KR100269282B1 - Solution supplying apparatus for semiconductor - Google Patents
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Abstract
Description
제1도는 상기 종래의 레지스트 도포 장치를 나타내는 개략도이고,1 is a schematic view showing the conventional resist coating apparatus,
제2도는 상기 제1도에 도시한 레지스트 도포 장치의 펌프의 단면을 나타내는 개략도이고,2 is a schematic view showing a cross section of a pump of the resist coating apparatus shown in FIG. 1;
제3도는 본 발명의 반도체 제조용 용액 분사 장치의 일예인 레지스트 도포 장치를 나타내는 개략도이고,3 is a schematic view showing a resist coating apparatus which is an example of the solution injection apparatus for manufacturing a semiconductor of the present invention,
제4도 및 제5(a)도 및 제5(b)도는 본 발명의 반도체 제조용 용액 분사 장치의 용액 저장 수단의 일 예들을 나타낸다.4 and 5 (a) and 5 (b) show examples of the solution storage means of the solution injection device for producing a semiconductor of the present invention.
본 발명은 반도체 제조용 용액 공급 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로는 본 발명은 반도체 장치 제조시에 감광액 또는 현상액을 일정량으로 공급하기 위한 반도체 제조용 용액 공급 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a solution supply device for manufacturing a semiconductor. More specifically, the present invention relates to a solution supply apparatus for semiconductor manufacturing for supplying a photosensitive solution or a developer in a fixed amount during semiconductor device manufacturing.
미세한 회로에 있어서는 불순물의 양을 정확하게 조정하여 실리콘 기판의 작은 영역내로 주입한 후, 이들 영역들을 상호 접속하여 소자나 집적회로를 제조한다. 즉, 먼저 포토레지스트 물질을 웨이퍼 기판상에 도포한 후, 레지스트층을 자외선, 전자선, 또는 X-선과 같은 광원에 선택적으로 노광시킨다. 다음에, 노광된 레지스트층을 현상하면, 레지스트 패턴이 형성된다. 현상 이후에 남아 있는 레지스트는 덮고 있는 기판 부위를 보호하는 한편, 레지스트가 제거된 기판 부위에는 각종 부가적 또는 추출적 공정을 행하여 패턴을 반도체 기판의 표면에 전사시킨다.In a fine circuit, the amount of impurities is precisely adjusted and injected into a small area of a silicon substrate, and then these areas are interconnected to manufacture a device or an integrated circuit. That is, a photoresist material is first applied onto a wafer substrate, and then the resist layer is selectively exposed to a light source such as ultraviolet light, electron beam, or X-ray. Next, when the exposed resist layer is developed, a resist pattern is formed. The resist remaining after the development protects the covered substrate portion, while the substrate portion from which the resist has been removed is subjected to various additional or extractive processes to transfer the pattern to the surface of the semiconductor substrate.
반도체 웨이퍼 프로세스 중에서도, 포토 레지스트공정은 미세한 패턴을 형성하기 의한 작업이기 때문에, 일찍부터 자동화가 진행되어 왔다. 근래의 VLSI공장에서는 결함이 없고, 고도로 정밀한 미세 패턴을 형성하여야 한다. 특히 포토 레지스트 공정에서는 먼지등과 같은 오염물에 약하기 때문에 프로세스 환경과 인간과를 분리하여 작업을 진행하는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 많은 반도체 장치 회사들은 포토레지스트 공정을 포함한 각종 공정에서 자동화 설비의 개발에 경주하여 왔다.Among the semiconductor wafer processes, since the photoresist process is an operation by forming a fine pattern, automation has been advanced early. In recent VLSI plants, there should be no defects and highly precise fine patterns. In particular, the photoresist process is susceptible to contaminants such as dust and the like, so it is desirable to separate the process environment from humans. To this end, many semiconductor device companies have been racing to develop automated facilities in various processes, including photoresist processes.
포토레지스트의 도포공정은 반도체 웨이퍼의 배면을 진공 척을 사용하여 흡착시키고, 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트를 적하하면서 일정한 회전수로 웨이퍼를 회전시켜 도포하는 스핀 도포 방식이 일반적이다.In the photoresist coating step, a spin coating method is generally employed in which a back surface of a semiconductor wafer is adsorbed using a vacuum chuck and the wafer is rotated and applied at a predetermined rotational speed while dropping photoresist on the surface of the wafer.
