 상승 하기 전에 먼저 차단시킴으로써, CRT나 고압 발생 트랜스와 같은 고가 부품들을 과 고압으로부터 보호할 수 있다.A high voltage rise suppression protection circuit is disclosed that can block an early voltage when an excessive voltage is applied to a cathode ray tube (CRT) of a projection television to prevent breakage of major components. According to the present invention, when an abnormal high voltage is generated, the rectifier is rectified by the overvoltage rectifying unit as much as the increase of the high voltage output pulse and then detected by the zener diode of the overvoltage detecting unit, and the high voltage is increased in the output waveform of the high voltage driving output unit by controlling the high voltage driving output unit according to its output state. By blocking them before they can, expensive components such as CRTs and high-pressure generating transformers can be protected from overvoltage.
Description
본 발명은 대형 프로젝션 TV의 과 전압 보호회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 CRT(cathode ray tube)에 과도한 전압이 인가되는 경우에 이를 조기에 차단하여 주요 부품의 파손을 방지하기 위한 고압 상승 억제 보호회로에 관한 것이다.The present invention relates to an overvoltage protection circuit of a large-scale projection TV, and more particularly, a high-voltage rise suppression protection to prevent breakage of the main components by early blocking when excessive voltage is applied to the cathode ray tube (CRT). It is about a circuit.
현재 및 차세대는 대화면 실현을 추구하고 있으며, 이 대화면을 실현하기 위한 방법으로 스크린에 투사·확대하여 볼 수 있는 프로젝션(Projection) 텔레비젼에 대한 개발이 진행되고 있다.Nowadays and the next generation is pursuing the realization of a large screen, and the development of a projection television that can be projected and enlarged on a screen is in progress as a way to realize the large screen.
이때, 이러한 프로젝션 TV에 필요한 브라운관 또는 CRT는 많은 전류를 소비하고, 고압 및 빔 전류가 일반적인 컬러 텔레비젼보다 높기 때문에 편향이 되지 않은 상태에서 CRT에 고압이 계속해서 흐르면 CRT의 형광면 또는 유리가 파손되어 CRT에 치명적인 손상을 입히는 문제점이 있었다.At this time, the CRT or CRT required for such a projection TV consumes a lot of current, and since the high pressure and the beam current are higher than that of a general color TV, if the high pressure continues to flow in the CRT without deflection, the fluorescent surface of the CRT or the glass is broken and the CRT There was an issue that caused fatal damage to.
이러한 과전압에 따라 CRT를 보호하기 위한 과전압 보호회로를 도시한 도 1을 참조하여 종래 기술을 설명하면 다음과 같다.The prior art will be described with reference to FIG. 1, which shows an overvoltage protection circuit for protecting a CRT according to such an overvoltage.
먼저, 프로텍트 제어 트랜지스터(TR1)에 전원 전압(A)을 인가한 후 고압 발생 트랜스(FBT; Fly Back Trans)에서 표준치보다 높은 애노드 전압(B)이 출력되면, 저항들(R1, R2)에 의하여 분압된 후에 프로텍트 센서(IC)에 인가된다. 상기 프로텍트 센서(IC)에서는 표준 전압보다 고전압이 입력되므로, '로우' 상태의 출력을 발생시킨다. 이때, 상기 프로텍트 제어 트랜지스터(TR1)의 베이스-에미터간의 순방향 도통으로 콜렉터 단자는 '하이' 상태의 전압이 출력된다.First, when the supply voltage A is applied to the protection control transistor TR1 and the anode voltage B higher than the standard value is output from the high voltage generating transformer FBT, the resistors R1 and R2 may be used. After the partial pressure is applied to the protection sensor (IC). In the protection sensor IC, since a higher voltage is input than the standard voltage, an output of a 'low' state is generated. At this time, the collector terminal outputs a voltage of the 'high' state due to the forward conduction between the base and the emitter of the protection control transistor TR1.
