KR100247331B1 - Masks for lithographic patterning using off-axis illumination - Google Patents

Abstract

오프-액시스 조사를 이용하는 리소그래피 도구에 있어서, 특정 피쳐들 간의 CD 차이를 최소화하고 초점심도를 증가시키는 마스크를 개시한다. 본 발명에 따른 마스크는 4중극 조사에서 효과적이다. 본 마스크는 보다 작은 정방형 콘택의 강도 수준과 DOF 범위를 '끌어올려' 보다 큰 콘택의 강도 수준과 DOF 범위에 접근하도록 한다. 보다 작은 콘택에서 강도 수준을 증가시키면 레지스트층 전사시 다양한 크기 콘택 패턴 간의 임계 디멘젼 차이를 감소시킬 수 있다. 본 마스크는 상기 정방형 콘택 구멍 주위에 배치된 안티-스캐터링 바아라 불리는 추가구멍을 포함하여 구성되어진다. 보다 작은 콘택의 가장자리와 안티-스캐터링 바아 간의 간격은 강도의 증가정도를 결정한다. 안티-스캐터링 바아의 폭은 DOF범위의 증가정도를 결정한다. 스캐터링 바아와 안티-스캐터링 바아는 노광도구의 해상도보다 훨씬 작은 폭을 가져 포토레지스트 노광과정에서 패턴을 형성하지 않는다.In a lithography tool using off-axis irradiation, a mask is disclosed that minimizes CD differences between certain features and increases depth of focus. The mask according to the invention is effective in quadrupole irradiation. The mask 'pulls up' the strength level and DOF range of smaller square contacts to approach the strength level and DOF range of larger contacts. Increasing the strength level in smaller contacts can reduce the critical dimension difference between the various size contact patterns in resist layer transfer. The mask comprises an additional hole called an anti-scattering bar disposed around the square contact hole. The spacing between the edges of the smaller contacts and the anti-scattering bars determines the degree of strength increase. The width of the anti-scattering bar determines the extent of the DOF range. Scattering bars and anti-scattering bars are much smaller than the resolution of the exposure tool and do not form a pattern during photoresist exposure.

Description

오프-액시스 조사를 이용한 리소그래피 패터닝용 마스크{Masks for lithographic patterning using off-axis illumination}Masks for lithographic patterning using off-axis illumination

본 발명은 포토리소그래피에 관한 것으로서, 상세하게는 오프-엑시스 조사 포토리소그래피에 관한 것이다.FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to photolithography, and in particular, to off-axis irradiation photolithography.

포토리소그래피는 마스크 위에 존재히는 기하학적 형상을 실리콘 웨이퍼의 표면 위로 전사하는 잘 알려진 방법이다. IC 리소그래피 공정 분야에 있어서 통상 포토레지스트라 불리는 감광성 고분자막이 실리콘 기판에 적용된 다음 건조된다. 적절한 기하학적인 패턴을 구비한 웨이퍼를 광원 또는 복사에너지에 의해 노광시키기 위해 노광도구가 사용되어진다. 노광한 다음, 상기 웨이퍼는 감광성 물질에 전사된 마스크 이미지를 현상하기 위하여 처리되어진다. 이러한 마스크 패턴은 후속하여 집적회로 장치의 피쳐(feature)를 형성하는 데에 사용되어진다.Photolithography is a well known method of transferring the geometry present on a mask onto the surface of a silicon wafer. In the field of IC lithography processes, a photosensitive polymer film, commonly called photoresist, is applied to a silicon substrate and then dried. Exposure tools are used to expose the wafers with appropriate geometric patterns by light sources or radiant energy. After exposure, the wafer is processed to develop a mask image transferred to the photosensitive material. This mask pattern is subsequently used to form the features of the integrated circuit device.

모든 노광도구의 한 중대한 한계적 특징은 그 해상도의 한계이다. 노광도구의 해상도 한계는 노광도구가 반복적으로 웨이퍼 위에 노광할 수 있는 최소 피쳐로 정의된다. 최근, 대부분의 진보된 광학 노광도구들의 해상도 한계는 0.4 미크론 정도인바, 이는 현재 다수 IC 배치설계에서의 최소 디멘젼(이를 임계 디멘젼 또는 CD라고 한다)에 근접한 것이다. 그 결과 노광도구의 해상도는 IC 회로의 최종크기와 집적도에 영향을 미칠 수 있다.One significant limiting feature of all exposure tools is the limitation of their resolution. The resolution limit of the exposure tool is defined as the minimum feature that the exposure tool can repeatedly expose on the wafer. In recent years, the resolution limit of most advanced optical exposure tools is on the order of 0.4 micron, which is close to the minimum dimension (which is now called critical dimension or CD) in many IC batch designs. As a result, the resolution of the exposure tool can affect the final size and integration of the IC circuit.

모든 노광도구의 또하나의 중요한 특징은 그 초점심도(DOF)에 있다. 노광도구의 DOF는 (해상도에 근접한 크기인 피쳐의) 공간적 이미지가 초점 내에 머무르는 범위로 정의된다. 이미지가 레지스트층으로 전사되는 리소그래피 공정에 있어서, 최소의 DOF가 요구된다. 이러한 최소의 DOF는 레지스트 층 전체에 걸쳐 상기 이미지가 초점 내에 충분히 남아 있도록 한다. 따라서 최소 DOF의 범위는 통상 레지스트 층의 두께와 같거나 그보다 더 크다.Another important feature of every exposure tool is its depth of focus (DOF). The DOF of the exposure tool is defined as the extent to which the spatial image (of a feature close to resolution) stays in focus. In a lithographic process in which an image is transferred to a resist layer, minimal DOF is required. This minimum DOF ensures that the image remains sufficiently in focus throughout the resist layer. Thus, the minimum DOF range is usually equal to or greater than the thickness of the resist layer.

노광도구의 DOF는 노광도구의 '이용가능한 해상도' 세팅을 결정한다. 예컨데, 만약 어떤 노광도구가 0.4 미크론의 피쳐를 해상할 수 있으나 그 DOF의 범위가 상기 피쳐를 레지스트 층 전체에 걸쳐서 명확히 촛점을 맞추는데 필요한 범위보다 좁게 되면 0.4 미크론의 해상도 세팅의 이용은 불가능해진다. 이로써 알 수 있듯이, 만약 노광도구의 DOF 범위가 확장되어질 수 있다면 상기한 '이용가능한' 해상도의 한계는 줄여질 수 있고 더 작은 이미지가 프린트되어질 수 있다.The DOF of the exposure tool determines the 'available resolution' setting of the exposure tool. For example, if an exposure tool can resolve a 0.4 micron feature but the range of the DOF becomes narrower than the range necessary to clearly focus the feature across the resist layer, the use of a 0.4 micron resolution setting becomes impossible. As can be seen, if the DOF range of the exposure tool can be extended, the limitation of the 'available' resolution described above can be reduced and smaller images can be printed.

도 1은 종래의 노광도구를 단순화하여 도해한 것이다. 도시한 바와 같이 광원(200)은 구경조리개(201) 안의 구멍(202)을 통해 광파(208)를 투영한다. 구멍(202)은 통상 구경조리개의 동공이라 불린다. 집광렌즈(205)는 동공(202)으로부터 빛을 모아 마스크(206)에 집중시켜 마스크가 고르게 조사되도록 한다. 조사빔(203)이 마스크(206)을 통과할 때 이미지빔(209)이 발생된다. 이미지빔(209)은 마스크 위의 패턴의 이미지가 실리콘 웨이퍼 위에 초점형성되도록 렌즈(207)을 통해 투영된다.1 is a simplified illustration of a conventional exposure tool. As shown, the light source 200 projects the light wave 208 through the hole 202 in the aperture 201. The hole 202 is commonly referred to as the aperture of the aperture. The condenser lens 205 collects light from the pupil 202 and concentrates the mask 206 so that the mask is evenly irradiated. The image beam 209 is generated when the irradiation beam 203 passes through the mask 206. Image beam 209 is projected through lens 207 such that the image of the pattern on the mask is focused on the silicon wafer.

도 1에 도시한 바와 같이, 동공(202)은 구경조리개(201)의 중앙에 위치한다. 이때문에 조사빔(203)은 광 축(점선204)을 따라 동공(202)으로부터 집광렌즈(205)와 마스크(206)로 투영된다. 이러한 형태의 조사방법을 '온-액시스 조사'라고 하는데 이는 조사빔이 광 축 위에 있다는 것을 의미한다. 제3도는 온-액시스 조사기 구경조리개(201)의 평면도를 도시한 것이다. 제3도에 도시한 바와 같이 온-액시스 구경조리개는 중앙에 동공을 가지고 있는 특징이 있다.As shown in FIG. 1, the pupil 202 is located at the center of the aperture 201. For this reason, the irradiation beam 203 is projected from the pupil 202 to the condenser lens 205 and the mask 206 along the optical axis (dotted line 204). This type of irradiation is called 'on-axis irradiation', which means that the irradiation beam is on the optical axis. 3 shows a top view of the on-axis irradiator aperture 201. As shown in FIG. 3, the on-axis aperture has a feature of having a pupil in the center.

장치 크기를 줄이기 위하여 반도체업계는 현재 DOF의 범위를 확장함으로써 노광도구의 '이용가능한' 해상도를 축소시키는 새로운 방법을 연구하고 있다. 최근 마스크 패턴이 조사되어지는 방법을 변화시킴으로써 노광도구의 DOF 범위를 확장시킬 수 있다는 점이 주목되어지고 있다. 구체적으로 광 축의 각도와는 다른 각도에서 조사빔을 투영함에 의해 노광도구의 DOF가 확장되어질 수 있다는 점이 발견되었다. 이러한 형태의 조사 기법을 오프-액시스 조사라고 한다.To reduce device size, the semiconductor industry is currently working on new ways to reduce the 'available' resolution of exposure tools by extending the range of DOF. It has recently been noted that the DOF range of the exposure tool can be extended by changing the way the mask pattern is irradiated. Specifically, it has been found that the DOF of the exposure tool can be extended by projecting the irradiation beam at an angle different from that of the optical axis. This type of irradiation technique is called off-axis irradiation.

도 2는 오프-액시스 조사를 제공하는 노광도구를 간단히 도해한 것이다. 광원(200)은 광파(208)를 구경조리개(201)에 투영한다. 도시한 바와 같이 제1도의 구경조리개(201)와 달리 구경조리개(201`)는 두 개의 중앙을 벗어난 동공을 가지고 있다. 상기한 변형된 구경조리개는 조사빔(203)이 광 축과는 다른 각도로 집광렌즈(205)로부터 마스크(206)로 투영되도록 한다.2 is a simplified illustration of an exposure tool that provides off-axis irradiation. The light source 200 projects the light wave 208 to the aperture 201. As shown, unlike the aperture 201 of FIG. 1, the aperture 201 ′ has two pupils off the center. The modified aperture enables the irradiation beam 203 to be projected from the condenser lens 205 to the mask 206 at an angle different from the optical axis.

도 4와 도 5는 두 개의 바람직한 형태의 구경조리개의 평면도를 도시한 것이다. 도 4는 4중극 조사의 일 형태를 제공하는 구경조리개를 도시한 것이고 제5도에 도시한 구경조리개는 고리형의 조사를 제공한다.4 and 5 show top views of two preferred types of apertures. FIG. 4 illustrates an aperture providing one form of quadrupole irradiation and the aperture shown in FIG. 5 provides an annular irradiation.

