KR100324941B1 - Chiller for manufacturing semiconductor - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 제조 공정시 챔버 및 웨이퍼의 배면을 냉각시키는 반도체 제조용 냉각 장치에 관한 것으로, 특히 냉각수를 냉각시키는 열전 모듈 챔버를 진공 상태로 하여 열손실을 줄이기 위한 반도체 제조용 냉각 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing cooling apparatus for cooling a chamber and a back surface of a wafer during a semiconductor wafer manufacturing process, and more particularly, to a semiconductor manufacturing cooling apparatus for reducing heat loss by placing a thermoelectric module chamber for cooling cooling water in a vacuum state.
일반적으로 반도체 제조용 냉각 장치(Chiller)는 반도체 웨이퍼 제조 공정시 플라즈마를 이용한 식각 및 증착 장비에 장착되어 챔버 및 웨이퍼의 배면을 초고속으로 정밀하게 냉각 유지시키므로써 웨이퍼의 파손을 막고 웨이퍼의 품질을 일정하게 하기 위한 것으로 대부분 기계적 압축 냉각 방식을 사용하고 있다.Generally, a chiller for semiconductor manufacturing is installed in an etching and deposition apparatus using plasma during a semiconductor wafer manufacturing process, thereby precisely cooling and maintaining a chamber and a back surface of a wafer at high speed to prevent wafer breakage and to maintain a constant wafer quality. Most of them use mechanical compression cooling.
기계적 압축 냉각 방식은 냉매(CFC)를 사용하여 압축기와 응축기 및 열교환기를 통해 일정 온도로 냉각된 장비 순환용 냉각수를 공급하기 때문에 냉각 시스템 구성이 복잡하고 소음이 크며 유지 보수 비용이 많이 든다.The mechanical compression cooling method uses a refrigerant (CFC) to supply cooling water for circulation of equipment cooled to a certain temperature through a compressor, a condenser and a heat exchanger, which makes the configuration of the cooling system complicated, noiseless, and expensive to maintain.
즉, 종래의 반도체 제조용 냉각 장치는 첨단 프로세스 장비와 각 공정 조건을 안정적으로 유지할 수 있는 첨단 냉각 시스템을 필요로 하므로 시스템 구성이 복잡하여 부피가 크며 냉매 가스 누출 및 기계적 구성품 마모로 인해 유지 보수 비용이 많이 들뿐만 아니라 기계적 소음이 큰 단점이 있었다.In other words, the conventional cooling device for semiconductor manufacturing requires advanced process equipment and an advanced cooling system that can stably maintain each process condition, which makes the system complex and bulky, and the maintenance cost is high due to leakage of refrigerant gas and wear of mechanical components. Not only that, but also the mechanical noise was a big disadvantage.
특히 지구 환경 보호를 위해 1987년 몬트리올 의정서와 1996년 코펜하겐 개정에 의해 CFC 계열 냉매 사용이 규제됨에 따라 이의 대체용으로 냉매 가스를 사용하지 않는 열전 모듈(Thermoelectric-Module)을 이용한 반도체 제조용 냉각 시스템의 필요성이 대두되고 있다.In particular, the use of CFC-based refrigerants is regulated by the Montreal Protocol in 1987 and the Copenhagen Amendment in 1996 to protect the global environment. This is emerging.
이에 따라 개발된 열전 모듈을 이용한 전자 냉각 방식은 소형이면서 무진동, 무소음, 고속 응답 특성을 갖고 고정밀 온도제어에 적합한 특성을 갖고 있다.Accordingly, the electronic cooling method using the developed thermoelectric module has a small size, vibration-free, noise-free, high-speed response characteristics and suitable for high precision temperature control.
그러나 열전 모듈을 이용한 종래의 반도체 제조용 냉각 장치는 열전 모듈이 포함된 챔버내에서 열손실이 발생하여 효율이 떨어지는 문제점이 있었다.However, the conventional semiconductor manufacturing cooling apparatus using the thermoelectric module has a problem that the efficiency is lowered because the heat loss occurs in the chamber containing the thermoelectric module.
상기 문제점을 개선하기 위해 본 발명은 열전 모듈에 의해 냉각되는 장비 순환용 냉각수의 순환로를 포함하는 열전 모듈챔버의 내부를 진공으로 하여 열손실을 줄이기 위한 반도체 제조용 냉각 장치를 제공함에 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a cooling apparatus for manufacturing a semiconductor for reducing heat loss by vacuuming the interior of a thermoelectric module chamber including a circulation path of equipment circulating cooling water cooled by a thermoelectric module.
