KR100238183B1 - Linear torch having one dimension particle distribution - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화염가수분해증착 공정에서 수소를 연소시켜 화염을 형성시키고 산화 및 가수분해 반응에 의해 발생된 실리카 입자를 웨이퍼에 증착시키는 일차원입자분포를 갖는 선형토치에 관한 것으로서, 그 토치의 노즐이 화염원료기체용 노즐 출구 및 화학반응기체용 노즐출구를 구비하며, 화학반응기체용 노즐 출구 및 화학반응기체용 노즐출구를 구비하며, 화학반응기체용 노즐출구의 한변이 웨이퍼의 직경보다 큰 구조를 갖는다. 또한 그 선형토치의 노즐 출구는 직사각형으로서, 중심축이 일치하는 복수의 직사각형 노즐 출구를 구비하고, 그 복수의 직사각형 노즐의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향하여 화학반응기체용 노즐출구, 제1화염원료기체용 노즐출구 및 제2화염원료기체용 노즐출구가 위치하며, 화학반응기체용 노즐 출구의 직사각형의 한 변이 웨이퍼의 크기보다 큼을 특징으로 한다.The present invention relates to a linear torch having a one-dimensional particle distribution that burns hydrogen in a flame hydrolysis deposition process to form a flame and deposits silica particles generated by oxidation and hydrolysis reactions onto a wafer, wherein the nozzle of the torch is flamed. The nozzle outlet for the raw material gas and the nozzle outlet for the chemical reaction gas are provided, and the nozzle outlet for the chemical reaction gas and the nozzle outlet for the chemical reaction gas are provided, and one side of the nozzle outlet for the chemical reaction gas has a structure larger than the diameter of the wafer. In addition, the nozzle outlet of the linear torch is a rectangle, and has a plurality of rectangular nozzle outlets with coincident central axes, and the nozzle outlet for the chemical reaction gas and the nozzle for the first flame raw material gas from the inside of the plurality of rectangular nozzles to the outside. The outlet and the nozzle outlet for the second flame raw material gas are located, and one side of the rectangle of the nozzle outlet for the chemical reaction gas is larger than the size of the wafer.

본 발명에 의하면, 입자의 분포가 일차원 선형분포를 가지므로 웨이퍼를 고정시키고 토치만을 이송시켜 균일한 막을 얻을 수 있다. 또한 입자의 분포가 원형노즐 출구를 갖는 경우보다 넓고 웨이퍼의 직경보다 큰 분포를 가지므로 일정한 두께를 얻는데 필요한 증착시간을 단축시킬 수 있으므로 대량 생산에 적합한 구조이다.According to the present invention, since the particle distribution has a one-dimensional linear distribution, a uniform film can be obtained by fixing the wafer and transferring only the torch. In addition, since the particle distribution is wider than that of the circular nozzle outlet and larger than the diameter of the wafer, the deposition time required to obtain a constant thickness can be shortened, which is suitable for mass production.

Description

일차원 입자분포를 갖는 선형 토치Linear torch with one-dimensional particle distribution

본 발명은 토치에 관한 것으로서, 특히 화염가수분해증착 공정에서 수소를 연소시켜 화염을 형성시키고 산화 및 가수분해 반응에 의해 발생된 입자가 1차원 분포를 갖는 선형토치에 관한 것이다.The present invention relates to a torch, and more particularly, to a linear torch in which a flame is formed by burning hydrogen in a flame hydrolysis deposition process, and particles generated by oxidation and hydrolysis reactions have a one-dimensional distribution.

