KR100280879B1 - Manufacturing Method of Dielectric Thick Film for Plasma Display and Lamp Heating Furnace - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유리기판의 열변형 및 균열을 방지하는 플라즈마 표시장치용 유전체후막의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a dielectric thick film for a plasma display device that prevents thermal deformation and cracking of a glass substrate.
본 발명에 따른 플라즈마 표시장치용 유전체 후막의 제조방법은, 비정질 유리분말과 충진제 분말을 소정시간 혼합하여 혼합분말을 형성하는 제1 단계와, 혼합분말과 유기용매를 혼합하여 페이스트를 형성하는 제2 단계와, 페이스트를 기판에 소정의 두께로 도포하는 제3 단계와, 페이스트가 도포된 상기 기판을 램프 가열방식으로 소결시켜 유전체 후막을 형성하는 제4 단계를 포함한다.In the method of manufacturing a dielectric thick film for plasma display device according to the present invention, a first step of forming a mixed powder by mixing the amorphous glass powder and the filler powder for a predetermined time, and a second to form a paste by mixing the mixed powder and the organic solvent And a third step of applying the paste to the substrate at a predetermined thickness, and a fourth step of sintering the paste-coated substrate by lamp heating to form a dielectric thick film.
이에따라, 유리기판의 열변형 및 균열을 방지함과 아울러, 유전체후막의 결정화도가 향상된다.This prevents thermal deformation and cracking of the glass substrate and improves the crystallinity of the dielectric thick film.
Description
본 발명은 플라즈마 표시장치에 관한 것으로, 특히 유리기판의 열변형 및 균열을 방지하는 플라즈마 표시장치용 유전체후막의 제조방법 및 램프가열로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma display device, and more particularly, to a method for manufacturing a dielectric thick film for a plasma display device and a lamp heating furnace for preventing thermal deformation and cracking of a glass substrate.
최근, 액정표시장치(Liquid Crystal Display; 이하 "LCD"라 함), 전계방출 표시장치(Field Emission Display; 이하 "FED"라 함) 및 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel; 이하 "PDP"라 함)등의 평면 표시장치가 활발히 개발되고 있으며, 이들중 PDP는 단순구조에 의한 제작의 용이성, 고휘도 및 고발광 효율의 우수, 메모리 기능 및 160。 이상의 광시야각을 갖는 점과 아울러 40 인치이상의 대화면을 구현할수 있는 장점을 가지고 있다.Recently, Liquid Crystal Display (hereinafter referred to as "LCD"), Field Emission Display (hereinafter referred to as "FED") and Plasma Display Panel (hereinafter referred to as "PDP") Flat display devices such as PDP have been actively developed. Among them, PDP is easy to manufacture due to its simple structure, high brightness and high luminous efficiency, memory function, and has a wide viewing angle of 160 ° or more, and realizes a large screen of 40 inches or more. It has the advantage of being able to.
도 1을 참조하면, 종래기술에 따른 PDP는 어드레스 전극(2)을 실장한 후면유리판(14)과, 상기 후면 유리판(14)의 상부에 도포되어 전하를 대전시키는 유전체후막(18)과, 유전체후막(18)의 상부에 형성되어 각각의 방전셀을 분할하는 격벽(8)과, 플라즈마 방전으로 발생된 빛에 의해 여기되어 발광하는 형광체(6)와, 전면유리판(16)의 상부에 형성된 투명전극(4)과, 상기 전면유리판(16) 및 투명전극(4)의 상부에 소정의 두께로 도포되어 전하를 대전시키는 유전체 후막(12)과, 상기 유전체 후막(12)의 상부에 도포된 보호막(10)을 구비한다. 어드레스 전극(2) 및 투명전극(4)에 소정의 구동전압(예를들어 200V)이 인가되면, 방전셀의 내부에는 어드레스전극(2)에서 방출된 전자에 의해 플라즈마 방전이 일어나게 된다. 이를 상세히 설명하면, 전극에서 방출된 전자가 방전셀에 봉입된 He+Xe 가스 또는 Ne+Xe 가스의 원자와 충돌하여 상기 가스의 원자들을 이온화 시켜면서 2차전자의 방출이 일어나며 이때의 2차전자는 가스의 원자들과 충돌을 반복하면서 차례로 원자를 이온화 해간다. 즉, 전자와 이온이 배로 증가하는 애벌런치(Avalanche)과정에 들어간다. 상기 애벌런치 과정에서 발생된 빛이 적색(Red; 이하 "R"라 함), 녹색(Green; 이하 "G"라 함), 청색(Blue;이하 "B"라 함)의 형광체를 여기 발광하게 되며 상기 형광체에서 발광된 R,G,B의 빛은 전면유리판(16)으로 진행하여 문자 또는 그래픽을 표시하게 된다. 한편, 상기 유전체 후막(18)에 대해서 상세히 설명하면, 방전유지 및 발광효율의 향상과 아울러 확산방지막의 기능을 수행하기 위해 유전체 후막(12)은 높은 가시광선의 반사율, 낮은 열팽창계수와 열적안정성, 높은 소성온도와 높은 치밀조직 및 낮은 유전율 등의 특성이 요구된다. 