KR100274416B1 - 레이저광빔 발생장치 - Google Patents

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이데이 노부유끼
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Abstract

레이저광빔 발생장치는 레이저 다이오드, 레이저매체, 비선형 광결정요소, 반사거울, 편향거울, 온도제어장치와 케이스를 포함한다. 레이저 다이오드는 적어도 하나의 펌핑레이저광빔을 방사한다. 레이저매체는 레이저 다이오드로부터의 펌핑레이저광빔에 의해 여기된다. 비선형 광결정요소는 레이저 다이오드로 부터의 펌핑레이저광빔의 출력된 광로에 배치된다. 반사거울은 레이저매체와 비선형 광결정요소를 갖는 공진기를 구성한다. 편향거울은 공진기로 부터의 광빔의 광로를 편향시킨다. 온도제어장치는 레이저 다이오드와 공진기의 온도를 제어한다. 케이스는 레이저 다이오드, 레이저매체, 비선형 광결정요소, 반사거울, 편향거울, 온도제어장치를 내장한다.

Description

레이저광빔 발생장치
제1도는 본 발명에 의한 레이저광빔 발생장치의 제 1실시예에 대한 개략구성을 보여주는 측단면도.
제2도는 본 발명의 레이저광빔 발생장치에서 뚜껑을 제거한 상태의 개략평면도.
제3도는 본 발명의 공진기설치블록의 일실시예에 대한 사시도.
제4도는 본 발명에 의한 레이저광빔 발생장치의 제 2실시예의 개략구성도.
제5도는 레이저매체인 Nd:YAG의 흡수계수를 보여주는 그래프.
제6도는 레이저 다이오드에서 방사되는 레이저광빔의 상대광강도의 파장분포를 보여주는 그래프.
제7도는 레이저 다이오드에서 Nd:YAG로의 펌핑광빔의 실제 흡수계수의 온도특성을 보여주는 그래프.
제8도는 레이저광빔출력과 노이즈레벨의 온도특성을 보여주는 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 레이저소자 13 : 렌즈
15 : 1/4파장판 16,19 : 반사면
17 : 레이저매체 18 : 비선형 광결정장치
20 : 공진기 21 : 공진기 설치블록
22 : 편향거울 23 : 베이스
24 : 온도제어장치 25 : 서미스터
31 : 케이스 32 : 바닥면
34 : 취출개구
본 발명은 레이저광빔 발생장치에 관한 것으로 특히, 본 발명은 비선형 광결정장치에 의해 변환된 레이저광빔 파장을 발생시키는 레이저광빔 발생장치에 관한 것이다.
예로써 일본 실개소 제 48-93784에서는 제 2조파발생(SHG)과 같은 실제 파장변환을 이용한 레이저광빔 발생장치가 나와있다. 레이저광빔 발생 장치는 비선형 광결정장치에 의해 단파장 레이저광빔 또는 변환파장 레이저광빔을 방사하여 레이저 공진기내에서 고전력밀도를 갖는 기본주파수의 레이저광빔을 이용한다.
실제 파장변환을 이용한 종래의 레이저광빔 발생장치는 광빔원과, 레이저매체와 비선형 광장치요소를 갖는 공진기를 포함한다. 광빔원에서 방사되는 적어도 하나의 펌핑광빔은 공진기의 레이저매체에 방사된다. 레이저매체는 펌핑광빔에 의해 여기되어 기본주파수의 레이저광빔을 발생한다. 레이저매체에서 발생되는 기본주파수의 레이저광빔은 비선형 광장치요소에 방사된다. 그 결과 SHG 레이저광빔은 비선형 광결정장치에서 발생되고 공진기에서 출력된다.
광 디스크기록 및/또는 재생장치 등과 같은 여러장치에서 실제 파장변환을 이용한 레이저광빔 발생장치를 조립 및 사용하기 위해 SHG레이저광빔방사에 필요한 광요소가 소형케이스내에 포함되어 구성요소와 같이 다루기 쉽도록 하는 것이 바람직하다.
일반적으로, 상술한 레이저광빔 발생장치에서 고효율을 갖는 SHG레이저광빔을 안정하게 얻기 위해, 레이저 다이오드와 같은 광빔원으로부터의 펌핑광빔이 Nd:YAG와 같은 레이저매체에 효과적으로 흡수될 필요가 있다.