일반적으로 화염가수분해증착(Flame Hydrolysis Deposition : FDH)은 화염을 발생시키는 토치를 이용해 실리카 입자를 발생시켜 열영동에 의해 웨이퍼 위에 증착시켜 실리카 막을 형성시키는 방법이다. 사용되는 토치는 화염원료기체와 화학반응기체를 독립적으로 운반하여 토치노즐 출구에서 원료기체를 연소시키고, 이 때 형성된 화염 내에서 화학반응기체를 산화시키고 동시에 화염원료기체 연소시 발생되는 물에 의한 가수분해 반응으로 실리카 입자를 형성시키는 역할을 하게 된다. 이러한 토치는 Vapor Axial Deposition (VAD)과 Outside Vapor Deposition (OVD)에서 사용되는 토치와 거의 같은 형태와 기능을 갖는다. 현재가지 VAD, OVD 용으로 여러 가지 형태의 토치가 개발되어 사용되었지만, 화염가수분해 증착에서 사용되는 토치는 다수의 원형 튜브를 사용한 원형 단면 노즐을 갖는 토치가 대부분이다.In general, Flame Hydrolysis Deposition (FDH) is a method of forming a silica film by generating silica particles using a flame generating torch and depositing them on a wafer by thermophoresis. The torch used carries the flame raw material and the chemical reaction gas independently to burn the raw material gas at the outlet of the torch nozzle, oxidizes the chemical reaction gas in the flame formed at the same time, and at the same time, the water generated by burning the flame raw material gas. The decomposition reaction serves to form silica particles. These torches have almost the same shape and function as those used in Vapor Axial Deposition (VAD) and Outside Vapor Deposition (OVD). Although various types of torches have been developed and used for VAD and OVD, the torch used in flame hydrolysis deposition is mostly a torch having a circular cross-sectional nozzle using a plurality of circular tubes.

제1a도 및 제1b는 현재 가장 보편적으로 사용되는 원형 단면 노즐 출구를 갖는 토치의 구조도를 도시한 것이다. 참조번호 100은 화학반응기체용 노즐출구, 110, 120은 화염원료기체용 노즐출구 및 130은 화염형성 위치 조절 기체용 노즐 출구를 나타낸다. 상기 반응기체로는 SiCl4, POCl3, GeCl4액체를 운반기체를 사용해 토치까지 운반하여 사용하며, BCl3기체도 함께 사용한다. 운반기체로는 보통 불활성 기체가 사용된다. 화염원료기체로는 보통 수소와 산소를 주로 사용하며 노즐출구(110)에서는 보통 수소가 유출되고, 노즐출구(120)에서는 산소가 유출되어 수소를 연소시켜 화염을 형성하게 된다.1a and 1b show a structural diagram of a torch having a circular cross-section nozzle outlet which is most commonly used at present. Reference numeral 100 denotes a nozzle outlet for a chemical reaction gas, 110 and 120 denotes a nozzle outlet for a flame raw material gas, and 130 denotes a nozzle outlet for a flame-forming position adjusting gas. As the reactor, SiCl 4 , POCl 3 , GeCl 4 liquids are transported to the torch using a carrier gas, and BCl 3 gas is also used. Inert gas is usually used as the carrier gas. Normally hydrogen and oxygen are mainly used as the flame raw material gas, and hydrogen is usually discharged from the nozzle outlet 110, and oxygen is discharged from the nozzle outlet 120 to burn hydrogen to form a flame.

그런데 상기 제1a도 및 제1b도에 도시된 원형단면 노즐출구는 형성된 입자가 개략적으로 2차원 가우스 분포를 가져 노즐 출구 중심부의 농도가 높고 반경반향으로 중심에서 멀어질수록 급격히 감소하는 형태를 띠고 있다. 이러한 분포를 갖는 입자가 유동 흐름에 따라 이동하다 실리카 웨이퍼 근처에서 웨이퍼가 정지된 채 증착할 경우 중심부에 증착되는 입자량이 많아 중심부는 두껍고 반경반향으로 중심에서 멀어질수록 얇은 형태의 막이 얻어진다. 이러한 막 두께의 불균일은 이를 이용해 제작한 광도파로의 광특성의 불균일을 야기하므로 반드시 제거되어야 한다. 균일한 막을 얻기 위해 보통 웨이퍼가 놓인 회전탁자(turn table)를 회전시키고 동시에 토치를 웨이퍼 위에서 회전탁자를 가로지르는 방향으로 이송시킨다. 이에 따라 공정조건 최적화가 쉽지 않고 최적화된 경우에도 국부적인 두께의 불균일은 발생하게 된다.However, the circular cross-section nozzle outlets shown in FIGS. 1a and 1b have a two-dimensional Gaussian distribution, and the particles are rapidly decreased as the concentration of the nozzle exit center is high and radially away from the center. . Particles having this distribution move along the flow of flow. When the wafer is stopped while being deposited near the silica wafer, a large amount of particles are deposited at the center, and a thin film is obtained as the center is thicker and radially away from the center. This film thickness nonuniformity must be eliminated because it causes nonuniformity of optical characteristics of the optical waveguide fabricated using the film. In order to obtain a uniform film, the turn table on which the wafer is usually placed is rotated and at the same time the torch is moved over the wafer in a direction traversing the turntable. As a result, process conditions are not easy to optimize, and even when optimized, local thickness nonuniformity occurs.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 실리카 입자의 분포가 개략적으로 2차원 가우스 분포를 갖는 원형단면노즐 토치를 사용해 막을 제조시 필요한 복합운동에 따른 공정 최적화의 어려움을 해결하고 웨이퍼 상에서 볼 때 입자의 분포를 1차원 선형분포를 갖게 하여 보다 균일한 막을 얻기 위해, 화학반응기체용 노즐 출구를 웨이퍼 직경보다 크게 하여 웨이퍼 상에서 입자가 1차원 선형분포를 갖도록한, 1차원 입자분포를 갖는 선형토치를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to solve the difficulty of the process optimization according to the complex motion required to produce a film using a circular cross-section nozzle torch having a two-dimensional Gaussian distribution of silica particles, and to find the particle distribution on the wafer. In order to have a one-dimensional linear distribution and to obtain a more uniform film, a torch having a one-dimensional particle distribution is provided in which the nozzle outlet for the chemical reaction gas is larger than the wafer diameter so that the particles have a one-dimensional linear distribution on the wafer.