최근에는 웨이퍼 스테퍼의 발전에 따라서, 해상도가 좋은 포지형 레지스트가 사용되게 되고, 종래보다도 엄격한 품질 관리가 요구되게 되었다. 특히, 포지형 레지스트는 폴리머와 용제의 성분이 달라서, 공기에 접촉하게 되면 점도가 변화하기 때문에, 균일한 막두께를 갖도록 도포하는 것이 더욱 곤란하다.In recent years, with the development of wafer steppers, forged resists with high resolution have been used, and more stringent quality control has been required. In particular, the positive resist is different from the polymer and the solvent, and the viscosity changes when it comes in contact with air, which makes it more difficult to apply the coating to have a uniform film thickness.
현재, 사용되고 있는 레지스트 도포 장치는 일본의 TEL(도오꾜 일렉트론)사, DNS(다이 닛뽕 스크린)사 및 미국의 SVG(실리콘 밸리 그룹)사등에서 제조하여 판매하고 있다. 제1도는 상기 종래의 레지스트 도포 장치를 나타내는 개략도이다. 동도에서, 참조번호1은 레지스트 용액(溶液), 참조번호2는 레지스트 용기(容器), 참조번호3은 호오스, 참조번호4는 여과기, 참조번호5는 펌프, 참조번호6은 회전 척, 참조번호7은 반도체 웨이퍼, 참조번호8은 웨이퍼 상에 도포되는 레지스트 용액, 참조번호9는 자동 밸브, 참조번호10은 레지스트분사 노즐을 각각 나타낸다.At present, the resist coating apparatus used is manufactured and sold by Japan's TEL (Toe Electron), DNS (Dai Nippon Screen), and SVG (Silicon Valley Group) of the United States. 1 is a schematic view showing the conventional resist coating apparatus. In the figure, reference numeral 1 denotes a resist solution, reference numeral 2 denotes a resist container, reference numeral 3 denotes a hose, reference numeral 4 denotes a filter, reference numeral 5 denotes a pump, reference numeral 6 a rotary chuck, and reference numerals. 7 denotes a semiconductor wafer, 8 denotes a resist solution applied on the wafer, 9 denotes an automatic valve, and 10 denotes a resist spray nozzle.
상기한 종래의 레지스트 도포 장치를 이용한 레지스트 도포 작업은 다음과 같이 진행한다. 상기 레지스트 용기(2)내에 있는 레지스트 용액(1)을 펌프(5)를 이용하여 호오스(3)를 통하여 흡입한다. 흡입된 레지스트 용액(1)은 여과기(4)를 거쳐 펌프로 이송되고, 펌프(5)로 부터는 호오스(3)를 거쳐서, 호스의 끝에 구비된 레지스트 분사 노즐(10)을 통하여 회전 척(6)에 의해 일정한 회전수로 회전하고 있는 반도체 웨이퍼(7)상으로 분사된다. 상기 펌프(5)와 노즐(10)사이에는 자동 밸브(9)가 설치되어 있어, 레지스트용액(1)이 일정량으로 웨이퍼(7)에 분사되도록 자동적으로 조절된다.The resist coating operation using the conventional resist coating apparatus described above proceeds as follows. The resist solution 1 in the resist container 2 is sucked through the hose 3 using the pump 5. The sucked resist solution 1 is transferred to the pump via the filter 4 and from the pump 5 via the hose 3 to the rotary chuck 6 through the resist spray nozzle 10 provided at the end of the hose. Is injected onto the semiconductor wafer 7 which is rotating at a constant rotational speed. An automatic valve 9 is provided between the pump 5 and the nozzle 10 so that the resist solution 1 is automatically adjusted to be injected onto the wafer 7 in a predetermined amount.
