KR100234192B1 - Electrical lapping guide device for controlling gap depth of thin film magnetic head - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자에 관한 것으로서, 기판 위에 다수의 박막층을 적층하여 형성된 박막자기헤드의 일측에 제1도전패드가 소정간격으로 이격되되 가공진행면에 대하는 그 선단이 각각 가공진행방향에 수직한 위치에서 상호 일치되는 제1 및 제2부분과 상기 제1 및 제2부분의 선단을 따라 접하면서 상기 제1 및 제2부분과 전기적으로 접속된 제3부분으로 형성되어 있고, 상기 제1부분과 소정간격 이격되어 마련된 제2 도전패드와, 상기 제2도전패드와 상기 제1부분의 일측에서 접속된 제1저항체와, 상기 제1부분의 타측과 상기 제2부분 사이에 접속되되 상기 제1저항체에 대한 상대적 저항값이 다른 제2저항체가 마련된 구조를 갖는다. 따라서, 제3부분이 모두잘려나가는 시점에서 측정되는 저항레벨의 급격한 변화에 따라 절삭의 진행완료판단이 용이하고, 따라서 래핑완료시점을 일정하게 제어할 수 있어 박막자기헤드의 갭 깊이를 정밀하게 제어할 수 있다.The present invention relates to an electrical wrapping guide element for controlling the gap depth of a thin film magnetic head, wherein a first conductive pad is spaced at a predetermined interval on one side of a thin film magnetic head formed by stacking a plurality of thin film layers on a substrate, and a front end thereof is disposed on a processing surface. Each of the first and second parts and the third parts which are electrically connected to the first and second parts while being in contact with each other at the positions perpendicular to the machining progress direction along the leading ends of the first and second parts. A second conductive pad provided to be spaced apart from the first portion by a predetermined distance; a first resistor connected to the second conductive pad and one side of the first portion; the other side of the first portion and the second portion; The second resistor is connected between the second resistor and the second resistor is different from the first resistor. Therefore, it is easy to judge the completion of cutting according to the rapid change of the resistance level measured at the time when all the third parts are cut off, and thus, the lapping completion point can be controlled constantly so that the gap depth of the thin film magnetic head can be precisely controlled. can do.

Description

박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자Electrical Wrapping Guide Device for Gap Depth Control of Thin Film Magnetic Head

본 발명은 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자에 관한 것으로서, 상세하게는 설정된 갭 깁이(throat height)의 해당지점에서 저항값이 급격하게 변화하도록 구조되어 박막자기헤드의 수율 및 특성변화에 가장 중요한 갭 깊이(throat height)를 정밀하게 제어하여 가공할 수 있는 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자에 관한 것이다.The present invention relates to an electrical wrapping guide element for controlling the gap depth of a thin film magnetic head, and more particularly, a structure in which a resistance value is rapidly changed at a corresponding point of a set gap height, thereby changing yield and characteristics of the thin film magnetic head. The present invention relates to an electrical wrapping guide element for controlling the gap depth of a thin film magnetic head capable of precisely controlling and processing a gap height.

박막자기헤드는 HDD(hard disk drive)나 디지탈 오디오 시스템 등에 사용되는 것으로서, 정보 기록 매체에 정보를 기록하거나, 기록된 소정의 데이타를 읽어 재생시키기 위한 부품이다.The thin film magnetic head is used for a hard disk drive (HDD), a digital audio system, or the like. The thin film magnetic head is a component for recording information on an information recording medium or reading and reproducing predetermined data.

도 1은 그와 같은 박막자기헤드의 구성을 개략적으로 나타내 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of such a thin film magnetic head.