제1a도 및 제1b도는 현재 가장 보편적으로 사용되는 원형 단면 노즐 출구를 갖는 토치의 구조도를 도시한 것이다.1a and 1b show a structural diagram of a torch having a circular cross-section nozzle outlet which is most commonly used at present.

제2도는 본 발명에 의한 일차원 입자분포를 갖는 직사각형 단면 노즐 출구의 선형토치 구조도를 도시한 것이다.2 shows a linear torch structure diagram of a rectangular cross-sectional nozzle outlet having a one-dimensional particle distribution according to the present invention.

제3도는 화염형성 위치조절이 가능한 직사각형 단면 노즐출구를 갖는 선형토치 구조도를 도시한 것이다.3 shows a linear torch structural diagram having a rectangular cross-section nozzle outlet capable of adjusting the flame formation position.

제4도는 선형토치의 이중화염 형성용 직사각형 단면노즐 구조도를 도시한 것이다.4 shows a rectangular cross-sectional nozzle structure for forming a double flame of a linear torch.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

100, 200, 300, 400 : 화학반응기체용 노즐출구 단면100, 200, 300, 400: nozzle outlet cross section for chemical reaction gas

110, 120, 210, 220, 310, 320, 410, 420 : 호염원료기체용 노즐출구 단면110, 120, 210, 220, 310, 320, 410, 420: nozzle exit cross section for basalt raw material gas

430, 440 : 2차 화염형성용 화염원료기체용 노즐출구 단면430, 440: nozzle exit cross section for flame raw material gas for secondary flame formation

130, 330 : 화염형성 위치 조절 기체용 노즐 출구의 단면130, 330: cross section of the nozzle outlet for flame-forming position adjusting gas

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한, 1차원 입자분포를 갖는 선형토치는, 화염가수분해증착 공정에서 수소를 연소시켜 화염을 형성시키고 산화 및 가수분해 반응에 의해 발생된 실리카 입자를 웨이퍼에 증착시키는 토치에 있어서, 상기 토치의 노즐이 화염원료기체용 노즐 출구 및 화학반응가스용 노즐출구를 구비하며, 상기 화학반응기체용 노즐출구의 한 변이 상기 웨이퍼 직경보다 큰 구조가 바람직하다.According to the present invention for achieving the above technical problem, a linear torch having a one-dimensional particle distribution burns hydrogen in a flame hydrolysis deposition process to form a flame, and wafers silica particles generated by oxidation and hydrolysis reactions. In the torch deposited on the substrate, the nozzle of the torch has a nozzle outlet for a flame raw material gas and a nozzle outlet for a chemical reaction gas, and one side of the nozzle outlet for the chemical reaction gas is preferably larger than the wafer diameter.

