KR100280417B1 - System for detecting wafer mark - Google Patents

System for detecting wafer mark Download PDF

Info

Publication number
KR100280417B1
KR100280417B1 KR1019970076816A KR19970076816A KR100280417B1 KR 100280417 B1 KR100280417 B1 KR 100280417B1 KR 1019970076816 A KR1019970076816 A KR 1019970076816A KR 19970076816 A KR19970076816 A KR 19970076816A KR 100280417 B1 KR100280417 B1 KR 100280417B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
light
mark
receiving
light emitting
Prior art date
Application number
KR1019970076816A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19990056799A (en
Inventor
오만영
Original Assignee
김영환
현대반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR1019970076816A priority Critical patent/KR100280417B1/en
Priority to JP36588698A priority patent/JP3968740B2/en
Publication of KR19990056799A publication Critical patent/KR19990056799A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100280417B1 publication Critical patent/KR100280417B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 마크 검출 시스템에 관한 것으로, 이와같은 웨이퍼 마크 검출시스템은 인가전압의 세기에 따라 발광 또는 소광되는 발광소자와; 상기 발광소자에 인가되는 전압의 세기를 조절하는 발광제어부와; 상기 발광소자를 구동하기 위한 발광구동부와; 상기 발광소자에 의한 광을 전달받아 웨이퍼의 마크영역에 검출광을 조사하기 위한 센서부와; 상기 센서부로 반사된 검출광신호를 입력받아 디지탈신호로 변환하여 출력하기 위한 L/D 변환기(Light/Digital Invertor)와; 상기 디지탈신호를 입력받아 화상신호로 변환하여 출력하기 위한 D/P 변환기(Digital/Picture Invertor)와; 상기 화상신호를 입력받아 인터페이싱(interfacing)하기 위한 인터페이스부와; 상기 인터페이스부의 출력을 입력받아 가시화하기 위한 모니터부와; 상기 인터페이스부의 출력을 입력받아 해당 웨이퍼의 마크 유무를 판단하기 위한 주제어부로 구성되고, 웨이퍼 마크의 유무, 2중노광 및 노광불량등을 사전에 일괄적으로 검출함으로서 웨이퍼의 이력을 정확하게 알 수 있어 관리가 용이하고, 이로 인해 반도체 공정중에 발생하는 혼선을 방지할 수 있고, 노광불량 등에 기인한 재공정을 일률적인 공정상에서 실시함으로서 웨이퍼 공정관리의 안정화를 이룰 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a wafer mark detection system, wherein the wafer mark detection system comprises: a light emitting element that emits or quenches according to the intensity of an applied voltage; A light emission control unit controlling an intensity of a voltage applied to the light emitting device; A light emitting driver for driving the light emitting device; A sensor unit for receiving the light emitted by the light emitting element and irradiating detection light to a mark area of the wafer; An L / D converter (Light / Digital Invertor) for receiving the detection light signal reflected by the sensor unit and converting the detected light signal into a digital signal; A D / P converter (Digital / Picture Invertor) for receiving the digital signal and converting it into an image signal and outputting the converted digital signal; An interface unit for receiving and interfacing the image signal; A monitor unit for receiving and visualizing an output of the interface unit; It is composed of a main control unit for judging the presence or absence of the mark of the wafer by receiving the output of the interface unit, and it is possible to know the history of the wafer accurately by collectively detecting the presence or absence of the wafer mark, the double exposure and the poor exposure. This makes it possible to prevent crosstalk occurring during the semiconductor process and to stabilize the wafer process management by performing reprocessing due to poor exposure or the like on a uniform process.

Description

웨이퍼 마크 검출시스템{SYSTEM FOR DETECTING WAFER MARK}Wafer Mark Detection System {SYSTEM FOR DETECTING WAFER MARK}

본 발명은 투영노광장치에 관한 것으로, 특히 노광공정 전 XY 스테이지상에 위치한 웨이퍼의 마크 유무가 검출가능한 웨이퍼 마크 검출시스템이 설치된 투영노광장치에 관한 것이다.The present invention relates to a projection exposure apparatus, and more particularly, to a projection exposure apparatus provided with a wafer mark detection system capable of detecting the presence or absence of a mark on a wafer placed on an XY stage before an exposure process.