도 1을 참조하면, 박막자기헤드(1)는 상부자성층(2) 및 하부자성층(3) 사이에 마련된 다수의 권선 코일부(4)가 상호 소정 간격으로 이격되어 설치되고, 그 권선코일부(4)의 상 하부에 상부 및 하부절연층(5)(6)이 각각 형성되어 있는 구조를 가진다.Referring to FIG. 1, in the thin film magnetic head 1, a plurality of winding coil parts 4 provided between the upper magnetic layer 2 and the lower magnetic layer 3 are spaced apart from each other at predetermined intervals, and the winding coil part ( The upper and lower insulating layers 5 and 6 are respectively formed on the upper and lower portions of 4).

이와 같은 박막자기헤드(1)에 있어서, 갭 깊이(d)는 박막자기헤드(1)의 특성을 결정짓는 중요한 요소로서, 기록배체의 기록밀도 증가추세에 따라 보다 정밀한 제어/가공이 요구되고 있다. 갭 깊이(d)가 짧아 질수록 신호의 해상도, 신호의 크기 및 신호의 기록 특성이 향상된다. 따라서, 고 기록밀도로 기록/재생하기 위해 박막자기헤드(1)의 갭 깊이(d)의 제어/가공 범위가 마이크로미터 이하까지 요구된다.In such a thin film magnetic head 1, the gap depth d is an important factor for determining the characteristics of the thin film magnetic head 1, and more precise control and processing are required in accordance with the trend of increasing the recording density of the recording medium. . The shorter the gap depth d, the better the signal resolution, the signal size, and the signal recording characteristics. Therefore, in order to record / reproduce at a high recording density, the control / processing range of the gap depth d of the thin film magnetic head 1 is required up to micrometer or less.

박막자기헤드(1)의 제조공정 중에 갭 깊이(d)의 가공 정도를 제어하기 위해 연삭진행과정중 측정되는 전기적 저항 변화를 통하여 연삭의 진행거리를 확인할 수 있는 전기적 래핑가이드 방법이 있다.In order to control the processing degree of the gap depth (d) during the manufacturing process of the thin film magnetic head (1) there is an electrical wrapping guide method that can determine the progress of grinding through the change in electrical resistance measured during the grinding process.

도 2는 박막자기헤드의 갭 깊이 제어/가공을 위한 종래의 전기적 래핑가이드 소자의 형상을 나타내보인 평면도이다.Figure 2 is a plan view showing the shape of a conventional electrical wrapping guide element for the gap depth control / processing of the thin film magnetic head.

도시된 것처럼, 전기적 래핑가이드 소자는 한 쌍의 제1 및 제2 도전패드(11)(12) 사이에 저항체(13)가 마련된다. 이와 같은 전기적 래핑가이드 소자를 이용한 박막자기헤드의 깁 깊이 제어/가공은 도전패드(11)(12) 각각에 저항측정장치의 프르브(probe)를 연결시키고, 연삭기로 절단진행방향(S)을 따라 절삭을 진행하면서 측정되는 저항값의 변화를 통해 절삭이 제어된다. 그러나 래핑의 진행에 따른 저항체(13)의 폭(W) 감소에 의해 측정되는 저항값이 도 3에 도시된 바와 같이 비선형 곡선상으로 증가되기 때문에 연속적인 저항값의 변화를 감시하면서 설정된 갭 깁이(d)에 해당하는 저항값에 도달하는지를 확인 판단하는 작업이 대단히 어렵고, 매 공정마다 래핑을 중지하는 시점의 저항값이 일정하지 않아 설정된 갭깁이에 대해 실제 가공완료된 갭깁이의 편차가 크게 발생하는 문제점이 있다.As illustrated, the electrical wrapping guide element is provided with a resistor 13 between the pair of first and second conductive pads 11 and 12. Gib depth control / machining of the thin film magnetic head using such an electrical wrapping guide element connects the probe of the resistance measuring device to each of the conductive pads 11 and 12, and the cutting progress direction S is Therefore, the cutting is controlled by the change in the resistance value measured while the cutting is in progress. However, since the resistance value measured by the decrease in the width W of the resistor 13 according to the progress of the lapping is increased in a nonlinear curve as shown in FIG. 3, the gap gap set while monitoring the continuous resistance value change is determined. (d) It is very difficult to check and determine whether the resistance value is reached, and because the resistance value at the time of stopping the lapping is not constant for each process, the gap between the gap gap actually processed and the set gap giga occurs greatly. There is a problem.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 설정된 갭 깁이 위치까지 연삭이 진행되면 측정되는 저항값이 급격히 변하도록 형성되어 갭 깁이를 보다 정밀하게 제어할 수 있는 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to improve the above problems, and when the grinding progresses to the set gap gib position, the resistance value measured is rapidly changed so that the thin film magnetic head can be more precisely controlled. It is an object of the present invention to provide an electrical wrapping guide element for controlling the gap depth.