도 1 은 본 발명에 의한 반도체 제조용 냉각 장치의 구성도1 is a block diagram of a cooling apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention
도 2 는 도 1 의 냉각부의 세부 구조도2 is a detailed structural diagram of a cooling unit of FIG.
도 3 은 도 1 의 냉각부의 다른 실시예시도3 is another embodiment of the cooling unit of FIG.
도 4 는 도 2 의 냉각수로의 일실시예를 나타낸 분해 사시도4 is an exploded perspective view showing an embodiment of the cooling water passage of FIG.
도 5 는 도 2 의 냉각수로의 다른 실시예를 나타낸 분해 사시도5 is an exploded perspective view showing another embodiment of the cooling water passage of FIG.
도 6 은 도 2 의 냉각수로의 다른 실시예를 나타낸 분해 사시도6 is an exploded perspective view showing another embodiment of the cooling water passage of FIG.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
10 : 반도체 식각 시스템 20 : 제어부10 semiconductor etching system 20 controller
30 : 냉각부 40 : 급수조30: cooling part 40: water tank
50 : 펌프 110 : 제1 냉각수로50: pump 110: the first cooling water
111 : 제1 냉각수 120 : 제2 냉각수로111: first coolant 120: second coolant
121 : 제2 냉각수 130 : 열전 모듈 유니트121: second cooling water 130: thermoelectric module unit
131 : 열전 모듈 140 : 제2 냉각수 유입구131: thermoelectric module 140: second cooling water inlet
150 : 제1 냉각수 유입구 160 : 제2 냉각수 유출구150: first cooling water inlet 160: second cooling water outlet
170 : 제1 냉각수 유출구170: first cooling water outlet
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 장비 순환용 제1 냉각수가 유입되는 제1 냉각수로와, 열전달이 원활하게 이루어지도록 상기 제1 냉각수로의 양측면에 일측면이 접착되어 상기 제1 냉각수를 냉각시키는 열전 모듈 유니트와, 열전달이 원활히 이루어지도록 상기 열전 모듈 유니트의 타측면에 접착되어 상기 열전 모듈 유니트에 의해 상기 제1 냉각수의 열이 전달되는 제2 냉각수가 유입되는 제2 냉각수로가 진공된 하우징의 내부에 적층되는 냉각 수단, 상기 냉각 수단에서 냉각된 제1 냉각수가 유입되는 급수조(Reservoir), 상기 급수조에 유입된 제1 냉각수를 펌핑하여 장비로 유입시키는 펌핑 수단,및 상기 냉각 수단의 열전 모듈 유니트의 작동을 제어하는 제어 수단을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조용 냉각장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a first cooling water passage into which the first cooling water for circulation of equipment is introduced, and one side of the first cooling water passage is bonded to both sides of the first cooling water passage so as to facilitate heat transfer to cool the first cooling water. A housing in which the second cooling water flows into the thermoelectric module unit and the second cooling water in which the second cooling water is transferred to the thermoelectric module unit to transfer heat of the first cooling water by the thermoelectric module unit so as to facilitate heat transfer. Cooling means stacked therein, a reservoir for introducing the first cooling water cooled by the cooling means, a pumping means for pumping the first cooling water introduced into the water supply tank to the equipment, and a thermoelectric module of the cooling means. It provides a cooling device for manufacturing a semiconductor, characterized in that it comprises a control means for controlling the operation of the unit.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 의한 반도체 제조용 냉각 장치는 도 1 에 도시한 바와 같이 냉각부(30), 제어부(20), 급수조(40), 펌프(50),진공 센서(200), 및 진공 조절부 (190)로 이루어진다.As shown in FIG. 1, the cooling apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention includes a cooling unit 30, a control unit 20, a water supply tank 40, a pump 50, a vacuum sensor 200, and a vacuum control unit 190. )
상기 냉각부(30)는 도 2 에 도시한 바와 같이 장비 순환용 제1 냉각수(111)가 유입되는 제1 냉각수로(110)와, 열전달이 원활하게 이루어지도록 상기 제1 냉각수로 (110)의 양측면에 일측면이 접착되어 상기 제1 냉각수(111)를 냉각시키는 열전모듈 유니트(130)과, 열전달이 원활히 이루어지도록 상기 열전 모듈 유니트(l30)의 타측면에 접착되어 상기 열전 모듈 유니트(130)에 의해 상기 제1 냉각수(111)의 열이 전달되는 제2 냉각수(121)가 유입되는 제2 냉각수로(120)가 진공된 하우징(100)의 내부에 적층되어 이루어진다.As shown in FIG. 2, the cooling unit 30 includes a first cooling water path 110 into which the first cooling water 111 for circulating equipment is introduced, and the first cooling water path 110 so that heat transfer is performed smoothly. One side is bonded to both sides to the thermoelectric module unit 130 for cooling the first cooling water 111 and the thermoelectric module unit 130 is bonded to the other side of the thermoelectric module unit l30 so that heat transfer is smoothly performed. The second cooling water passage 120 through which the second cooling water 121 through which the heat of the first cooling water 111 is transferred is introduced is stacked in the vacuumed housing 100.