이 콜렉터 단자의 '하이' 전압은 상기 프로텍트 센서(IC)를 계속 도통시키기위하여 저항(R3) 및 다이오드(D2)를 순방향으로 인가한다. 그리고, 프로텍트 제어 트랜지스터(TR1)의 콜렉터에 '하이' 전압 출력과 동시에 마이컴 프로텍트 제어 단자(C)에 인가되어 프로텍트 기능을 판별한 후, 마이컴의 출력 전압에 의해 전원 릴레이를 오픈하여 텔레비젼의 전원을 차단한다.The high voltage at this collector terminal applies resistor R3 and diode D2 in the forward direction to continue conducting the protection sensor IC. Then, at the same time as the 'high' voltage output to the collector of the protection control transistor TR1, it is applied to the microcomputer protection control terminal C to determine the protection function. Then, the power supply relay is opened by opening the power supply relay by the output voltage of the microcomputer. Block it.
그러나, 전술한 과전압 보호회로의 동작 시 다음과 같은 문제점이 나타난다. 고압 안정화 회로의 고효율 방식 가운데 PWM(Pulse Width Modulation) 방식에서 출력 소자중의 전계효과 트랜지스터(FET)가 불량으로 쇼트 발생시, 고압 출력회로에 의해 상기 고압 발생 트랜스(FBT)의 입력 펄스가 약 2배 상승된 고압이 애노드 단자에서 동시에 검출되기 때문에 CRT의 애노드 전압 인가보다 마이컴의 프로텍트 동작점의 시간 지연으로 상기 고압 발생 트랜스(FBT)나 CRT와 같은 고가 부품이 파괴되는 현상이 발생된다.However, the following problems occur when the above-mentioned overvoltage protection circuit operates. When the short circuit occurs due to defective field effect transistor (FET) in the output element in PWM (Pulse Width Modulation) method among the high efficiency methods of the high voltage stabilization circuit, the input pulse of the high voltage generating transformer (FBT) is doubled by the high voltage output circuit. Since elevated high voltages are simultaneously detected at the anode terminals, expensive components such as high voltage generating transformers (FBT) and CRT are destroyed due to the time delay of the protection operating point of the microcomputer rather than the application of the anode voltage of the CRT.
즉, 도 2의 파형도에 도시한 바와 같이, FBT의 고압 타임(a)에서 고압부 이상으로 정상 고압인 31㎸가 약 70㎸로 급속 상승 시, 프로텍트 구동 전압 검출을 애노드 상승 전압 라인에서 동시에 공급하기 때문에 응답 시간이 도 2의 (b), (c), (d)에 나타낸 바와 같이, 점차적으로 지연되어, CRT의 애노드 전압을 순간적으로 차단하지 못하여 상술한 고가 부품이 파괴되는 문제점이 있다.That is, as shown in the waveform diagram of FIG. 2, when the 31 kHz, which is a normal high voltage, rises to about 70 kHz from the high voltage part (a) of the FBT, the protection drive voltage detection is simultaneously supplied from the anode rising voltage line. As a result, the response time is gradually delayed, as shown in FIGS. 2B, 2C, and 2D, and the expensive components described above are destroyed because the anode voltage of the CRT is not momentarily interrupted.
또한, CRT의 애노드 전압의 이상 상승으로 인하여 휘도 전류가 과대하게 발생하는 경우, 인체에 해로운 X-ray 량을 표준치 이상으로 발생하는 문제점이 있다.In addition, when the luminance current is excessively generated due to an abnormal rise of the anode voltage of the CRT, there is a problem that the amount of X-rays harmful to the human body is generated above the standard value.
이와 같이, 종래의 과전압 보호회로는 PWM 발진기의 이상 발생으로 인한 과 펄스 입력이나, 고압 발생소자의 쇼트 발생 시 고압 출력펄스의 과도 상승으로 인하여, CRT의 치명적인 손상이나 고가 관련 부품들의 파손을 야기하는 문제점이 있었다.As described above, the conventional overvoltage protection circuit causes a fatal damage of the CRT or damage of expensive related components due to an excessive pulse input due to an abnormal occurrence of a PWM oscillator or excessive rise of a high voltage output pulse when a short circuit of a high voltage generator occurs. There was a problem.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 이상 고압 상승시의 출력 파형을 브라운관의 애노드에 인가하기 전에 고압 출력 역 펄스를 이용하여 먼저 차단함으로써, 제품의 신뢰성을 확보할 수 있는 프로젝션 텔레비젼의 고압 상승 억제 보호회로를 제공하는데 있다.The present invention has been made to solve such a problem, the object of the projection is to block the output waveform at the time of abnormal high-pressure rise first using a high-voltage output reverse pulse before applying to the anode of the CRT, to ensure the reliability of the product It is to provide a high voltage rising suppression protection circuit of a television.