또한 상기 선형토치의 노즐 출구는 직사각형으로서, 중심축이 일치하는 복수의 직사각형 노즐 출구를 구비하고, 상기 복수의 직사각형 노즐의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향하여 화학반응기체용 노즐출구, 화염원료기체용 노즐출구가 위치하며, 상기 화학반응기체용 노즐 출구의 직사각형의 긴 변이 상기 웨이퍼의 직경보다 큼을 특징으로 한다.In addition, the nozzle outlet of the linear torch is a rectangle, and has a plurality of rectangular nozzle outlets with coincident central axes, and the nozzle outlet for the chemical reaction gas and the nozzle outlet for the flame raw material gas are directed from the inside to the outside of the plurality of rectangular nozzles. The long side of the rectangle of the nozzle outlet for the chemical reaction gas is larger than the diameter of the wafer.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 기본 개념은 노즐 출구의 한쪽을 웨이퍼 직경보다 크게 하여 웨이퍼 상에서 입자가 1치원 선형 분포를 갖도록 하는 것이다. 상기 토치의 노즐출구의 형태를 직사각형으로 하고, 직사각형 튜브의 크기는 튜브내를 흐르는 기체가 층류유동을 하도록 결정하여야 하며 수학식 1을 사용하여 결정한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The basic idea of the present invention is to have one side of the nozzle outlet larger than the wafer diameter so that the particles have a one-dimensional linear distribution on the wafer. The shape of the nozzle outlet of the torch is rectangular, and the size of the rectangular tube should be determined to allow laminar flow of gas flowing through the tube, using Equation (1).

[수학식 1][Equation 1]

층류조건 ReDh

Figure kpo00002
2000Laminar Flow Condition Re Dh
Figure kpo00002
2000

여기서, ReDh= (UavgDh)/ν로 계산되며, 레이놀즈 수를 의미하며, Uavg는 튜브내 기체의 평균 유속, Dh는 튜브의 수력직경, ν는 기체의 동점성계수이다.Here, Re Dh = (UavgDh) / ν, which means Reynolds number, Uavg is the average flow velocity of the gas in the tube, Dh is the hydraulic diameter of the tube, ν is the kinematic viscosity of the gas.

또 튜브의 길이는 튜브 출구에서 기체가 완전발달 유속조건을 만족하도록 결정해야 한다. 튜브 길이 결정에는 수학식 2를 이용한다.In addition, the length of the tube should be determined so that the gas at the tube outlet satisfies the conditions of full development flow rate. Equation 2 is used to determine the tube length.

[수학식 2][Equation 2]

완전발달 유속조건

Figure kpo00003
(단, X:튜브의 길이)Fully developed flow rate condition
Figure kpo00003
(Where X is the length of the tube)

층류 유동과 완전발달 유속조건은 형성된 화염의 안전성 확보에 필요하다. 직사각형 노즐 출구를 갖는 선형토치는 가장 간단한 형태로 제2도와 같이 제작할 수 있다. 제2도는 본 발명에 의한 일차원 입자분포를 갖는 직사각형 단면 노즐 출구의 선형토치 구조도를 도시한 것으로서, 참조번호 200은 화학반응기체가 유출되는 반응기체용 노즐출구의 단면이며, 210 및 220은 화염원료기체가 분출되는 노즐출구의 단면이다. 반응기체는 보통 용기에 담긴 SiCl4, POCl3, GeCl4액체를 운반기체를 사용해 토치까지 운반하여 사용하며, BCl3기체도 함께 사용한다. 운반기체로는 보통 불활성 기체가 사용된다. 원료기체로는 보통 수소와 산소를 주로 사용하며 상기 화염원료기체용 노즐출구(210)에서는 보통 수소가 유출되고, 또 다른 화염원료기체용 노즐출구(220)에서는 산소가 유출되어 수소를 연소시켜 화염을 형성하게 된다.Laminar flow and full-velocity flow conditions are necessary to ensure the safety of the flames formed. A linear torch having a rectangular nozzle outlet can be manufactured in the simplest form as shown in FIG. 2 shows a linear torch structure diagram of a rectangular cross-section nozzle outlet having a one-dimensional particle distribution according to the present invention, reference numeral 200 denotes a cross section of a nozzle outlet for a reactor gas from which a chemical reaction gas flows out, and 210 and 220 denote flame raw material gases. Is the cross section of the nozzle outlet at which The reactor is usually used to transport SiCl 4 , POCl 3 and GeCl 4 liquids in a vessel to the torch using a carrier gas, together with BCl 3 gas. Inert gas is usually used as the carrier gas. Usually, hydrogen and oxygen are mainly used as the raw material gas, and hydrogen is usually discharged from the nozzle outlet 210 for the flame raw material gas, and oxygen is discharged from the nozzle outlet 220 for the flame raw material gas to burn hydrogen to burn the flame. Will form.