이를위해 저온 결정화 유리를 소성로에서 소결시킴으로 유전체 후막을 형성하게 된다.Referring to FIG. 1, a PDP according to the related art includes a rear glass plate 14 having an address electrode 2 mounted thereon, a dielectric thick film 18 applied on an upper portion of the rear glass plate 14 to charge electric charges, and a dielectric material. A partition 8 formed on the thick film 18 to divide each discharge cell, a phosphor 6 excited and emitted by light generated by plasma discharge, and a transparent formed on the front glass plate 16; A dielectric thick film 12 that is applied to the electrode 4, the front glass plate 16, and the transparent electrode 4 to a predetermined thickness to charge an electric charge, and a protective film coated on the dielectric thick film 12. (10) is provided. When a predetermined driving voltage (for example, 200V) is applied to the address electrode 2 and the transparent electrode 4, plasma discharge is caused by electrons emitted from the address electrode 2 inside the discharge cell. In detail, the electrons emitted from the electrode collide with the atoms of the He + Xe gas or the Ne + Xe gas enclosed in the discharge cell to ionize the atoms of the gas, and the emission of the secondary electrons occurs. Repeats collisions with atoms in the gas, ionizing atoms in turn. In other words, they enter the avalanche process, where electrons and ions double. The light generated in the avalanche process is excited to emit red (Red; " R "), green (hereinafter, " G "), and blue (" B ") phosphors. The light of R, G, and B emitted from the phosphor proceeds to the front glass plate 16 to display characters or graphics. On the other hand, the dielectric thick film 18 will be described in detail, in order to maintain the discharge and improve the luminous efficiency and to function as a diffusion barrier, the dielectric thick film 12 has a high visible light reflectance, low thermal expansion coefficient and thermal stability, high Characteristics such as firing temperature, high dense structure and low dielectric constant are required. To this end, low temperature crystallized glass is sintered in a kiln to form a dielectric thick film.
도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 유전체 후막의 제조방법의 흐름도가 도시되어 있다.2, a flowchart of a method of manufacturing a dielectric thick film according to the prior art is shown.
비정질 유리분말과 충진제 분말을 혼합한다.(제21 단계) 비정질 유리분말과 충진제 분말의 조성비에 따라 텀블링 믹서(Tumbling Mixer)에서 소정시간(예를들어 10시간) 혼합한다. 상기 혼합분말과 유기용매(Vehicle)를 혼합하여 페이스트(Paste)를 형성한다.(제22 단계) 비정질 유리분말과 충진제 분말을 조성비에 따라 혼합시킨 분말을 유기용매(Vehicle)와 혼합하여 페이스트를 형성한다. 페이스트를 유리기판에 도포한다.(제23 단계) 페이스트를 유리기판에 스크린 프린팅(Screen Printing)하여 15-20㎛의 균일한 두께로 도포한다. 상기 페이스트가 도포된 유리기판을 저항가열 방식으로 소결시킨다.(제24 단계) 저항가열 방식의 배치(Batch) 또는 인라인 형(In-Line Type) 열처리로에서 페이스트가 도포된 유리기판을 대기 분위기 하에서 350-400℃의 온도로 20-30분 정도를 소결하게 되며, 이 과정에서 페이스트 내의 유기물을 완전히 태우게 된다. 페이스트 내의 유기물이 완전히 소거된 후, 유리기판을 결정화 온도까지 승온시켜 20-30분간 가열하여 결정화 시키고 6℃의 냉각속도로 40분간 유리기판을 냉각함에 의해 유전체 후막을 형성하게 된다. 상기 저항가열 방식에 의한 유전체 후막의 최고 소결온도는 상기 유전체후막이 형성된 소다석회(Soda-Lime) 유리기판의 열변형을 최소화 하기위해 600℃ 이하를 유지한다.The amorphous glass powder and the filler powder are mixed. (Step 21) The mixing is performed for a predetermined time (for example, 10 hours) in a tumbling mixer according to the composition ratio of the amorphous glass powder and the filler powder. The mixed powder and the organic solvent are mixed to form a paste. (Step 22) A paste is formed by mixing a powder mixed with an amorphous glass powder and a filler powder according to the composition ratio with an organic solvent. do. The paste is applied to the glass substrate (Step 23). The paste is screen printed onto the glass substrate and applied to a uniform thickness of 15-20 μm. The paste-coated glass substrate is sintered