상기한 종래의 레지스트 도포 장치를 사용하여 레지스트 도포 공정을 수행하면, 레지스트용액(1)내에 잔류하는 불순물이나 레지스트 용액중의 분자들이 결정화 되어 입자를 형성하게 되고, 이들은 여과기나 펌프내에 축적된다. 일정기간이 지나면, 여과기(4)와 펌프(5)내에 축적되어 있던 불순물이나 입자들이 레지스트 용액(1)과 혼합되어 배출되면서, 웨이퍼(7)상에 도포되는 레지스트 용액(8)을 오염시킨다. 상기 웨이퍼(7)상에 도포되는 레지스트 용액(8)은 크게는 수십 내지 수백 μm 작게는 수 μm이하의 입자들을 포함하여 웨이퍼(7)상에 형성되는 레지스트층의 막 두께의 균일성을 불량하게 하거나, 후속 노광 및 현상 공정에서 레지스트층내의 불순물로 작용하여 레지 패턴의 불량한 프로필을 형성하는 요인이 된다. 제2도는 상기 펌프(5)의 단면을 나타내는 개략도이다. 제2도에서 참조번호11은 펌프내의 오목부 잔류하면서, 레지스트 용액 분사시에는 함께 분사되어 레지스트 용액(1)을 오염시키는 입자들을 나타낸다.When the resist coating process is performed using the conventional resist coating apparatus described above, impurities remaining in the resist solution 1 or molecules in the resist solution are crystallized to form particles, which are accumulated in a filter or a pump. After a certain period of time, impurities or particles accumulated in the filter 4 and the pump 5 are mixed with the resist solution 1 and discharged to contaminate the resist solution 8 applied on the wafer 7. The resist solution 8 applied on the wafer 7 contains particles of several tens to hundreds of micrometers or less and several micrometers or less, so that the uniformity of the film thickness of the resist layer formed on the wafer 7 is poor. In addition, it acts as an impurity in the resist layer in subsequent exposure and development processes, which is a factor of forming a poor profile of the resist pattern. 2 is a schematic view showing a cross section of the pump 5. In Fig. 2, reference numeral 11 denotes particles which remain in the recess in the pump, which are sprayed together during the resist solution injection to contaminate the resist solution 1.
또한, 상기 펌프(5)는 기계적 운동을 하는 것이기 때문에, 시간 경과에 따라 동작이 불안해져서 정기적으로 교체하여야할 필요가 있다.In addition, since the pump 5 is a mechanical movement, the operation becomes unstable over time and needs to be replaced regularly.
따라서, 본 발명의 목적은 상기한 펌프내에 잔류하는 입자들에 의한 웨이퍼에 도포되는 레지스트 용액의 불량을 방지하는 레지스트 도포장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a resist coating apparatus which prevents a defect of a resist solution applied to a wafer by particles remaining in the pump.
본 발명의 다른 목적은 상기 펌프가 없어도, 레지스트를 도포할 수 있는 반도체 장치 제조용 레지스트 도포 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a resist coating device for manufacturing a semiconductor device which can apply a resist even without the pump.
상기한 본 발명의 목적 및 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 반도체 제조 공정을 위하여 용액을 분사시키는 노즐; 상기 노즐에 대하여 수두(Head)를 갖는 반도체 제조용 상기 용액을 저장하기 위한 저장 수단; 상기 저장 수단에 저장된 상기 용액의 표면에 대기압이 작용하도록 상기 저장 수단에 대기를 제공하는 공기 입구관; 및 상기 노즐과 상기 저장 수단 사이애 도입되어 상기 노즐로부터 일정한 양의 용액이 분사되도록 상기 노즐에 상기 용액이 공급되는 것을 개폐하는 밸브를 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 제조용 용액 분사 장치를 제공한다.In order to achieve the above object and other objects of the present invention, the present invention, a nozzle for injecting a solution for the semiconductor manufacturing process; Storage means for storing said solution for semiconductor manufacturing having a head relative to said nozzle; An air inlet pipe providing air to the storage means such that atmospheric pressure acts on a surface of the solution stored in the storage means; And a valve which is introduced between the nozzle and the storage means to open and close the supply of the solution to the nozzle so that a predetermined amount of the solution is injected from the nozzle.