또한 공진기의 비선형 광결정장치의 세로모드와 위상지연량의 온도에 따른 변화와 같은 이유 때문에 작은 소음을 가지고 안정된 동작이 가능한 제한된 범위 내에서의 온도제어가 요구된다. 펌핑광빔이 레이저매체에 효과적으로 흡수되도록 하기 위하여 레이저매체의 파장을 조절할 필요가 있으며, 그리고 펌핑광빔의 파장치레이저 다이오드 같은 광빔원의 온도에 따른 변화로 인해 광빔원을 온도제어할 필요가 있다. 따라서 공진기와 광빔원의 온도제어가 필요하기 때문에 두 시스템의 온도제어와 두 시스템의 온도감지가 필요하고 그에따른 구조의 구성에 의해 결국 전력소비 증가의 문제를 야기한다. 특히, 작은 크기의 케이스내에 내장되는 레이저광빔방사와 온도제어장치를 위한 광요소를 포함하는 레이저광빔 발생장치에 있어서, 광빔원이 각각의 온도제어장치에 배치될때, 광빔원과 공진기 상호의 위치 조절이 어렵게 되어 온도변화에 따른 상대위치변화에 의해 안정되지 못한 작동문제를 야기시킨다.
한편, 소형케이스내에 내장된 SHG레이저광빔 방사광시스템을 갖추고 실제 파장 변환을 이용한 레이저광빔 발생장치가, 광디스크기록 및/또는 재생장치와 같은 여러장치에 조립될 때, 큰 어려움없이 바람직하게 작동되는 소위 광학적 축정합이 실행될 필요가 있다. 광학적 축정합은 광축에 수직한 면에서 두 개의 수직방향으로 미세조정이 수행된다. 그러나 SHG레이저광빔을 발생하는 광학시스템장치는, 수평면인 케이스의 바닥면에 평행한 방향에서 수평면인 케이스의 바닥면에 평행한 광축방향으로 설치된다.
수평면으로서의 바닥면은 보통 레이저광빔 발생장치의 설치표면이기 때문에 광학적 축정합을 위한 두 개의 수직한 방향의 하나는 설치면에 수직이다.
케이스 설치면에 대한 수직이동 때문에 미세조절동작을 위한 설치가 어렵고 또한 작동의 정확성을 향상시키기도 어렵다.
따라서 본 발명의 목적은 상기 문제점들을 해결토록한 레이저광빔 발생장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고효율의 안정된 레이저광빔방사를 위한 온도제어가 작은 전력소비와 간단한 구조에 의해 실행되는 레이저광빔을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은, 레이저광빔을 발생시키는 여러 요소들이 패키지로 구성되어, 광학적 축정합을 위한 미세조정을 쉽게 행할 수 있어 작동의 정확성을 향상시킬 수 있는 레이저광빔 발생장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제 1실시예에 의하면, 레이저 다이오드, 레이저매체, 비선형 광결정소자, 반사거울, 그리고 온도제어장치를 포함하는 레이저광빔 발생장치를 제공하는 것이다. 레이저 다이오드는 적어도 하나의 펌핑레이저광빔을 방사한다. 레이저 매체는 레이저 다이오드로부터의 펌핑레이저광빔에 의해 여기된다. 비선형 광결정소자는 레이저 다이오드로부터의 펌핑레이저광빔의 출력 광로에 설치된다. 반사거울은 레이저 매체와 비선형 광결정소자와 함께 공진기를 구성한다. 온도제어 장치는 레이저 다이오드와 공진기의 온도를 제어한다.
본 발명의 제 2실시예에 의하면, 레이저 다이오드, 레이저매체, 비선형 광결정소자, 반사거울, 편향거울 등을 포함하는 레이저광빔 발생장치를 제공한다. 레이저 다이오드는 적어도 하나의 펌핑레이저광빔을 방사한다. 레이저매체는 레이저 다이오드로부터의 펌핑레이저광빔에 의해 여기된다. 비선형 광결정소자는 레이저 다이오드로부터의 펌핑레이저광빔의 출력광로에 설치된다. 반사거울은 레이저매체와 비선형 광결정소자와 함께 공진기를 구성한다. 편향거울은 공진기로부터의 광빔의 광로를 편향한다.
케이스는 레이저 다이오드, 레이저 매체, 비선형 광결정소자, 반사거울, 편향거울을 내장한다.
상기 발명에서, 하나의 온도제어잘치는 광빔원과 공진기를 제어하여 고효율의 안정된 레이저광빔 출력을 발생시킴으로써 간단한 구조와 크기의 소형화 그리고 전력소비를 줄일 수 있다.
상술한 발명에서 레이저광빔은, 케이스내에 설치된 공진기와 광빔원의 광축을 편향시킴으로써 케이스에서 취출되므로 레이저광빔이 케이스의 부착면에 수직하게 방사되므로 부착면 내에서의 설치위치의 미세조정과 광학적 축정합의 미세조정을 용이하게 해준다.
본 발명을 첨부도면을 참고로 상술하면 다음과 같다.
도면에 있어서 본 발명은 바람직한 실시예로써 상술한다.
제1도는 본 발명의 제 1실시예에 의한 레이저광빔 발생장치의 개략구성을 보여주는 개략단면도이다. 제2도는 제1도에 나타낸 장치에서 뚜껑을 제거한 개략평면도이다.