도 1은 일반적인 박막자기헤드의 구조를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a general thin film magnetic head.

도 2는 종래의 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자를 발췌 도시한 사시도.Figure 2 is a perspective view showing an extract of the electric wrapping guide element for controlling the gap depth of the conventional thin film magnetic head.

도 3는 도 2의 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자의 폭의 변화에 따른 저항값의 변화를 나타내보인 그래프.FIG. 3 is a graph illustrating a change in resistance value according to a change in width of an electric wrapping guide element for controlling gap depth of the thin film magnetic head of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자의 구조를 나타내보인 평면도.Figure 4 is a plan view showing the structure of the electric wrapping guide element for controlling the gap depth of the thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자의 폭의 변화에 따른 저항값의 변화를 나타내보인 그래프.FIG. 5 is a graph illustrating a change in resistance value according to a change in width of an electric wrapping guide element for controlling gap depth of the thin film magnetic head of FIG. 4.

〈 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 〉<Description of reference numerals for the main parts of the drawings>

1: 박막자기헤드2: 상부 자성층1: thin film magnetic head 2: upper magnetic layer

3: 하부 자성층4: 권선 코일부3: lower magnetic layer 4: winding coil part

5: 상부 절연층6: 하부절연층5: upper insulating layer 6: lower insulating layer

11, 20: 제1도전패드12, 24: 제2도전패드11, 20: first conductive pad 12, 24: second conductive pad

13: 저항체21: 제1부분13: resistor 21: first part

22: 제3부분23: 제2부분22: third part 23: second part

25: 제1저항체26: 제2저항체25: first resistor 26: second resistor

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 박막자기헤드의 깁 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자는 기판 위에 다수의 박막층을 적층하여 형성된 박막자기헤드의 일측에 마련된 한 쌍의 제1 및 제2 도전패드와 상기 도전패드 사이에 저항체가 접속되고, 상기 도전패드를 통해 측정되는 저항값의 변동을 통해 상기 박막자기헤드의 갭깁이의 가공을 제어하는 박막자기헤드의 갭깊이 제어용 전기적 래핑가이드소자에 있어서, 상기 제1 도전패드는 소정간격으로 이격되되 가공진행면에 대하는 그 선단이 각각 가공진행방향에 수직한 위치에서 상호 일치되는 제1 및 제2부분과 상기 제1 및 제2부분의 선단을 따라 접하면서 상기 제1 및 제2부분과 전기적으로 접속된 제3부분으로 형성되어 있고, 상기 저항체는 그 양단의 저항값이 상호 다른 제1 및 제2저항체가 마련되되, 상기 제1저항체는 상기 제2도전패드와 상기 제1부분의 일측에서 각각 접속되고, 상기 제2저항체는 상기 제1부분의 타측과 상기 제2부분의 일측에서 각각 접속된 것을 그 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an electrical wrapping guide element for controlling the depth of a thin film magnetic head according to the present invention includes a pair of first and second conductive pads provided on one side of a thin film magnetic head formed by stacking a plurality of thin film layers on a substrate; In the electrical wrapping guide device for controlling the gap depth of the thin film magnetic head is connected to the conductive pad, the resistance of the thin film magnetic head to control the processing of the gap gap through the variation of the resistance value measured through the conductive pad, The first conductive pads are spaced at predetermined intervals, and the first and second parts and the first and second parts are in contact with each other at positions perpendicular to the processing progress direction, respectively, with the leading ends of the first and second parts facing each other. And a third portion electrically connected to the first and second portions, wherein the resistors have first and second low mutually different resistance values. A sieve is provided, wherein the first resistor is connected to the second conductive pad and one side of the first portion, respectively, and the second resistor is connected to the other side of the first portion and one side of the second portion, respectively. It features.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자를 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, an electric wrapping guide element for controlling gap depth of a thin film magnetic head according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자의 구성을 나타내보인 평면도이다.4 is a plan view illustrating a configuration of an electric wrapping guide element for controlling gap depth of a thin film magnetic head according to an exemplary embodiment of the present invention.