집적회로 배치설계의 크기가 축소되어질수록 그 임계디멘젼은 더욱 빈번히 노광도구의 해상도 한계에 접근한다. 이 경우, 온-액시스 및 오프-액시스 조사 노광도구 양자 모두에 있어서 마스크 패턴과 포토레지스트에 현상된 실제의 레이아웃 패턴 간의 불일치가 커지게 된다. 이러한 불일치는 다양한 원인으로부터 발생한다.As integrated circuit layout designs shrink in size, their critical dimensions more frequently approach the resolution limits of exposure tools. In this case, the inconsistency between the mask pattern and the actual layout pattern developed on the photoresist becomes large in both the on-axis and off-axis irradiation exposure tools. This discrepancy arises from a variety of causes.

리소그래피 분야에서 큰 관심을 불러일으킨 주요한 한 사항은 근접효과이다. 근접효과는 이웃한 피쳐가 패턴 의존적 변이를 만들어 내도록 상호작용할 때 발생한다. 예컨데 같은 디멘젼을 가지도록 설계되었으나 레이아웃 내에서 타 피쳐에의 근접도가 다르게 놓여진(이격된 것 대 조밀하게 밀집된 것) 라인들은 현상된 후에 서로 같은 디멘젼을 갖지 않는다. 따라서 조밀하게 밀집된 라인들의 군은 이격된 라인과 비교했을 때 다르게 전사되어지는 경향을 가진다. 확실히 라인 넓이가 일정하게 재생되지 않을 때 IC에서 중대한 문제가 발생할 수 있다.One of the main things that has sparked great interest in the lithography field is the proximity effect. Proximity effects occur when neighboring features interact to produce pattern-dependent variations. For example, lines that are designed to have the same dimensions but that have different proximity to other features in the layout (spaced vs. densely packed) do not have the same dimensions after they are developed. Thus, groups of densely packed lines tend to be transferred differently when compared to spaced lines. Clearly, significant problems can occur in ICs when the line width is not constantly refreshed.

CD가 노광도구의 해상도 한계에 접근할 때 발생하는 또 하나의 일반적인 문제는 정방형과 장방형의 콘택 모두를 가진 마스크를 프린트할 때 발생한다. 상기 형태의 마스크는 다양한 크기의, 큰 불투명 영역에 둘러싸인 구멍을 다수 가지는 특징이 있다. 레지스트 층 내에서 현상된 크고 작은 콘택 구멍 간의 CD의 불일치는 각각 다른 크기의 콘택이 서로 다른 노광 에너지를 필요로 하기 때문에 발생한다. 달리 말해 큰 콘택에 최적인 에너지 세팅은 보다 작은 콘택에 최적인 에너지 세팅보다 훨씬 적다. 그러나 단일 마스크를 노광하기 위해서는 단 하나의 에너지 세팅만이 이용되어질 수 있기 때문에 단지 한 유형의 콘택만이 최적으로 전사되어진다. 나머지 유형의 콘택들은 과도하거나 과소하게 노광되어진다.Another common problem that occurs when a CD approaches the resolution limit of an exposure tool occurs when printing a mask with both square and rectangular contacts. Masks of this type are characterized by having multiple holes of various sizes, surrounded by large opaque areas. Discrepancies in the CD between the large and small contact holes developed in the resist layer occur because contacts of different sizes require different exposure energies. In other words, the optimal energy setting for large contacts is much less than the optimal energy setting for smaller contacts. However, only one type of contact is optimally transferred since only one energy setting can be used to expose a single mask. The remaining types of contacts are over or underexposed.

근접효과의 문제 및 콘택 CD의 불일치를 보강하기 위하여 많은 해결책이 나와 있다. 근접효과문제에 대한 하나의 해결책이 본 발명의 양수인에 양도된 것인 미국특허 번호 5,242,770에 기술되어 있다. 상기 특허는 마스크 패턴 내의 이격된 가장자리의 가장자리 강도(intensity) 기울기를 조정하는 해상불가능한 추가 라인을 포함하여 구성된 개선된 마스크에 대하여 기술하고 있다. 이격된 가장자리의 기울기는 조밀하게 밀집된 가장자리의 가장자리 강도 기울기에 일치하도록 조정되어진다. 그 결과 이격된 피쳐와 조밀하게 밀집된 피쳐가 비슷하게 전사되고 근접효과가 크게 감소되어진다.Many solutions are presented to reinforce the problem of proximity effects and the inconsistencies of contact CDs. One solution to the proximity effect problem is described in US Pat. No. 5,242,770, which is assigned to the assignee of the present invention. The patent describes an improved mask that includes an additional, non-resolution line that adjusts the edge intensity slope of the spaced edges in the mask pattern. The slope of the spaced edges is adjusted to match the edge strength slope of the densely packed edges. As a result, spaced-apart and dense dense features are similarly transferred and proximity effects are greatly reduced.

나아가 콘택 내의 CD의 불일치를 감소시키는 해결책이 본 발명의 양수인에 양도된 미국특허 번호5,256,505에 개시되어 있다. 미국특허 번호5,256,505에서는 마스크 패턴 내의 보다 큰 피쳐들 안에 이들의 에너지 강도 수준을 약화시키기 위하여 상반되는 투명성을 가진 라인을 추가함으로써 크고 작은 콘택의 에너지 수준을 일치시킨다. 그 결과 크고 작은 콘택 양자에 필요한 에너지가 일치하고 양 피쳐형태 모두가 상호 수용가능한 CD 범위 내에서 전사되어진다.Furthermore, a solution for reducing the mismatch of CDs in contacts is disclosed in US Pat. No. 5,256,505, assigned to the assignee of the present invention. U. S. Patent No. 5,256, 505 matches the energy levels of large and small contacts by adding lines with opposing transparency within larger features in the mask pattern to weaken their energy intensity levels. As a result, the energy required for both large and small contacts is consistent and both features are transferred within the mutually acceptable CD range.

비록 미국특허 번호5,242,770이 온-액시스 조사 노광도구에서의 근접문제를 해결하긴 하였으나 오프-액시스 조사가 이용될 때는 상기 문제들을 해결하기에 충분히 효과적이지 못하다. 그 이유 중의 하나는 오프-액시스 조사가 조밀한 밀집피쳐의 DOF 범위를 상당히 증가시키기는 하나 이격라인의 DOF 범위를 개선시키지 못하는 데에 있다. 그 결과 상기 DOF의 차이로 인해 오프-액시스 조사는 어떤 면에서는 근접문제를 더욱 다루기 어렵게 하였다.Although US Pat. No. 5,242,770 solves the proximity problem in on-axis irradiation tools, it is not effective enough to solve the problems when off-axis irradiation is used. One reason for this is that off-axis irradiation significantly increases the DOF range of dense dense features but does not improve the DOF range of the separation line. As a result, the off-axis investigation makes the proximity problem more difficult in some respects due to the difference in DOF.

이와 유사하게는, 미국특허 번호5,256,505가 일치된 CD를 가지는 단일 마스크에 크고 작은 콘택을 프린트하는 방법을 제공하나, 이는 보다 큰 콘택에서의 오프-액시스 조사에 의해 제공되는 증가된 DOF 범위를 활용하지 못하는 것이다.Similarly, US Pat. No. 5,256,505 provides a method for printing large and small contacts on a single mask with matching CDs, but does not take advantage of the increased DOF range provided by off-axis irradiation in larger contacts. I can't.

결국, 비록 오프-액시스 조사가 단점이 있기는 하나, 이격피쳐와 조밀한 밀집피쳐 간의 근접문제와 DOF 차이가 최소화되고 콘택전사 문제가 역점적으로 다루어지게 되면, 상기 오프-액시스형의 조사도 DOF 범위를 확장함으로써 '이용가능한' 해상도의 확장에 효과적으로 적용되어질 수 있다는 것이 반도체 업계가 일반적으로 동의하고 있는 사실이다. 필요로 하는 것은 근접과 콘택 문제를 다루는 수단을 제공하는 동시에 오프-액시스 조사에 의해 제공되는 DOF 증가의 이점을 활용할 수 있는 수단인 것이다.After all, although the off-axis irradiation has its disadvantages, if the proximity problem and the DOF difference between the spaced-apart feature and the compact dense feature are minimized and the contact transfer problem is dealt with in an important way, the off-axis type irradiation is also DOF. It is a general consensus that the semiconductor industry can be effectively applied to expanding the 'available' resolution by extending the range. What is needed is a means to take advantage of the increased DOF provided by off-axis investigation while providing a means to deal with proximity and contact issues.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 오프-액시스 조사를 이용하는 리소그래피 도구에 있어서, 특정 피쳐들간의 CD 차이를 최소화하고 초점심도를 증가시키는 마스크를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The technical problem to be solved by the present invention is to provide a mask for minimizing the CD difference between specific features and increasing the depth of focus in a lithography tool using off-axis irradiation.

도 1은 온-액시스 조사를 하는 노광도구를 단순화하여 도시한 것이다.1 is a simplified illustration of an exposure tool for on-axis irradiation.

도 2는 오프-액시스 조사를 하는 노광도구를 도시한 것이다.2 shows an exposure tool for off-axis irradiation.

도 3은 온-액시스 조사를 제공하는 데에 이용되는 구경조리개의 평면도이다.3 is a top view of the aperture used to provide on-axis irradiation.

도 4는 4중극 조사를 제공하는 구경조리개의 한 형태에 대한 평면도이다.4 is a top view of one type of aperture provided for quadrupole irradiation.

도 5는 고리형 조사를 제공하는 구경조리개의 한 형태에 대한 평면도이다.5 is a plan view of one type of aperture that provides an annular probe.

도 6a 내지 도 6e는 이격된 것과 조밀하게 밀집된 마스크 패턴 피쳐가 본 발명의 스캐터링 바아를 구비한 것과 구비하지 않은 것의 예를 도시한 것이다.6A-6E illustrate examples of spaced apart and densely dense mask pattern features with and without the scattering bar of the present invention.

도 7a 및 도 7b는 레지스트 단면에서의 측정위치를 도시한 것이다.7A and 7B show measurement positions in the resist cross section.

도 8은 정방형과 장방형의 피쳐를 가지는 마스크 패턴이 본 발명의 안티-스캐터링 바아를 구비한 것과 구비하지 않은 것을 도시한 것이다.8 shows that a mask pattern with square and rectangular features is with or without the anti-scattering bar of the present invention.

오프-액시스 조사는 밀집피쳐의 DOF 범위를 증가시키나 이격피쳐에서는 그렇지 못하다. DOF 범위의 증가라는 이점은 상기 이격피쳐의 DOF 범위도 증가되어져야만 활용되어질 수 있는 것이다. 본 발명의 개선된 마스크는 이격/밀집된 피쳐의 근접효과문제를 해결함과 동시에 이격피쳐의 DOF 범위를 증가시킨다. 이격피쳐의 DOF 범위를 증가시켜 밀집피쳐의 DOF 범위에 접근하도록 함으로써 노광도구의 축소된 해상도 세팅이 가능해진다.Off-axis irradiation increases the DOF range of dense features but not at spaced features. The advantage of an increase in the DOF range is that it can only be utilized if the DOF range of the separation feature is also increased. The improved mask of the present invention solves the proximity effect problem of the spacing / dense features while increasing the DOF range of the spacing feature. By increasing the DOF range of the spacing feature to approach the DOF range of the dense feature, a reduced resolution setting of the exposure tool is possible.