상기한 본 발명의 목적 및 다른 목적은, 레지스트 용액 분사시키는 노즐; 상기 노즐에 대하여 수두(Head)를 갖는 레지스트 용액을 저장하기 위한 저장 수단; 상기 저장 수단에 저장된 상기 레지스트 용액의 표면에 대기압이 작용하도록 상기 저장 수단에 대기를 제공하는 공기 입구관; 상기 노즐과 상기 저장수단 사이에 구비되어 상기 레지스트 용액의 이물질을 여과하기 위한 여과 수단; 및 상기 노즐과 상기 저장 수단 사이에 도입되어 상기 노즐로부터 일정한 양의 용액이 분사되도록 상기 노즐에 상기 용액이 공급되는 것을 개폐하는 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 레지스트 용액 도포 장치에 의하여 달성될 수도 있다.The above and other objects of the present invention, the nozzle for spraying a resist solution; Storage means for storing a resist solution having a head relative to the nozzle; An air inlet pipe providing air to the storage means such that atmospheric pressure acts on a surface of the resist solution stored in the storage means; Filtering means provided between the nozzle and the storage means to filter foreign substances in the resist solution; And a valve which is introduced between the nozzle and the storage means to open and close the supply of the solution to the nozzle so that a predetermined amount of solution is injected from the nozzle. It may be.
본 발명에 의하면, 용액 공급을 위한 펌프가 구비되어 있지 않기 때문에, 펄프에 기인하는 입자 등과 같은 이물질의 발생이 없어 반도체 웨이퍼의 레지스트층에 이물질의 함유량이 크게 감소한다. 또한, 본 발명의 용액 공급 장치는 펌프가 없기 때문에 펌프의 주기적 교체가 불필요하여 레지스트 공정의 효율이 상승한다.According to the present invention, since a pump for supplying a solution is not provided, foreign matters such as particles caused by pulp are not generated, and the content of foreign matters in the resist layer of the semiconductor wafer is greatly reduced. In addition, since the solution supply device of the present invention does not have a pump, periodic replacement of the pump is unnecessary, thereby increasing the efficiency of the resist process.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention in more detail.
제3도는 본 발명의 반도체 제조용 용액 분사 장치의 일 예인 레지스트 도포 장치를 나타내는 개략도이다. 제3도에서, 상기 제1도에서와 마찬가지로 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내고, 참조번호12는 공기 입구관, 참조번호13은 공기 필터를 나타낸다. 종래의 레지스트 도포 장치와 비교하면, 종래의 레지스트 도포 장치에 있어서는 레지스트용액(1)을 분사 노즐(10)에 공급하기 위한 펌프(5)가 구비되어 있었으나, 본 발명의 레지스트 도포 장치는 공급 펌프(5)가 없고, 이 대신 상기 레지스트 용액은 노즐에 대하여 일정한 위치 에너지를 갖는다. 즉, 레지스트 위치 에너지(E)는 다음식 (1)과 같다.3 is a schematic view showing a resist coating apparatus as an example of the solution injection apparatus for manufacturing a semiconductor of the present invention. In FIG. 3, like reference numerals denote the same members as in FIG. 1, reference numeral 12 denotes an air inlet tube, and reference numeral 13 denotes an air filter. Compared with the conventional resist coating apparatus, in the conventional resist coating apparatus, although the pump 5 for supplying the resist solution 1 to the injection nozzle 10 was provided, the resist coating apparatus of this invention is a supply pump ( 5) and instead the resist solution has a constant potential energy relative to the nozzle. That is, the resist potential energy E is as shown in the following equation (1).
E = mgh ------(l)E = mgh ------ (l)
(식 중, m은 레지스트 용액의 질량, g는 중력, h는 노즐로 부터의 레지스트 옹액의 높이이다)Where m is the mass of the resist solution, g is gravity, and h is the height of the resist solution from the nozzle.
이러한 위치 에너지를 갖는 레지스트 용액은 호오스(3)을 통하여 필더(4)와 자동 밸브(9)를 거쳐서 노즐(10)에 공급되며, 웨이퍼(7)상에 분사되는 레지스트 용액(8)은 상기 위치에너지에서 호스(3), 필터(4) 및 밸브(9)내의 마찰에너지를 제외한 양의 운동에너지를 갖고 웨이퍼(7)상에 분사된다. 상기 레지스트 용액(1)의 높이(h) 는 상기 노즐(10)의 수평면에 대하여 너무 높으면 레지스트 도포 장치의 설치가 곤란하고 너무 낮으면 노즐(10)로 부터 분사되는 레지스트 용액(8)의 유속이 작아 바람직하지 않다. 상기 높이(h)는 5cm 내지 5m인 것이 바람직하다.The resist solution having such a potential energy is supplied to the nozzle 10 through the hose 3 through the filter 4 and the automatic valve 9, and the resist solution 8 injected onto the wafer 7 is located at the above position. The energy is injected onto the wafer 7 with a positive kinetic energy minus the frictional energy in the hose 3, the filter 4 and the valve 9. If the height h of the resist solution 1 is too high with respect to the horizontal plane of the nozzle 10, it is difficult to install a resist coating device, and if it is too low, the flow rate of the resist solution 8 sprayed from the nozzle 10 is high. It is not desirable to be small. The height h is preferably 5cm to 5m.