도시된 바와 같이, 전기적 래핑가이드 소자는 한 쌍의 제1 및 제2 도전패드(20)(24)사이에 직접 접속된 제1저항체(25)와 제1도전패드(20)의 소정부분 사이에서 제2저항체(26)가 접속된 구조를 가진다.As shown, the electrical wrapping guide element is disposed between the first resistor 25 and a predetermined portion of the first conductive pad 20 directly connected between the pair of first and second conductive pads 20 and 24. The second resistor 26 is connected.

제1도전패드(20)는 전기적 저항이 작은 금속재료로 조성되며, 연삭진행방향에(S) 나란한 방향으로 놓인 제3부분(22)과 제3부분(22)의 양측에서 수직으로 연삭진행방향(S) 안쪽으로 놓인 제1 및 제2부분(21)(23)으로 형성되어 있다.The first conductive pad 20 is made of a metal material having a low electrical resistance, and the grinding progress direction is perpendicular to both sides of the third part 22 and the third part 22 which are placed in the direction parallel to the grinding progress direction (S). (S) It is formed by the first and second portions 21 and 23 placed inwardly.

제2도전패드(24)도 전기적 저항이 작은 금속재료로 조성되며, 제1도전패드(20)의 제1부분(21)과 소정간격 이격되어 배치된다.The second conductive pad 24 is also made of a metal material having a small electrical resistance, and is disposed spaced apart from the first portion 21 of the first conductive pad 20 by a predetermined distance.

제1저항체(25)는 제2도전패드(24)와 제1부분(21)사이에 접속되고, 제2저항체(26)는 제1도전패드(20)의 제1부분(21)과 제2부분(23)사이에 접속된다.The first resistor 25 is connected between the second conductive pad 24 and the first portion 21, and the second resistor 26 is connected to the first portion 21 and the second portion of the first conductive pad 20. It is connected between the parts 23.

제1저항체(25)와 제2저항체(26)는 상호 다른 저항값을 갖도록 형성되는데, 이 저항값의 차이는 판단 및 식별이 용이한 범위 이상으로 선택하는 것이 바람직하다. 제1 및 제2저항체(25)(26)는 저항값이 다른 소재로 각각 형성해도 되나, 제작공정의 단순화를 위해 제1저항체(25)에 대한 제2저항체(26)의 폭은 작게 길이는 길게 형성하여 저항값을 조절하는 것이 바람직하다. 예컨대 제1저항체(25)의 폭에 대한 제2저항체(26)의 상재적인 폭이 1/5배, 길이가 5배정도가 되도록 형성하면 제1저항체(25)에 대한 제2저항체(26)의 저항값이 25배로 증가한다.The first resistor 25 and the second resistor 26 are formed to have different resistance values, and it is preferable that the difference between the resistance values be selected to be within a range where determination and identification are easy. The first and second resistors 25 and 26 may be formed of materials having different resistances, but the width of the second resistor 26 relative to the first resistor 25 is shorter in length to simplify the manufacturing process. It is preferable to form long and to adjust resistance value. For example, when the width of the second resistor 26 with respect to the width of the first resistor 25 is 1/5 times and the length is about 5 times, the second resistor 26 with respect to the first resistor 25 is formed. The resistance increases by 25 times.