밀집피쳐와 이격피쳐 간의 DOF 차이와 근접효과문제는 마스크 내의 이격피쳐의 가장자리에 이웃하여 스캐터링 바아(scattering bars)라고 불리는 추가 라인을 배치함으로써 감소되어진다. 상기 스캐터링 바아는 원래 피쳐와는 같은 투명성을 가지고 노광도구의 해상도보다는 작은 디멘젼을 가진다. 스캐터링 바아는 노광도구의 해상도보다 작기때문에 레지스트 층에 전사되어지지 않는다.The DOF difference and proximity effect problems between dense and spaced features are reduced by placing additional lines called scattering bars adjacent to the edges of the spaced features in the mask. The scattering bar has the same transparency as the original feature and has a smaller dimension than the resolution of the exposure tool. The scattering bar is smaller than the resolution of the exposure tool and therefore is not transferred to the resist layer.

이격피쳐의 최적 근접과 DOF 조정은 스캐터링 바아의 폭과 상기 바아가 이격피쳐의 가장자리로부터 배치된 거리에 의존한다. 상기 바아와 이격 가장자리 간의 거리는 이격 가장자리의 가장자리 기울기를 조밀한 밀집 가장자리의 가장자리 기울기와 일치되도록 만든다. 이는 이격피쳐와 조밀한 밀집피쳐 간의 근접효과를 상당히 감소시킨다. 상기 바아의 폭은 이격피쳐의 DOF 범위에 직접적으로 영향을 미친다. 최적의 바아 폭과 이격피쳐 가장자리로부터의 바아 간격을 선택함으로써 근접효과가 감소되고 이격피쳐의 DOF 범위가 조밀한 밀집피쳐의 DOF 범위와 일치되도록 조정되어진다.Optimal proximity and DOF adjustment of the spacing feature depends on the width of the scattering bar and the distance the bar is placed from the edge of the spacing feature. The distance between the bar and the spaced edge makes the edge slope of the spaced edge coincide with the edge slope of the dense dense edge. This significantly reduces the proximity effect between the spacing feature and the dense compact feature. The width of the bar directly affects the DOF range of the spacing feature. By selecting the optimal bar width and bar spacing from the feature edges, the proximity effect is reduced and the DOF range of the feature is adjusted to match the DOF range of the dense feature.

4중극 조사가 이용된 본 발명의 일 실시예에 있어서, 스캐터링 바아는 약 0.90 x (임계 디멘젼)의 거리에 배치되었으며 바아 폭은 임계 디멘젼의 약 1/3과 같았다.In one embodiment of the invention where quadrupole irradiation was used, the scattering bars were placed at a distance of about 0.90 x (critical dimension) and the bar width was equal to about one third of the critical dimension.

본 발명의 스캐터링 바아를 설계하는 한 방법은 우선 스캐터링 바아와 이격 가장자리 간의 최적 분리간격을 선택하는 것이다. 그 다음 상기 선택된 최적 간격을 활용하면서 스캐터링 바아의 최적 폭을 선택한다. 이러한 방법으로 스캐터링 바아는 우선 근접효과를 감소시키도록 설계되고 그 다음 최대의 DOF 개선을 제공하도록 조정되어진다.One method of designing the scattering bar of the present invention is to first select the optimal separation between the scattering bar and the spacing edge. The optimal width of the scattering bar is then selected while utilizing the selected optimal spacing. In this way, the scattering bar is first designed to reduce the proximity effect and then adjusted to provide maximum DOF improvement.

본 발명은 또한 다양한 크기의 콘택을 가지는 마스크와 관련된 문제를 역점을 두어 다룬다. 이는 마스크 패턴의 보다 작은 콘택 피쳐 주위에 안티-스캐터링 바아(anti-scattering bars)라고 부르는 피쳐를 추가함으로써 달성되어진다. 상기 안티-스캐터링 바아는 이중의 효과를 가진다. 첫째, 이것들은 보다 작은 콘택의 강도 수준을 '끌어올려' 보다 큰 콘택의 강도 수준과 일치시킨다. 이로써 크고 작은 콘택의 명목 노광 요구치가 일치되어진다. 다음으로 피쳐의 에너지 강도 수준을 증가시킴으로써 그 DOF가 증가한다. 결국 작은 콘택의 DOF 범위가 보다 큰 콘택 구멍의 DOF 범위와 일치하도록 증가하는 것이다. 그 결과 콘택 마스크 내의 모든 피쳐에 대한 전체적인 DOF 범위가 증가한다.The present invention also addresses the problems associated with masks having contacts of various sizes. This is accomplished by adding a feature called anti-scattering bars around the smaller contact features of the mask pattern. The anti-scattering bar has a dual effect. First, they 'pull up' the strength levels of smaller contacts to match the strength levels of larger contacts. This allows the nominal exposure requirements of large and small contacts to be matched. The DOF is then increased by increasing the energy intensity level of the feature. As a result, the DOF range for smaller contacts increases to match the DOF range for larger contact holes. The result is an increased overall DOF range for all features in the contact mask.

4중극 조사가 이용된 일 실시예에 있어서 안티-스캐터링 바아의 폭은 약 30%-50% x (임계 디멘젼)과 같았다. 상기 안티-스캐터링 바아의 간격은 약 0.90 x (임계 디멘젼)과 같았다.In one embodiment where quadrupole irradiation was used, the width of the anti-scattering bars was about 30% -50% x (critical dimension). The spacing of the anti-scattering bars was equal to about 0.90 x (critical dimension).

본 발명의 안티-스캐터링 바아를 설계하는 한 방법은 우선 안티-스캐터링 바아와 보다 작은 콘택 간의 최적 거리를 선택하고 그 다음 상기 선택된 최적 간격을 활용하면서 안티-스캐터링 바아의 최적 폭을 선택하는 것이다. 이러한 방법으로 상기 안티-스캐터링 바아는 우선 강도 수준이 일치하도록 설계되어지고 그 다음으로 최대의 DOF 개선을 제공하도록 조정되어진다.One method of designing the anti-scattering bar of the present invention is to first select the optimal distance between the anti-scattering bar and the smaller contact and then to select the optimum width of the anti-scattering bar while utilizing the selected optimal spacing. will be. In this way the anti-scattering bars are first designed to match the strength levels and then adjusted to provide maximum DOF improvement.

본 발명은 또한 광학 리소그래피, 레이져 기반의 깊은 UV 리소그래피, 논-레이져 기반의 깊은 UV 리소그래피 등등의 모든 형태의 포토리소그래피 공정에 적용가능한 것이다.The invention is also applicable to all types of photolithography processes, such as optical lithography, laser based deep UV lithography, non-laser based deep UV lithography and the like.

이하에서는 오프-액시스 조사를 활용하면서 피쳐를 전사하는 마스크 및 그 방법에 대하여 기술한다. 본 발명에 대한 완전한 이해를 제공하기 위하여 강도 수준 세팅, 노광도구의 해상도 세팅 등의 많은 구체적인 세부사항들이 설명되어진다. 그러나 본 발명을 실시하기 위하여 위와 같은 구체적인 상세한 사항들을 꼭 사용하지 않아도 된다는 것은 당업자에 있어 자명할 것이다. 다른 경우에는, 본 발명을 쓸데없이 모호하게 만들지 않기 위해 공지의 구성들은 상세히 기재하지 않았다.The following describes a mask and method for transferring features while utilizing off-axis irradiation. Many specific details are set forth such as setting the intensity level, setting the resolution of an exposure tool, etc. to provide a thorough understanding of the present invention. However, it will be apparent to those skilled in the art that the above specific details are not necessarily used to practice the present invention. In other instances, well-known configurations have not been described in detail in order to not unnecessarily obscure the present invention.

오프-액시스 조사는 리소그래피 공정에서 피쳐를 전사할 때 그 피쳐의 DOF를 증가시킴에 있어 최근에 활용되는 방법이다. 4중극 조사와 고리형 조사의 두 가지 형의 오프-액시스 조사가 최근 선호되어지고 있다. 그러나 4중극 조사기가 다른 어떤 오프-액시스 조사수단보다 더 효과적인 바, DOF에서의 개선을 200% 달성하게 한다. 상기한 형태들의 조사방법을 제공하기 위해 설계된 구경조리개의 몇가지 예가 도 4와 도 5에 도시되어 있다. 도 4와 도 5에서 보는 바와 같이, 4중극 구경(도 4)은 각각 다른 4분면에 위치한 4개의 동공에 의해 특징지워지고 고리형 구경(도 5)은 구경중심 주위로 고리형상의 구멍을 가진 것으로 도시되어 있다.Off-axis irradiation is a method recently employed in increasing the DOF of a feature when transferring it in a lithography process. Two types of off-axis irradiation, quadrupole irradiation and cyclic irradiation, have recently been preferred. However, the quadrupole irradiator is more effective than any other off-axis irradiation means, achieving 200% improvement in DOF. Some examples of apertures designed to provide the above methods of irradiation are shown in FIGS. 4 and 5. As shown in FIGS. 4 and 5, the quadrupole aperture (FIG. 4) is characterized by four pupils located in different quadrants, and the annular aperture (FIG. 5) has an annular hole around the aperture center. Is shown.

고리형 및 4중극 조사기는, 이격피쳐와 밀집피쳐 간의 근접효과, 이격피쳐와 조밀한 밀집피쳐 간의 DOF 차이, 다양한 크기를 가진 콘택들에서의 CD와 DOF 차이 등의 많은 문제점에 봉착하게 된다. 본 발명은 두가지 개선된 마스크와 마스크 방법을 개시한다. 첫번째의 개선된 마스크와 방법은 이격피쳐와 조밀한 밀집피쳐 간의 DOF 차이와 근접효과 문제를 감소시킨다. 두번째의 개선된 마스크와 마스크 방법은 크고 작은 콘택 간의 에너지 필요조건에서의 차이와 DOF 차이를 감소시킨다. 이러한 방법으로 오프-액시스 조사에서의 장점이 실현되어질 수 있다. 이러한 두가지 마스크 방법과 마스크는 오프-액시스 조사를 실행가능한 리소그래피 기술로 되게 한다.Cylindrical and quadrupole irradiators encounter many problems, such as the proximity effect between the spacing feature and the dense feature, the DOF difference between the spacing feature and the dense feature, and the CD and DOF differences in the contacts having various sizes. The present invention discloses two improved masks and mask methods. The first improved mask and method reduces the DOF difference and proximity effects between spaced and dense features. The second improved mask and mask method reduces the difference in DOF and DOF in energy requirements between large and small contacts. In this way, the advantages in off-axis irradiation can be realized. These two mask methods and masks make off-axis irradiation a viable lithography technique.

이격피쳐와 조밀한 밀집피쳐의 DOF 조정과 근접교정DOF adjustment and close correction for spaced and dense features

도 6a 내지 도 6c는 이격된 가장자리와 조밀하게 밀집된 가장자리를 가지는 피쳐의 예를 도시한 것이다. 도 6a 내지 도 6c에서 도시한 모든 피쳐는 회로 설계의 CD와 같은 폭을 가지고 있다. 또한 CD는 노광도구의 해상도 한계에 아주 근접해 있다. 도 6b 및 도 6c에서 도시한 조밀하게 밀집된 라인은 회로 설계의 CD와 거의 같은 거리에 배치된다. 도 6a는 두개의 이격된 가장자리(211)을 가진 피쳐A를 도시하고, 도 6b는 이격 가장자리(211)과 조밀한 밀집 가장자리(212)를 가진 피쳐 B를 도시하고, 도 6c는 두 개의 조밀한 밀집 가장자리(212)를 가진 피쳐C를 도시하고 있다.6A-6C illustrate examples of features having spaced edges and densely dense edges. All features shown in FIGS. 6A-6C have the same width as the CD of the circuit design. CDs are also very close to the resolution limit of exposure tools. The dense dense lines shown in FIGS. 6B and 6C are arranged at approximately the same distance as the CD of the circuit design. FIG. 6A shows feature A with two spaced edges 211, FIG. 6B shows feature B with spaced edge 211 and dense dense edge 212, and FIG. 6C shows two dense Feature C with dense edges 212 is shown.