도 1은 종래 기술에 의한 프로젝션 TV의 과전압 보호회로에 대한 회로도,1 is a circuit diagram of an overvoltage protection circuit of a projection TV according to the prior art;
도 2는 도 1에 도시된 주요 신호의 파형도,2 is a waveform diagram of the main signal shown in FIG.
도 3은 본 발명에 따른 고압 상승 억제 보호회로의 블럭도,3 is a block diagram of a high-voltage rising suppression protection circuit according to the present invention;
도 4는 본 발명에 따른 고압 상승 억제 보호회로의 상세 회로도,4 is a detailed circuit diagram of the high-voltage rise suppression protection circuit according to the present invention;
도 5는 본 발명에 따른 동작 상태를 나타낸 각부의 파형도이다.5 is a waveform diagram of each part showing an operating state according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 고압 구동 입력부 20 : 고압 구동 출력부10: high pressure drive input unit 20: high pressure drive output unit
30 : 고압펄스 출력 제어부 40 : 고압 안정화부30: high pressure pulse output control unit 40: high pressure stabilization unit
110 : 과전압 정류부 120 : 과전압 검출부110: overvoltage rectifier 120: overvoltage detector
130 : 고압 구동 차단부130: high pressure drive breaker
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 고압 구동 입/출력부로부터 입력되는 펄스 신호에 대응하여 고압 펄스의 출력을 제어하는 고압펄스 출력 제어부와, 브라운관의 애노드 단자에 고압을 인가하기 위한 고압 발생 트랜스(FBT)를 구비한 PWM(Pulse Width Modulation) 방식의 고압 안정화부를 포함하는 프로젝션 TV의 과전압 보호회로에 있어서,Features of the present invention for achieving the above object, the high-pressure pulse output control unit for controlling the output of the high-voltage pulse in response to the pulse signal input from the high-voltage drive input / output unit, and a high pressure for applying high pressure to the anode terminal of the CRT In the over-voltage protection circuit of the projection TV including a high-voltage stabilizer of PWM (Pulse Width Modulation) method having a generating transformer (FBT),
상기 고압펄스 출력제어부의 출력 측에 연결되어 비 정상 조건에 따라 이 고압펄스 출력제어부에서 출력되는 네가티브 역상 펄스(과압 상승 펄스)를 정류하기 위한 과전압 정류부와, 상기 과전압 정류부의 출력 측에 연결되어 정류된 출력신호의 과전압을 검출하기 위한 과전압 검출부, 및 상기 과전압 검출부에서 프로텍트 전압이 발생되는 경우에 상기 고압 구동 출력부를 제어하여 상기 고압펄스의 출력파형을 고압 상승 전에 차단하기 위한 고압 구동 차단부를 포함하여 구성되는 고압상승 억제 보호회로를 제공하는데 있다.An overvoltage rectifier connected to the output side of the high voltage pulse output control unit for rectifying a negative reverse phase pulse (overpressure rising pulse) output from the high voltage pulse output control unit according to an abnormal condition, and connected to the output side of the overvoltage rectifier unit An overvoltage detection unit for detecting an overvoltage of the output signal, and a high voltage driving blocker for controlling the high voltage driving output unit to block the output waveform of the high voltage pulse before the high voltage rise when a protect voltage is generated from the overvoltage detecting unit. It is to provide a high voltage increase suppression protection circuit configured.