상기 레지스트 용기(2)상에는 뚜껑(14)이 구비되어 있어 이물질이 상기 레지스트 용액(2)으로 들어 가는 것을 방지한다.A lid 14 is provided on the resist container 2 to prevent foreign matter from entering the resist solution 2.
또한, 상기 레지스트 용액(2)의 표면에는 대기압이 작용하여 레지스트 용액(2)이 노즐(10)로 공급되기 때문에, 상기 뚜껑(14)에는 공기 입구관(12)이 구비된다. 공기 입구관(12)에는 흡입되는 공기의 불순물을 제거하기 위하여 공기 필터(13)을 구비한다. 필터는 O.1 내지 1O ㎛ 크기의 기공 크기를 갖는 것이 바람직하다. 일반적으로 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포 공정은 초청정실내에서 수행되기 때문에, 이러한 경우에는 초청정실내의 먼지가 거의 존재하지 않으므로 필터를 사용하지 않을 수도 있다.In addition, since the atmospheric pressure acts on the surface of the resist solution 2 and the resist solution 2 is supplied to the nozzle 10, the lid 14 is provided with an air inlet pipe 12. The air inlet pipe 12 is provided with an air filter 13 to remove impurities from the air sucked in. The filter preferably has a pore size of 0.1 to 10 [mu] m. In general, since the resist coating process of the semiconductor wafer is performed in the ultra clean chamber, in this case, since there is little dust in the ultra clean chamber, the filter may not be used.
제4도 및 제5(a)도 및 제5(b)도는 본 발명의 반도체 제조용 용액 공급장치의 용액 저장 수단의 일 예들을 나타낸다. 제3도에 도시한 레지스트 용기 대신에 제4도에 도시한 바와 같이 레지스트 용액병(22)을 거꾸로 세워서, 병 마개를 통하여 호오스(3)를 연결시키고, 공기 입구관을 레지스트 용액(1)을 통과하여 레지스트 용액(1)의 액면 위로 통하게 한 다음 레지스트 도포 공정에 사용할수도 있다. 또한 제5(a)도에 도시한 바와 같이, 이미 코닥사에 의해 상품화 되어 있는 레지스트 용액(1)을 담은 파우치 비닐 백(27)을 그대로 사용할 수도 있다. 제5(a)도는 레지스트 도포 공정 전의 호오스(3)에 연결된 파우치 비닐 백의 단면을 나타내고, 제5(b)도는 레지스트 도포 공정 후에, 레지스트 용액(1)이 소된 상태의 파우치 비닐 백을 나타낸다.4 and 5 (a) and 5 (b) show examples of the solution storage means of the solution supply device for manufacturing a semiconductor of the present invention. Instead of the resist container shown in FIG. 3, as shown in FIG. 4, the resist solution bottle 22 is upside down, the hose 3 is connected through a bottle cap, and the air inlet tube is connected to the resist solution 1. It may be passed through the liquid surface of the resist solution 1 and then used in the resist application process. In addition, as shown in FIG. 5 (a), the pouch vinyl bag 27 containing the resist solution 1 already commercialized by Kodak can be used as it is. FIG. 5 (a) shows the cross section of the pouch vinyl bag connected to the hose 3 before the resist coating process, and FIG. 5 (b) shows the pouch vinyl bag with the resist solution 1 burned out after the resist coating process.
상기 본 발명의 용액 저장 수단인 용기(2)에는 레지스트층을 형성하기 의한 레지스트 용액(2) 대신에 현상액을 넣어서 사용할 수도 있다.In the container 2 which is the solution storage means of the present invention, a developer may be used instead of the resist solution 2 for forming a resist layer.