위에서 기술한 바와 같이, 근접효과는 조밀한 밀집 가장자리들이 상호반응하여 조밀한 밀집피쳐와 이격피쳐에 있어서의 원래의 마스크 CD와 최종 레지스트의 CD가 같지 않도록 되기때문에 발생하는 것이다. 그 결과 (CD가 노광도구의 해상도 한계에 접근할 때) 지형A, B, 및 C는 다른 CD 디멘젼으로 레지스트층에 전사된다. 이는 오프-액시스 조사와 온-액시스 조사에 모두 해당된다.As described above, the proximity effect occurs because the dense edges interact with each other so that the original mask CD and the CD of the final resist in the dense and spaced features are not equal. As a result, the terrains A, B, and C (when the CD approaches the resolution limit of the exposure tool) are transferred to the resist layer in different CD dimensions. This is true for both off-axis irradiation and on-axis irradiation.

미국특허 번호5,242,770은 이격피쳐와 밀집피쳐의 가장자리 강도 기울기를 일치시켜 근접효과를 감소시키는 마스크에 대하여 개시하고 있다. 그러나 상기 개선된 마스크는 오프-액시스 조사에서 발생하는 DOF 차이를 감소시키는 데에 효과적이지 못하고 근접효과를 감소시키는 데에도 충분히 효과적이지는 못하다. 따라서 미국특허 번호5,242,770에 개시된 개선된 마스크는 오프-액시스 조사를 이용하는 리소그래피 공정에서는 직접적으로 적용될 수 없다.U. S. Patent No. 5,242, 770 discloses a mask that reduces the proximity effect by matching the edge strength gradients of the spaced and dense features. However, the improved mask is not effective at reducing the DOF difference that occurs in off-axis irradiation and is not effective at reducing the proximity effect. Thus, the improved mask disclosed in US Pat. No. 5,242,770 cannot be applied directly in a lithographic process using off-axis irradiation.

본 발명은 오프-액시스 조사에서 이격피쳐의 DOF 범위를 확장시키면서 근접효과를 감소시키는 것을 개시하는 개선된 마스크 기술이다. 따라서 본 발명은 본 발명에서의 스캐터링 바아의 폭과 이격 가장자리로부터의 간격을 조정하여 오프-액시스 조사에서 근접효과를 감소시키고 노광도구의 전체적인 DOF 범위를 증가시킨다.The present invention is an improved mask technique that discloses reducing the proximity effect while expanding the DOF range of the spacing feature in off-axis irradiation. Thus, the present invention adjusts the width of the scattering bar and the spacing from the spacing edge in the present invention to reduce the proximity effect in off-axis irradiation and increase the overall DOF range of the exposure tool.

도 6d 및 도 6e는 본 발명의 스캐터링 바아를 도시한다. 도 6d는 모든 이격 가장자리에 인접하여 배치된 스캐터링 바아(213)을 구비한 피쳐D를 도시한다. 도 6e는 유사하게 배치된 스캐터링 바아(214)를 구비한 조밀한 밀집피쳐의 세트를 도시한다. 도시한 바와 같이 도 6d는 도 6a와 대응하고 도 6e는 도 6c 및 도 6b에 대응한다.6D and 6E illustrate the scattering bar of the present invention. 6D shows Feature D with scattering bars 213 disposed adjacent all spacing edges. 6E illustrates a set of dense dense features with similarly arranged scattering bars 214. As shown, FIG. 6D corresponds to FIG. 6A and FIG. 6E corresponds to FIGS. 6C and 6B.

본 발명의 스캐터링 바아는 그 폭과 피쳐의 이격 가장자리로부터의 간격이라는 두 가지 변수에 의하여 특징지워진다. 상기 스캐터링 바아의 간격은 패턴 전사과정에서 보이는 근접효과에 영향을 미치는 반면 상기 바아의 폭은 오프-액시스 조사가 이용될 때 이격피쳐의 DOF 범위에 영향을 미친다는 점이 실험적으로 증명되었다. 일반적으로 근접효과 문제가 DOF를 증가시키는 것보다 더 중요한 것으로 간주된다. 따라서 스캐터링 바아의 최적 간격이 먼저 결정된다. 일단 이 최적 간격이 결정되면 상기 폭은 이격피쳐의 DOF 범위가 증가하도록 조정되어질 수 있다.The scattering bar of the present invention is characterized by two variables: its width and spacing from the spacing edge of the feature. It has been experimentally demonstrated that the spacing of the scattering bars affects the proximity effect seen during pattern transfer, while the width of the bars affects the DOF range of the spacing features when off-axis irradiation is used. In general, proximity problems are considered more important than increasing DOF. Therefore, the optimal spacing of the scattering bars is determined first. Once this optimal spacing is determined, the width can be adjusted to increase the DOF range of the spacing feature.

스캐터링 바아의 최적 간격은 스캐터링 바아의 폭을 일정하게 유지한 상태에서 각 노광 시의 상기 바아의 간격을 변화시키면서 도 6d에 도시한 패턴을 반복적으로 노광시킴으로써 실험적으로 증명되었다. 사용된 스캐터링 바아의 폭은 0.1미크론이었고 피쳐 D에 이용된 CD는 0.4미크론이었다. 상기 패턴은 1.06 미크론 두께의 OCG895i 포토레지스트층 위에서 ASM550/60 스테퍼 노광도구로써 노광되었다.The optimal spacing of the scattering bars was experimentally demonstrated by repeatedly exposing the pattern shown in FIG. 6D while varying the spacing of the bars during each exposure while keeping the width of the scattering bars constant. The scattering bar used was 0.1 microns wide and the CD used for feature D was 0.4 microns. The pattern was exposed with an ASM550 / 60 stepper exposure tool on a 1.06 micron thick OCG895i photoresist layer.

상기 과정을 4중극 및 고리형 조사로 0.32, 0.36, 0.40, 0.44, 및 0.48미크론의 간격에서 수행함으로써 스캐터링 바아의 최적 간격이 0.36 미크론임이 증명되었다. 달리말해 0.36 미크론의 거리에 배치된 0.10 미크론의 스캐터링 바아는 이격피쳐와 밀집피쳐의 전사된 CD가 실질적으로 동일해질 수 있도록 한다.The procedure was performed with quadrupole and annular irradiation at intervals of 0.32, 0.36, 0.40, 0.44, and 0.48 microns, demonstrating that the optimal spacing of the scattering bars is 0.36 microns. In other words, a 0.10 micron scattering bar placed at a distance of 0.36 microns allows the transferred CD of the spacing feature and the dense feature to be substantially identical.

모든 이격 가장자리로부터 0.36 미크론에 스캐터링 바아를 배치한 것의 효과가 표 1에 기재되어 있다. 표 1은 이격피쳐 A(도 6a), 조밀한 밀집피쳐 C(도 6c), 및 피쳐 D의 이격 가장자리로부터 0.36미크론에 배치된 스캐터링 바아(213)을 구비한 이격피쳐 D(도 6d)에 대한 현상된 레지스트 패턴들의 CD 측정치를 제공한다. 표 1은 또한 부분적으로 이격된 피쳐 B(도 6b) 및 피쳐 E의 이격 가장자리로부터 0.36 미크론에 배치된 스캐터링 바아(214)를 구비한 부분적 이격피쳐 E(도 6e)의 CD 측정치를 보여주고 있다. 이상적으로는 피쳐 D와 부분적 이격피쳐 E의 CD가 조밀한 밀집피쳐 C의 CD에 가까와야 한다.The effect of disposing a scattering bar at 0.36 microns from all spacing edges is shown in Table 1. Table 1 shows the separation feature D (FIG. 6D) with spacing feature A (FIG. 6A), dense dense feature C (FIG. 6C), and a scattering bar 213 disposed 0.36 microns from the separation edge of feature D. Provide CD measurements of developed resist patterns. Table 1 also shows CD measurements of partially spaced feature E (FIG. 6E) with partially spaced feature B (FIG. 6B) and scattering bars 214 disposed 0.36 microns from the spaced edge of feature E. FIG. . Ideally, the CD of feature D and the partially spaced feature E should be close to the CD of dense feature C.

피쳐heaver AA BB CC DD EE 사용된 노광(mJs)Exposure used (mJs) 135135 145145 155155 150150 150150 CD @ 상부(미크론)CD @ Top (micron) 0.2770.277 0.2700.270 0.2620.262 0.2590.259 0.2590.259 CD @ 하부(미크론)CD @ Bottom (micron) 0.3990.399 0.4030.403 0.3850.385 0.3790.379 0.3900.390 피쳐 C의 노광에너지에 대한 명목 노광차 %% Nominal exposure difference for exposure energy of feature C 12.9%12.9% 6.5%6.5% 0.%0.% 3.2%3.2% 3.2%3.2%

모든 CD의 측정은 도 6a, 6c 및 6d도에 보인 위치(210)에서 행하여졌다. 도 7a는 이 위치(210)의 확대된 단면도이다. 여기서 볼 수 있는 바와 같이 한 번의 CD 측정은 단면의 상부 근처, 구체적으로 단면 총 높이의 90%에서 행하여졌고, 또 한 번의 CD 측정은 위 단면의 하부 근처, 구체적으로 단면 높이의 10%에서 행하여졌다. 하부의 CD 측정이 상부에서의 그것보다 더 중요하게 여겨지는 점에 주목하여야 한다. 상부의 CD 측정은 측정되는 각 레지스트 패턴에서 참고로 할 수 있는 것일 뿐이다. 통상 좋은 레지스트 패턴은 상부와 하부 양자 모두에서 측정가능한 것이어야 한다. 만약 상부의 CD를 읽을 수가 없다면 레지스트 패턴이 초점에서 벗어나 있거나 사용된 노광 에너지가 적절하지 못한 것이다.All CD measurements were made at the location 210 shown in FIGS. 6A, 6C and 6D. 7A is an enlarged cross-sectional view of this location 210. As can be seen here, one CD measurement was made near the top of the cross section, specifically at 90% of the total cross section height, and another CD measurement was made near the bottom of the cross section, specifically at 10% of the cross section height. . It should be noted that the CD measurement at the bottom is considered more important than that at the top. The upper CD measurement is only a reference for each resist pattern to be measured. Typically a good resist pattern should be measurable at both top and bottom. If the upper CD cannot be read, the resist pattern is out of focus or the exposure energy used is not appropriate.