여기서, 상기 냉각부(30)는 도 3 에 도시한 바와 같이 다수의 제1 냉각수로(110), 다수의 열전 모듈 유니트(130)와, 다수의 제2 냉각수로(120)가 순차적으로 하우징(100)의 내부에 적층되고 공기 흡입구(180)를 이용하여 공기를 배출시키므로써 상기 하우징(100)의 내부를 진공시켜 이루어진다.As illustrated in FIG. 3, the cooling unit 30 includes a plurality of first cooling water paths 110, a plurality of thermoelectric module units 130, and a plurality of second cooling water paths 120. The inside of the housing 100 is vacuumed by being stacked in the interior of 100 and discharging air by using the air inlet 180.
즉, 상기 냉각부(30)는 장비 순환용 제1 냉각수(111)가 유입되는 다수의 제1 냉각수로(110)와, 열전달이 원활하게 이루어지도록 상기 제1 냉각수로(110)의 양측면에 일측면이 접착되고 상기 제1 냉각수로(110)를 따라서 다수의 열전 모듈(130)이 위치하여 상기 제1 냉각수(111)를 냉각시키는 열전 모듈 유니트(130)과, 상기 다수의 열전 모듈 유니트(130)의 타측면에 각각 접착되어 상기 열전 모듈 유니트(130)에 의해 상기 제1 냉각수(111)의 열이 전달되는 제2 냉각수(121)가 유입되는 다수의 제2 냉각수로 (120)가 순차적으로 하우징(100)의 내부에 적층된 후 공기 흡입구(180)를 통해 공기가 배출되어 하우징(100)의 내부를 진공 상태로 하여 이루어진다.That is, the cooling unit 30 has a plurality of first cooling water path 110 to which the first cooling water 111 for circulating equipment is introduced, and on both sides of the first cooling water path 110 so that heat transfer is smoothly performed. The thermoelectric module unit 130 and the plurality of thermoelectric module units 130 having side surfaces bonded to each other and the plurality of thermoelectric modules 130 are positioned along the first cooling water path 110 to cool the first cooling water 111. A plurality of second cooling water passages 120 are sequentially adhered to the other side of each of the plurality of second cooling water 121 is introduced into the second cooling water 121, the heat of the first cooling water 111 is transferred by the thermoelectric module unit 130 After being stacked in the housing 100, the air is discharged through the air inlet 180, and the inside of the housing 100 is made into a vacuum state.
여기서, 상기 열전 모듈 유니트(130)는 도 4 에 도시한 바와 같이 상기 제1 냉각수(111)를 냉각시키는 다수의 열전 모듈(131)이 상기 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)를 따라 접착되며 상기 제1 및 제2 냉각수로(110, 120) 사이에 열전달이 이루어지지 않도록 진공된 하우징(100)에 의해 상기 각 열전 모듈(131) 사이가 진공 상태로 만들어진다.Here, the thermoelectric module unit 130 has a plurality of thermoelectric modules 131 for cooling the first cooling water 111 along the first and second cooling water paths 110 and 120, as shown in FIG. 4. The thermoelectric modules 131 are made in a vacuum state by the housing 100 which is bonded and vacuumed so that heat transfer is not performed between the first and second cooling water paths 110 and 120.
