KR100228372B1 - Wafer cleaning apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 표면이 노출된 웨이퍼의 세정 방법에 있어서; 오존(Ozone)과 탈이온수로 웨이퍼를 처리하는 단계; 세정액에 계면활성제를 첨가하고 메가소닉을 인가하여 웨이퍼를 처리하는 단계; 웨이퍼와 평행하게 탈이온수를 다운 플로우시키는 단계; 탈이온수, H2및 메가소닉으로 웨이퍼를 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 표면이 노출된 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 세정 효과를 극대화시켜 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키며, 실온에서 세정 공정이 이루어져 세정액의 기화되는 량이 적어 배출 압력을 낮게하여도 되기 때문에 환경오염을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 비용 절감 효과가 있다.The present invention relates to a method for cleaning a wafer with exposed silicon surface; Treating the wafer with ozone and deionized water; Treating the wafer by adding a surfactant to the cleaning liquid and applying megasonic; Downflowing the deionized water in parallel with the wafer; A method of cleaning a wafer with exposed silicon surfaces, comprising treating the wafer with deionized water, H 2, and megasonic, maximizing the cleaning effect to improve device reliability and yield, and cleaning at room temperature Since the process is carried out, the amount of vaporization of the cleaning liquid is small, so that the discharge pressure may be lowered, thereby reducing environmental pollution and reducing costs.
Description
본 발명은 반도체소자 제조 공정중 실리콘 표면에 노출된 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 실리콘 표면에 노출되는 어느 공정 단계에 적용할 수 있다.The present invention relates to a method of cleaning a wafer exposed to a silicon surface during a semiconductor device manufacturing process, and may be applied to any process step exposed to a silicon surface.
종래에는 실리콘 표면의 세정 공정시, 유기물을 제거하기 위해 고온(130℃)에서 H2SO4, H2O2, 탈이온수(DI water) 혼합 용액 처리를 실시하였는 바, 이때 고온으로 세정이 진행되기 때문에 다량의 세정액이 기화되며 기화된 세정액은 배출되지 못할 경우 세정 용기로 다시 백스트림(backstream)되어 웨이퍼를 오염시킬 수 있으며 또한 세정액의 농도 변화에 의해 세정 능력을 현저하게 저하시켜 세정 불량에 의한 오염으로 소자의 신뢰성을 저하시킨다.Conventionally, during the cleaning process of silicon surface, H 2 SO 4 , H 2 O 2 , DI water mixed solution treatment was performed at high temperature (130 ° C.) in order to remove organic matter. If a large amount of cleaning solution is vaporized and the vaporized cleaning solution is not discharged, the cleaning solution can be backstreamed into the cleaning container to contaminate the wafer, and the cleaning ability is significantly reduced by changing the concentration of the cleaning solution. Contamination reduces the reliability of the device.
따라서, 본 발명은 세정 효과를 극대화한 실리콘 표면에 노출된 웨이퍼 세정 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer cleaning method exposed to a silicon surface that maximizes the cleaning effect.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 실리콘 표면에 노출된 웨이퍼의 세정 방법에 있어서, 오존(Ozone)과 탈이온수로 웨이퍼를 처리하는 단계; HF/H2O2/H2O 세정액에 계면활성제를 첨가하고 메가소닉을 인가하여 웨이퍼를 처리하는 단계; 웨이퍼와 평행하게 탈이온수를 다운 플로우시키는 단계; 탈이온수. H2및 메가소닉으로 웨이퍼를 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 모든 단계는 실온에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for cleaning a wafer exposed to a silicon surface, the method comprising: treating the wafer with ozone and deionized water; Treating the wafer by adding a surfactant to the HF / H 2 O 2 / H 2 O cleaning solution and applying megasonic; Downflowing the deionized water in parallel with the wafer; Deionized water. And treating the wafer with H 2 and megasonic, wherein all the steps are performed at room temperature.
본 발명은 웨이퍼의 세정을 위하여 오염원을 구분하여 세정 방법을 적용함으로서 오염원을 효과적으로 제거할 수 있으며, 또한 종래의 기술에서는 세정효과를 증대시키기 위해 고온 처리를 하였는데, 본 발명은 계면활성제(Surfactant)와 메가소닉(Megasonic)을 효과적으로 처리함으로서 실온에서 불순물을 효과적으로 제거할 수 있어 소자의 수율 및 신뢰성을 개선시킨다.The present invention can effectively remove the contaminant by applying the cleaning method by separating the contaminant for cleaning the wafer, and in the prior art, the high temperature treatment was performed to increase the cleaning effect. By effectively treating megasonics, impurities can be effectively removed at room temperature, improving device yield and reliability.
이하, 본 발명의 일실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail.