본 발명에 따르면, 이상 고압 발생 시에 고압 출력펄스의 상승분 만큼 과전압 정류부에서 정류 후 과전압 검출부의 제너다이오드에서 검출하고 이의 출력상태에 따라 고압구동 차단부를 제어하여 고압 구동출력부의 출력 파형을 고압이 상승 하기 전에 먼저 차단시킴으로써, CRT나 고압 발생 트랜스와 같은 고가 부품들을 보호할 수 있다.According to the present invention, when an abnormal high voltage is generated, the rectifier is rectified by the overvoltage rectifying unit as much as the increase of the high voltage output pulse and then detected by the zener diode of the overvoltage detecting unit, and the high voltage rises in the output waveform of the high voltage driving output unit by controlling the high voltage driving blocker according to the output state thereof. By blocking them before they are done, expensive components such as CRTs and high-pressure generating transformers can be protected.
이하, 본 발명이 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 고압 상승 억제 보호회로의 블럭도를, 도 4는 본 발명에 따른 고압 상승 억제 보호회로의 상세 회로도를 각각 나타낸다.3 is a block diagram of the high-voltage rise suppression protection circuit according to the present invention, Figure 4 is a detailed circuit diagram of the high-voltage rise suppression protection circuit according to the present invention, respectively.
도 3 및 도 4를 참조하면, 전원 전압(A)은 고압 구동 입력부(10), 고압구동 출력부(20)와 고압펄스 출력 제어부(30), 및 고압 안정화부(40)의 고압 발생 트랜스(FBT)에 각각 인가된다. 상기 고압펄스 출력제어부(30)는 상기 고압 구동 입/출력부(10, 20)로부터 입력되는 펄스 신호에 대응하여 고압 펄스의 출력을 제어하며, PWM(Pulse Width Modulation) 방식의 고압 안정화부(40)는 상기 고압펄스 출력 제어부(30)의 출력 측에 연결되어 브라운관의 애노드 단자(C)에 고압을 인가한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the power supply voltage A includes the high voltage driving input unit 10, the high voltage driving output unit 20, the high voltage pulse output control unit 30, and the high voltage generating transformer of the high voltage stabilization unit 40. FBT) respectively. The high voltage pulse output control unit 30 controls the output of the high voltage pulse in response to the pulse signals input from the high voltage driving input / output units 10 and 20, and the high voltage stabilization unit 40 using a pulse width modulation (PWM) scheme. ) Is connected to the output side of the high pressure pulse output control unit 30 to apply a high pressure to the anode terminal (C) of the CRT.
본 실시예에 의한 고압 상승억제 보호회로(100)는 상기 고압펄스 출력제어부(30)의 출력 측에 연결되어 비정상 조건에 따라 이 고압펄스 출력제어부(30)에서 출력되는 과압 상승 펄스를 정류하기 위한 과전압 정류부(110)와, 상기 과전압 정류부(110)의 출력측에 연결되어 정류된 출력신호의 과전압을 검출하기 위한 과전압 검출부(120), 및 상기 과전압 검출부(120)에서 프로텍트 전압이 발생되는 경우에 상기 고압 구동 출력부(20)를 제어하여 상기 고압펄스의 출력 파형을 고압 상승 전에 차단하기 위한 고압 구동 차단부(130)를 포함한다.The high pressure rise suppression protection circuit 100 according to the present embodiment is connected to the output side of the high pressure pulse output control unit 30 to rectify the overpressure rise pulse output from the high pressure pulse output control unit 30 according to an abnormal condition. The overvoltage rectifying unit 110, an overvoltage detector 120 for detecting an overvoltage of the rectified output signal connected to the output side of the overvoltage rectifying unit 110, and when a protect voltage is generated by the overvoltage detecting unit 120, The high voltage drive output unit 20 includes a high pressure drive block 130 to block the output waveform of the high pressure pulse before the high pressure rise.
이때, 상기 과전압 정류부(110)는 정류 다이오드(D1)와 정류 콘덴서(C6)로 구성되며, 상기 고압펄스 출력제어부(30) 트랜지스터(TR3)의 에미터에 직접 접속(direct connect)되어 고압상승 시의 역(negative) 펄스를 이용할 수 있도록, 상기 정류 다이오드(D1)와 콘덴서(C6)가 역방향으로 연결된다.In this case, the overvoltage rectifier 110 is composed of a rectifier diode (D1) and a rectifier capacitor (C6), when the high voltage rises by being directly connected to the emitter of the transistor (TR3) of the high-voltage pulse output control unit 30 The rectifying diode D1 and the condenser C6 are connected in the reverse direction so that a negative pulse of.
