KR100254674B1 - Resistive layer for field emission display - Google Patents

Abstract

PURPOSE: A resistor layer in a field emission display is provided to easily control a current of each pixel and prevent a tip from being abraded or broken down owing to a serge current, by forming the resistor layer at a lower side of an emitter and forming the tip on the resistor layer. CONSTITUTION: A cathode electrode(28) is formed on a glass substrate(30) so that a current may be applied, and an insulation layer(24) with a hole(32) is formed on an upper side of the cathode electrode(28) in order to form an emitter tip. A resistor layer(26) is formed inside of the hole(32) in order to form a lower side of an emitter tip on the same line as the insulation layer(24). The resistor layer(26) has a ladder-type pilar shape. A tip(22) is formed at an end of the resistor layer(26) of the ladder-type pilar shape using a metallic material in order to increase an emission characteristic of electrodes. A gate electrode(20) is formed at an upper side of the insulation layer(24).

Description

전계방출표시소자용 저항층Resistance layer for field emission display device

본 발명은 전계방출표시소자용 저항층에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 방출되는 전류량을 제어하는 캐소드 전극의 에미터 팁 아래 저항층을 형성하여 각 픽셀의 전류를 제어를 쉽게 할 수 있을 뿐만 아니라, 서지 커런트에 의해 팁이 마모되거나 파손되는 것을 방지할 수 있는 전계방출표시소자용 저항층에 관한 것이다.The present invention relates to a resistive layer for a field emission display device, and more particularly, to form a resistive layer under an emitter tip of a cathode electrode for controlling the amount of emitted current, and to easily control the current of each pixel. The present invention relates to a resistance layer for a field emission display device capable of preventing a tip from being worn or broken by a surge current.

일반적으로 전계방출소자는 새로운 기술분야인 진공 미세 전자 공학을 이용하여 고체소자 산업에서 개발된 미세가공기술을 진공소자의 제조에 응용한 것으로, 반도체와 같은 물질로 형성되는 고체소자와 비교하여 볼때에, 전송매질이 진공인 관계로 방사능이 발생하는 분위기하에서나, 비정상적인 온도 상황에서도 소자의 수행능력에 영향을 받지 않고 전달속도 또한 매우 빠를 뿐만 아니라, 소자의 크기를 마이크론 단위로 극소화할 수 있다.In general, the field emission device is a microfabrication technology developed in the solid-state device industry using vacuum microelectronics, a new technology field, in the manufacture of vacuum devices. Compared with solid-state devices formed of materials such as semiconductors, In addition, because the transmission medium is vacuum, the radiation rate is not affected by the performance of the device even in an atmosphere where radiation is generated or under abnormal temperature conditions, and the transfer speed is very fast, and the size of the device can be minimized in microns.

또한 현재 각광 받고 있는 평판표시소자의 하나인 LCD에 비해 시야각, 응답속도, 소모전력 등의 특수성이 우수하여 전계방출표시소자에 대한 기술개발이 진행되고 있다.In addition, the field development, the response speed, the power consumption is superior to the LCD, which is one of the most popular flat panel display devices.

전계방출표시소자는 평판디스플레이의 일종으로서, 전자를 방출하는 팁형 또는 웨지(Wedge)형의 캐소드와 형광체가 도포된 애노드를 구성하고, 다수의 마이크로 팁으로부터 전자방출을 유도하여, 발생된 전자를 투명전도막이 형성된 애노드의 형광체에 충돌시키므로써, 형광체가 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고, 천이되는 과정에서 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상표시를 나타내도록 구성하고 있는 것으로, 최근에는 상기 캐소드 전극에서 방출되는 전자의 방출 특성을 높이기 위하여 많은 연구가 진행되고는 있으나, 상기 전자가 방출되는 캐소드 전극의 에미터 팁에서 발생되는 저항, 즉 서지 커런트(Surge Current: 전류과도)에 의해 팁이 마모되거나 파손될 염려가 있어 그에 관한 문제점을 해결하려 하고 있다.A field emission display device is a type of flat panel display, which comprises a tip- or wedge-type cathode and an anode coated with a phosphor, which emits electrons, induces electron emission from a plurality of micro tips, and generates generated electrons. By impinging on the phosphor of the anode on which the conductive film is formed, the phosphor is stimulated to excite the outermost electrons of the phosphor, and is configured to display a desired image display using light generated during the transition. Although many studies have been conducted to improve the emission characteristics of electrons emitted from the electrode, the tip is worn by the resistance generated from the emitter tip of the cathode electrode from which the electron is emitted, that is, surge current. There is a risk of being damaged or broken is trying to solve the problem.