표 1의 노광 에너지들은 가능한 한 CD 측정치 0.4 미크론에 가까운(구체적으로 5% 이내) 것이 얻어지도록 선택되어진 것이다. 표 1에서 볼 수 있는 바와 같이 조밀하게 밀집된 피쳐 C(기준지형)의 하부 CD 측정치 0.385에 필요한 에너지는 155 밀리 주울(mJs)이다. 그러나 이격피쳐 A는 0.399 미크론의 하부 임계 디멘젼 측정치를 얻는 데에 135mJs를 필요로 한다. 이는 피쳐 A와 피쳐 C에 필요한 에너지 간의 차이가 12.9% 임을 의미한다. 이와 유사하게 부분적 이격피쳐 B는 하부 CD 측정치 0.403을 얻는 데 145mJs를 필요로 하는 데 그 결과 피쳐 B와 피쳐 C에 필요한 에너지가 6.5% 차이 난다. 이는 피쳐 A 및 피쳐 C 또는 B가 단일한 에너지 수준에 노광되는 동일 마스크 패턴 내에 존재한다면 상기 피쳐들의 CD가 불일치하게 될 것임을 의미한다.The exposure energies of Table 1 were chosen to be as close as possible to the CD measurement of 0.4 micron (specifically within 5%). As can be seen in Table 1, the energy required for 0.385 lower CD measurement of densely packed feature C (baseline) is 155 millimeter joules (mJs). Spacer A, however, requires 135 mJs to obtain a lower critical dimension measurement of 0.399 microns. This means that the difference between the energy required for feature A and feature C is 12.9%. Similarly, partial separation feature B requires 145 mJs to obtain a lower CD measurement of 0.403, resulting in a 6.5% difference in energy required for features B and C. This means that if features A and C or B are in the same mask pattern exposed to a single energy level, then the CDs of those features will be inconsistent.

반면, 스캐터되어진 피쳐 D 및 E에 대한 에너지 요구치는 피쳐 C에 대한 에너지 요구치에 보다 가깝다. 표 1을 참조하면, 피쳐 D와 E에서 0.379와 0.390의 하부 CD 측정치를 얻는 데에 각각 150mJs이 필요하다. 이로써 알 수 있듯이, 4중극 조사를 이용할 때 이격 가장자리로부터 0.36 미크론에 배치된 스캐터링 바아를 구비한 피쳐에 필요한 에너지 요구치는 기준피쳐의 에너지 필요치에 단지 3.2% 만이 차이난다. 그 결과 만약 피쳐 C, D, 및 E가 동일 마스크 패턴 내에 있다면 이들은 동일 에너지 세팅에서 거의 동일한 CD 측정치를 가지는 레지스트층에 전사되어질 것이다. 이렇게 하여 임계 디멘젼의 균일성이 얻어진다.In contrast, the energy requirements for scattered features D and E are closer to the energy requirements for feature C. Referring to Table 1, 150 mJs are required to obtain lower CD measurements of 0.379 and 0.390 in features D and E, respectively. As can be seen, when using quadrupole irradiation, the energy requirements for features with scattering bars placed 0.36 microns away from the marginal edge differ only by 3.2% from the energy requirements of the reference feature. As a result, if features C, D, and E are in the same mask pattern, they will be transferred to a resist layer with nearly identical CD measurements at the same energy setting. In this way, uniformity of critical dimensions is obtained.

따라서, 본 발명의 일 실시예에 있어서 스캐터링 바아의 최적 간격은 바람직하게는 CD의 90%로 설정되어진다. 여기서 상기 CD는 오프-액시스 조사를 이용한 노광도구의 해상도 한계에 근접한 것이다. 달리말해 0.40 미크론의 해상도 한계를 가지는 노광도구에서 최적 간격의 한계는 0.36 미크론이고, 0.50 미크론의 해상도 한계를 가지는 노광도구에서 최적 간격의 한계는 0.45 미크론이다. 유사한 실험적 증명에 의하면 상기한 바와 같은 발견이 고리형 조사에서도 들어 맞는 것으로 나온다.Thus, in one embodiment of the present invention the optimal spacing of the scattering bars is preferably set to 90% of the CD. The CD is close to the resolution limit of the exposure tool using off-axis irradiation. In other words, the limit of the optimum spacing for an exposure tool with a resolution limit of 0.40 micron is 0.36 micron, and the limit of the optimum distance for an exposure tool with a resolution limit of 0.50 micron is 0.45 micron. Similar experimental evidence suggests that the above findings are also true for cyclic investigations.

일단 최적 간격이 결정되면 그 폭이 선택되어진다. 이러한 방법으로 스캐터링 바아는 우선 근접효과를 줄이기 위하여 최적화되어지고, 다음으로 증가된 DOF 범위를 얻기 위하여 최적화되어진다. 스캐터링 바아의 폭은 피쳐의 DOF 범위에 강한 영향을 미친다. 스캐터링 바아의 최적 폭은 최적 간격에서와 유사한 방법으로 결정되어진다. 구체적으로, 각 노광에 대한 스캐터링 바아의 폭을 변화시키고 스캐터링 바아의 간격을 일정하게 유지하면서, 도 6에 도시한 패턴을 반복하여 노광한다. 스캐터링 바아의 선택 간격은 상기에서 결정된 소정의 최적 세팅, 즉 0.36 미크론에 두어진다. 피쳐 D에 이용되는 CD는 0.4 미크론이다. 상기 패턴은 ASM 550/60 스테퍼 노광도구로 1.06 미크론 두께의 OCG 895i 포토레지스트층 위에서 노광되어진다.Once the optimum interval is determined, the width is chosen. In this way, the scattering bar is first optimized to reduce the proximity effect and then optimized to obtain increased DOF range. The width of the scattering bar has a strong influence on the DOF range of the feature. The optimal width of the scattering bar is determined in a similar way as at the optimum spacing. Specifically, the pattern shown in Fig. 6 is repeatedly exposed while varying the width of the scattering bar for each exposure and keeping the spacing between the scattering bars constant. The spacing of the scattering bars is placed at the predetermined optimum setting determined above, i.e. 0.36 micron. The CD used for feature D is 0.4 micron. The pattern is exposed on a 1.06 micron thick OCG 895i photoresist layer with an ASM 550/60 stepper exposure tool.

0.08, 0.10, 0.15, 및 0.20 미크론의 폭을 가진 스캐터링 바아가 4중극 및 고리형 조사방법에서 시험되어졌다. 0.40 미크론의 해상도 한계를 가진 노광도구를 이용할 때 0.20 미크론보다 넓은 어떤 스캐터링 바아도 해상가능해진다. 따라서 0.20 미크론보다 넓은 스캐터링 바아는 시험하지 않았다.Scattering bars with widths of 0.08, 0.10, 0.15, and 0.20 microns were tested in quadrupole and annular irradiation methods. When using an exposure tool with a resolution limit of 0.40 micron, any scattering bar wider than 0.20 micron becomes resolvable. Therefore scattering bars wider than 0.20 micron were not tested.

CD위치CD location 이격피쳐ASpacing Feature A 밀집피쳐CDense Feature C 스캐터된 피쳐 D의 바아 폭(미크론)Bar width (in microns) of scattered feature D 0.080.08 0.100.10 0.150.15 0.200.20 노광(mJs)Exposure (mJs) 135135 155155 150150 150150 150150 150150 디포커스@-2.50㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2090.3700.2090.370 디포커스@-2.00㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2080.3700.2080.370 디포커스@-1.50㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2210.3710.2210.371 0.1480.3900.1480.390 디포커스@-1.00㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2310.3840.2310.384 0.2400.3820.2400.382 0.2100.3700.2100.370 0.2130.3760.2130.376 0.1970.3880.1970.388 0.2070.3880.2070.388 디포커스@-0.50㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2690.4090.2690.409 0.2560.3910.2560.391 0.2520.3860.2520.386 0.2500.3870.2500.387 0.2360.3900.2360.390 0.2320.3910.2320.391 디포커스@ 0.00㎛Defocus @ 0.00㎛ TBTB 0.2770.3990.2770.399 0.2620.3850.2620.385 0.2670.3800.2670.380 0.2590.3830.2590.383 0.2440.3940.2440.394 0.2370.3940.2370.394 디포커스@+0.50㎛Defocus@+0.50㎛ TBTB 0.2610.3570.2610.357 0.2510.3730.2510.373 0.2430.3490.2430.349 0.2430.3590.2430.359 0.2390.3780.2390.378 0.2340.3920.2340.392 디포커스@+1.00㎛Defocus@+1.00㎛ TBTB 0.2330.3580.2330.358 0.2030.3520.2030.352 0.2100.3870.2100.387 디포커스@+1.50㎛Defocus@+1.50㎛ TBTB 0.2150.3560.2150.356 디포커스@+2.00㎛Defocus@+2.00㎛ TBTB 0.2070.3790.2070.379

표 2는 0.08 미크론에서 0.20 미크론 범위의 스캐터링 바아 폭을 가지는 피쳐 A, C 및 D에 대한 측정된 CD(@상이한 디포커스 세팅)를 보여준다. 상기 디포커스 세팅은 이상적인 초점으로부터 멀어져 있는 실제 초점의 방향과 거리를 가리킨다. 예컨데 +0.50 미크론의 디포커스 세팅은 초점이 이상적인 초점의 중앙으로부터 0.5 미크론 벗어나 있음을 의미한다. '+' 부호는 상기 초점이 레지스트층을 향하여 조정되어진 것을 보인다. '-' 부호는 초점이 그 반대방향으로 움직인 것을 가리킨다. 상기한 방법으로 노광과정에서 미리 초점을 설정해 둠으로써 뒤에 얻은 CD는 DOF 거동을 가리키는 것으로 계산되어질 수 있다. 이는 당 업계에서 노광도구 DOF의 거동 계산에 사용하는 전형적인 방법이다.Table 2 shows measured CDs (@different defocus settings) for features A, C, and D with scattering bar widths ranging from 0.08 microns to 0.20 microns. The defocus setting indicates the direction and distance of the actual focus away from the ideal focus. For example, a defocus setting of +0.50 microns means that the focus is 0.5 microns away from the center of the ideal focus. The '+' sign shows that the focus is adjusted toward the resist layer. The minus sign indicates that the focus has moved in the opposite direction. By setting the focus in advance during the exposure process in the above manner, the CD obtained later can be calculated to indicate DOF behavior. This is a typical method used in the art to calculate the behavior of exposure tool DOF.

CD는 도 7a와 관련하여 설명한 것과 같은 위치에서 취해진다. 수용가능한 하부 CD의 기준은 표적 CD의 +/- 10%이다. 상부 CD는 적어도 표적 CD의 1/3 보다는 큰 것이 바람직하다. CD의 측정치는 수용가능한 범위 내의 것에 대해서만 주어진다. 예컨데, -1.50 미크론의 디포커스에서 피쳐 C의 CD 측정치는 수용가능한 범위가 아니기에 CD 측정치가 주어지지 않는다. DOF 범위는 수용가능한 디멘젼 결과가 나오도록 하는 모든 디포커스 세팅을 포함하도록 하여 측정되어졌다. 예컨데 이격피쳐 A의 DOF 범위는 -1.00 에서 +0.50까지 1.50 미크론 범위이다. 그러나 조밀한 피쳐 C의 DOF는 -2.50으로부터 +2.00까지 4.5 미크론 범위를 나타낸다.The CD is taken at the same location as described with respect to FIG. 7A. Acceptable baseline CD is +/- 10% of target CD. The upper CD is preferably at least greater than one third of the target CD. Measurements of the CD are given only for those within an acceptable range. For example, a CD measurement of feature C at a defocus of -1.50 microns is not an acceptable range and no CD measurement is given. The DOF range was measured to include all defocus settings that result in acceptable dimension results. For example, the DOF range for feature A is in the range of 1.50 microns from -1.00 to +0.50. However, the DOF of dense feature C ranges from -2.50 to +2.00 in the 4.5 micron range.