또한, 상기 과전압 검출부(120)는 상기 과전압 정류부(110)에서 정류된 전압을 분압하기 위한 저 전압용 분압 저항(R6, R7)들과, PNP형 트랜지스터(TR4)의 콜렉터에 접속되어 과전압을 검출하기 위한 역방향 제너다이오드(ZD1), 그리고 상기 트랜지스터(TR4)의 베이스에 접속된 바이어스 저항들(R8, R9)로 구성된다. 이때, 상기 과전압 검출부(120)의 저전압 분배용 저항(R6)의 높은 저항값에 따른 제어 속도의 지연을 방지하기 위하여, 상기 저항(R6)과 병렬 연결된 제어속도 증가를 위한 콘덴서(C8)를 더 포함하는 것이 바람직하다.The overvoltage detector 120 is connected to low voltage divider resistors R6 and R7 for dividing the voltage rectified by the overvoltage rectifier 110 and a collector of the PNP transistor TR4 to detect an overvoltage. Reverse zener diode ZD1 and bias resistors R8 and R9 connected to the base of the transistor TR4. At this time, in order to prevent the delay of the control speed according to the high resistance value of the low voltage distribution resistor R6 of the overvoltage detector 120, a capacitor C8 for increasing the control speed connected in parallel with the resistor R6 is further added. It is preferable to include.
상기 고압구동 차단부(130)는 상기 과전압 검출부(120)의 트랜지스터(TR4)의 에미터에 접속된 발진 방지용 콘텐서(C7)와, 상기 고압구동 출력부(20)의 트랜지스터(TR2)의 베이스에 접속되어 고압 상승 시 이 트랜지스터(TR2)의 베이스 입력펄스를 차단시키기 위한 PNP형 트랜지스터(TR5)를 구비하여 구성된다.The high voltage driving blocking unit 130 includes an oscillation preventing capacitor C7 connected to an emitter of the transistor TR4 of the overvoltage detecting unit 120 and a base of the transistor TR2 of the high voltage driving output unit 20. And a PNP transistor TR5 for blocking the base input pulse of the transistor TR2 when the voltage rises at a high voltage.
다음은, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 고압 상승 억제 보호회로의 동작을 도 4를 참조하여 설명한다.Next, the operation of the high-voltage rising suppression protection circuit of the present invention having such a configuration will be described with reference to FIG.
먼저, 정상 조건에서의 동작 상태를 살펴보면 다음과 같다.First, the operation state in the normal condition is as follows.
전원 전압(A)을 상기 고압 구동 입력부(10), 고압 구동 출력부(20), 고압펄스 출력제어부(30), 및 고압 안정화부(40)의 고압발생 트랜스(FBT)에 각각 인가하며, 고압 구동 입력(B)은 상기 고압 구동 입력부(10), 고압 구동 출력부(20), 고압펄스 출력제어부(30), 및 고압 안정화부(40)의 고압발생 트랜스(FBT)에 접속된다.The power supply voltage A is applied to the high voltage generating transformer (FBT) of the high voltage driving input unit 10, the high voltage driving output unit 20, the high voltage pulse output control unit 30, and the high voltage stabilizing unit 40, respectively. The drive input B is connected to the high pressure drive input unit 10, the high pressure drive output unit 20, the high pressure pulse output control unit 30, and the high pressure generating transformer FBT of the high pressure stabilizer 40.