최근에는 도 1 에 도시된 바와 같이 유리 기판(12)상에 캐소드 전극(28)을 형성하고, 그 위에 저항층(8)을 형성한후, 상기 저항층(8)의 상부측에 절연층(6)과 에미터 팁(4)을 형성하고, 그 위에 게이트 전극(2)을 형성하는 버티칼(Vertical)모양의 저항층(8)을 사용하여 왔다.Recently, as shown in FIG. 1, the cathode electrode 28 is formed on the glass substrate 12, the resistive layer 8 is formed thereon, and then the insulating layer is formed on the upper side of the resistive layer 8. 6) has been used to form a vertical resistive layer 8 which forms the emitter tip 4 and the gate electrode 2 thereon.

또한 다른 한가지 방법으로 유리기판(12)상에 저항층(8)과 캐소드 전극(28)을 도 2 에 도시한 바와 같이 같은 선상에 형성하고 자항층(8)의 상부측에 인슐레이터(6)와 에미터 팁(4)을 형성하고, 그위에 게이트 전극(2)를 형성하는 것으로 레터럴(Lateral)모양의 저항층을 사용하고 있다.As another method, the resistive layer 8 and the cathode electrode 28 are formed on the glass substrate 12 in the same line as shown in FIG. 2, and the insulator 6 and the upper side of the magnetic path layer 8 are formed. By forming the emitter tip 4 and forming the gate electrode 2 thereon, a lateral-shaped resistive layer is used.

그러나 상기와 같은 버티컬 모양의 저항층(8)은 캐소드 전극(28)이나 유리기판(12)과의 거리가 너무 가까기 때문에 서지 커런트에 의해 팁이 마모되거나 파손되며, 전류의 제어가 어려운 문제점이 있었다.However, since the vertical resistive layer 8 is too close to the cathode electrode 28 or the glass substrate 12, the tip is worn or broken by the surge current, and it is difficult to control the current. there was.

또한 레터럴 모양의 저항층은 캐소드 전극(28)과의 거리를 두었으나 별다른 효과를 얻지 못하였을 뿐만 아니라, 제조 공정이 너무 번잡해지고, 쉽게 제작할 수 가 없어 제조단가가 상승하는 문제점이 있었다.In addition, although the lateral resistive layer has a distance from the cathode electrode 28, not only did not obtain a special effect, but also the manufacturing process is too complicated, and there is a problem that the manufacturing cost increases because it cannot be easily manufactured.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로, 더욱 상세하게는 인슐레이터와 같은 선상에 에미터의 하부측에 저항층을 형성하고 그위에 작은 팁을 형성하므로 각 픽셀의 전류를 제어를 쉽게 할 수 있고, 서지 커런트에 의해 팁이 마모되거나 파손되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 쉽게 제작할 수 있는 전계방출표시소자용 저항층을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and more particularly, the resistive layer is formed on the lower side of the emitter on the same line as the insulator, and a small tip is formed thereon to control the current of each pixel. The present invention provides a resistance layer for a field emission display device which can be easily and prevents the tip from being worn or broken by the surge current, and can be easily manufactured.

도 1 은 종래의 버티칼(Vertical)모양의 저항층을 나타낸 도면.1 is a view showing a conventional vertical (Vertical) resistance layer.

도 2 는 종래의 레터럴(Lateral)모양의 저항층을 나타낸 도면.2 is a view showing a conventional lateral (Lateral) -shaped resistance layer.

도 3 은 본 발명의 전계방출표시소자용 저항층을 나타내는 도면.3 is a view showing a resistive layer for a field emission display device according to the present invention;

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

20: 게이트 전극 22: 팁20: gate electrode 22: tip

24: 인슐레이터층 26: 저항층24: insulator layer 26: resistance layer

28: 캐소드 전극 30: 유리기판28: cathode electrode 30: glass substrate

32: 홀32: hall

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 전계방출표시소자용 저항층은, 유리기판과, 유리기판상의 캐소드 전극상에 상부측에 형성한 홀을 갖는 인슐레이터층과, 홀의 하부측에 인슐레이터층과 같은 선상에 형성한 저항층과, 저항층의 끝부분에 형성한 전계방출용 팁과, 인슐레터층의 상부측에 형성한 게이트 전극으로 이루어지도록 구비한 특징이 있다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the resistance layer for the field emission display device of the present invention, the insulator layer having a glass substrate, a hole formed in the upper side on the cathode electrode on the glass substrate, and the lower side of the hole And a resistive layer formed on the same line as the insulator layer, a field emission tip formed at the end of the resistive layer, and a gate electrode formed on the upper side of the insulator layer.

상기와 같이 구성된 본 발명의 전계방출표시소자용 저항층을 첨부된 도면을 참조하여 아래와 같이 상세하게 설명한다.The resistive layer for the field emission display device of the present invention configured as described above will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.