이와 같이 구조된 전기적 래핑가이드 소자는 기판 위에 다수의 박막층을 적층 완료한 이후, 갭 깊이 가공공정을 필요로하는 박막자기헤드 적층체(도 1 참조)의 상부 자성층 위의 일측에 저항체(25)(26)의 적용소재로 선택된 재료를 성층한 후, 포토리쏘그라피와 같은 공정을 통해 패턴닝하여 각각의 저항체(25)(26)를 형성시켜도 되고, 상기 박막자기헤드 적층체의 상부자성층을 직접 포토리쏘그라피와 같은 공정을 통해 패턴닝하여 형성시켜도 된다. 즉, 상부자성층으로부터 상부절연층까지 도시된 형상모양으로 식각에 의해 저항체(25)(26)가 형성되고, 형성된 저항체(25)(26)의 상면에 한 쌍의 도전패드(20)(24)를 형성하면 된다.The electrical wrapping guide device structured as described above includes a resistor 25 on one side of the upper magnetic layer of the thin film magnetic head laminate (see FIG. 1), which requires a gap depth processing process after completing the lamination of a plurality of thin film layers on the substrate. After the material selected as the applied material of 26) is laminated, the resistive elements 25 and 26 may be formed by patterning through a process such as photolithography, and the upper magnetic layer of the thin film magnetic head laminate may be directly photographed. It may be formed by patterning through a process such as lithography. That is, the resistors 25 and 26 are formed by etching in the shape of the upper magnetic layer to the upper insulating layer, and a pair of conductive pads 20 and 24 are formed on the upper surface of the formed resistors 25 and 26. It can be formed.

이와 같이 제작되는 전기적 래핑가이드 소자를 통해 박막자기헤드의 갭깊이를 제어하는 과정은 다음과 같다.The process of controlling the gap depth of the thin film magnetic head through the electrical wrapping guide device manufactured as described above is as follows.

먼저, 제1도전패드(20)의 제2부분(23)의 일측과 제2도전패드(24)의 일측에 각각 저항측정장치의 프로브를 연결하고, 저항측정장치를 통해 측정되는 저항값의 변화를 감시하면서 연삭기에 의해 연삭진행방향(S)으로 연삭가공을 수행한다.First, a probe of a resistance measuring device is connected to one side of the second portion 23 and one side of the second conductive pad 24 of the first conductive pad 20, and the change of the resistance value measured through the resistance measuring device is measured. Grinding is carried out in the grinding process direction (S) by the grinding machine while monitoring.

도 5는 도 4의 전기적 래핑가이드 소자의 폭의 변화에 따른 저항값의 변화를 나타내보인 그래프이다.FIG. 5 is a graph illustrating a change in a resistance value according to a change in the width of the electric wrapping guide device of FIG. 4.

이를 참조하면, 초기 연삭진행전에 두 개의 도전패드(20)(24)를 통해 측정되는 저항값(Ro)은 제2도전패드(24)로부터 제1저항체(25)로 이어지는 저항값 및 제1부분(21)에서 분기된 제2저항체(26) 및 제3부분(22)의 병렬 등가저항값을 합한 값에 해당하나, 제2저항체(26)의 저항값이 제3부분(22)에 대해 상대적으로 대단히 크기 때문에 제1저항체(25)의 저항값(Ro)으로 근사시킬 수 있다. 따라서, 초기 저항측정장치로부터 측정되는 저항값(Ro)은 제1저항체(25)의 저항값(Ro)에 해당한다.Referring to this, the resistance value Ro measured through the two conductive pads 20 and 24 before the initial grinding process is the resistance value and the first portion that extends from the second conductive pad 24 to the first resistor 25. It corresponds to the sum of the parallel equivalent resistance values of the second resistor 26 and the third portion 22 branched from (21), but the resistance of the second resistor 26 is relative to the third portion 22. Since it is very large, it can be approximated to the resistance value Ro of the first resistor 25. Therefore, the resistance value Ro measured from the initial resistance measuring device corresponds to the resistance value Ro of the first resistor 25.