정상 동작 시에는, 상기 고압의 애노드 전압(C)을 출력하여 브라운관(CRT)에 공급한다. 이때, 상기 브라운관(CRT)에 출력되는 고압 출력펄스는 PWM 방식으로서, 상기 고압펄스 출력 제어부(30)의 트랜지스터(TR3)의 에미터에 접지(GND) 대신에 고압 출력펄스가, 그리고 콜렉터에는 출력펄스 대신에 B+를 제로(0) 볼트로 한 안정화된 고압으로, 상기 트랜지스터(TR3)의 에미터 단자에는 기준치인 고압 출력펄스의 네가티브(negative) 역상 펄스가 출력된다. 이 기준치 펄스는 상기 과전압 정류부(110)의 정류 다이오드(D1)와 정류 콘덴서(C6)에 의해 역 DC 전압(-)으로 얻어진다. 이 역 전압은 상기 과전압 검출부(120)의 저 전압용 분압 저항들(R6, R7)을 통하여 PNP형 트랜지스터(TR4)의 콜렉터 단자에 역방향으로 연결된 제너다이오드(ZD1)에서 감지된다.In normal operation, the high-voltage anode voltage C is output and supplied to the CRT. At this time, the high voltage output pulse output to the CRT is a PWM method, and the high voltage output pulse is output to the emitter of the transistor TR3 of the high voltage pulse output controller 30 instead of the ground GND, and to the collector. At a stabilized high voltage with B + being zero volts instead of a pulse, a negative reverse phase pulse of a high voltage output pulse as a reference value is output to the emitter terminal of the transistor TR3. This reference pulse is obtained at the reverse DC voltage (-) by the rectifier diode D1 and the rectifier capacitor C6 of the overvoltage rectifier 110. The reverse voltage is sensed by the zener diode ZD1 connected to the collector terminal of the PNP type transistor TR4 in the reverse direction through the low voltage divider resistors R6 and R7 of the overvoltage detector 120.
상기 제너다이오드(ZD1)에서 감지된 기준치 역전압은 상기 트랜지스터(TR4)의 베이스와 같은 동 전위로 유지되어, 제너다이오드(ZD1)는 '오프(OFF)'되고 상기 트랜지스터(TR4)의 콜렉터-베이스 간은 도통되지 않은 상태로 유지된다. 따라서, 상기 고압 구동 출력부(20) 트랜지스터(TR2)의 베이스와 접속된 고압 구동 차단부(130)의 PNP형 트랜지스터(TR5)의 베이스에는 바이어스 전압이 없기 때문에 이 고압구동 차단부(130)의 트랜지스터(TR5)도 '오프(OFF)' 상태로 유지됨으로써, 상기 고압 구동 출력부(20)는 정상적으로 동작하여 브라운관(CRT)에 애노드 전압(C)을 공급한다.The reference reverse voltage sensed by the zener diode ZD1 is maintained at the same potential as the base of the transistor TR4 so that the zener diode ZD1 is 'OFF' and the collector-base of the transistor TR4. The liver remains unconducted. Therefore, since there is no bias voltage at the base of the PNP type transistor TR5 of the high voltage driving cutoff unit 130 connected to the base of the high voltage driving output unit 20 transistor TR2, the high voltage driving cutout unit 130 may not be provided. Since the transistor TR5 is also maintained in an 'off' state, the high voltage driving output unit 20 operates normally to supply the anode voltage C to the CRT.
한편, 부하 이상으로 상기 고압 안정화부(40)의 PWM 발진기(IC1)의 피드-백 소자들 가운데 냉납이 발생하거나 고압 안정화부(40)의 전류량 제어기인 전계효과 트랜지스터(F1)의 불량 시에는, 상기 PWM 발진기(IC1)의 궤환(feedback) 동작범위를 벗어나기 때문에 고압 출력펄스 제어 트랜지스터(TR3)의 에미터에는 기준치보다 대략 2배 정도도 상승된 고압의 출력펄스가 발생된다.On the other hand, when cold solder occurs among the feed-back elements of the PWM oscillator IC1 of the high voltage stabilization unit 40 due to a load or more, or when the field effect transistor F1 which is a current amount controller of the high voltage stabilization unit 40 is defective, Since the feedback operation range of the PWM oscillator IC1 is out of the feedback range, the emitter of the high voltage output pulse control transistor TR3 generates an output pulse of a high voltage approximately 2 times higher than the reference value.
이러한 비정상 조건 시의 동작을 도 5의 파형도를 참조하여 구제적으로 설명한다.An operation under such an abnormal condition will be described in detail with reference to the waveform diagram of FIG. 5.