종래, 동일한 비저항 그룹으로 구분되어진 웨이퍼가 25장이 모이면 런(RUN)이라 하였고, 각 웨이퍼에 마커장비에 의해 자신이 고유이름을 새겼는데(MARKED), 이는 웨이퍼들간에 서로 섞이는 것을 방지하기 위함이였고, 또한 반도체 제조공정중인 웨이퍼 관리상에 있어 중요하였으며, 이러한 웨이퍼(marked wafer)상에 감광액을 도포하고, 반도체 소자의 회로패턴이 새겨진 레티클을 이용하여 상기 웨이퍼와 레티클을 정렬시킨 다음, 정렬된 레티클의 상면에 광을 조사하여 웨이퍼상에 도포된 감광액을 선택적으로 감광시키는 노광장치에는 일반적으로 접촉형(contact type), 근접형(proximity type), 그리고 투영형(projection type) 노광장치등이 있는데, 이중에서 투영형 노광장치를 대해서만 설명하기로한다.Conventionally, when 25 wafers divided into the same resistivity group are collected, it is called RUN, and each wafer is marked with a unique name by a marker device. This is to prevent mixing between wafers. And important for wafer management during the semiconductor manufacturing process, by applying a photoresist onto the marked wafer, aligning the wafer and the reticle using a reticle engraved with the circuit pattern of the semiconductor device, and then Exposure apparatuses that selectively irradiate the photoresist applied onto the wafer by irradiating light onto the upper surface of the reticle generally include a contact type, proximity type, and projection type exposure apparatus. In the above, only the projection type exposure apparatus will be described.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래 투영형 노광장치는 노광광을 공급하는 조명계(1)와; 상기 조명계(1)의 하방에 위치하여 반도체 소자의 회로패턴이 새겨진 다수 개의 레티클(R)을 노광순서에 맞게 레티클 스테이지로 이동시키는 레티클 축차교환기(2)와; 상기 레티클 축차교환기(2)의 하방에 위치하여 상기 레티클(R)의 회로패턴을 축소 또는 확대하여 웨이퍼(W)에 투영전사하는 투영광학계(3)와; 상기 투영광학계(3)의 하방에 위치하고, 상면에 감광막이 형성된 웨이퍼를 흡착고정시키는 웨이퍼 척(4')을 가지는 XY 스테이지(4)로 구성되고, 상기 XY 스테이지(4)는 X 축방향 및 Y 축방향의 이동량을 검출하는 위치센서가 부착되어 상면에 흡착고정된 웨이퍼를 노광순서에 따라 원하는 위치로 이동시키며, 상기 웨이퍼는 노광전 웨이퍼를 로딩시키는 웨이퍼로더부(5)로부터 상기 로딩된 웨이퍼의 프리얼라인 마크을 검출하는 프리얼라인 스테이지(6)를 거쳐 상기 XY 스테이지(4)로 로봇트 암에 의해 공급되어지고, 노광이 완료된 웨이퍼는 웨이퍼언로더부(7)에 의해 다른 반도체 제조장치로 이동된다.As shown in Fig. 1, a conventional projection type exposure apparatus includes an illumination system 1 for supplying exposure light; A reticle sequential exchanger (2) positioned below the illumination system (1) to move a plurality of reticles (R) engraved with a circuit pattern of a semiconductor element to a reticle stage in an exposure order; A projection optical system (3) positioned below the reticle sequential exchanger (2) to reduce or enlarge the circuit pattern of the reticle (R) to project transfer onto the wafer (W); It is composed of an XY stage 4 located below the projection optical system 3 and having a wafer chuck 4 'for adsorbing and fixing a wafer having a photosensitive film formed thereon, the XY stage 4 being in the X-axis direction and Y A position sensor for detecting the amount of movement in the axial direction is attached to move the wafer fixed to the upper surface to a desired position according to the exposure sequence, and the wafer is loaded from the wafer loader section 5 for loading the wafer before exposure. The wafer is supplied by the robot arm to the XY stage 4 via the pre-align stage 6 for detecting the pre-align mark, and the wafer after the exposure is completed is moved to another semiconductor manufacturing apparatus by the wafer unloader unit 7. do.