이격피쳐 A와 조밀하게 밀집된 피쳐 C의 DOF범위 비교는 오프-액시스 조사가 조밀하게 밀집된 피쳐에서 DOF 범위를 증가시키는 것을 보여주나 이격피쳐에서의 증가된 DOF 범위는 보여주지 않는다. 여기서 볼 수 있는 바와 같이 조밀한 피쳐의 DOF범위(4.5미크론)는 이격피쳐의 DOF범위(1.5미크론)의 2배 이상이다.Comparison of the DOF ranges of the spacing feature A with the densely packed feature C shows that the off-axis irradiation increases the DOF range in the densely packed feature but does not show the increased DOF range in the spacing feature. As can be seen here the DOF range (4.5 microns) of dense features is more than twice the DOF range (1.5 microns) of the spaced feature.

또한 표 2는 피쳐 D의 스캐터링 바아 폭을 변화시키는 것이 DOF 범위에 영향을 미친다는 것을 보여준다. 표 2를 참조하면 0.08 미크론과 0.10 미크론의 스캐터링 바아는 DOF 범위를 이격피쳐의 DOF 범위(지형A), 즉 1.50 미크론과 같게 한다. 그러나 0.15 미크론의 스캐터링 바아 폭을 가지는 피쳐 D는 약간 증가된 DOF 범위, 즉 2.00 미크론을 갖는다. 0.20 미크론의 스캐터링 바아는 피쳐 D의 DOF 범위를 가장 크게 개선시킨다. 상기 범위는 -1.50에서 +1.00미크론(2.50미크론의 DOF범위)인데, 이는 이격피쳐 A와 비교했을 때 1미크론의 증가이다. 1미크론의 DOF증가는 프로세싱 윈도(processing window)를 상당히 확장시킬 수 있는 것이다.Table 2 also shows that changing the scattering bar width of feature D affects the DOF range. Referring to Table 2, a scattering bar of 0.08 microns and 0.10 microns makes the DOF range equal to the DOF range of the spaced feature (terrain A), i.e. 1.50 microns. However, feature D with a scattering bar width of 0.15 microns has a slightly increased DOF range, i.e., 2.00 microns. A scattering bar of 0.20 microns greatly improves the DOF range of feature D. The range is -1.50 to +1.00 microns (DOF range of 2.50 microns), which is an increase of 1 micron when compared to spaced feature A. Increasing the DOF of 1 micron can significantly expand the processing window.

따라서, 상기 판단으로부터, 본 발명의 일 실시예에서 피쳐 가장자리로부터의 스캐터링 바아의 최적 간격은 약 0.20 미크론의 폭을 가진 회로설계의 CD의 90%이다.Thus, from the above judgment, in one embodiment of the present invention the optimal spacing of the scattering bars from the feature edge is 90% of the CD of the circuit design with a width of about 0.20 microns.

스캐터링 바아의 배치는 연합된 CD에 의존하는 특정회로설계에 있어 비례축소, 확대가 가능한 것이다. 이는 본 발명의 스캐터링 바아 마스크 기술이 용이하게 실현되어지게 하는 것이다.Scattering bar placement allows scaling and scaling for specific circuit designs that rely on associated CDs. This allows the scattering bar mask technology of the present invention to be easily realized.

예컨데 0.40 미크론의 CD 회로설계에서의 스캐터링 바아 배치는 0.36 미크론인 반면 0.50 미크론 회로설계에서의 최적 간격은 0.45 미크론이다.For example, the scattering bar layout for a 0.40 micron CD circuit design is 0.36 microns while the optimum spacing for a 0.50 micron circuit design is 0.45 microns.

CD의 90%와 동등한 간격과 0.2 미크론의 폭이 오프-액시스 조사에 대해서 최적인 점이 주목되어져야 한다. 이와 대조적으로 미국특허 번호5,242,770에서는 CD 측정치의 1.1배에 해당하는 간격과 CD 측정치의 1/5에 해당하는 폭을 선택힌다.It should be noted that a spacing equal to 90% of the CD and a width of 0.2 microns is optimal for off-axis irradiation. In contrast, US Pat. No. 5,242,770 selects an interval equal to 1.1 times the CD measurement and a width equal to 1/5 the CD measurement.

표 3에는 1) 본 발명에 의해 개시된 스캐터링 바아 폭과 바아 간의 간격을 가지는(폭=0.2미크론이고 바아 간의 간격=0.36미크론) 피쳐 D; 및 2) 미국특허 번호5,242,770에 의해 개시된 스캐터링 바아 폭과 바아 간의 간격을 가지는(폭=0.08미크론이고 바아 간의 간격은 0.44미크론) 피쳐 D에 대하여 다양한 디포커스 세팅에서의 CD 측정치가 주어져 있다. 4중극형 조사가 상기 표 2와 관련하여 기술하였던 바와 같은 공정조건에서 이용되어진다.Table 3 includes: 1) feature D with the spacing between the scattering bar width and the bar disclosed by the present invention (width = 0.2 micron and spacing between bars = 0.36 micron); And 2) CD measurements at various defocus settings are given for feature D with scattering bar width and bar spacing disclosed in US Pat. No. 5,242,770 (width = 0.08 micron and spacing between bars 0.44 micron). Quadrupole irradiation is used under process conditions as described in connection with Table 2 above.

CD위치CD location 이격피쳐ASpacing Feature A 스캐터된 피쳐D(폭=0.2㎛)(간격=0.36㎛)Scattered Feature D (Width = 0.2 μm) (Spacing = 0.36 μm) 스캐터된 피쳐D(폭=0.08㎛)(간격=0.44㎛)Scattered Feature D (Width = 0.08 μm) (Spacing = 0.44 μm) 노광(mJs)Exposure (mJs) 135135 150150 140140 디포커스@-1.50㎛[email protected]㎛ TBTB 0.1480.3900.1480.390 디포커스@-1.00㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2310.3840.2310.384 0.2070.3880.2070.388 0.2120.3540.2120.354 디포커스@-0.50㎛[email protected]㎛ TBTB 0.2690.4090.2690.409 0.2320.3910.2320.391 0.2570.3820.2570.382 디포커스@ 0.00㎛Defocus @ 0.00㎛ TBTB 0.2770.3990.2770.399 0.2370.3940.2370.394 0.2710.3940.2710.394 디포커스@+0.50㎛Defocus@+0.50㎛ TBTB 0.2610.3570.2610.357 0.2340.3920.2340.392 0.2570.3820.2570.382 디포커스@+1.00㎛Defocus@+1.00㎛ TBTB 0.2100.3870.2100.387

표 3은 미국특허 번호5,242,770에서 추천한 스캐터링 바아 폭과 바아 간 간격을 가지는 피쳐 D의 DOF 범위가 단 1.5 미크론(-1.0미크론 에서 0.50미크론)인 것을 보여주고 있다. 이는 이격피쳐 A의 DOF 범위와 같다. 명백히, 미국특허 번호5,242,770에서의 스캐터링 바아는 오프-액시스 조사에서 피쳐의 DOF 범위에 전혀 영향을 미치지 못한다.Table 3 shows that the DOF range of feature D with scattering bar width and bar spacing recommended in US Pat. No. 5,242,770 is only 1.5 microns (-1.0 micron to 0.50 micron). This is equal to the DOF range of the spaced feature A. Clearly, the scattering bar in US Pat. No. 5,242,770 has no effect on the DOF range of the feature in off-axis irradiation.

이와는 대조적으로 본 발명의 바아 폭과 바아 간격을 가지는 스캐터링 바아를 구비한 피쳐 D의 DOF 범위는 2.50 미크론(-1.50 미크론에서 1.00미크론)인데, 이는 이격피쳐의 경우 및 미국특허 번호5,242,770에 개시된 기준에 따라 바아 간 간격이 맞추어진 경우로부터 DOF범위에서 1.0미크론 증가한 것이다.In contrast, the DOF range of feature D with scattering bars with bar width and bar spacing of the present invention is 2.50 microns (-1.50 microns to 1.00 microns), which is the case for spaced features and the criteria disclosed in US Pat. No. 5,242,770. This is an increase of 1.0 micron in the DOF range from the bar-to-bar spacing.

따라서 본 발명은 1)근접효과를 감소시키고 2)이격피쳐에서의 DOF 범위를 증가시켜 밀집된 피쳐의 DOF 범위에 근접할 정도로 노광도구의 '이용가능한'해상도 한계를 낮추는, 오프-액시스 조사로 이격 및 밀집된 피쳐를 전사시키는 마스크 방법을 제공한다. 마스크 방법은 이격된 가장자리에 인접한 해상불가능한 라인을 제공하는 것을 포함한다. 상기 라인은 근접효과를 감소시키는 간격과 이격피쳐의 DOF를 증가시키는 폭을 가진다.Thus, the present invention is directed to an off-axis irradiation that reduces the proximity effect and reduces the 'available' resolution limit of the exposure tool to close to the DOF range of the dense feature by increasing the DOF range in the spacing feature. A mask method is provided for transferring dense features. The mask method includes providing a non-resolution line adjacent to the spaced edges. The line has a width that increases the DOF of the spacing feature and spacing that reduces the proximity effect.

다양한 크기를 가진 콘택의 DOF 및 강도 일치Match DOF and strength of contacts with different sizes

오프-액시스 조사에서 기인하는 또 하나의 현상은 콘택 크기가 노광도구의 해상도 한계에 근접해 가는 경우 DOF가 콘택 크기에 의존하는 점이다.Another phenomenon resulting from off-axis irradiation is that the DOF depends on the contact size as the contact size approaches the resolution limit of the exposure tool.

오프-액시스와 온-액시스 조사에서 보다 작은 콘택에서의 강도 수준이 때때로 회절효과때문에 제한되어진다는 점이 주목되어지고 있다. 그 결과 동일한 주어진 노광에너지 세팅에서 보다 큰 콘택의 레지스트층에서 측정되는 에너지 강도 수준이 보다 작은 콘택의 레지스트층에서 측정되는 에너지 강도 수준보다 더욱 크다. 이는 보다 큰 콘택의 명목 노광 에너지 세팅이 보다 작은 콘택의 명목 에너지 수준 세팅과 다름을 의미한다. 결국, 작고 큰 콘택 모두를 가지는 마스크에서 하나는 최적으로 전사되나 다른 하나는 그렇지 못하게 된다.It is noted that the intensity levels at smaller contacts in off-axis and on-axis irradiation are sometimes limited due to the diffraction effect. As a result, the energy intensity level measured in the resist layer of the larger contact at the same given exposure energy setting is greater than the energy intensity level measured in the resist layer of the smaller contact. This means that the nominal exposure energy setting of the larger contact is different from the nominal energy level setting of the smaller contact. As a result, in a mask with both small and large contacts, one is optimally transferred while the other is not.

이 문제를 극복하기 위하여 미국특허 번호5,256,505는 보다 큰 콘택 피쳐 내에 반대되는 투명성의 해상불가능한 라인을 추가함으로써 보다 큰 콘택의 강도 수준을 약화시키는 마스크 기술을 제공한다. 그 결과 보다 큰 콘택의 명목 에너지 요구치는 보다 작은 콘택의 에너지 요구치와 같아지게 된다. 이러한 해결책은 온과 오프-액시스 양자에 모두 사용되어질 수 있는 것이다. 그러나 오프-액시스 조사에서 높은 피이크 조사강도 수준일수록 더 나은 DOF 범위가 산출되어진다는 것으로 판명되었다. 결국, 미국특허번호 5,256,505에서와 같이 강도 수준을 약화시키는 것은 오프-액시스 조사에 의해 제공되는 장점인 DOF의 증가 가능성을 제한하는 것이다. 본 발명은 보다 작은 콘택에서의 강도 수준을 증가시키는 해결책을 제공한다. 이러한 방법으로 오프-액시스 조사에서의 최적 DOF 범위가 얻어진다.To overcome this problem, US Pat. No. 5,256,505 provides a mask technique that weakens the intensity levels of larger contacts by adding opposite resolution lines of transparency within larger contact features. As a result, the nominal energy requirements of larger contacts are equal to the energy requirements of smaller contacts. This solution can be used for both on and off-axis. However, in the off-axis irradiation, it was found that the higher the peak irradiation intensity level, the better the DOF range was produced. As a result, weakening the strength level, as in US Pat. No. 5,256,505, limits the possibility of increasing DOF, which is an advantage provided by off-axis irradiation. The present invention provides a solution for increasing the level of strength in smaller contacts. In this way an optimum DOF range in the off-axis irradiation is obtained.