제1도 및 제2도에 나타낸 레이저광빔 발생장치는 반도체 레이저소자(11), 렌즈(13), 1/4파장판(15), 반사면(16,17), 레이저매체(17), 비선형 광결정장치(18), 편향거울(22), 베이스(23), 온도제어장치(24), 서미스터(25) 및 패키지 또는 케이스(31)를 포함한다. 광빔원으로서 레이저 다이오드와 같은 반도체 레이저소자(11)는 고정테이블(12)상에 설치된다. 반도체 레이저소자(11)로부터 방사되는 펌핑광빔과 같은 광빔을 집속하는 렌즈(13)는 렌즈설치블록(14)에 설치된다. 색선별거울과 같은 반사면(16)은 예로써 810nm의 파장을 갖는 펌평레이저광빔을 투과시키는 파장선택도를 가지며 레이저매체(17)에서 발생된 1064nm의 기본주파수의 레이저광빔을 반사한다. 반사면(16)은 코팅에 의해 1/4파장판(15)의 입사면에 형성된다. 상술한 실시예에서, 반사면(16)은 만약 측부 레이저매체(17)로부터 보면 오목거울의 형태이다. 레이저매체(17)는 Nd:YAG로 만들며 봉형의 레이저매체이다. 레이저매체(17)는 Nd : YV04, Nd : BEL 또는 LNP도 예를들 수 있다. 비선형 광결정장치는 KTP(KTiOP04)로 만들며 제 2의 고조파(SHG)를 발생한다. 비선형 광결정장치(18)는 BBO, LN 또는 LBO를 그 예로들 수 있다. 색선별거울과 같은 반사면(19)은, 비선형 광결정장치(18)에 의해 발생되는 532nm의 제 2조파의 레이저광빔을 투과시키고 기본주파수의 광빔을 반사하는 파장선택도를 갖는다. 반사면(19)은 비선형 광결정장치(18)의 뒤쪽면에 형성된다. 그리하여 공진기(20)는 1/4파장판(15)의 반사면(16)과 비선형 광결정장치(18)의 반사면(19)사이에 설치된다. 이 레이저광빔 발생장치에서 렌즈(13)에 의해 모아진 펌핑레이저광빔은 1/4파장판(15)의 입사면을 거쳐 레이저매체(17)에 조사된다. 레이저매체(17)는 펌핑레이저광빔에 의해 여기되어 기본주파수의 레이저광빔을 발생한다. 기본주파수의 레이저광빔은 비선형 광결정장치(18)에 조사된다. 그 결과 532nm의 제 2조파의 레이저광빔이 비선형 광결정장치(18)에 의해 발생된다. 1/4파장판(15)은, 레이저광빔의 출력으로서 방사된 제 2조파의 레이저광빔을 안정화하기 위해 미국 특허번호 제 4,910,740의 본 출원인에 의해 제안된 레이저광원에 이용된 복굴절 소자이다. 즉, 레이저매체(17)에서 발생된 기본주파수의 레이저광빔은 공진이동을 하여 공진기(20)에 설치된 비선형 광결정소자(18)를 통과하여 타입II의 제 2고조파 레이저광빔을 발생하며, 기본주파수의 레이저광빔의 편광면이 공진기(20)에 삽입된 1/4파장판(15)과 같은 복굴절요소에 의해 회전되어 기본 파장모드로써 두 개의 수직한 고유의 편광된 광빔을 설정한다. 그리고 1/4파장판(15)의 위상량(Δ)과 방위각(θ)값의 선택에 의해 제 2고조파 발생과정에서 기본주파수의 레이저광빔의 두 개의 고유 편광빔사이에 에너지 교환이 발생되지 않도록 함으로써 기본주파수의 레이저광빔을 안정화시킬 수 있어 제 2고조파의 레이저광빔을 나오게 한다. 한편, 1/4파장판(15)과 레이저매체(17), 그리고 타입II 위상정합된 형의 비선형 광결정장치(18)를 상호 밀접한 접촉으로 집적함으로써 레이저광빔 발생장치를 전체적으로 소형화할 수 있음과 동시에 변환효율도 향상된다.
공진기(20)를 구성하는 각각의 1/4 파장판(15) 표면과, 레이저 매체(17), 비선형 광결정장치(18)는 무반사 코팅으로 도표하여 상호 밀접한 접촉으로 붙인다. 공진기(27)는 공진기 설치블록(21)상에 설치된다. 설치블록(21)은 제 3도에 도시한 바와같이 V형의 홈(21V)을 형성한다. 1/4파장판(15), 레이저매체(17), 그리고 비선형 광결정장치(18)는 홈(21V)에 의해 안내되며 설치블록(21)에 설치된다. 비선형 광결정장치(18)는, 광축인 화살표(Z)로 나타낸 방향에서, 제 2조파의 후광빔의 편광방향이 제3도에서 화살표 X로 또는 이중화살표(S)로 나타낸 방향이 되도록 설치된다.