상기 호오스는 통상 사용되는 테플론 호오스를 사용할 수 있다.The hose may be a teflon hose that is commonly used.
상기 자동 밸브(9)는 레지스트 용액(1)을 노즐(10)을 통하여 일정량이 공급되도록 조절한다. 레지스트 용액(1)의 일정량이 상기 웨이퍼(7)상에 분사되면, 상기 자동 밸브(9)는 폐쇄되어 더 이상의 레지스트 용액(l)이 웨이퍼(7)상으로 분사되지 않도록 프로그램이 구비된 시스템에 의해 조작된다. 일반적으로 상기 레지스트 용액(1)은 웨이퍼 하나당 2 내지 10cc가 분사된다.The automatic valve 9 controls the resist solution 1 so that a predetermined amount is supplied through the nozzle 10. When a certain amount of resist solution 1 is injected onto the wafer 7, the automatic valve 9 is closed so that no further resist solution 1 is sprayed onto the wafer 7. Is operated by. Generally, the resist solution 1 is sprayed with 2 to 10 cc per wafer.
이하, 본 발명의 레지스트 도포 장치를 사용하여 레지스트 도포 공정을 하기 실시예를 들어 상세히 설명한다.Hereinafter, the resist application | coating process using the resist application | coating apparatus of this invention is given in detail to the following example.
[실시예]EXAMPLE
제3도에 도시한 바와 같은 레지스트 도포 장치를 제작하였다. 상기 레지스트 도포 장치는 제1도에 도시한 구조를 채택하고 있는 일본의 TEL사의 레지스트 도포 장치 Mark-II(상품명)를 제3도에 도시한 바와 같이 변형시킨 것이다.The resist coating apparatus as shown in FIG. 3 was produced. The resist coating apparatus is a modification of the resist coating apparatus Mark-II (trade name) of TEL of Japan, which adopts the structure shown in FIG. 1, as shown in FIG.
먼저, 제1도의 펌프(5)를 제거하고, 반도체 웨이퍼를 저장하는 카셋트 박스를 사용하여 레지스트 용기(2)를 제작하였다. 반도체 웨이퍼의 카셋트 박스의 용기 바단에 0.25인치의 구멍을 뚫고, 이 구멍에 0.25인치의 직경을 갖는 테플론 호오스를 2m정도로 연결하여 그 끝을 자동 밸브(9)에 연결하였다.First, the pump 5 of FIG. 1 was removed, and the resist container 2 was produced using the cassette box which stores a semiconductor wafer. A 0.25 inch hole was drilled into the bottom of the container box of the cassette box of the semiconductor wafer, and a Teflon hose having a diameter of 0.25 inch was connected to the hole at about 2 m, and the end thereof was connected to the automatic valve 9.
다음에, 뚜껑(14)을 덮고, 뚜껑(14)에 1/8인치의 작은 구멍을 내에 공기 입구관(12)을 형성하였다. 반도체 사진 식각실 자체는 매우 초청정한 상태이므로 공기 필터(13)는 부착하지 않았다.Next, the lid 14 was covered, and an air inlet tube 12 was formed in a small hole of 1/8 inch in the lid 14. Since the semiconductor photolithography chamber itself is very ultra clean, no air filter 13 is attached.
레지스트 용액으로서는 쉬플리(Shipley)사의 XP-8913(상품명)을 사용하였고, 상기 레지스트 용기(2)에 1리터를 넣고, 수두(상기 노즐(10)에 대하여 레지스트 용액(1) 표면의 높이)를 일정하게 유지하면서, 웨이퍼 도포 공정을 수행하였다. 수두(head)를 -1Ocm 에서 1m 까지 변화시키면서 레지스트 용액(1)이 노즐(10)로 부터의 분사되어 도포되는 상태를 관찰하였다.Shipley XP-8913 (trade name) was used as the resist solution, and 1 liter was placed in the resist container 2, and the head (the height of the surface of the resist solution 1 with respect to the nozzle 10) was adjusted. While keeping constant, the wafer application process was performed. The state in which the resist solution 1 was sprayed from the nozzle 10 was applied while changing the head from -10 cm to 1 m.