즉, 도 5의 (a)에서 나타낸 바와 같이, 전계효과 트랜지스터(F1)의 쇼트(short) 시, 상기 고압 발생 트랜스(FBT)의 입력 파형은 정상 시의 -450vpp에 비해 약 2배 정도 증가한 -900vpp 정도의 입력 파형을 갖는다. 이때, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 상기 고압발생 트랜스(FBT)에서는 내부적으로 코일 및 배압 다이오드 등이 동작하면서 최종의 애노드 출력전압(C)에서 'dt' 정도의 지연 시간이 발생된다.That is, as shown in (a) of FIG. 5, when the field effect transistor F1 is short, the input waveform of the high voltage generating transformer FBT is increased by about twice as much as -450 vpp at normal time. It has an input waveform of about 900 vpp. At this time, as shown in (b) of FIG. 5, in the high-voltage generating transformer FBT, a delay time of about 'dt' is generated at the final anode output voltage C while the coil and the back voltage diode are operated internally. .
따라서, 상기 고압 발생 트랜스(FBT)를 통하여 상기 애노드 단자(C)로 고압 출력전압이 과도하게 상승하기 전에 즉, 고압발생 트랜스(FBT)에 (a) 파형과 같은 과 고압 펄스가 입력되기 전에, 상기 트랜지스터(TR3)의 과 고압 출력 펄스를 검출하여 (c) 파형과 같이 이를 차단한다.Therefore, before the high voltage output voltage excessively rises to the anode terminal C through the high voltage generating transformer FBT, that is, before the high voltage pulse such as the waveform (a) is input to the high voltage generating transformer FBT, The overvoltage output pulse of the transistor TR3 is detected and blocked as shown in the waveform (c).
구체적으로, 도 4를 참조하면, 고압 출력전압이 과도하게 상승하기 전에, 상기 역방향 정류부(110)의 정류 다이오드(D1)와 정류 콘덴서(C6)에 의해 역 (negative) DC 전압으로 정류된다. 상기 역방향 정류부(110)를 통하여 얻은 네가티브 DC 전압(정상 동작시 보다 낮은 전압)은 상기 과전압 검출부(120)의 저전압용 분압 저항(R6, R7)들을 통하여 과전압 검출부(120)의 PNP형 트랜지스터(TR4)의 베이스에 바이어스 저항(R8, R9)들로 바이어스 전압이 인가된 상태에서 콜렉터에 역방향 제너다이오드(Z1)의 애노드 전위가 캐소드 전위보다 낮게 떨어지면서 도통된다. 따라서, 상기 PNP형 트랜지스터(TR4)는 '온(ON)' 상태로 되어 에미터에 역 출력전압을 얻는다.Specifically, referring to FIG. 4, before the high voltage output voltage rises excessively, the rectifying diode D1 and the rectifying capacitor C6 of the reverse rectifying unit 110 are rectified to a negative DC voltage. The negative DC voltage (lower voltage during normal operation) obtained through the reverse rectifier 110 is a PNP transistor TR4 of the overvoltage detector 120 through the low voltage divider resistors R6 and R7 of the overvoltage detector 120. The anode potential of the reverse zener diode Z1 is conducted to the collector lower than the cathode potential while the bias voltage is applied to the bias resistors R8 and R9 at the base of the C1). Thus, the PNP transistor TR4 is turned 'ON' to obtain a reverse output voltage to the emitter.