또한, 상기 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)는 도 4 에 도시한 바와 같이 사행상 구조로 이루어지거나, 도 5 에 도시한바와 같이 양측부에 형성된 메인관(112, 113)과 상기 메인관(112, 113) 사이를 연결하는 다수의 서브관(114)으로 이루어진다.In addition, the first and second cooling water passages 110 and 120 may have a meandering structure as shown in FIG. 4, or the main pipes 112 and 113 formed at both sides as shown in FIG. 5 and the It consists of a plurality of sub pipes 114 connecting between the main pipes (112, 113).
또한, 상기 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)는 도 6 에 도시한 바와 같이 상단과 하단에 제1 및 제2 냉각수 유입구(140, 150)에 연결되는 유입구를 형성하고, 냉각수의 열전달이 용이하도록 상기 제1 및 제2 냉각수(111, 121)가 흘러가는 냉각수로의 내부에 다수의 핀(113)을 형성한다.In addition, the first and second cooling water passages 110 and 120 form inlets connected to the first and second cooling water inlets 140 and 150 at the top and the bottom thereof, as shown in FIG. 6, and heat transfer of the cooling water. To facilitate this, a plurality of fins 113 are formed inside the cooling water passage through which the first and second cooling water 111 and 121 flow.
상기 급수조(40)는 상기 냉각부(30)에서 냉각된 제1 냉각수(110)가 유입되는 것이다.The water supply tank 40 is the first cooling water 110 is cooled in the cooling unit 30 is introduced.
상기 펌프(50)는 상기 급수조(40)에 유입된 제1 냉각수(110)를 펌핑하여 장비, 즉 반도체 식각 시스템(10)으로 유입시키는 것이다.The pump 50 pumps the first cooling water 110 introduced into the water supply tank 40 to flow into the equipment, that is, the semiconductor etching system 10.
상기 제어부(20)는 상기 냉각부(30)의 열전 모듈 유니트(130), 즉 다수의 열전 모듈(131)의 작동을 제어하며, 아울러 상기 진공 센서(200)로부터 출력되는 진공 감지 신호에 따라 진공 조절부(190)의 밸브를 조절하여 상기 냉각부(30)의 내부가 항상 진공 상태를 유지할 수 있도록 한다.The control unit 20 controls the operation of the thermoelectric module unit 130, that is, the plurality of thermoelectric modules 131 of the cooling unit 30, and vacuums according to the vacuum detection signal output from the vacuum sensor 200. By adjusting the valve of the controller 190, the interior of the cooling unit 30 is always maintained in a vacuum state.
상기 진공 센서(200)는 상기 냉각 수단(30) 내부의 진공 상태를 감지하여 상기 제어 수단(20)으로 진공 감지 신호를 출력하는 것이다.The vacuum sensor 200 detects a vacuum state inside the cooling means 30 and outputs a vacuum detection signal to the control means 20.
상기 진공 조절부(190)는 진공 조절 밸브 및 진공 펌프로 이루어져, 상기 진공 센서(200)의 진공 감지 신호에 따라 상기 제어부(20)의 제어를 받아 상기 냉각부(30) 내부의 압력을 조절하기 위한 것이다.The vacuum control unit 190 is composed of a vacuum control valve and a vacuum pump, under the control of the control unit 20 according to the vacuum detection signal of the vacuum sensor 200 to adjust the pressure in the cooling unit 30 It is for.
이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 반도체 제조용 냉각 장치의 동작을 설명한다.The operation of the semiconductor device cooling apparatus according to the present invention configured as described above will be described.
급수조(40)에 유입된 장비 순환용 제1 냉각수는 펌프(50)에 의해 펌핑되어 반도체 식각 시스템(10)에서 챔버 및 웨이퍼의 표면을 냉각시키게 된다.The first cooling water for circulating equipment introduced into the water supply tank 40 is pumped by the pump 50 to cool the surfaces of the chamber and the wafer in the semiconductor etching system 10.
냉각에 사용된 제1 냉각수는 열이 흡수되어 약 25℃로 냉각부(30)로 유입되게 된다.The first cooling water used for cooling is absorbed by heat and flows into the cooling unit 30 at about 25 ° C.
이때 제어부(20)에서는 냉각부(30)의 다수의 열전 모듈(131)을 작동시켜 제1 냉각수내의 열이 제2 냉각수로 전달되도록 하는데 이는 아래에서 세부적으로 설명한다.In this case, the control unit 20 operates the plurality of thermoelectric modules 131 of the cooling unit 30 to transfer heat in the first cooling water to the second cooling water, which will be described in detail below.