도 8은 정방형 콘택 A, 장방형 콘택 B, 및 확장된 콘택 C의 세가지 전형적인 콘택을 도시한다. 콘택 A의 변들은 회로설계의 CD와 거의 같다. 이와 유사하게 콘택 B의 폭은 회로의 임계 디멘젼과 거의 같다.8 illustrates three typical contacts: square contact A, rectangular contact B, and extended contact C. FIG. The sides of contact A are almost identical to the CD of the circuit design. Similarly, the width of contact B is approximately equal to the critical dimension of the circuit.

또한 도 8은 콘택 D와 E가 각각 본 발명의 안티-스캐터링 바아를 구비한 것을 도시한다. 상기 안티-스캐터링 바아는 콘택과 동일한 투명성을 가진다. 구체적으로 이들은 노광 중에 빛을 통과시킨다. 안티-스캐터링 바아는 보다 작은 콘택의 강도 수준을 증가시켜 보다 큰 콘택의 그것과 일치되도록 만든다. 그 결과 피쳐 D는 피쳐 B와 거의 동일한 에너지 요구치를 가진다. 이와 유사하게 피쳐 E는 피쳐 C와 거의 동일한 에너지 요구치를 가진다. 안티-스캐터링 바아는 본 발명의 스캐터링 바아에서와 같이 해상불가능한 폭을 가지도록 설계되어진다.8 also shows that contacts D and E each have an anti-scattering bar of the present invention. The anti-scattering bar has the same transparency as the contact. Specifically, they pass light during exposure. Anti-scattering bars increase the strength level of smaller contacts to match that of larger contacts. As a result, feature D has almost the same energy requirement as feature B. Similarly feature E has almost the same energy requirement as feature C. The anti-scattering bar is designed to have a resolution that is not resolvable as in the scattering bar of the present invention.

상기 안티-스캐터링 바아는 4중극형의 조사가 이용되어질 때 콘택의 강도 수준을 증가시키는 효과를 가지는 반면에, 온-액시스 또는 고리형 조사가 이용될 때 강도 수준에 최소의 효과를 가진다는 점이 주목되어져야 한다. 따라서 본 발명의 안티-스캐터링 바아의 개선은 4중극 조사에서 가장 효과적이다.The anti-scattering bar has the effect of increasing the strength level of the contact when a quadrupole type of radiation is used, whereas it has a minimal effect on the strength level when on-axis or cyclic irradiation is used. It should be noted. Thus, the improvement of the anti-scattering bar of the present invention is most effective in quadrupole irradiation.

본 발명의 안티-스캐터링 바아의 최적 간격과 폭은 위에서 설명한 것과 유사한 방법을 통하여 실험적으로 판명된다. 본 발명 안티-스캐터링 바아의 최적 간격은 0.36 미크론이고 최적 폭은 0.15 - 0.10 미크론이다.The optimal spacing and width of the anti-scattering bar of the present invention are found experimentally by a method similar to that described above. The optimal spacing of the present anti-scattering bars is 0.36 microns and the optimum width is 0.15-0.10 microns.

표 4는 0.15 미크론의 폭과 0.36 미크론의 간격을 가지는 안티-스캐터링 바아(215)을 구비한 정방형 콘택 A, 장방형 콘택 B, 및 정방형 콘택 C에서의 CD 측정치와 관련 명목 에너지 요구치를 제공한다. 노광에너지는 0.40 미크론의 5% 내인 CD들이 얻어지도록 선택되었다.Table 4 provides CD measurements and associated nominal energy requirements for square contact A, square contact B, and square contact C with anti-scattering bars 215 having a width of 0.15 microns and a spacing of 0.36 microns. The exposure energy was chosen so that CDs within 5% of 0.40 micron were obtained.

피쳐heaver AA BB CC 사용된 노광(mJs)Exposure used (mJs) 240240 160160 170170 CD@상부(미크론)CD@하부(미크론)CD @ Upper (micron) CD @ Lower (micron) 0.5370.3860.5370.386 0.5210.4020.5210.402 0.5070.3820.5070.382 피쳐 B의 노광에너지에 대한 명목 노광차 %% Nominal exposure difference with respect to exposure energy of feature B 50%50% 0%0% 6.2%6.2%

상부 및 하부 CD 측정은 도 7b에서 도시한 바대로 되어졌다.Upper and lower CD measurements were made as shown in FIG. 7B.

레지스트 층 내에서 콘택 마스크의 패턴은 제7b도에 도시된 바와 같이 '트렌치' 또는 '홀' 단면을 형성하는 점이 주목되어져야 한다. 그 결과 하부 CD가 콘택 구멍의 크기를 결정하기 때문에 하부 CD가 상부의 그 것보다 더욱 중요해지게 된다. 상부 CD는 콘택 단면의 질을 표시하는 데에 이용된다. 도 7b에 도시한 바와 같이 상부 CD는 단면 총 높이의 90%에서 얻고 하부 CD는 단면 총 높이의 10%에서 얻는다.It should be noted that the pattern of the contact mask in the resist layer forms a 'trench' or 'hole' cross section as shown in FIG. 7B. As a result, the lower CD becomes more important than that of the upper because the lower CD determines the size of the contact hole. The upper CD is used to indicate the quality of the contact cross section. As shown in FIG. 7B, the upper CD is obtained at 90% of the cross-sectional total height and the lower CD is obtained at 10% of the total cross-sectional height.

표 4는 정방형 콘택(피쳐A)에 있어 그 에너지 요구치가 240mJs, 그 상부 CD가 0.537, 하부 CD가 0.386미크론인 것을 보여준다. 비교하여 볼 때, 장방형 콘택(피쳐B)이 0.521미크론의 상부CD 및 0.402미크론의 하부 CD를 얻기 위해 160mJs 를 필요로 하여, 논-스캐터 정방형(피쳐A)과 장방형 콘택(피쳐B) 간의 에너지 요구치의 차이가 50%인 것이 나타난다. 그러나 0.507의 상부 CD측정치와 0.382미크론의 하부CD측정치를 얻기 위한, 안티-스캐터링 바아(215)를 구비한 정방형 콘택 D의 에너지 요구치는 170 mJs이다. 이는 안티-스캐터링 바아를 구비한 정방형 콘택과 장방형 콘택 간의 에너지 차이가 단지 6.2%인 것을 가리킨다. 이는 피쳐 D 및 B의 양자를 포함하고 있는 마스크에서 유사한 CD가 얻어질 수 있다는 점을 가리킨다.Table 4 shows that for a square contact (feature A), its energy requirement is 240 mJs, its upper CD is 0.537 and its lower CD is 0.386 microns. In comparison, the rectangular contact (feature B) needs 160 mJs to obtain a 0.521 micron top CD and a 0.402 micron bottom CD, so the energy between the non-scattered square (feature A) and the rectangular contact (feature B) The difference in demand is 50%. However, the energy requirement of square contact D with anti-scattering bar 215 to obtain a top CD measurement of 0.507 and a bottom CD measurement of 0.382 microns is 170 mJs. This indicates that the energy difference between the square contact with the anti-scattering bar and the rectangular contact is only 6.2%. This indicates that a similar CD can be obtained in the mask containing both of features D and B.

어떠한 조사기술을 이용하는 포토리소그래피 공정에 있어서도 콘택의 강도를 증가시키면 그 DOF 또한 증가되어진다. 이는 표 5에서 설명되어진다. 표 5는 0.36미크론의 간격과 0.15미크론의 폭을 가지는 안티-스캐터링 바아를 구비한 논-스캐터 정방형 콘택 A, 장방형 콘택 B, 및 정방형 콘택 D의 DOF 범위를 비교한 것이다. 노광 에너지는 CD측정치가 0.40미크론의 5% 내에 있도록 선택되어졌다.In a photolithography process using any irradiation technique, increasing the strength of the contact also increases the DOF. This is illustrated in Table 5. Table 5 compares the DOF ranges for non-scattered square contacts A, rectangular contacts B, and square contacts D with anti-scattering bars having a spacing of 0.36 microns and a width of 0.15 microns. The exposure energy was chosen such that the CD measurement was within 5% of 0.40 microns.

CD위치CD location 정방형 콘택Square contacts 장방형 콘택Rectangle contacts ABS 정방형 콘택ABS square contacts AA BB DD 노광(mJs)Exposure (mJs) 240240 160160 170170 디포커스@-1.00㎛[email protected]㎛ TBTB 0.5380.3270.5380.327 디포커스@-0.80㎛[email protected]㎛ TBTB 0.5340.3850.5340.385 0.4830.3620.4830.362 디포커스@-0.30㎛[email protected]㎛ TBTB 0.5240.4150.5240.415 0.5250.4090.5250.409 0.4990.3630.4990.363 디포커스@ 0.00㎛Defocus @ 0.00㎛ TBTB 0.5370.3860.5370.386 0.5210.4020.5210.402 0.5070.3820.5070.382 디포커스@+0.30㎛Defocus@+0.30㎛ TBTB 0.5250.3520.5250.352 0.5040.3250.5040.325

표 5는 콘택 A의 DOF범위가 0.30(0.00미크론에서 -0.30미크론)인 것을 보여준다. 따라서 콘택 A는 상기한 바와 같은 짧은 DOF 범위를 보충하기 위해 더욱더 큰 노광 에너지(240mJs)를 필요로 한다. 만약 콘택 A가 콘택 B와 같은 노광 에너지인 160mJs로 현상되어진다면 콘택 A는 충분히 현상되어지지 않을 것이다. 반대로 장방형 콘택 B의 DOF 범위는 1.30미크론(0.30미크론에서 -1.00미크론)인데, 이는 정방형 콘택에서보다 훨씬 큰 것이다. 안티-스캐터링 바아(215)를 구비한 정방형 콘택 D의 DOF 범위(콘택 B에서와 거의 같은 노광에너지에서)는 1.10미크론(0.30미크론에서 -0.80미크론)인데 이는 장방형 콘택에서보다는 약간 작은 것이다. 알 수 있듯이, 스캐터링 바아를 구비한 정방형 콘택이 스캐너링 바아를 구비하지 못한 정방형 콘택에 비해 더 장방형 콘택과 유사하게 현상되어진다.Table 5 shows that the DOF range of Contact A is 0.30 (0.00 microns to -0.30 microns). Contact A thus requires even greater exposure energy (240 mJs) to compensate for the short DOF range as described above. If contact A is developed at 160 mJs, which is the same exposure energy as contact B, contact A may not be developed sufficiently. In contrast, the DOF range for rectangular contact B is 1.30 microns (0.30 microns to -1.00 microns), which is much larger than for square contacts. The DOF range of the square contact D with anti-scattering bar 215 (at about the same exposure energy as in contact B) is 1.10 microns (0.30 microns to -0.80 microns), which is slightly smaller than in a rectangular contact. As can be seen, a square contact with a scattering bar is developed more like a rectangular contact than a square contact without a scanner bar.