by a resistive heating method (Step 24). The paste-coated glass substrate is subjected to a heat treatment in a batch or in-line heat treatment furnace. Sintering 20-30 minutes at a temperature of 350-400 ° C. will completely burn the organics in the paste. After the organic material in the paste is completely erased, the glass substrate is heated to the crystallization temperature, heated for 20-30 minutes to crystallize, and the dielectric substrate is formed by cooling the glass substrate for 40 minutes at a cooling rate of 6 ° C. The maximum sintering temperature of the dielectric thick film by the resistance heating method is maintained below 600 ℃ to minimize the thermal deformation of the soda-lime glass substrate on which the dielectric thick film is formed.
그러나, 상기와 같은 저항가열 방식의 열처리로를 이용한 소결방법은 열효율의 저하, 모상유리 결정화도의 불균일, 온도구배의 불균일에 의한 소다석회 유리기판의 열변형 및 균열이 발생하는 문제점이 도출되고 있다.However, the sintering method using the heat treatment furnace of the resistance heating method as described above has been derived a problem that the thermal deformation and cracking of the soda lime glass substrate due to the decrease in thermal efficiency, the non-uniformity of the parent glass crystallinity, the non-uniformity of the temperature gradient.
따라서, 본 발명의 목적은 유리기판의 열변형 및 균열을 방지함과 아울러 유전체후막의 결정화도를 향상시키는 플라즈마 표시장치용 유전체 후막의 제조방법 및 램프가열로를 제공 하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a dielectric thick film for a plasma display device and a lamp heating furnace which prevents thermal deformation and cracking of a glass substrate and improves the crystallinity of the dielectric thick film.
도 1은 종래의 기술에 따른 플라즈마 표시장치의 구조를 도시한 도면.1 is a view showing the structure of a plasma display device according to the prior art.
도 2는 종래의 기술에 따른 유전체 후막의 제조방법을 도시한 흐름도.2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a dielectric thick film according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 램프가열방식의 열처리로를 도시한 도면.3 is a view showing a heat treatment furnace of the lamp heating method according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 유전체 후막의 제조방법을 도시한 흐름도. 〈 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 〉4 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a dielectric thick film according to the present invention. <Description of the code | symbol about the principal part of drawing>
2 : 어드레스 전극 4 : 투명전극2: address electrode 4: transparent electrode
6 : 형광체 8 : 격벽6: phosphor 8: partition wall
10 : 보호막 12,18 : 유전체 후막10: protective film 12,18: dielectric thick film
14 : 후면유리판 16 : 전면유리판14: rear glass plate 16: front glass plate
42 : 상부램프 44 : 하부램프42: upper lamp 44: lower lamp
46 : 상부반사경 48 : 기판지지부46: upper reflector 48: substrate support
50 : 하부반사경 52 : 이송장치50: lower reflector 52: feeder
54 : 유리기판54: glass substrate
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 플라즈마 표시장치용 유전체 후막의 제조방법은, 비정질 유리분말과 충진제 분말을 소정시간 혼합하여 혼합분말을 형성하는 제1 단계와, 혼합분말과 유기용매를 혼합하여 페이스트를 형성하는 제2 단계와, 페이스트를 기판에 소정의 두께로 도포하는 제3 단계와, 페이스트가 도포된 상기 기판을 램프 가열방식으로 소결시켜 유전체 후막을 형성하는 제4 단계를 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing a dielectric thick film for a plasma display device according to the present invention includes a first step of forming a mixed powder by mixing an amorphous glass powder and a filler powder for a predetermined time, by mixing a mixed powder and an organic solvent. A second step of forming a paste, a third step of applying the paste to a substrate at a predetermined thickness, and a fourth step of sintering the paste-coated substrate by lamp heating to form a dielectric thick film.