종래 기술인 원형단면 노즐출구를 갖는 토치의 경우 균일한 막을 얻기위해 웨이퍼의 회전과 동시에 토치의 이동이 필요했으나 본 발명의 선형토치의 경우 웨이퍼를 정지시키고 토치의 이동만으로도 균일한 막을 얻을수 있으며 입자 분포가 종래 기술의 경우에 비해 크고 넓어서 일정한 두께의 막을 얻기에 필요한 시간을 단축시킬 수 있다.In the case of the conventional torch having a circular cross-section nozzle exit, torch movement is required simultaneously with the rotation of the wafer in order to obtain a uniform film. However, in the case of the linear torch of the present invention, a uniform film can be obtained by only stopping the wafer and moving the torch. It is larger and wider than in the case of the prior art, thereby shortening the time required to obtain a film of a constant thickness.

제3도는 화염형성 위치조절이 가능한 직사각형 단면 노즐출구를 갖는 선형토치 구조도를 도시한 것으로서, 참조번호 300은 반응기체용 노즐출구 단면, 참조번호 310, 320 화염원료기체용 노즐출구 단면이며, 참조번호 330은 원료기체용 노즐출구9310)에서 나오는 수소와 다른 원료기체용 노즐출구(320)에서 나오는 산소를 일정거리에 도달할 때 까지 분리시켜 화염의 형성위치를 조정하기 위한 불활성 기체를 주입하기 위한 노즐이다.3 shows a linear torch structure diagram having a rectangular cross-section nozzle outlet capable of adjusting the position of flame formation, wherein reference numeral 300 denotes a nozzle outlet cross section for a reactor gas, reference numerals 310 and 320, a nozzle outlet cross section for a flame material gas, and reference number 330 Is a nozzle for injecting an inert gas for adjusting the formation position of the flame by separating hydrogen from the source gas nozzle exit 9310 and oxygen from the other source gas nozzle exit 320 until a certain distance is reached. .

제4도는 선형토치의 이중화염 형성용 직사각형 단면노즐 구조도를 도시한 것으로서, 일차화염과 이차화염을 형성시키기 위해 수소 산소용 노즐을 2개씩 갖는 구조이다. 참조번호 400은 화학반응기체용 노즐출구 단면, 참조번호 410 및 420은 일차화염 형성을 위한 화염원료기체용 노즐출구 단면이며, 참조번호 430 및 440은 이차화염 형성을 위한 화염원료기체용 노즐출구 단면이다. 참조번호 410 및 430은 수소용 노즐출구이며, 참조번호 420 및 440은 산소용 노즐출구이다. 이차 화염을 가질 경우 실리카 입자의 화염내 잔류시간이 길어져 입자크기를 증가시킬 수 있다고 알려져 있다.4 shows a rectangular cross-sectional nozzle structure diagram for forming a double flame of a linear torch, and has two nozzles for hydrogen oxygen to form a primary flame and a secondary flame. Reference numeral 400 is a nozzle outlet cross section for a chemical reaction gas, reference numerals 410 and 420 are nozzle outlet cross sections for a flame raw material for primary flame formation, and 430 and 440 are nozzle outlet cross sections for a flame raw material for secondary flame formation. . Reference numerals 410 and 430 denote nozzles for hydrogen and reference numerals 420 and 440 denote nozzles for oxygen. It is known that with a secondary flame, the residence time of the silica particles in the flame can be increased to increase the particle size.

한편, 상기 참조번호 420과 430 사이에 즉 일차화염과 이차화염 사이에 필요에 따라서는 화염간 상호작용을 방지하기 위해 불활성기체용 노즐출구를 더 구비할 수도 있다.On the other hand, between the reference numerals 420 and 430, that is, between the primary flame and the secondary flame may be further provided with a nozzle outlet for the inert gas to prevent the interaction between the flame as necessary.