따라서 본 발명의 일 실시예에 있어서, 안티-스캐터링 바아는 콘택 구멍으로부터 회로설계 CD의 90%에 해당하는 거리에 배치된다. 스캐터링 바아의 폭은 CD의 30% - 50%와 같다. 예컨데, 0.40미크론의 CD를 가지는 회로설계에서 스캐터링 바아의 폭은 약 0.15미크론이고 그 배치간격은 0.36미크론이다.Thus, in one embodiment of the present invention, the anti-scattering bars are arranged at a distance corresponding to 90% of the circuit design CD from the contact holes. The width of the scattering bar is equal to 30% -50% of the CD. For example, in a circuit design with a 0.40 micron CD, the scattering bar is about 0.15 microns wide and its spacing is 0.36 microns.

온-액시스 또는 고리형 조사를 이용하면서 마스크에 안티-스캐터링 바아를 부가하면 동일 결과가 나오지 않는 점을 주목하여야 한다. 구체적으로 본 발명의 안티-스캐터링 바아는 4중극 조사와 함께 이용되어질 때라야만 조사강도 수준을 많이 올릴 수 있다는 점이 주목되어야 한다. 나아가 본 발명의 스캐터링 바아와 유사하게 안티-스캐터링 바아는 특정 설계 룰 CD까지 비례축소, 확대되어질 수 있다는 점이 주목되어져야 한다. 이는 콤퓨터 보조 디자인(CAD) 회로 배치 산출이 IC 배치설계에 스캐터링 및 안티-스캐터링 바아를 부가하는 알고리듬을 포함하도록 쉽게 변경되어질 수 있음을 의미한다.It should be noted that adding anti-scattering bars to the mask using on-axis or annular irradiation does not yield the same results. In particular, it should be noted that the anti-scattering bar of the present invention can raise the irradiation intensity level only when used with quadrupole irradiation. Furthermore, it should be noted that similar to the scattering bar of the present invention, the anti-scattering bar can be scaled up and down to a specific design rule CD. This means that computer aided design (CAD) circuit layout calculations can be easily modified to include algorithms that add scattering and anti-scattering bars to the IC layout design.

비록 본 발명이 몇 개의 실시예와 관련하여 설명되어졌지만 다양한 다른 방법들을 통하여 실시되어질 수 있음을 알 수 있다. 실시예에서 나타난 본 발명의 개념은 엄격하게 반도체 공정에만 적용되는 것이 아니라 모든 포토리소그래피 공정에 적용되어질 수 있는 것이다. 따라서 도면을 통하여 설명되고 도시된 특정 실시예들은 한정적인 것으로 간주되기 위한 것이 결코 아니었음을 알 수 있다. 이러한 실시예들의 세부사항에 대한 참조부호는, 본 발명에 필수적인 것으로 여겨지는 특징들 만을 열거한 특허청구의 범위를 한정하려는 것이 아니다.Although the present invention has been described in connection with several embodiments, it can be appreciated that it can be practiced through various other methods. The concept of the invention shown in the examples is not strictly applied to semiconductor processes but to all photolithography processes. Thus, it can be seen that the specific embodiments described and shown through the drawings are by no means intended to be limiting. Reference numerals to details of these embodiments are not intended to limit the scope of the claims, which list only the features regarded as essential to the invention.

본 발명에 따른 마스크는 특정 피쳐들간의 CD 차이를 최소화하고 초점심도를 증가시킬 수 있다.The mask according to the present invention can minimize the CD difference between certain features and increase the depth of focus.

Claims (16)

집적회로에 대응하는 리소그래피 패턴을 마스크로부터 반도체 기판 위에 광학적으로 전사하는 데에 이용되는 장치에서, 상기 장치는 4중극 조사를 이용하고, 상기 패턴은 하나이상의 피쳐를 포함하는 경우에;In an apparatus used to optically transfer a lithographic pattern corresponding to an integrated circuit from a mask onto a semiconductor substrate, the apparatus uses quadrupole irradiation, wherein the pattern comprises one or more features; 하나이상의 피쳐에 인접하여 이를 둘러싸고, 상기 하나이상의 피쳐의 모든 가장자리로부터 소정의 거리에 배치되고 상기 하나이상의 피쳐와 같은 투명성을 가지고, 상기 하나이상의 피쳐의 초점심도가 증가되도록 그 폭이 선택되어지는 추가피쳐를 포함하여 구성되어진 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.An additional width that is selected so as to be adjacent to and surround one or more features, disposed at a distance from all edges of the one or more features, and have the same transparency as the one or more features, the width of which is selected to increase the depth of focus of the one or more features; Improved mask, characterized in that it comprises a feature. 제1항에 있어서, 상기 기판에 전사되지 않도록 하기 위하여 상기 폭은 노광도구의 해상도보다 좁은 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.2. The improved mask as recited in claim 1, wherein said width is narrower than a resolution of an exposure tool to prevent transfer to said substrate. 제2항에 있어서, 상기 폭이 상기 장치의 온-액시스 조사 해상도 한계의 1/3인 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.3. The improved mask according to claim 2, wherein said width is one third of the on-axis irradiation resolution limit of said device. 제2항에 있어서, 상기 하나이상의 피쳐가 소정의 최소 디멘젼을 가지고 상기 소정의 거리는 상기 최소 디멘젼의 90%인 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.3. The improved mask of claim 2, wherein said at least one feature has a predetermined minimum dimension and said predetermined distance is 90% of said minimum dimension. 제1항에 있어서, 상기 패턴은 제1피쳐와 제2피쳐를 가지고, 상기 제1 및 제2의 피쳐는 각각 연합된 DOF 범위를 가지며, 상기 제1피쳐의 DOF 범위는 상기 제2피쳐의 DOF 범위보다 크고,The method of claim 1, wherein the pattern has a first feature and a second feature, the first and second features each have an associated DOF range, and the DOF range of the first feature is the DOF of the second feature. Greater than the range, 상기 마스크 위에 상기 제2피쳐의 모든 가장자리로부터 소정의 거리에 상기 제2피쳐에 인접하여 이를 둘러싸도록 배치되고, 상기 제2피쳐와 같은 투명성을 가지고 그 디멘젼이 상기 제2피쳐의 상기 DOF가 증가되어 상기 제1피쳐의 DOF에 접근하도록 선택되어진 추가피쳐를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.Disposed on the mask to surround and adjoin the second feature at a predetermined distance from all edges of the second feature, with the same transparency as the second feature, the dimension of the second feature being increased And an additional feature selected to access the DOF of the first feature. 제5항에 있어서, 상기 기판에 전사되지 않도록 하기 위하여 상기 추가피쳐는 노광도구의 해상도보다 좁은 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.6. The improved mask as recited in claim 5, wherein said additional feature is narrower than the resolution of an exposure tool so as not to be transferred to said substrate. 제6항에 있어서, 상기 폭이 상기 장치의 온-액시스 조사 해상도 한계의 1/3인 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.7. The improved mask according to claim 6, wherein the width is one third of the on-axis irradiation resolution limit of the device. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 피쳐가 소정의 최소 디멘젼을 가지고 상기 소정의 거리가 상기 최소 디멘젼의 90%인 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.8. The improved mask of claim 7, wherein said first and second features have a predetermined minimum dimension and said predetermined distance is 90% of said minimum dimension. 제8항에 있어서, 상기 제1피쳐가 상기 제2피쳐보다 큰 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.9. The improved mask of claim 8, wherein said first feature is larger than said second feature. 제9항에 있어서, 상기 제1피쳐는 장방형 콘택 피쳐이고, 상기 제2피쳐는 정방형 콘택 피쳐인 것을 특징으로 하는 개선된 마스크.10. The improved mask of claim 9, wherein said first feature is a rectangular contact feature and said second feature is a square contact feature. 집적회로에 대응하는 리소그래피 패턴을 마스크로부터 반도체 기판 위에 광학적으로 전사하는 데에 이용되는 장치에서, 상기 장치는 4중극 조사를 이용하고, 상기 패턴은 제1피쳐와 제2피쳐를 포함하고, 상기 제1 및 제2의 피쳐가 각각 연합된 강도수준과 DOF를 가지며, 상기 제1피쳐의 강도수준과 DOF가 상기 제2피쳐의 상기 강도수준과 DOF보다 클 때;In an apparatus used to optically transfer a lithographic pattern corresponding to an integrated circuit from a mask onto a semiconductor substrate, the apparatus uses quadrupole irradiation, the pattern comprising a first feature and a second feature, wherein the pattern comprises: When the first and second features have associated strength levels and DOF, respectively, wherein the strength level and DOF of the first feature are greater than the strength level and DOF of the second feature; 상기 제2피쳐에 인접하여 이를 둘러싸도록 배치되어지고 상기 제1 및 제2피쳐와 같은 투명성을 가지는 추가피쳐를 마스크 위에 제공하고;Providing an additional feature on the mask disposed adjacent to and surrounding the second feature and having the same transparency as the first and second features; 상기 추가피쳐를 상기 제2피쳐의 상기 강도수준이 상기 제1피쳐의 강도수준에 일치되도록 하는 상기 제2피쳐로부터의 거리에 배치하고; 그리고Place the additional feature at a distance from the second feature such that the strength level of the second feature matches the strength level of the first feature; And 상기 제2피쳐의 DOF 범위가 상기 제1피쳐의 DOF 범위에 접근하도록 상기 추가피쳐의 폭을 조정하는 단계를 포함하여 구성되어진 것을 특징으로 하는, 상기 제2피쳐의 강도와 DOF 범위를 증가시키는 방법.And adjusting the width of the additional feature so that the DOF range of the second feature approaches the DOF range of the first feature. . 제11항에 있어서, 상기 기판에 전사되지 않도록 하기 위하여 상기 추가피쳐는 노광도구의 해상도보다 좁은 것을 특징으로 하는 상기 제2피쳐의 강도와 DOF 범위를 증가시키는 방법.12. The method of claim 11 wherein the additional feature is narrower than the resolution of an exposure tool to avoid transferring to the substrate. 제12항에 있어서, 상기 폭이 상기 장치의 온-액시스 조사 해상도 한계와 같은 것을 특징으로 하는 상기 제2피쳐의 강도와 DOF 범위를 증가시키는 방법.13. The method of claim 12, wherein the width is equal to an on-axis irradiation resolution limit of the device. 제13항에 있어서, 상기 제1 및 제2 피쳐가 소정의 최소 디멘젼을 갖고 상기 소정의 거리는 상기 최소 디멘젼의 90%인 것을 특징으로 하는 상기 제2피쳐의 강도와 DOF 범위를 증가시키는 방법.14. The method of claim 13, wherein the first and second features have a predetermined minimum dimension and the predetermined distance is 90% of the minimum dimension. 제14항에 있어서, 상기 제1피쳐가 상기 제2피쳐보다 큰 것을 특징으로 하는 상기 제2피쳐의 강도와 DOF 범위를 증가시키는 방법.15. The method of claim 14 wherein the first feature is larger than the second feature. 제15항에 있어서, 상기 제1피쳐가 장방형 콘택이고 상기 제2피쳐가 정방형 콘택인 것을 특징으로 하는 상기 제2피쳐의 강도와 DOF 범위를 증가시키는 방법.16. The method of claim 15 wherein the first feature is a rectangular contact and the second feature is a square contact.