도 3 은 본 발명의 전계방출표시소자용 저항층을 나타내는 도면이다.3 is a diagram showing a resistive layer for a field emission display device according to the present invention.

전게방출표시소자용 유리기판(30)상의 전류가 인가되도록 형성된 캐소드 전극(28)의 상부측에 에미터 팁을 형성하기 위하여 홀(32)을 갖는 인슐레이터층(24)을 형성한다.An insulator layer 24 having holes 32 is formed on the upper side of the cathode electrode 28 formed so that the current on the glass substrate 30 for the electroluminescent display device is applied.

상기 홀(32)의 내부측에는 인슐레이터층(24)과 같은 선상에 에미터 팁의 하부측을 형성하기 위하여 사다리리꼴 기둥형상의 저항층(26)을 형성한다.A trapezoidal columnar resistance layer 26 is formed on the inner side of the hole 32 to form the lower side of the emitter tip on the same line as the insulator layer 24.

그리고 상기 사다리꼴 기등형상의 저항층(26)의 끝부분에는 전자의 방출 특성을 높이기 위하여 몰리브덴 등의 금속성물질을 이용하여 팁(22)을 형성하고, 그리고 상기 인슐레이터층(24)의 상부측에 게이트 전극(20)을 형성한다.In addition, a tip 22 is formed at the end of the trapezoidal shaped resistor layer 26 by using a metallic material such as molybdenum to increase electron emission characteristics, and a gate is formed on the upper side of the insulator layer 24. The electrode 20 is formed.

상기와 같이 팁(22)의 하부측에 형성되어 있는 저항층(26)의 높이는 종래에 비해 높게 형성할 수 있어 팁 끝단에서 발생되는 서지커런트에 의해 팁(22)이 마모되거나, 파손되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the height of the resistance layer 26 formed on the lower side of the tip 22 may be higher than that of the conventional art, thereby preventing the tip 22 from being worn or damaged by the surge current generated at the tip end. can do.

상기와 같은 본 발명의 팁(22) 구조로 인해 에미터의 하부측으로 구성하고 있는 저항층(26)의 두께에 따라 에미터에 미치는 저항을 변화시킬 수 있으므로, 에미터를 이루고 있는 팁(22)의 끝단이 날카로운 모양이 가지고 있지 않아도 된다.Due to the structure of the tip 22 of the present invention as described above, since the resistance to the emitter can be changed according to the thickness of the resistance layer 26 constituting the lower side of the emitter, the tip 22 forming the emitter The tip does not have to have a sharp shape.

또한 상기 본 발명의 팁(22)과 저항층(26)을 형성함에 있어서는 전자선 증착기를 방향성 식각법 등으로 에미터의 저항층(26)과 팁(22)을 쉽게 형성할 수 있다.In addition, in forming the tip 22 and the resistive layer 26 of the present invention, the electron beam evaporator may easily form the resistive layer 26 and the tip 22 of the emitter by directional etching.

따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 전게방출표시소자용 저항층에 의해 인슐레이터와 같은 선상에 에미터의 하부측에 저항층을 형성하고 그위에 작은 팁을 형성하므로 각 픽셀의 전류를 제어를 쉽게 할 수 있고, 서지 커런트에 의해 팁이 마모되거나 파손되는 것을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 쉽게 제작할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the resistive layer for the electroluminescent display device of the present invention configured as described above forms a resistive layer on the lower side of the emitter on the same line as the insulator and forms a small tip thereon so that the current of each pixel can be easily controlled. It is possible to prevent the tip from being worn or broken by the surge current, as well as to easily produce the effect.

Claims (2)

전계방출표시소자용 저항층을 형성함에 있어서,In forming the resistive layer for the field emission display device, 유리기판(30)과, 유리기판(30)상의 캐소드 전극(28)상에 상부측에 형성한 홀(32)을 갖는 인슐레이터층(24)과, 홀(32)의 하부측에 인슐레이터층(24)과 같은 선상에 형성한 저항층(26)과, 저항층(26)의 끝부분에 형성한 팁(22)과, 인슐레터층(24)의 상부측에 형성한 게이트 전극(20)으로 이루어지도록 구비한 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자용 저항층.An insulator layer 24 having a glass substrate 30, a hole 32 formed on the cathode electrode 28 on the glass substrate 30 on the upper side, and an insulator layer 24 on the lower side of the hole 32. A resistive layer 26 formed on the same line as the And a resistive layer for a field emission display device. 제 1 항에 있어서, 상기 팁(22)은 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 전계방출표시소자용 저항층.A resistance layer for a field emission display device according to claim 1, wherein the tip (22) is molybdenum.

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