본 발명은 입자의 분포가 1차원 선형분포를 가지므로 웨이퍼를 고정시키고 토치만을 이송시켜 균일한 막을 얻을 수 있다. 따라서 기존에 웨이퍼의 회전과 토치의 이송을 적절히 조합시켜 균일한 막을 얻도록 하는 경우보다 공정 최적화가 쉽고 더욱 균일한 막을 얻을 수 있다.In the present invention, since the particle distribution has a one-dimensional linear distribution, a uniform film can be obtained by fixing the wafer and only transferring the torch. Therefore, the process optimization is easier and a more uniform film can be obtained than in the case of properly combining the rotation of the wafer and the transfer of the torch to obtain a uniform film.

또한 입자의 분포가 원형 노즐 출구를 갖는 경우보다 넓고 웨이퍼의 직경보다 큰 분포를 가지므로 일정한 두께를 얻는데 필요한 증착시간을 단축시킬 수 있으므로 대량 생산에 적합한 구조이다.In addition, since the particle distribution is wider than the case having a circular nozzle outlet and has a distribution larger than the diameter of the wafer, the deposition time required to obtain a constant thickness can be shortened, which is suitable for mass production.

Claims (5)

화염가수분해증착 공정에서 수소를 연소시켜 화염을 형성시키고 산화 및 가수분해 반응에 의해 발생된 실리카 입자를 웨이퍼에 증착시키는 토치에 있어서,In a torch that burns hydrogen in a flame hydrolysis deposition process to form a flame and deposits silica particles generated by oxidation and hydrolysis reactions onto a wafer. 상기 토치의 노즐이The nozzle of the torch 화염원료기체용 노즐 출구 및 화학반응기체용 노즐출구를 구비하며,It has a nozzle outlet for flame raw material gas and a nozzle outlet for chemical reaction gas, 상기 화학반응기체용 노즐출구의 긴 변이 상기 웨이퍼의 직경보다 큼을 특징으로 하는 1차원 입자분포를 갖는 선형 토치.And the long side of the nozzle outlet for the chemical reaction gas is larger than the diameter of the wafer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 토치의 노즐 출구는 직사각형으로서, 중심축이 일치하는 복수의 직사각형 노즐 출구를 구비하고,The nozzle outlet of the torch is a rectangle, and has a plurality of rectangular nozzle outlets whose central axes coincide, 상기 복수의 직사각형 노즐의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향하여 화학반응기체용 노즐출구, 화염원료기체용 노즐출구가 위치하며,From the inside of the plurality of rectangular nozzles to the outside, the nozzle outlet for the chemical reaction gas, the nozzle outlet for the flame raw material gas is located, 상기 원료가스용 노즐 출구의 직사각형의 긴 변이 상기 웨이퍼의 직경보다 큼을 특징으로 하는 1차원 입자분포를 갖는 선형 토치.And a rectangular long side of the nozzle outlet for the source gas is larger than the diameter of the wafer. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 연속된 2개의 화염원료기체용 노즐 출구 사이에 화염형성 위치 조절 기체용 노즐 출구를 더 구비함을 특징으로 하는 일차원 입자분포를 갖는 선형 토치.A linear torch having a one-dimensional particle distribution, characterized by further comprising a nozzle outlet for flame-forming position adjusting gas between the successive two nozzles for flame raw material gas. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 이중화염 형성을 위해, 상기 화염기체용 노즐출구 외곽 방향으로, 연속된 2개이 화염원료기체용 노즐출구를 더 구비함을 특징으로 하는 일차원 입자분포를 갖는 선형 토치.A two-dimensional linear torch having a one-dimensional particle distribution, characterized by further comprising two consecutive flame outlet nozzle outlets in the direction of the nozzle outlet for the flame gas to form a double flame. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 화염원료기체용 노즐출구 및 이중 화염을 위해 부가된 화염원료기체용 노즐출구 사이에 화염간 상호작용을 방지하기 위해 불활성기체용 노즐출구를 더 구비함을 특징으로 하는 일차원 입자분포를 갖는 선형 토치.A linear torch having a one-dimensional particle distribution further comprising a nozzle outlet for an inert gas to prevent flame interaction between the nozzle outlet for the flame material gas and the nozzle outlet for the flame material gas added for the double flame. .
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