만약 사용할 경우엔, 비선형 광결정장치(18)로써의 KTP는, XY편이 결정의 a축과 b축을 포함하고 그에 수직한 Y축이 결정의 c축이 되도록 하기 위하여는 절단만하면 된다. 이 편광방향은 편향거울(22)의 S편광방향이다.
공진기(20)로부터 방사되는 제 2조파의 레이저광빔은 편향거울(22)에 의해 수직한 상방으로 편향된다. 편향거울(22)의 편향각은 45도이다.
편향거울(22), 공진기(20)를 탑재하는 설치블록(21), 렌즈(13)를 설치하는 설치블록(14), 그리고 반도체 레이저소자(11)를 설치하는 고정테이블(12)은 동일한 베이스(23)에 설치된다. 이들 요소들은 소위 열전기(TE)쿨러와 같은 온도제어장치(24)에 의해 그들 전체가 온도제어된다. 베이스(23)의 상면영역의 온도를 감지하는 서미스터(25)는 고정테이블(12)에 설치된다.
이하 TE쿨러와 같은 온도제어장치(24)를 설명한다. 이 제 1실시예에 펌핑광빔을 방출하는 반도체 레이저소자(11)의 파장제어와, 공진기(20)를 안정시키는 온도제어는 하나의 온도제어장치 또는 TE쿨러(24)에 의해 실행된다. 펌핑광빔이 레이저 매체(17)에 효과적으로 흡수되는 온도범위와 공진기(20)에 안정된 공진온도범위가 각각 존재하고 또한 좁을 경우엔 파장을 발생하는 반도체 레이저 요소(11)를 선택하여 Nd:YAG와 같은 레이저매체(17)의 흡수율이 공진기(20)의 안정된 영역을 위한 온도 범위내에서 소정의 값을 초과할 필요가 있다. 또한 공진기를 대신 선택할 수도 있다.
그리고 공진기(20)가 안정된 온도영역을 확대하기 위하여는, 위상지연량이 온도에 종속되는 복굴절결정의 길이를 단축하거나 또는 낮은 온도종속을 갖는 결정을 사용하는 것이 효과적이다. 온도제어는 다음의 동작으로 이루어진다. 즉, 서미스터(25) 또는 온도감지장치는 베이스(23)상의 온도, 특히 공진기(20)내의 비선형 광결정장치(18)와 반도체 레이저 요소(11)의 온도를 감지한다. 서미스터(25)에 의해 감지된 온도에 따라 온도제어장치 또는 TE쿨러(24)는 열과 열흡수를 제어하여 소정의 목표온도를 달성한다.
그리하여 하나의 온도제어장치(24)는 반도체 레이저소자(11)의 파장을 흡수파장으로 조절함으로써 공진기(20)를 안정시키는 온도제어를 행하고, 온도제어장치를 각 부분을 위해 별도로 설치할 필요가 없게 됨으로써 두 개 이상의 온도제어장치가 있으므로 인한 구조상의 복잡함과 온도제어장치의 배치상 어려움을 완전히 극복할 수 있다. 따라서 많은 요소부품들의 수와 가격을 감소시키고 회로를 포함하는 제어부를 단순화시키고 그리고 크기와 전력소비를 줄일 수 있다.
레이저 광방사를 위한 상기 장치는 패키지 또는 케이스(31)내에 내장된다. 패키지 또는 케이스(31)는, 제2도에 나타낸 바와같이 설치플랜지(30)에 형성된 탭구멍(37)속으로 나사결합하는 고정스크류 등에 의해 설치플랜지(30)에 고정되는 부착면인 바닥면(32)을 갖는다. 상기 장치(11, 13, 15, 17, 18)는 바닥면(32)에 수평면으로써 평행한 방향으로 배열된다. 만약 레이저광빔이 바닥면(32)에 평행한 방향으로 수평면으로써 케이스(31)에서 취출될 경우엔 광학적 축정합을 위해 수직 및 수평 양방향으로의 이동시킬 필요가 있게되어 부착면에 대한 수직이동을 위한 구조가 복잡하게 된다. 이런점을 피하기 위해 공진기(20)로부터 나오는 레이저광빔은 45도 경사각을 갖는 편향거울(22)에 의해 바닥면(32)에 수직한 방향으로 편향되어 케이스(31)의 뚜껑(33)에 형성된 취출개구(34)를 거쳐 나온다. 개구(34)는 투명판(35)에 의해 닫혀진다.