이하에서 설명되는 일실시예는 반도체 제조공정에서 실리콘 표면이 노출되는 모든 공정에 적용된다.One embodiment described below applies to all processes in which a silicon surface is exposed in a semiconductor manufacturing process.
먼저, 오존(Ozone)과 탈이온수로 웨이퍼를 처리하여 유기물과 금속 성분에 의해 실리콘 표면이 오염되는 것을 막는다. 이때의 처리 시간은 5~10 분으로 하며, 그 처리를 실온에서 실시한다.First, the wafer is treated with ozone and deionized water to prevent the silicon surface from being contaminated by organics and metals. The processing time at this time shall be 5-10 minutes, and the process is performed at room temperature.
다음, HF/H2O2/H2O/계면활성제/메가소닉(1㎒) 처리에 의해 불순물, 금속, 자연산화막을 제거한다.Next, impurities, metals, and natural oxide films are removed by HF / H 2 O 2 / H 2 O / surfactant / megasonic (1 MHz) treatment.
이때, HF/H2O2/H2O 혼합비율은 1:2:50으로 하며, 계면활성제를 2~3cc로 한다.At this time, the mixing ratio of HF / H 2 O 2 / H 2 O is 1: 2: 50, and the surfactant is 2 ~ 3cc.
계면활성제는 웨이퍼와 세정액의 습식 능력을 좋게 하며, 메가소닉은 웨이퍼 표면과 불순물 사이에 작용하는 반발력을 증가시켜 실온에서도 불순물을 효과적으로 제거할 수 있다.Surfactants improve the wet ability of wafers and cleaning solutions, and megasonics increase the repulsive force between the wafer surface and impurities, effectively removing impurities even at room temperature.
상기한 모든 처리는 실온에서 5~10분 동안 실시한다.All of the above treatments are carried out at room temperature for 5-10 minutes.
이어서, 탈이온수를 웨이퍼와 평행하게 다운 플로우시켜 웨이퍼 표면에 존재하는 세정액을 린스(rinse)한다.Deionized water is then flowed down parallel to the wafer to rinse the cleaning liquid present on the wafer surface.
이어서, 탈이온수 +H2+메가소닉(1㎒) 처리에 의해 웨이퍼 표면에 침전되어있는 수소를 제거한다. 이때 세정액 내의 수소(H2)는 웨이퍼 표면 내에 존재하는 래디컬(Radical) 형태의 수소가 중성화되는데 도움을 준다.Subsequently, hydrogen precipitated on the wafer surface is removed by deionized water + H 2 + megasonic (1 MHz) treatment. At this time, the hydrogen (H 2 ) in the cleaning solution helps neutralize the hydrogen in the radical form in the wafer surface.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 오염원을 구분하여 세정 방법을 적용함으로서 오염원을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한 종래에는 세정 효과를 증대시키기 위해 고온 처리를 하였는데, 본 발명은 계면활성제(Surfactant)와 메가소닉(Megasonic)을 효과적으로 처리함으로서 실온에서 불순물을 효과적으로 제거할 수 있도록 한다. 더불어 실온에서 세정 공정이 이루어져 세정액의 기화되는 량이 적어 배출 압력을 낮게하여도 되기 때문에 환경오염을 줄일 수 있을 뿐만 아니라 세정액의 백스트림에 의한 재오염을 방지하여 역시 세정 효과를 높일 수 있다.As described above, the present invention can effectively remove the pollutant by applying the cleaning method by classifying the pollutant. In addition, the high temperature treatment is conventionally performed to increase the cleaning effect, and the present invention effectively removes impurities at room temperature by effectively treating surfactants and megasonics. In addition, since the cleaning process is performed at room temperature, the amount of vaporization of the cleaning liquid is small, so that the discharge pressure may be lowered, thereby reducing environmental pollution as well as preventing re-contamination by the backstream of the cleaning liquid.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950051514A KR100228372B1 (en) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | Wafer cleaning apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950051514A KR100228372B1 (en) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | Wafer cleaning apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100228372B1 true KR100228372B1 (en) | 1999-11-01 |
Family
ID=19441114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950051514A KR100228372B1 (en) | 1995-12-18 | 1995-12-18 | Wafer cleaning apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100228372B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483037B1 (en) * | 1997-12-27 | 2005-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor Wafer Cleaning Method |
| KR100495653B1 (en) * | 1997-09-24 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | Process for clearing an wafer |
-
1995
- 1995-12-18 KR KR1019950051514A patent/KR100228372B1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100495653B1 (en) * | 1997-09-24 | 2005-09-30 | 삼성전자주식회사 | Process for clearing an wafer |
| KR100483037B1 (en) * | 1997-12-27 | 2005-07-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor Wafer Cleaning Method |
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