본 발명에 따른 램프 가열로는, 기판을 지지하는 기판 지지부와, 기판의 상부를 가열하는 램프로 이루어진 상부가열부와, 기판의 하부를 가열하는 램프로 이루어진 하부가열부를 구비한다.The lamp heating furnace which concerns on this invention is equipped with the board | substrate support part which supports a board | substrate, the upper heating part which consists of a lamp which heats the upper part of a board | substrate, and the lower heating part which consists of a lamp which heats the lower part of a board | substrate.
상기 목적외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention other than the above object will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.
도 3 내지 도 4를 결부하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명 하기로 한다.3 to 4 will be described with respect to the preferred embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 램프 가열로는, 유리기판(54)의 상부에 위치하여 열을 발생하는 상부램프(42)와, 상기 상부램프(42)의 상부에 아치형(Arch Type)으로 장착되어 상부램프(42)의 열을 반사시키는 상부반사경(46)과, 상기 상부반사경(46)에 결합되어 상부램프(42)를 이동시키는 이송장치(52)와, 상기 유리기판(54)의 하부에 위치하여 열을 발생하는 하부램프(44)와, 상기 유리기판(54)을 지지하는 기판지지부(48)와, 상기 하부램프(44)의 하부에 장착되어 하부램프(44)의 열을 반사시키는 하부반사경(50)을 구비한다. 유리기판(40)이 램프 가열로에 투입되면, 상부램프(42)와 하부램프(44)를 동시에 작동하여 상기 상부 및 하부램프(42,44)에서 발생된 적외선이 유리기판(40) 전체에 골고루 투과하게 되어 유리기판 전체의 온도구배를 제거하게 된다. 상기 상부램프(42) 및 하부램프(44)는 소정의 용량(예를들어 2KW)을 갖는 텅스텐-할로겐 램프를 채용하는 것이 바람직하다. 또한, 상부반사경(46) 및 하부반사경(50)은 가열효과를 증대하기 위해 스테인레스(Stainless)강을 사용하며, 상기 스테인레스강의 재질로 304 스테인레스강이 바람직하다. 또한, 상부반사경(46)에는 아치형의 몸체에서 신장되어진 반사날개(46a)를 형성하여 열의 반사효율이 증대되도록 한다. 상기 텅스텐-할로겐 램프(42,44) 및 상기 반사경(46,50)들은 과열방지를 위해 각각 수냉 또는 공냉 방식의 냉각수단에 의해 냉각되도록 한다. 또한, 기판지지부(48)는 소정의 두께(예를들어 5mm)를 갖는 석영판을 사용하는 것이 바람직하다. 한편, 유리기판(54)의 가열방법에 대해서 설명하면 상부램프(42)와 하부램프(44)를 고정하고 유리기판(54)을 이송하여 가열하는 방법과, 하부램프(44)를 고정한 상태에서 상부램프(42)를 이송하여 유리기판(54)을 가열하는 방법이 있다. 이때, 상부램프(42)를 이송하여 유리기판(54)을 가열하는 경우, 상부반사경(46)의 상부에 장착된 이송장치(52)에 의해 상부램프(42)가 이송되도록 한다.Referring to FIG. 3, the lamp heating furnace according to the present invention includes an upper lamp 42 positioned above the glass substrate 54 to generate heat, and an arch type above the upper lamp 42. An upper reflector 46 for reflecting the heat of the upper lamp 42, a transfer device 52 coupled to the upper reflector 46 to move the upper lamp 42, and the glass substrate 54. A lower lamp 44 positioned at a lower portion of the lower lamp 44 to generate heat; a substrate support 48 supporting the glass substrate 54; and a lower lamp 44 mounted at a lower portion of the lower lamp 44; It has a lower reflector 50 for reflecting. When the glass substrate 40 is inserted into the lamp heating furnace, the upper lamp 42 and the lower lamp 44 are operated at the same time so that the infrared rays generated from the upper and lower lamps 42 and 44 are applied to the entire glass substrate 40. It is evenly transmitted to remove the temperature gradient of the entire glass substrate. The upper lamp 42 and the lower lamp 44 preferably employ a tungsten-halogen lamp having a predetermined capacity (for example, 2KW). In addition, the upper reflector 46 and the lower reflector 50 use stainless steel to increase the heating effect, 304 stainless steel is preferred as the material of the stainless steel. In addition, the upper reflector 46 forms a reflecting wing 46a extending from the arcuate body to increase the reflection efficiency of heat. The tungsten-halogen