45도 경사각을 갖는 편향거울(22)의 편향은 S편광빔을 위해 용이하게 높일 수 있다. 그러나 P편광빔을 위하여는 높일 수 없다. 무엇보다도 만약 입사광빔이 S편광빔요소와 P편광빔요소가 혼합된 것으로 구성되었을땐 반사광빔은 타원편광빔이 되어 제어하기 힘들게 된다. 왜냐하면 S편광빔의 반사와 P편광빔의 반사는 다르기 때문이다. 따라서 본 실시예에서는 KTP와 같은 비선형 광결정장치(18)의 방위각은 결정의 절단형을 설정함으로써 그의 외형면이 결정되어 비선형 광결정장치(18)에서 방사되는 SHG레이저광빔의 편광방향이 편향거울(22)의 S편광방향과 일치한다.
이 경우, S편광반사는 편향거울(22)의 표면에 도포를 가함으로써 예로써 99.9%로 상승시켜 가능한 최저로 전력손실을 줄인다. SHG레이저광빔은 케이스(31)의 두껑(33)에의 취출개구(34)를 거쳐 수직상방으로 취출된다.
제1도 및 제2도에 나타낸 소형의 콤팩트 SHG레이저광빔 발생기에 있어서, 플랜지(36)를 포함하는 케이스(31)의 바닥면 크기는 38mm×28mm이고 케이스의 높이는 동일하게 약 16mm이다. 이 케이스(31)내에는 반도체 레이저소자(11)와, 주로 레이저매체(17)와 비선형 광결정장치(18)로 이루어지는 공진기(20)와, 렌즈(13), 온도 제어장치(24)가 제위치에 설치된다. 그리하여 SHG레이저광빔은 레이저 발생장치의 바깥으로부터 전력을 단순히 가함으로써 방사된다. SHG레이저 방사체는 대기 온도하에서 기존의 반도체 레이저소자의 진동파장보다 짧은 길이를 가지고 있어 반도체 레이저소자와 마찬가지로 전류를 그곳에 가함으로써 안정된 단파장 레이저광빔이 바람직하게 얻어진다.
SHG레이저광빔 발생장치로서의 상기 레이저광빔 발생장치에서, 비선형 광결정장치(18)의 편광방향은 편향거울(22)의 S편광방향과 일치하므로, S편광빔에 대한 편향거울(22)의 반사를 높일 수 있다. 그리고, 반사후에 취출개구(34)에서 나온 SHG레이저광빔은 일정한 편광방향을 가지고 타원으로 편광되지 않는다. 취출광빔의 편광방향은 케이스와 관련하여 결정되기 때문에 광디스크 기록 및 /또는 재생장치에 쉽게 구성시킬 수 있을 뿐만아니라 장치를 손쉽게 다룰 수 있다. 취출광빔은 수직상방으로 나오므로 즉, 제1도에 나타낸 Y방향으로 나오기 때문에 광축정합과 같은 조정작동은 케이스설치면에서의 두방향(제1도에 도시한 바와같이 X 및 Y방향)에서 미세조정에 의해 실행하여 조정의 정밀성을 증가시킬 필요가 있다.
한편, 편향거울을 사용하지 않은 형상이 가능하다. 예로써, SHG레이저광빔은 제4도에서 나타낸 본 발명의 제 2실시예에서와 같이 수평방향으로 나온다.
제4도의 제 2실시예에서의 레이저광빔 발생장치는 레이저 다이오드(41), 렌즈(42), 레이저매체(43), 반사면(44, 46R), 비선형 결정장치(45), 오목거울(46), 온도제어장치(47) 및 방사판(48)을 포함한다. 레이저 다이오드(41)는 적어도 하나의 펌핑광빔이 방사되는 광빔원이다. 렌즈(42)는 레이저 다이오드(41)로부터의 펌핑광빔을 모은다. 레이저매체(43)는 봉형상의 Nd:YAG로써, 펌핑광빔에 의해 여기되어 기본주파수의 레이저광빔을 발생한다. 기본주파수의 레이저광빔의 파장은 예로써, 1064nm이다. 색선별거울과 같은 반사면(44)은 레이저매체(43)의 입사면에 피복된다. 1/4파장판(15)에 형성된 상기 반사면(16)상에 있는 것과 같은 반사면(44)은 파장을 갖는 예로써 810nm파장을 갖는 펌핑광빔 투과와 레이저매체(43)에서 발생된 기본주파수의 레이저광빔 반사의 선택성을 갖는다. 비선형 광결정장치(45)는 KTP(KTiOPO4)로써 제 2조파발생(SHG)을 행한다. 오목거울(46)은 색선별거울과 같은 반사면(46R)을 가지고 파장예로서, 532nm파장을 갖는 SHG레이저광빔을 전송하고 레이저매체(43)에 발생되는 1064nm파장인 기본주파수의 레이저광빔을 반사하는 선택성을 갖는다. TE쿨러와 같은 하나의 온도제어장치(47)는 레이저 다이오드(41)와, 레이저매체(43)와 비선형 광결정장치(45)와 그리고 반사면(44, 46R)으로 구성되는 공진기의 온도를 제어한다. 온도제어장치(47)는 방사판(48)에 설치된다. 레이저 다이오드(41)로부터 방사되는 펌핑광빔은 반사면(44)을 거쳐 레이저매체(43)에 모인다. 레이저매체(43)는 펌핑광빔에 의해 여기되어 기본주파수의 레이저광빔을 발생한다. 기본주파수의 레이저광빔은 비선형 광결장치(45)에 방사된다. 비선형 광결정장치(45)는 SHG레이저광빔을 발생한다. 제 2실시예의 작용과 효과의 상세설명은 제 1실시예와 동일하므로 그의 작용효과에 대한 상세한 설명은 생략한다.