이후 연삭이 진행되면서 저항측정장치에서 검출되는 저항값은 연삭면의 선단에 대해 최 근접배치된 제3부분(22)이 조금씩 잘려나기기 시작하고, 제3부분(22)이 모두 잘려나가기 전까지의 연삭과정 동안 저항측정장치로부터 측정되는 저항값은 초기 제1저항체(25)의 저항값과 큰 변동이 없이 유지된다. 이때 제3부분(22)의 절단진행방향(S)으로의 폭(W)감소에 따른 저항값의 변화는 제1도전패드(20)로 적용된 금속재료가 저저항값을 갖는 소재로 선택되기 때문에 저항값의 미세한 변화는 무시한다.Thereafter, as the grinding proceeds, the resistance value detected by the resistance measuring device starts to cut little by little from the third part 22 disposed closest to the tip of the grinding surface, and grinds until all of the third parts 22 are cut out. The resistance value measured from the resistance measuring device during the process is maintained without large fluctuation with the resistance value of the initial first resistor 25. In this case, the change of the resistance value according to the decrease in the width W in the cutting progress direction S of the third portion 22 is selected as the material having the low resistance value as the metal material applied to the first conductive pad 20. Ignore minor changes in resistance.

제3부분(22)이 모두 잘려나감과 동시에 제1 및 제2도전패드(20(24)를 통한 전기적 도통경로가 제2도전패드(24)로부터 제1저항체(25), 제1도전패드(20)의 제1부분(21) 및 제2부분(23)으로 이어짐으로써, 제1저항체(25)와 제2저항체(26)의 저항값이 합산되어 측정되는 저항값(Rf)이 급격히 증가한다. 이때, 저항측정장치를 통해 감시되는 저항값의 급격한 변화를 통해 연삭을 중단하면된다.At the same time as the third portion 22 is cut off, the electrical conductive paths through the first and second conductive pads 20 (24) are transferred from the second conductive pad 24 to the first resistor 25 and the first conductive pad 20. By connecting to the first portion 21 and the second portion 23 of the resistance, the resistance value Rf measured by adding up the resistance values of the first resistor 25 and the second resistor 26 is rapidly increased. At this time, the grinding may be interrupted by a sharp change in the resistance value monitored by the resistance measuring device.

따라서, 제3부분(22)의 폭(W) 거리의 종단위치(A-A'선)와 선택된 갭 깁이의 위치관계는 저항측정장치로부터 감시되는 저항값의 급격한 변화를 인지한 후, 연삭을 중단하는동안 제3부분(22)의 종단위치(A-A')보다 더 진행되는 연삭거리를 산출하여, 산출된 거리만큼 제3부분(22)의 종단위치(A-A')가 전방에 위치되면 된다. 이와 같이 급격한 저항변화를 감지하면서 제어되는 연삭거리가 0.01μm까지 가능하기 때문에 정밀한 갭 제어 가공을 수행할 수 있다.Therefore, the positional relationship between the end position (A-A 'line) of the width W distance of the third portion 22 and the selected gap gib is ground after recognizing a sudden change in the resistance value monitored by the resistance measuring device. The grinding distance proceeds more than the end position A-A 'of the third portion 22 while stopping, so that the end position A-A' of the third portion 22 is forward by the calculated distance. It is located in. As such, the grinding distance can be controlled to 0.01μm while detecting a sudden change in resistance, so that precise gap control processing can be performed.

본 발명은 상술한 일 실시예를 참조하여 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능 하다는 것을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the above-described embodiment, it is merely an example, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자가 제공됨으로써, 측정되는 저항레벨의 급격한 변화에 따라 절삭의 진행완료판단이 용이하고, 따라서 래핑완료시점을 일정하게 제어할 수 있어 박막자기헤드의 갭 깊이를 정밀하게 제어할 수 있다.As described above, by providing the electric wrapping guide element for controlling the gap depth of the thin film magnetic head according to the present invention, it is easy to determine the progress of cutting according to the sudden change of the resistance level to be measured, and thus the lapping completion point is kept constant. It can be controlled to precisely control the gap depth of the thin film magnetic head.