상기 냉각부(30)에서 냉각된 제1 냉각수는 다시 급수조(40)로 유입되어 순환되게 된다.The first cooling water cooled by the cooling unit 30 flows back into the water supply tank 40 to be circulated.
다음으로 냉각부(30)의 작용을 도 2 및 도 3 을 참조하여 설명한다.Next, the operation of the cooling unit 30 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.
반도체 식각 시스템(10)으로부터 제1 냉각수 유입구(150)로 유입된 제1 냉각수 (111)는 제1 냉각수로(110)를 통해 이동하게 된다.The first cooling water 111 introduced into the first cooling water inlet 150 from the semiconductor etching system 10 is moved through the first cooling water path 110.
이때 상기 제1 냉각수로(110)에 접착된 다수의 열전 모듈(131)은 제어부(20)의 제어에 따라 동작하여 약 25℃로 데워진 제1 냉각수(111)내의 열을 제2 냉각수로(120)의 제2 냉각수(121)로 전달하게 된다.At this time, the plurality of thermoelectric modules 131 adhered to the first cooling water path 110 operate under the control of the controller 20 to heat heat in the first cooling water 111 heated to about 25 ° C. to the second cooling water path 120. The second coolant 121 is transferred to the second coolant 121.
즉, 상기 열전 모듈(131)은 제1 냉각수로(110)에 접하는 부분에 (+)전극이 연결되고 제2 냉각수로(120)에 접하는 부분에(-)전극이 연결되어 상기 제1 냉각수(111)의 열을 제2 냉각수(121)로 전달하게 된다.That is, in the thermoelectric module 131, a positive electrode is connected to a portion in contact with the first cooling water path 110 and a negative electrode is connected to a portion in contact with the second cooling water path 120, so that the first cooling water ( The heat of 111 is transferred to the second cooling water 121.
이때 상기 제2 냉각수(121)의 열이 다시 제1 냉각수(111)로 전달되지 않도록 제1 냉각수로(110)와 제2 냉각수로(120)의 사이와 다수의 열전 모듈(131) 사이를 진공 상태로 만든다.In this case, a vacuum is formed between the first cooling water path 110 and the second cooling water path 120 and between the plurality of thermoelectric modules 131 so that the heat of the second cooling water 121 is not transferred to the first cooling water 111 again. Make it state.
즉, 열전 모듈(131)과 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)는 최대로 가깝게 밀착시켜 열전달이 원활히 이루어지도록 하고 제1 냉각수로(110)와 제2 냉각수로(120) 사이는 진공 상태로 만들어 열전달이 이루어지지 않도록 한다.That is, the thermoelectric module 131 and the first and second cooling water passages 110 and 120 closely contact each other so that heat transfer may be performed smoothly, and a vacuum is formed between the first cooling water passage 110 and the second cooling water passage 120. Keep it out of heat transfer.
이때 많은 양의 제1 냉각수(111)가 필요한 경우에는 도 3 에 도시한 바와 같이 다수의 제1 냉각수로(110)를 적층하고 각 제1 냉각수로(110)의 양측면에는 열전 모듈(131)이 있는 열전 모듈 유니트(130)의 일측면을 각각 부착하고 상기 열전 모듈 유니트(130)의 타측면에는 상기 제1 냉각수(111)의 열이 전달될 수 있는 제2 냉각수(121)가 유입되는 제2 냉각수로(120)층을 각각 부착한다.In this case, when a large amount of the first cooling water 111 is required, as illustrated in FIG. 3, a plurality of first cooling water paths 110 are stacked, and thermoelectric modules 131 are disposed on both sides of each of the first cooling water paths 110. Attaching one side of each of the thermoelectric module units 130, and a second inflow of the second cooling water 121 through which the heat of the first cooling water 111 may be transferred to the other side of the thermoelectric module unit 130. The coolant passages 120 are attached respectively.
이에 따라 상기 25℃정도로 유입되는 제1 냉각수(111)의 열은 열전 모듈(131)에 의해 제2 냉각수(121)로 전달되어 -20℃ 정도로 제1 냉각수 배출구(170)를 통해 배출된다.Accordingly, heat of the first cooling water 111 introduced at about 25 ° C. is transferred to the second cooling water 121 by the thermoelectric module 131 and discharged through the first cooling water outlet 170 at about −20 ° C. FIG.