이어, 상기 고압구동 출력 트랜지스터(TR2)의 베이스와 접속된 고압 구동 차단부(130)의 PNP형 트랜지스터(TR5)의 베이스에는 에미터 전위보다 낮게 설정된 바이어스 전압이 인가되어 이 고압구동 차단부(130)의 트랜지스터(TR5)는 '온(ON)' 상태가 된다. 따라서, 상기 고압 구동 트랜지스터(TR2)의 베이스 입력 펄스를 상기 고압구동 차단부(130)의 트랜지스터(TR5)로 차단함으로써, 상기 고압펄스 출력 제어 트랜지스터(TR3)를 '오프(OFF)' 시킨다. 그 결과, 고압 구동출력부의 출력 파형을 고압이 과도하게 상승하기 전에 먼저 차단시켜, 브라운관(CRT)이나 고가 부품들을 과 전압으로부터 보호한다.Subsequently, a bias voltage set lower than an emitter potential is applied to the base of the PNP-type transistor TR5 of the high-voltage driving blocking unit 130 connected to the base of the high-voltage driving output transistor TR2, so that the high-voltage driving blocking unit 130 is applied. Transistor TR5 is in an 'ON' state. Accordingly, the high voltage pulse output control transistor TR3 is 'off' by blocking the base input pulse of the high voltage driving transistor TR2 with the transistor TR5 of the high voltage driving blocking unit 130. As a result, the output waveform of the high voltage drive output section is first cut off before the high voltage excessively rises, thereby protecting the CRT or the expensive components from overvoltage.
이와 같이, 본 발명은 PWM 발진기의 이상 발생이나 고압 발생소자의 쇼트 발생 시, 고압 출력펄스의 상승분 만큼 역전압 정류회로에서 정류한 후, 과전압 검출회로의 제너다이오드에서 과 고압을 검출하여 고압 구동 차단부를 제어함으로써, 고압 구동출력부의 출력파형을 고압이 상승하기 전에 먼저 차단하여 브라운관이나 고압 발생 트랜스 등을 파손으로부터 보호할 수 있다.As described above, the present invention rectifies the reverse voltage rectifying circuit by an increase of the high voltage output pulse when the PWM oscillator abnormality occurs or the short circuit of the high voltage generating element, and then detects the high voltage in the zener diode of the overvoltage detection circuit to shut off the high voltage drive. By controlling the unit, the output waveform of the high voltage drive output unit can be interrupted before the high pressure rises to protect the CRT, the high pressure generating transformer, and the like from damage.
본 발명은 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 일탈하는 일없이, 다른 여러 가지 형태로 실시할 수 있다. 그 때문에 전술한 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 또한, 특허청구범위의 균등 범위에 속하는 변형이나 변경은, 모두 본 발명의 범위 내의 것이다.This invention can be implemented in other various forms, without deviating from the mind or main characteristic. Therefore, the above-described embodiments are merely examples in all respects and should not be interpreted limitedly. In addition, all the deformation | transformation and a change which belong to the equal range of a claim are within the scope of this invention.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 고압 상승 억제 보호회로에 의하면, 프로젝션 TV의 디스플레이로 사용되는 브라운관(CRT)이나 고압 발생 트랜스(FBT)와 같은 고가 부품을 파손으로부터 보호하여 제품의 고 신뢰성을 확보하는 효과를 발휘한다.As described above, according to the high pressure rise suppression protection circuit according to the present invention, high reliability components such as a CRT or a high pressure generating transformer (FBT) used as a display of a projection TV are protected from breakage to ensure high reliability of the product. It is effective.
또한, 브라운관의 애노드 전압이 과도하게 상승하는 경우에 발생되는 인체에 해로운 X-ray의 방출을 조기에 방지할 수 있는 효과를 발휘한다.In addition, the cathode tube exhibits an effect of preventing the emission of harmful X-rays early when the anode voltage of the CRT increases excessively.
Claims (5)
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|---|---|---|---|
| KR1019990031474A KR100326918B1 (en) | 1999-07-31 | 1999-07-31 | Circuits for protecting an abnormal high voltage of projection TV |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019990031474A KR100326918B1 (en) | 1999-07-31 | 1999-07-31 | Circuits for protecting an abnormal high voltage of projection TV |
Publications (2)
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| KR20010011892A KR20010011892A (en) | 2001-02-15 |
| KR100326918B1 true KR100326918B1 (en) | 2002-03-13 |
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ID=19605877
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Country Status (1)
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100534114B1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | CRT display device |
-
1999
- 1999-07-31 KR KR1019990031474A patent/KR100326918B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100534114B1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-12-08 | 삼성전자주식회사 | CRT display device |
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|---|---|
| KR20010011892A (en) | 2001-02-15 |
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