그 다음, 효율을 증가시키면서 SHG레이저광빔 발생장치를 안정성있게 유지하는 온도제어장치를 이하 상술한다. 본 발명의 실시예에서, TE쿨러와 같은 하나의 온도제어장치는 반도체 레이저소자와 같은 광원, 또는 레이저 다이오드 및 공진기를 동시에 온도제어하여 전력의 감소가 없이 적은 소음으로 안정된 SHG레이저광빔을 발생함으로써, 구성부품의 수를 줄이고 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 한편, 레이저 매체 가운데 Nd:유리와 같이 흡수파장영역이 비교적 넓은 매체 뿐만아니라 Nd:YAG와 같은 비교적 좁고 높은 상사점을 갖는 매체가 있다.
본 발명은, 비교적 좁은 홉수라인을 갖는 레이저매체를 사용한 레이저광빔 발생장치에 적용할 수도 있다.
제1도 및 제2도에 도시한 바와 같은 비선형 광결점장치(18)를 내부에 포함하는 SHG레이저광빔을 발생하는 공진기(20)는, 위상지연량 및 세로모드의 온도종속변화와 공진기의 변압에 기인하여 제한된 온도범위의 안정된 작동영역을 갖는다. 공진기의 안정된 작동영역내에서 소정의 값보다 높은 전력효율을 얻기위하여, 파장이 안정된 영역내에서 양호한 조건으로 레이저매체(17)에 흡수되는 반도체 레이저소자(11)를 선택할 필요가 있다. 그리고 공진기(20)를 선택할 수도 있다. 공진기(20)의 안정된 작동온도영역을 확대시키기 위해 위상지연량이 온도종속을 갖는 복굴절결정의 길이를 단축하거나 저온종속을 갖는 결정을 사용하는 것이 효과적이다.
제5도는 고체상 레이저매체인 Nd:YAG의 흡수계수의 온도종속을 보여주는 그래프이다. 한편 제6도는 반도체 레이저소자로서의 레이저 다이오드의 23℃온도에서 방사광빔강도(파장분포)의 수평측에서의 파장을 보여주는 스펙트럼을 나타낸다.
제7도는 레이저 다이오드의 온도변화 중에 약 1mm의 두께를 갖는 봉형상의 Nd:YAG에 흡수되는 펌핑광빔의 유효흡수계수의 측정결과를 보여준다. 제7도는 유효흡수계수가 최고치의 90%이상의 효율을 얻기 위한 레이저 다이오드의 온도범위(RA)가 약 2.6℃인 것을 보여준다. 유효흡수계수가 70내지 80% 또는 최고치 보다 높은 효율을 갖기 일한 온도범위(RB)는 약 6.7℃이다.
본 예에서, 반도체 레이저소자로서의 레이저 다이오드의 넓은 파장분산 때문에 최고효율이 비록 낮지만, 소정의 값보다 높은 효율을 유지하기 위한 허용가능한 온도범위는 단일모드에서 진동하는 레이저 다이오드의 예에서 보다 넓다. 심지어 멀티모드진동을 갖는 레이저 다이오드의 파장도 약 0.3nm/k의 중심주파수에서 변환한다. 따라서 비록 파장이 대기온도에서 또는 통상의 온도 예로써 25℃에서 Nd:YAG의 흡수라인을 벗어날 경우에도 온도변화와 파장을 Nd:YAG 흡수라인으로의 파장조정에 의해 흡수효율을 향상시킬 수 있다. 이때, SHG레이저광빔을 발생하는 공진기는 개량된 흡수효율의 온도에서 안정된 동작을 행한다.
실시예에 의하면, 만약 레이저 다이오드가 30℃내지 35℃의 안정된 작동온도범위를 갖는 SHG레이저광빔을 발생하는 공진기(20)와 조합될 경우, KTP와 같은 비선형 광결정장치의 위상지연량의 온도종속을 고려하여, 이온도범위에서 Nd:YAG의 높은 흡수효율을 보여주는 약 809nm(흡수라인)파장의 레이저광빔을 방사하는 그런 레이저 다이오드를 선택하면 된다. 만약 온도변화에 따라 약 0.3nm/k정도에서 중심주파수가 변하는 레이저 다이소드를 사용할 경우엔, 30℃내지 35℃에서 약 809nm의 중심파장을 주기위해 25℃에서 809nm 보다 약 2.3±0.7nm정도 짧은 중심파장을 갖는 레이저 다이오드를 사용하면 된다. 30℃내지 35℃의 안정된 작동온도범위를 갖는 공진기는 2.5nm길이의 KTP를 사용한 공진기에 해당된다.