lamps 42 and 44 and the reflectors 46 and 50 are cooled by water or air cooling, respectively, to prevent overheating. In addition, it is preferable that the board | substrate support part 48 uses the quartz plate which has a predetermined thickness (for example, 5 mm). Meanwhile, the method of heating the glass substrate 54 will be described. The upper lamp 42 and the lower lamp 44 are fixed, the glass substrate 54 is transported and heated, and the lower lamp 44 is fixed. There is a method of heating the glass substrate 54 by transferring the upper lamp (42). At this time, when the upper lamp 42 is transferred to heat the glass substrate 54, the upper lamp 42 is transferred by the transfer device 52 mounted on the upper reflector 46.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 유전체 후막의 제조방법이 도시되어 있다.4, a method of manufacturing a dielectric thick film according to the present invention is shown.
비정질 유리분말과 충진제 분말을 혼합한다.(제31 단계) 비정질 유리분말과 충진제 분말을 조성비에 따라 텀블링 믹서(Tumbling Mixer)에서 소정시간(예를들어 10시간) 혼합한다. 상기 분말과 매개물을 혼합하여 페이스트(Paste)를 형성한다.(제32 단계) 비정질 유리분말과 충진제 분말을 조성비에 따라 혼합시킨 분말을 매개물과 혼합하여 페이스트를 형성한다. 이때의 매개물은 BCA(Butyl-Carbitol-Acetate; 이하 "BCA"라 함), BC(Butyl-Carbitol; 이하 "BC"라 함) 및 EC(Ethyl-Cellulose; 이하 "EC"라 함)가 일정비율로 혼합된 유기용매를 사용하며, 이중 EC의 양에 의해서 페이스트의 점도가 변화되어 리올리지(Rheology) 및 소결특성에 영향을 주게된다. 상기 페이스트의 점도가 50000 CPS가 되도록 EC, BC 및 BCA의 혼합비율을 조절한다. 페이스트를 유리기판(54)에 도포한다.(제33 단계) 페이스트를 유리기판(54)에 스크린 프린팅(Screen Printing)하여 15-20㎛의 균일한 두께로 도포한다. 상기 페이스트가 도포된 유리기판(54)을 램프(Lamp) 가열방식으로 소결시킨다.(제34 단계) 상기 유리기판(54)의 열처리는 페이스트 내의 유기물질을 소거하기 위해서 대기중에서 실시하게 되며 소결순서에 대해서 상세히 설명하면, 먼저 램프 가열로에 유리기판(54)을 장착한다. 온도구배를 없애기 위해 상부램프(42) 및 하부램프(44)를 동시에 작동시켜 소정시간(예를들면, 15분) 가열함으로써 유리기판(54) 전체의 온도를 350-400℃로 승온시켜, 상기 온도에서 소정시간(예를들어 30분) 유지하여 페이스트 내의 유기물질을 태워 없애게 된다. 페이스트 내의 유기물이 소거된후, 상기 상부램프(42) 및 하부램프(44)의 출력을 증가(0.8-1.0 Kw)시켜 유리기판(54)의 결정화 온도의 범위내에서 최대 600℃ 이하 까지 승온시키고, 승온된 온도로 20-30분 가열하여 유전체 후막의 결정화를 완료하게 된다. 유전체 후막의 결정화가 완료된 유리기판(54)을 소정시간(예를들어, 1시간)에 걸쳐서 램프의 출력을 감소시키면서 기판을 냉각시킴에 의해 유전체 후막을 형성하게 된다. 이때, 유전체 후막의 결정화 온도는 상기 혼합분말에 대한 DTA(Differential Thermal Analysis; 이하 "DTA"라 함)분석에 의해 정하여 진다.The amorphous glass powder and the filler powder are mixed (step 31). The amorphous glass powder and the filler powder are mixed in a tumbling mixer for a predetermined time (for example, 10 hours) according to the composition ratio. The powder and the medium are mixed to form a paste. (Step 32) A powder obtained by mixing the amorphous glass powder and the filler powder according to the composition ratio is mixed with the medium to form a paste. At this time, BCA (Butyl-Carbitol-Acetate; "BCA"), BC (Butyl-Carbitol; "BC") and EC (Ethyl-Cellulose; "EC") A mixed organic solvent is used, and the viscosity of the paste is changed by the amount of EC, which affects rheology and sintering characteristics. The mixing ratio of EC, BC and BCA is adjusted so that the viscosity of the paste is 50000 CPS. The paste is applied to the glass substrate 54 (step 33). The paste is screen printed onto the glass substrate 54 and coated with a uniform thickness of 15-20 탆. The paste-coated glass substrate 54 is sintered by a lamp heating method (step 34). The heat treatment of the glass substrate 54 is performed in the air to eliminate organic substances in the paste. In