이하, 상기와 같이 구성된 종래 투영노광장치의 노광에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, the exposure of the conventional projection exposure apparatus configured as described above will be described.

레티클 축차교환기(2)를 구동하여 하나의 레티클(R)을 투영광학계(3)의 상방에 배치되고, 상기 투영광학계(3)의 하방에 감광막이 형성된 웨이퍼(W)가 웨이퍼로더부(5)에 의해 XY 스테이지(4)상의 웨이퍼 척(4')에 배치되어지고, 상기 레티클의 패턴과 상기 웨이퍼의 패턴을 맞추기 위해 상기 XY스테이지(4)를 구동하여 상기 웨이퍼를 노광영역으로 이동시키는 정렬을 실시한 다음, 상기 레티클 축차교환기(2)의 상방에 위치한 조명계(1)로부터 출사된 노광광을 투영광학계(3)의 상방에 위치한 레티클을 거쳐 상기 레티클의 새겨진 반도체 소자의 회로패턴이 상기 투영광학계(3)를 통해 확대 또는 축소되어 XY 스테이지(4)상에 놓여진 웨이퍼상의 감광막에 순차적으로 노광전사됨으로서 노광공정이 완료된다.The wafer loader portion 5 is a wafer W in which a reticle sequential exchanger 2 is driven to arrange one reticle R above the projection optical system 3 and a photosensitive film is formed below the projection optical system 3. Is arranged on the wafer chuck 4 'on the XY stage 4, and the alignment of driving the XY stage 4 to move the wafer to the exposure area in order to align the pattern of the reticle with the pattern of the wafer is performed. Then, the circuit pattern of the engraved semiconductor element of the reticle is passed through the reticle located above the projection optical system 3 through the exposure light emitted from the illumination system 1 located above the reticle sequential exchanger 2. The exposure process is completed by sequentially exposing or transferring the photosensitive film on the wafer placed on the XY stage 4 by expanding or contracting through 3).

상기한 바와 같은 종래 투영노광장치에 사용되는 웨이퍼는 웨이퍼 마커장비에서 마킹된 것을 사용하는데, 이중에는 마크상태가 불량하거나, 마킹되지 않았거나 또는 2중마킹된 웨이퍼가 존재하고, 특히, 마크가 없는 웨이퍼는 해당 웨이퍼의 이력(履歷)을 알 수가 없어 즉각적인 조치가 어려웠고, 노광공정후의 다른 제조공정에서 마크가 없는 웨이퍼의 발견시 재마킹이 어렵고, 재마킹시 웨이퍼가 손상되어 일률적인 웨이퍼 공정진행이 원활하지 않는 문제점이 발생하였다.The wafers used in the conventional projection exposure apparatus as described above are those marked by wafer marker equipment, of which wafers with poor mark status, unmarked or double marking exist, in particular, without marks. It is difficult to take immediate action because the wafer cannot know the history of the wafer, and it is difficult to remark when a wafer without mark is found in other manufacturing processes after the exposure process, and the wafer is damaged when remarking, so that the uniform wafer process progresses. A problem occurred that was not smooth.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하고자 투영노광장치에 웨이퍼 마크의 유무를 검출하는 웨이퍼 마크 검출시스템을 설치하여 노광공정외의 다른 제조공정중에 웨이퍼 마크가 없거나, 2중마킹되거나, 마크상태가 불량한 웨이퍼에 의한 웨이퍼 관리의 어려움(혼선)을 방지하는데 그 목적이 있다.Therefore, the present invention is to provide a wafer mark detection system for detecting the presence of the wafer mark in the projection exposure apparatus to solve the above problems, there is no wafer mark, double marking, or mark state during the manufacturing process other than the exposure process Its purpose is to prevent difficulty (crosstalk) of wafer management due to defective wafers.

도 1은 종래 투영노광장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a conventional projection exposure apparatus.

도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 마크 검출시스템이 설치된 투영노광장치의 구성을 개략적으로 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a projection exposure apparatus provided with a wafer mark detection system according to the present invention.

도 3은 도 2에 있어서, XY 스테이지상에 놓인 웨이퍼의 상세평면도.3 is a detailed plan view of a wafer placed on an XY stage in FIG.