여기서, 상기 제2 냉각수(121)는 제2 냉각수 유입구(140)를 통해 계속적으로 유입되어 상기 제1 냉각수(111)의 열을 빼앗아 약 40℃로 되어 제2 냉각수 유출구(160)로 유출된다.Here, the second cooling water 121 is continuously introduced through the second cooling water inlet 140 to take heat from the first cooling water 111 to about 40 ° C. and flow out to the second cooling water outlet 160.
한편, 상기 열전 모듈(131)은 도 4 에 도시한 바와 같이 제1 및 제2 냉각수로 (110, 120)를 따라서 부착되게 된다. 즉,제1 및 제2 냉각수(111, 121)이 열전달이 원활히 이루어지도록 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)를 따라서 설치되게 된다.Meanwhile, the thermoelectric module 131 is attached along the first and second cooling water paths 110 and 120 as shown in FIG. 4. That is, the first and second cooling water 111 and 121 may be installed along the first and second cooling water paths 110 and 120 to facilitate heat transfer.
이와 같이 하우징(100)에 열전 모듈(131)층과 제1 및 제2 냉각수로(110, 120) 층이 적층되어 설치후에는 내부의 공기를 빼내어 내부를 진공 상태로 만듦으로써 제1 및 제2 냉각수(111, 121) 간에 열전달이 이루어지지 않도록 한다.As described above, the thermoelectric module 131 layer and the first and second cooling water passages 110 and 120 are stacked in the housing 100, and after installation, the internal air is evacuated to make the interior vacuum. The heat transfer between the cooling water (111, 121) is not made.
한편, 상기 진공 센서(200)에서는 냉각부(30) 내부의 압력을 감지하여 진공 감지 신호를 상기 제어부(20)로 출력하고 상기 제어부(20)에서는 상기 진공 감지 신호에 따라 상기 진공 조절부(190)의 진공 펌프를 작동시키면서 진공 조절 밸브를 조절하여 냉각부(30)의 내부가 항상 일정한 압력의 진공 상태를 유지할 수 있도록 한다.On the other hand, the vacuum sensor 200 detects the pressure inside the cooling unit 30 to output a vacuum detection signal to the control unit 20, the control unit 20 in accordance with the vacuum detection signal the vacuum control unit 190 By operating the vacuum pump of the) to adjust the vacuum control valve so that the interior of the cooling unit 30 can always maintain a constant pressure vacuum.
또한, 상기 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)는 도 4 에 도시한 바와 같이 사행상 구조로 이루어져 제1 냉각수(111)의 열이 냉각부(30)내에서 최대한 냉각될 수 있도록 한다.In addition, the first and second cooling water paths 110 and 120 have a meandering structure as shown in FIG. 4 so that the heat of the first cooling water 111 can be cooled to the maximum in the cooling unit 30. .
또한, 상기 제1 및 제2 냉각수로(110, 120)는 도 5 에 도시한 바와 같이 양측부에 제1 및 제2 냉각수 유입구 및 유출구(150(미도시),170),(140,160))가 연결된 두 개의 메인관(112, 113)을 형성하고 상기 두 개의 메인관(112, 113) 사이에 다수의 서브관(114)을 연결하여 상기 제1 및 제2 냉각수가 냉각될 수 있도록 한다.In addition, the first and second cooling water passages 110 and 120 have first and second cooling water inlets and outlets 150 (not shown), 170, and 140 and 160 at both sides thereof, as shown in FIG. 5. Two main pipes 112 and 113 are connected to each other, and a plurality of sub pipes 114 are connected between the two main pipes 112 and 113 to cool the first and second cooling water.
이와 같이 구성되는 본 발명에 의한 반도체 제조용 냉각 장치는 열전 모듈 사이를 진공 상태로 만듦으로 열전달이 없으므로 열손실을 최대한 줄일 수 있을 뿐 아니라 반도체 식각 장비의 미세한 온도 조절이 가능해진다.The cooling apparatus for manufacturing a semiconductor according to the present invention configured as described above has no heat transfer by making a vacuum between thermoelectric modules, thereby reducing heat loss as much as possible and enabling fine temperature control of semiconductor etching equipment.
Claims (3)
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