detail, first, the glass substrate 54 is mounted in the lamp heating furnace. In order to eliminate the temperature gradient, the upper lamp 42 and the lower lamp 44 are operated simultaneously and heated for a predetermined time (for example, 15 minutes) to raise the temperature of the entire glass substrate 54 to 350-400 ° C., The temperature is maintained for a predetermined time (for example, 30 minutes) to burn off the organic material in the paste. After the organic matter in the paste is erased, the output of the upper lamp 42 and the lower lamp 44 is increased (0.8-1.0 Kw) to raise the temperature up to 600 ° C. or less within the crystallization temperature of the glass substrate 54. 20-30 minutes is heated to the elevated temperature to complete the crystallization of the dielectric thick film. The glass substrate 54, which has completed the crystallization of the dielectric thick film, is cooled by cooling the substrate while reducing the output of the lamp over a predetermined time (for example, one hour) to form a dielectric thick film. At this time, the crystallization temperature of the dielectric thick film is determined by DTA (Differential Thermal Analysis) analysis on the mixed powder.
상술한 바와같이, 본 발명에 따른 유전체 후막의 제조방법은, 유리기판의 소결과정에서 램프(Lamp) 가열방식을 채용하여 상부램프와 하부램프를 동시에 작동시킴에 의해 유리기판 전체에 온도구배가 제거되어 유리기판의 열변형 및 균열을 방지함과 아울러 유전체후막의 결정화도를 향상할수 있는 장점이 있다.As described above, in the method for manufacturing the dielectric thick film according to the present invention, the temperature gradient is removed from the entire glass substrate by simultaneously operating the upper lamp and the lower lamp by adopting a lamp heating method during the sintering process of the glass substrate. Therefore, it is possible to prevent thermal deformation and cracking of the glass substrate and to improve the crystallinity of the dielectric thick film.
또한, 유리기판의 소결과정에서 상부반사경 및 하부반사경의 재질을 스테인레스강을 채용함에 의해 가열효과가 증대되어 열효율을 향상시킬수 있는 장점이 있다.In addition, in the sintering process of the glass substrate by using a stainless steel material of the upper reflector and the lower reflector has the advantage that the heating effect is increased to improve the thermal efficiency.
이상 설명한 내용을 통해 당업자 라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알수 있을 것이다. 일례로, 유리기판 전체를 가열함에 있어 상부램프와 하부램프를 고정한 상태에서 유리기판을 이송하여 가열할수도 있으며, 하부램프와 유리기판이 고정된 상태에서 상부램프를 이송하여 가열할수도 있음을 당업자는 알수 있을것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. For example, in heating the entire glass substrate, the glass substrate may be transported and heated while the upper lamp and the lower lamp are fixed, and the upper lamp may be transported and heated while the lower lamp and the glass substrate are fixed. You will see.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019980010612A KR100280879B1 (en) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | Manufacturing Method of Dielectric Thick Film for Plasma Display and Lamp Heating Furnace |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019980010612A KR100280879B1 (en) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | Manufacturing Method of Dielectric Thick Film for Plasma Display and Lamp Heating Furnace |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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