-1Ocm에서 Ocm까지는 레지스트 용액(1)의 분사가 없었고, 수두를 증가시킴에 따라 레지스트 용액(1)의 분사량이 중가하였다. 약 1m정도로 수두를 유지하면서, 레지스트 도포 공정을 수행하였다.There was no injection of the resist solution 1 from -10 cm to Ocm, and the injection amount of the resist solution 1 increased as the head was increased. The resist coating process was performed while maintaining the head at about 1 m.
[비교예][Comparative Example]
상기 제1도에 도시한 바와 같은 일본의 TEL사의 레지스트 도포 장치 Mark-II(상품명)를 사용하고, 상기 실시예에서와 동일한 레지스트 용액을 사용하여 레지스트 도포 공정을 수행하였다.The resist coating process was performed using the resist coating apparatus Mark-II (trade name) of TEL of Japan as shown in FIG. 1, and using the same resist solution as in the above embodiment.
상기 실시예 및 비교예에서, 레지스트 도포 공정의 초기(비교예에서는 펌프(5)교체 후 즉시) 에 웨이퍼 상에 도포된 레지스트층에 함유된 크기 0.3μm이상의 입자의 수를 측정하였다. 1개월 동안 레지스트 도포 공정을 수행한 후, 다시 웨이퍼 상에 형성되는 레지스트 층에 함유된 입자의 수를 측정하였다In the above examples and comparative examples, the number of particles having a size of 0.3 μm or more contained in the resist layer applied on the wafer was measured at the beginning of the resist application process (in the comparative example immediately after the pump 5 was replaced). After performing a resist coating process for one month, the number of particles contained in the resist layer formed on the wafer was again measured.
결과를 하기 표 1에 나타낸다.The results are shown in Table 1 below.
상기 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 종래의 레지스트 도포 장치를 사용하여 레지스트 도포 공정을 수행하면, 펌프 교체후 초기에는 입자 수가 적게 관찰되었으나, 레지스트 도포 공정를 계속 수행하고 1개월이 지나면 입자수가 증가하여 웨이퍼상에 형성되는 레지스트층의 불량을 유발한다. 따라서, 1개월마다 펌프와 필터의 교체가 필요하다. 그렇지만, 상기 본 발명의 실시예에 의하면, 레지스트 도포 공정의 초기나 1개월이후의 관측된 입자의 수가 적어서 장기간 사용하여도 입자에 의한 레지스트층의 오염문제가 없음을 알 수 있다.As can be seen in Table 1, when performing a resist coating process using a conventional resist coating apparatus, a small number of particles were initially observed after the pump was replaced, but after one month after continuing the resist coating process, the number of particles increased. It causes a defect of the resist layer formed on the wafer. Therefore, the pump and filter need to be replaced every month. However, according to the embodiment of the present invention, it can be seen that there is no problem of contamination of the resist layer by the particles even when used for a long time because the number of particles observed after the initial or one month of the resist coating process is small.
종래의 레지스트 도포장치를 사용하면, 정기적으로 펌프나 필터를 교체할 필요가 있지만, 상기한 본 발명의 레지스트 도포 장치는 펌프가 없으므로 펌프의 교체가 필요없어 경제적으로 유리할 뿐만 아니라, 펌프 교체에 의한 작업상의 효율의 저하가 없다.If a conventional resist coating apparatus is used, it is necessary to replace the pump or filter regularly, but the resist coating apparatus of the present invention described above has no pump, so it is not economically advantageous to replace the pump, and the work by replacing the pump There is no degradation of the efficiency of the bed.
또한, 본 발명의 레지스트 도포 장치를 사용하면, 펌프에 의한 이물 발생이 없으므로, 레지스트층의 이물질(입자)의 발생이 감소되어 웨이퍼의 불량이 감소한다. 또한 레지스트 용액은 일정한 수두를 갖고 레지스트 도포시 일정한 압력으로 옹액이 분사되어 도포 균일하게 이루어 질 수 있다.In addition, when the resist coating apparatus of the present invention is used, no foreign matter is generated by the pump, so that the generation of foreign matter (particles) in the resist layer is reduced and the defect of the wafer is reduced. In addition, the resist solution may have a constant head and the coating solution may be uniformly sprayed at a constant pressure when the resist is applied.
Claims (7)
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