도 4은 도 2에 있어서, 센서부의 상세단면도.4 is a detailed cross-sectional view of the sensor unit of FIG. 2.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 마크 검출시스템은 인가전압의 세기에 따라 발광 또는 소광되는 발광소자(Lght Eitting Diode : LED)와; 상기 발광소자에 인가되는 전압의 세기를 조절하는 발광제어부와; 상기 발광소자를 구동하기 위한 발광구동부와; 상기 발광소자에 의한 광을 전달받아 웨이퍼의 마크영역에 조사하기 위한 센서부와; 상기 센서부로 반사된 검출광을 수광입력받아 디지탈신호로 변환하여 출력하기 위한 L/D 변환기와; 상기 디지탈신호를 입력받아 화상신호로 변환하여 출력하기 위한 D/P 변환기와; 상기 화상신호를 입력받아 인터페이싱하기 위한 인터페이스부와; 상기 인터페이스부의 출력을 입력받아 가시화하기 위한 모니터부와; 상기 인터페이스부의 출력을 입력받아 해당 웨이퍼의 마크 유무를 판단하기 위한 주제어부로 구성된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a wafer mark detection system according to the present invention includes a light emitting element (Lght Eitting Diode: LED) that emits or is extinguished according to the intensity of an applied voltage; A light emission control unit controlling an intensity of a voltage applied to the light emitting device; A light emitting driver for driving the light emitting device; A sensor unit for receiving the light emitted by the light emitting device and irradiating the mark region of the wafer; An L / D converter for receiving the received detection light reflected by the sensor unit, converting the detected light into a digital signal, and outputting the digital signal; A D / P converter for receiving the digital signal, converting the digital signal into an image signal, and outputting the converted image signal; An interface unit for receiving and interfacing the image signal; A monitor unit for receiving and visualizing an output of the interface unit; Characterized in that the main control unit for receiving the output of the interface unit to determine the presence or absence of the mark of the wafer.

이하, 투영노광장치에 설치된 본 발명에 따른 웨이퍼 마크 검출시스템에 대해 도 2를 참조하여 설명하기로 한다. 단, 종래와 동일한 구성요소에 대해서는 동일부호를 표기하기로 한다.Hereinafter, a wafer mark detection system according to the present invention installed in the projection exposure apparatus will be described with reference to FIG. However, the same reference numerals denote the same components as in the prior art.

도 2에 도시된 바와 같이, 노광공정을 하기 전에 앞서 XY 스테이지의 웨이퍼 척상에 놓여진 웨이퍼는 투영노광장치의 투영광학계 일단부에 고정설치된 웨이퍼 마크 검출시스템에 의해 상기 웨이퍼의 이력이 담긴 마크의 유무를 검사받는다.As shown in Fig. 2, the wafer placed on the wafer chuck of the XY stage prior to the exposure process is checked for the presence or absence of the mark containing the history of the wafer by a wafer mark detection system fixed to one end of the projection optical system of the projection exposure apparatus. Get tested.