Claims (4)

기판 위에 다수의 박막층을 적층하여 형성된 박막자기헤드의 일측에 마련된 한 쌍의 제1 및 제2 도전패드와 상기 도전패드 사이에 저항체가 접속되고, 상기 도전패드를 통해 측정되는 저항값의 변동을 통해 상기 박막자기헤드의 갭깁이의 가공을 제어하는 박막자기헤드의 갭깊이 제어용 전기적 래핑가이드소자에 있어서,A resistor is connected between the pair of first and second conductive pads provided on one side of the thin film magnetic head formed by stacking a plurality of thin film layers on a substrate and the conductive pad, and the resistance value is measured through the conductive pad. In the electrical wrapping guide element for controlling the gap depth of the thin film magnetic head for controlling the processing of the gap gap of the thin film magnetic head, 상기 제1 도전패드는 소정간격으로 이격되되 가공진행면에 대하는 그 선단이 각각 가공진행방향에 수직한 위치에서 상호 일치되는 제1 및 제2부분과 상기 제1 및 제2부분의 선단을 따라 접하면서 상기 제1 및 제2부분과 전기적으로 접속된 제3부분으로 형성되어 있고, 상기 저항체는 그 양단의 저항값이 상호 다른 제1 및 제2저항체가 마련되되, 상기 제1저항체는 상기 제2도전패드와 상기 제1부분의 일측에서 각각 접속되고, 상기 제2저항체는 상기 제1부분의 타측과 상기 제2부분의 일측에서 각각 접속된 것을 특징으로 하는 박막자기헤드의 갭깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자.The first conductive pads are spaced apart at predetermined intervals, and the first and second parts and the first and second parts are in contact with each other at positions perpendicular to the processing progress direction, respectively. And a third part electrically connected to the first and second parts, wherein the resistor is provided with first and second resistors having different resistance values at both ends thereof, wherein the first resistor is the second resistor. An electrically wrapping guide for controlling the gap depth of the thin film magnetic head, wherein the conductive pad is connected to one side of the first portion, and the second resistor is connected to the other side of the first portion and one side of the second portion, respectively. device. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2저항체는 각각 동일 재질로 형성되되, 그 길이 및/또는 폭이 각각 다르게 형성되어 상호 다른 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드의 갭깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자.The method of claim 1, wherein the first and second resistors are each formed of the same material, the length and / or width of the thin film magnetic head for controlling the gap depth of the thin film magnetic head, characterized in that they have different resistance values Wrapping guide element. 제2항에 있어서, 상기 제1저항체의 저항값이 상기 제2저항체의 저항값보다 상대적으로 낮도록 형성된 것을 특징으로 하는 박막자기헤드의 갭깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자.3. The electric wrapping guide element of claim 2, wherein the resistance value of the first resistor is formed to be relatively lower than the resistance value of the second resistor. 제1항에 있어서, 상기 다수의 박막층은The method of claim 1, wherein the plurality of thin film layers 상기 기판위에 형성된 하부자성층;A lower magnetic layer formed on the substrate; 상기 하부자성층 위에 형성된 절연층;An insulating layer formed on the lower magnetic layer; 상기 절연층 상면에 형성된 상부 자성층;An upper magnetic layer formed on an upper surface of the insulating layer; 상기 상부자성층과 상기 하부자성층사이에 개재된 코일권선층;을 포함하고,And a coil winding layer interposed between the upper magnetic layer and the lower magnetic layer. 상기 제1 및 제2 저항체는 상기 상부자성층의 일부를 식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 박막자기헤드의 갭 깊이 제어용 전기적 래핑가이드 소자.And the first and second resistors are formed by etching a portion of the upper magnetic layer.