한편 만약 상기 흡수라인의 공동에서 봉형상의 Nd:YAG의 유효흡수계수를 위한 레이저 다이오드의 온도마진이 ±1.3℃정도라면 레이저 다이오드의 중심파장이 25℃에서 약 806.7±1.1nm정도가 되도록 선택하면 된다.
비선형 광결정장치의 위상지연량변화의 온도종속은 결정길이에 비례하기 때문에, 결정길이가 짧으면 짧을수록 위상변화의 온도변화율이 작아지고, 그로인해 안정된 온도범위가 넓을수록 레이저 다이오드의 파장마진이 크게 된다. 일반적으로 통상의 KTP는 거의 긴 길이를 갖는 것을 사용하므로 레이저 공진기의 안정된 온도범위는 KTP의 길이에 역비례하여 작게된다.
제8도는 단일 온도제어장치 또는 TE쿨러에서 SHG레이저광빔을 발생하고, 일정 전류에 의해 레이저 다이오드를 동작시키고, 그리고 온도변화에서 점선으로 나타낸 SHG레이저광빔 출력과 실선으로 나타낸 노이즈레벨을 그리는 공진기와 레이저 다이오드를 설치한 결과를 보여준다. 제8도에서 점선으로 나타낸 출력은, 공진기 내에서 Nd:YAG속으로의 주로 레이저 다이오드의 펌핑광빔의 흡수율에 의해 즉, 유효흡수계수에 의해 결정된다.
한편 제8도에 실선으로 나타낸 노이즈 레벨은 공진기의 작동안정성에 의해 결정된다. 최대치의 80%보다 큰 출력을 유지하기 위한 온도 범위(RX)는 a지점에서 b지점까지 약 3℃이고 낮은 노이즈레벨의 공진기를 위한 안정된 작동온도범위(RY)는 c지점에서 d지점까지 약 4.5℃이다. 제8도에서 c지점에서 d지점까지의 겹치는 범위(RZ)는 약 1.7℃이다. 따라서, 이 겹치는 범위(RZ)를 하나의 온도제어장치에서 레이저 다이오드와 공진기의 동시온도제어의 목표온도범위로 한정시킴으로써, 최대출력의 80%이상을 유지하는 고효율의 안정된 SHG레이저광빔출력을 얻을 수 있게 된다.
한편, 제8도에서 점선라인을 수평방향으로 이동시킴으로써 c지점에서 d지점까지의 안정된 온도범위(RY)내에서 필요한 전력을 얻기위해, 온도범위(RX)의 적어도 한 부분을 갖는 레이저 다이오드는 제8도에서 실선으로 나타낸 안정된 온도범위(RY)를 갖는 공진기와 조합될 수 있다. 즉, 단일 온도제어 가능한 레이저 다이오드에 필요한 조건을 만족하는 범위내에서, 제일 왼쪽위치로 이동된 점선상태는 온도범위(RX)의 우측끝지점(b)이 안정된 온도범위(RY)의 왼쪽끝지점(c)에 도달한 것이고, 가장 오른쪽위치에 이동된 점선상태는 지점 a가 안정된 온도범위(RY)의 우측끝지점(d)에 도달한 것이다. 그리고 제8도에 도시한 점선상태에서 실선을 수평방향으로 이동시킴으로써 레이저 다이오드의 흡수특성과 같이 공진기의 안정된 온도특성을 선택할 수 있다.
한편, TE쿨러와 같은 온도제어장치는, 반도체 레이저 요소와 같이 레이저 다이오드보다 동일 또는 더 많은량의 전력을 소모하는 것으로 추정되므로, 하나의 온도제어장치에 의해 전력보증과 낮은 노이즈레벨 모두를 제어하는 것은 외형상 크기와 전력소모를 상당히 줄일 수 있다. 레이저 다이오드와 공진기가 별도의 TE쿨러에 고정될 때, TE쿨러의 비교적 낮은 구조적 정밀성 때문에 상대위치와 열팽창에 있어 높은 정확성을 보여주기가 어려운 그런 문제점이 제기된다. 그러나 이와같은 문제는 단일 TE쿨러에 의해 레이저 다이오드와 공진기 모두를 온도제어함으로써 완전히 해결할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라 여러형태의 공진기를 사용할 수 있다. 예로써 그의 입사면에 오목거울을 설치한 공진기와 같은 다양한 공진기를 설치할 수도 있다. Nd:YAG또는 KTP와는 달리 어떤 다른 레이저매체 또는 비선형 광결정장치를 사용할 수 있음도 물론이다.

Claims (12)

  1. 레이저광빔 발생장치에 있어서, 적어도 하나의 펌핑광빔을 방사하는 광빔원과, 상기 광빔원에서의 펌핑광빔에 의해 여기되는 레이저매체와, 상기 광원으로부터의 펌핑광빔의 취출광로에 설치되는 비선형 광결정소자와, 상기 레이저매체 및 상기 비선형 광결정소자와 함께 공진기를 구성하는 반사수단과, 상기 광빔원과 상기 공진기의 온도제어를 하는 온도제어수단과를 포함하는 레이저광빔 발생장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 온도제어수단은 상기 공진기의 아래쪽에 설치한 레이저광빔 발생장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 장치는, 상기 공진기의 온도를 감지하여 상기 온도제어수단에 감지신호를 가하는 감지수단을 더 포함하는 레이저광빔 발생장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 장치는, 일면에는 상기 광빔원 및 상기 공진기가 설치되고, 또한 다른면에는 상기 온도제어수단이 설치된 베이스부재를 포함하는 레이저광빔 발생장치.
  5. 레이저광빔 발생장치에 있어서, 적어도 하나의 펌핑광빔을 방사하는 광빔원과, 상기 광빔원으로부터의 펌핑광빔에 의해 여기되는 레이저매체와, 상기 광빔원에서부터의 펌핑광빔의 취출광로에 설치되는 비선형 광결정소자와, 상기 레이저매체 및 상기 비선형 광결정소자를 갖는 공진기를 구성하는 반사수단과, 상기 공진기로부터 나오는 광빔의 광로를 편향시키는 편향수단과, 상기 광빔원, 상기 레이저매체, 상기 비선형 결정요소, 상기 반사수단, 그리고 상기 편향수단을 내장하는 케이스를 포함하는 레이저광빔 발생장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 케이스는 상기 공진기에서 편향수단을 거쳐 나오는 광빔을 출력하는 수단을 갖는 레이저광빔 발생장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 케이스의 크기는 약 38mm×28mm이고, 상기 케이스의 높이는 약 16mm인 레이저광빔 발생장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 공진기에서 나소는 광빔의 편광방향은 상기 편향수단의 S편광에 놓이는 레이저 광빔 발생장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 장치는 상기 케이스내의 측부아래에 설치되어 상기 광빔원과 상기 공진기를 제어하는 온도제어수단을 더 포함하는 레이저광빔 발생장치.
  10. 레이저광빔 발생장치에 있어서, 적어도 하나의 펌핑광빔을 방사하는 광빔원과, 상기 광빔원으로부터의 펌핑광빔에 의해 여기되는 레이저매체와, 상기 광빔원으로부터의 펌핑광빔의 취출광로에 설치되는 비선형 광결정소자와, 상기 레이저매체, 상기 비선형 광결정소자를 갖는 공진기를 구성하는 반사수단과, 상기 공진기로부터 나오는 광빔의 광로를 편향시키는 편향수단을 포함하며, 상기 공진기로부터 출력된 광빔의 편광방향은 상기 편향수단의 S편광에 놓이는 레이저광빔 발생장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 편향수단은, 45도 경사각을 갖는 편향거울인 레이저광빔 발생장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 광원, 상기 공진기 및 상기 편향수단은 동일축방향에 설치되는 레이저광빔 발생장치.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07209680A (ja) * 1994-01-20 1995-08-11 Sharp Corp 光波長変換素子及びその製造方法並びにレーザユニット
US5832015A (en) * 1994-09-20 1998-11-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Laser-diode-pumped solid-state laser
AT405776B (de) * 1997-11-24 1999-11-25 Femtolasers Produktions Gmbh Kühlvorrichtung für einen laserkristall
KR100898129B1 (ko) * 2007-06-22 2009-05-19 삼성전기주식회사 녹색 레이저 모듈 패키지
US8305680B2 (en) * 2010-08-11 2012-11-06 Disco Corporation Stable mounting of non-linear optical crystal
US11881676B2 (en) * 2019-01-31 2024-01-23 L3Harris Technologies, Inc. End-pumped Q-switched laser
CN111570416A (zh) * 2020-05-29 2020-08-25 济南大学 抽油杆清洗装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4749842A (en) * 1987-05-06 1988-06-07 Lightwave Electronics Co. Ring laser and method of making same
US4847851A (en) * 1988-05-19 1989-07-11 University Of South Florida Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4749842A (en) * 1987-05-06 1988-06-07 Lightwave Electronics Co. Ring laser and method of making same
US4847851A (en) * 1988-05-19 1989-07-11 University Of South Florida Butt-coupled single transverse mode diode pumped laser

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