이러한 상기 웨이퍼 마크 검출시스템은 투영노광장치의 소정단부에 부착고정되어 인가전압의 세기에 따라 발광 또는 소광되는 발광소자(Lght Eitting Dode : LED)(10); 상기 발광소자(10)에 인가되는 전압의 세기를 조정하는 발광제어부(20)와; 상기 발광소자(10)를 구동하기 위한 발광구동부(30)와; 상기 발광소자(10)에 일측단부에 연결되어 그로부터 발광된 광을 전송하기 위한 광케이블(40)과; 상기 광케이블(40)의 타측단부에 연결되어 웨이퍼(W)의 소정영역에 광을 조사하기 위한 센서부(50)와; 상기 웨이퍼(W)의 소정영역에 대한 정보를 가진 검출광을 수광하여 디지탈신호화하기 위한 CCD(Charge Coupled Device) 카메라부(또는 Light/Digital 변환기)(60)와; 상기 CCD 카메라부(60)에 의해 변환된 디지탈신호를 화상신호로 변환시키는 화상처리부(또는 Digital/Picture 변환기)(70)와; 상기 화상신호를 입력받아 인터페이싱(interfacing)하는 인터페이스부(80)와; 상기 인터페이스부(80)의 출력을 입력으로 하여 이를 가시화하기 위한 TV 모니터(90)와; 상기 인터페이스부(80)의 출력을 입력받아 해당 웨이퍼의 마크 유무를 판단하는 주제어부(100)로 구성된다.The wafer mark detection system includes a light emitting element (Lght Eitting Dode: LED) 10 which is fixed to a predetermined end of the projection exposure apparatus and emits or quenches according to the intensity of an applied voltage; A light emission controller 20 for adjusting the intensity of the voltage applied to the light emitting element 10; A light emitting driver 30 for driving the light emitting device 10; An optical cable 40 connected to one end of the light emitting element 10 to transmit light emitted therefrom; A sensor unit 50 connected to the other end of the optical cable 40 to irradiate light to a predetermined region of the wafer W; A charge coupled device (CCD) camera unit (or light / digital converter) 60 for receiving and digitally detecting detection light having information on a predetermined region of the wafer W; An image processing unit (or digital / picture converter) 70 for converting the digital signal converted by the CCD camera unit 60 into an image signal; An interface unit 80 for receiving and interfacing the image signal; A TV monitor (90) for visualizing the input of the output of the interface unit (80); The main control unit 100 receives the output of the interface unit 80 to determine the presence or absence of the mark of the wafer.

상기 XY 스테이지상에 놓인 웨이퍼는, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 하단부에 웨이퍼 마크가 새겨지는 마킹영역(MA : Mark Area)이 있고, 센서부(50)의 초기 위치 또한 마킹영역의 왼쪽에 위치하여 있다.As shown in FIG. 3, the wafer placed on the XY stage has a marking area (MA: Mark Area) where the wafer mark is engraved on the lower end of the wafer, and the initial position of the sensor unit 50 is also left of the marking area. Located in

상기 센서부(50)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 내측이 개구되고, 절단면이 원형인 일정길이의 관(51)이며, 그 중간이 절곡되어 있으며, 그 일측단부의 개구에 소정직경의 렌즈(52)가 부착되어 있다.As shown in FIG. 4, the sensor unit 50 is a tube 51 having a predetermined length having an inner side opening and a circular cutting surface, and having a middle thereof bent and having a predetermined diameter in the opening of one end portion thereof. The lens 52 is attached.

이하, 본 발명에 따른 웨이퍼 마크 검출시스템의 동작에 대해 설명한다.The operation of the wafer mark detection system according to the present invention will be described below.

주제어부(100)가 검출시퀀스 명령신호를 인터페이스부(80)를 통해 발광구동부(30)로 송신하면, 이를 수신받은 발광구동부(30)가 발광소자(10)의 발광을 구동하고, 발광제어부(20)는 발광에 필요한 전압을 발광소자(10)에 공급하여 발광케한다. 상기 발광소자(10)에 의한 광은 그의 일측에 연결된 광케이블(40)을 따라 센서부(50)로 이동되어지고, 상기 센서부(50)의 단부에 부착된 렌즈(52)를 통해 XY 스테이지(4)상에 놓여진 웨이퍼(W)의 소정영역에 조사되고, 그 소정영역에 대한 정보를 담은 반사광은 다시 렌즈(52)로 수광되어 상기 광케이블(40)에 의해 CCD 카메라부(60)로 수광되어지고, 상기 카메라부(60)는 반사된 검출광에 담긴 광정보를 디지탈신호로 변환하여출력하고, 화상처리부(70)는 이를 입력으로 하여 화상신호로 변환하며, 상기 화상신호는 인터페이스부(90)에서 인터페이싱되어 TV 모니터부(90)로 송신되어 가시화되고, 또한 인터페이싱된 상기 화상신호는 상기 주제어부(100)로 입력되고, 상기 주제어부(100)는 상기 입력된 데이터를 근거로 해당 웨이퍼의 마크 유무를 판단하는데, 웨이퍼 마크가 있으면 계속하여 다음 웨이퍼의 마크 유무를 검출하도록 검출시퀀스 명령신호를 인터페이스부(80)를 거쳐 상기 발광구동부(30)로 전달되고, 웨이퍼 마크가 없으면 에러를 유발시킨다.When the main control unit 100 transmits the detection sequence command signal to the light emitting driver 30 through the interface unit 80, the received light emitting driver 30 drives the light emission of the light emitting device 10, and the light emitting controller ( 20 supplies light to the light emitting element 10 to emit light. Light by the light emitting device 10 is moved to the sensor unit 50 along the optical cable 40 connected to one side thereof, and through the lens 52 attached to the end of the sensor unit 50 through the XY stage ( 4, the reflected light is irradiated to a predetermined region of the wafer W placed on the wafer W, and the reflected light containing information on the predetermined region is received by the lens 52 and received by the CCD camera unit 60 by the optical cable 40. The camera unit 60 converts and outputs optical information contained in the reflected detection light into a digital signal, and the image processing unit 70 converts the optical information into an image signal as an input, and the image signal is converted into an interface unit 90. The image signal is interfaced to the TV monitor unit 90 to be visualized, and the interfaced image signal is input to the main control unit 100, and the main control unit 100 is based on the input data. Determining the presence of a mark, wafer mark If then continue to interface the command signal detection sequence to detect the presence or absence of the mark, and then through the wafer unit 80 is transmitted to the light emission driving unit 30, if there is no wafer mark caused the error.

상기한 바와 같은 웨이퍼 마크 검출시스템은 웨이퍼 마크의 유무, 2중노광 및 노광불량등을 사전에 일괄적으로 검출함으로서 웨이퍼의 이력을 정확하게 알 수 있어 관리가 용이하고, 이로 인해 반도체 공정중에 발생하는 혼선을 방지할 수 있고, 노광불량 등에 기인한 재공정을 일률적인 공정상에서 실시함으로서 웨이퍼 공정관리의 안정화를 이룰 수 있는 효과가 있다.As described above, the wafer mark detection system detects the presence or absence of a wafer mark, double exposure, and poor exposure in advance, so that the history of the wafer can be accurately known and is easy to manage. It is possible to prevent the defects and to stabilize the wafer process management by performing the reprocessing caused by poor exposure or the like on a uniform process.

Claims (3)

인가전압의 세기에 따라 발광 또는 소광되는 발광소자(Lght Eitting Dode : LED)(10)와;A light emitting element (Lght Eitting Dode: LED) 10 that emits or quenches according to the intensity of an applied voltage; 상기 발광소자에 인가되는 전압의 세기를 조절하는 발광제어부(light control unit)(20)와;A light control unit 20 for controlling the intensity of the voltage applied to the light emitting device; 상기 발광소자의 발광을 구동하기 위한 발광구동부(light drive unit)(30)와;A light drive unit 30 for driving light emission of the light emitting device; 상기 발광소자에 의한 광을 전달받아 웨이퍼의 마크영역에 검출광을 조사하기 위한 센서부(sensor unit)(50)와;A sensor unit 50 for receiving the light emitted by the light emitting element and irradiating the detection light to the mark region of the wafer; 상기 센서부로 반사된 검출광신호를 입력받아 디지탈신호로 변환하여 출력하기 위한 L/D 변환기(Light/Digital Invertor)(60)와;An L / D converter (Light / Digital Invertor) 60 for receiving the detection light signal reflected by the sensor unit and converting the detected light signal into a digital signal; 상기 디지탈신호를 입력받아 화상신호로 변환하여 출력하기 위한 D/P 변환기(Digital/Picture Invertor)(70)와;A D / P converter (Digital / Picture Invertor) 70 for receiving the digital signal and converting the digital signal into an image signal; 상기 화상신호를 입력받아 인터페이싱(interfacing)하기 위한 인터페이스부(interface unit)(80)와;An interface unit 80 for receiving and interfacing the image signal; 상기 인터페이스부의 출력을 입력받아 가시화하기 위한 모니터부(monitor unit)(90)와;A monitor unit 90 for receiving and visualizing the output of the interface unit; 상기 인터페이스부의 출력을 입력받아 해당 웨이퍼의 마크 유무를 판단하기 위한 주제어부(main control unit)(100)로 구성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마크 검출시스템.Wafer mark detection system comprising a main control unit (100) for receiving the output of the interface unit to determine the presence or absence of the mark of the wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 주제어부(100)는,According to claim 1, The main control unit 100, 해당 웨이퍼에 마크가 있으면, 계속하여 다음 웨이퍼에 대해 마크 유무를 검출하도록 검출시퀀스 명령을 상기 인터페이스부(80)를 거쳐 상기 발광구동부(30)로 전달하고,If there is a mark on the wafer, a detection sequence command is transmitted to the light emitting driver 30 via the interface unit 80 so as to continuously detect the presence or absence of a mark on the next wafer. 해당 웨이퍼가 마크가 없거나, 마크상태가 불량이거나, 2중마킹이거나 할 경우, 에러메시지를 작업자에게 알려주는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마크 검출 시스템.Wafer mark detection system characterized in that the operator informs the error message when the wafer has no mark, bad mark status or double marking. 제 1 항에 있어서, 상기 발광소자(10)로부터의 검출광은 광케이블(40)에 의해 전송되고, 반사된 검출광 또한 광케이블(40)에 의해 전송되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 마크 검출시스템.2. The wafer mark detection system according to claim 1, wherein the detection light from the light emitting element (10) is transmitted by the optical cable (40), and the reflected detection light is also transmitted by the optical cable (40).
KR1019970076816A 1997-12-29 1997-12-29 System for detecting wafer mark KR100280417B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970076816A KR100280417B1 (en) 1997-12-29 1997-12-29 System for detecting wafer mark
JP36588698A JP3968740B2 (en) 1997-12-29 1998-12-24 Wafer mark detection system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970076816A KR100280417B1 (en) 1997-12-29 1997-12-29 System for detecting wafer mark

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990056799A KR19990056799A (en) 1999-07-15
KR100280417B1 true KR100280417B1 (en) 2001-03-02

Family

ID=19529346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970076816A KR100280417B1 (en) 1997-12-29 1997-12-29 System for detecting wafer mark

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3968740B2 (en)
KR (1) KR100280417B1 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104134618B (en) * 2014-06-12 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 The size detecting device and size detecting method of a kind of key graphic
CN114724981B (en) * 2022-03-10 2023-02-28 江苏亚电科技有限公司 Wafer counting device and wafer counting method
CN117558660B (en) * 2024-01-10 2024-04-12 深圳市华拓半导体技术有限公司 Management method and system for control workstation of semiconductor wafer detection equipment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6457638A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Hitachi Ltd Pre-aligner device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6457638A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Hitachi Ltd Pre-aligner device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000243680A (en) 2000-09-08
KR19990056799A (en) 1999-07-15
JP3968740B2 (en) 2007-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100492159B1 (en) Apparatus for inspecting a substrate
US20050259235A1 (en) Exposure apparatus, maintenance method therefor, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing factory
US5881165A (en) Process for the positioning of a mask relative to a workpiece and device for executing the process
KR100420240B1 (en) Wafer peripheral exposure method and apparatus
US4623256A (en) Apparatus for inspecting mask used for manufacturing integrated circuits
US6844933B2 (en) System for processing semiconductor products
KR20030096400A (en) Arrangement and method for detecting defects on a substrate in a processing tool
US4553834A (en) Mask aligner having a malfunction disposal device
KR100280417B1 (en) System for detecting wafer mark
JPS6149218A (en) Automatic positioning method of screen printer
US20070127026A1 (en) Substrate alignment apparatus and method, and exposure apparatus
JP2003186201A (en) Exposure device equipped with foreign matter inspecting function and foreign matter inspecting method of the same device
KR100515376B1 (en) System and Method for inspecting wafer
JPH01179318A (en) Projection aligner and its pattern offset correction
JPH03211812A (en) Exposure aligner
JPH11176723A (en) Connection identifying apparatus
KR100244918B1 (en) Semiconductor pattern inspect device and its method
JP3246300B2 (en) Automatic alignment method and apparatus for mask and workpiece
JPH05217885A (en) Wafer edge exposure apparatus
KR20010027127A (en) Apparatus for detecting wafer flatzone
KR100219415B1 (en) Inside illumination system of wafer exposure apparatus
JPS63209125A (en) Mark forming method
JPH05146998A (en) Positioning device for board
KR20030043684A (en) Handler for tcp(tape carrier package) and method of illuminating tcp
JPH10104748A (en) Device and method for exposure

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20081027

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee