KR100228165B1 - Shadow mask of cathode ray tube - Google Patents

Abstract

본 발명은 음극선관의 새도우마스크 상에 형성되는 어퍼처가 불균일한 형상으로 가공되고 규칙적으로 배열되는 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크에 관한 것이다.The present invention relates to a shadow mask having a non-uniform aperture in which apertures formed on a shadow mask of a cathode ray tube are processed into a non-uniform shape and regularly arranged.

본 발명은 새도우마스크(13)에 형성된 무수한 어퍼처(S)를 통해 판넬(11)의 형광면으로 전자빔을 주사하는 음극선관 조립체에 있어서: 상기 어퍼처(S)는 새도우마스크(13) 상에서 배치되는 위치에 따라 그 형상을 달리하고, 동시에 그 상부에칭면(Su)의 수평경사폭(Ha)(Hb) 및 수직경사폭(Va)(Vb)도 변화되고, 이러한 어퍼처(S)들은 새도우마스크(13)의 중앙에 대하여 전체적으로 점대칭으로 되는 규칙적인 배열을 지닌다.A cathode ray tube assembly for scanning an electron beam onto a fluorescent surface of a panel (11) through a number of apertures (S) formed in a shadow mask (13), the aperture (S) being arranged on a shadow mask The horizontal slope width Ha and the vertical slope width Va of the upper etching surface Su are varied in accordance with the positions of the upper surface S and the upper surface S of the upper surface S, And has a regular arrangement which is generally point symmetrical with respect to the center of the base plate 13.

따라서, 본 발명은 불균일한 형상으로 가공되고 규칙적으로 배열되는 어퍼처(S)를 사용함으로써, 음극선관의 판넬에 도달되는 전자빔의 찌그러짐을 보상하여 음극선관의 해상도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the present invention has the effect of improving the resolution of the cathode ray tube by compensating for the distortion of the electron beam reaching the panel of the cathode ray tube, by using the aperture S processed and arranged in a nonuniform shape.

Description

불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크Shadow mask with non-uniform aperture

제1도는 칼라음극선관의 일부분을 절개하여 나타내는 사시도.FIG. 1 is a perspective view showing a part of a color cathode-ray tube in an incision; FIG.

제2도는 본 발명의 새도우마스크가 적용된 판넬의 주변부에서의 전자빔의 주사상태를 나타내는 부분 확대도.FIG. 2 is a partially enlarged view showing a scanning state of an electron beam at a peripheral portion of a panel to which a shadow mask of the present invention is applied; FIG.

제3도는 본 발명에 따른 어퍼처 형상을 부분 확대하여 나타내는 새도우마스크의 정면도.FIG. 3 is a front view of a shadow mask showing a partial enlargement of an aperture shape according to the present invention. FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

11 : 판넬 12 : 펀넬11: Panel 12: Funnel

13 : 새도우마스크 14 : 전자총13: shadow mask 14: electron gun

15 : 형광면 S : 어퍼처15: fluorescent screen S: aperture

R·G·B : 형광체 H : 수평축R, G, B: Phosphor H: Horizontal axis

V : 수직축 W,W' : 빔폭V: Vertical axis W, W ': Beam width

Su : 상부에칭면 Sd : 하부에칭면Su: upper etching surface Sd: lower etching surface

Ha, Hb : 수평경사폭 Va, Vb : 수직경사폭Ha, Hb: Horizontal slope width Va, Vb: Vertical slope width

본 발명은 칼라 수상관에 관한 것으로서, 더 상세하게는 음극선관의 형광면에 화소를 생성하기 위해 전자빔을 유도하는 새도우마스크 상에 형성되는 어퍼처가 불균일한 형상으로 가공되고 규칙적으로 배열되는 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a color aberration correction method and, more particularly, to a color aberration correction method in which an aperture formed on a shadow mask for guiding an electron beam to generate a pixel on a fluorescent screen of a cathode ray tube is processed into an irregular shape, It is about the shadow mask that you have.

제1도를 이용하면, 일반적으로 음극선관은 유리 재질의 판넬(panel)(11) 및 펀넬(funnel)(12)을 접합한 진공 벌브(bulb) 구조이며, 그 내부에서 전방 및 후방으로는 각각 새도우마스크(13) 및 전자총(14)이 장착되고, 그 외부에서 전자총(14)의 전방으로는 편향요크(도시 생략)가 장착됨으로써 음극선관 조립체로서 완성된다.1, generally, a cathode ray tube is a vacuum bulb structure in which a glass panel 11 and a funnel 12 are joined together. A shadow mask 13 and an electron gun 14 are mounted and a deflection yoke (not shown) is attached to the front of the electron gun 14 from the outside to complete the cathode ray tube assembly.

전자총(14)은 음극(도시 생략)과 다수의 렌즈(도시 생략)로 구성되는데, 음극으로부터 방출된 R·G·B 전자빔은 각종 렌즈계에 의해 집속되고 가속되며, 양극(陽極)을 통해 인가되는 고전압에 의해 크게 가속된 후 편향요크에 의해 편향되어 새도우마스크(13)에 도달한다. 무수한 미세공(이하 어퍼처)이 형성된 새도우마스크(13)에서 각각의 어퍼처(S)를 차례로 통과하는 전자빔은 판넬(11)의 내면에 형성된 형광면(15)에 주사되어 R·G·B로 구성되는 형광체를 여기 시킴으로써 상기 어퍼처(S)에 대응하는 각각의 화소가 빨강, 녹색, 파랑이 배합된 색상으로 발광한다.The electron gun 14 is composed of a cathode (not shown) and a plurality of lenses (not shown). R, G, and B electron beams emitted from the cathode are focused and accelerated by various lens systems and are applied through an anode It is greatly accelerated by the high voltage and then deflected by the deflection yoke to reach the shadow mask 13. [ The electron beam passing through each aperture S in the shadow mask 13 in which numerous fine holes (hereafter referred to as apertures) are formed is scanned on the fluorescent surface 15 formed on the inner surface of the panel 11, By exciting the phosphor to be formed, each pixel corresponding to the aperture S emits light in a combination of red, green and blue.

이때, 새도우마스크(13)의 어퍼처(S)를 통과하는 전자빔은 전자총(14)을 거치면서 충분히 집속된 상태이지만, 그 이상 아무리 집중시켜도 판넬(11)의 형광면이 거의 평면화 된 구조이므로 음극선관의 주변부로 갈수록 빛이 분산된다. 빛이 분산되면 다른 어퍼처를 통해 다른 형광체를 발광시키므로 음극선관의 중앙부 및 주변부에서 색 오차가 발생한다. 즉, 전자빔의 포커스 특성이 불량해지고 횡장화(橫長化)(또는 전자빔의 찌그러짐) 되는데, 이러한 결점은 편향각이 커질수록 또는 음극선관이 대형화될수록 더욱 두드러지고 해상도가 열화되는 주된 원인중의 하나로 된다.At this time, the electron beam passing through the aperture S of the shadow mask 13 is sufficiently focused while passing through the electron gun 14. However, since the fluorescent screen of the panel 11 is flattened even when focused more, The light is dispersed toward the periphery of the lens. When the light is dispersed, different phosphors emit light through different apertures, causing chromatic errors in the center and periphery of the cathode ray tube. That is, the focus characteristic of the electron beam becomes poor and the electron beam becomes distorted (or the electron beam becomes distorted). Such a drawback is one of the main causes that the deflection angle becomes larger or the cathode tube becomes larger, do.

따라서, 본 발명의 목적은 음극선관의 판넬에 도달되는 전자빔의 찌그러짐이 보상될 수 있도록 새도우마스크 상에 형성되는 어퍼처를 불균일한 형상으로 가공하고 규칙적으로 배열하여 음극선관의 해상도를 향상시킬 수 있는 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a cathode ray tube which is capable of improving the resolution of the cathode ray tube by processing the apertures formed on the shadow mask in an uneven shape and regularly arranging them so that distortion of the electron beam reaching the panel of the cathode ray tube can be compensated To provide a shadow mask with a non-uniform aperture.

본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위하여 새도우마스크(13)에 형성된 무수한 어퍼처(S)를 통해 판넬(11)의 형광면으로 전자빔을 주사하는 음극선관 조립체에 있어서: 상기 어퍼처(S)는 새도우마스크(13) 상에서 배치되는 위치에 따라 그 형상을 달리하고, 동시에 그 상부에칭면(Su)의 수평경사폭(Ha)(Hb) 및 수직경사폭(Va)(Vb)도 변화되고, 이러한 어퍼처(S)들은 새도우마스크(13)의 중앙에 대하여 전체적으로 점대칭으로 되는 규칙적인 배열을 지닌 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cathode ray tube assembly for scanning an electron beam onto a fluorescent surface of a panel through a number of apertures formed in a shadow mask, the aperture comprising: The horizontal slope width Ha and the vertical slope width Va of the upper etching surface Su are varied in accordance with the position on the mask 13, The targets S provide a shadow mask with a nonuniform aperture having a regular arrangement that is generally point symmetrical about the center of the shadow mask 13. [

이때, 상기 어퍼처(S)는 새도우마스크(13)의 주변부 방향(또는 외측)으로는 좁고, 중심부 방향(또는 내측)으로는 넓게 형성되는 불균일 형상이다. 상기 어퍼처(S)의 상부에칭면(Su)은 외측의 수평경사폭(Hb)이 내측의 수평경사폭(Ha)보다 크고, 외측의 수직경사폭(Vb)이 내측의 수직경사폭(Va)보다 크게 형성된다.At this time, the aperture S is nonuniform in shape, which is narrow in the peripheral direction (or outside) of the shadow mask 13 and broad in the central direction (or inward). The upper etching surface Su of the aperture S is formed such that the outer horizontal slant width Hb is larger than the inner horizontal slant width Ha and the outer vertical slant width Vb is larger than the inner vertical slant width Va .

이하, 본 발명은 첨부된 도면에 의거한 바람직한 실시예를 통하여 상세히 설명된다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will now be described in detail with reference to preferred embodiments thereof with reference to the accompanying drawings.

제2도는 새도우마스크가 적용된 판넬의 부분 확대도가 도시되고, 제3도는 새도우마스크의 정면도가 도시되는데, 제2도는 제3도의 수평축(H) 방향으로 절단한 단면도이다.FIG. 2 is a partial enlarged view of a panel to which a shadow mask is applied, FIG. 3 is a front view of the shadow mask, and FIG. 2 is a sectional view taken along the horizontal axis (H) of FIG.

새도우마스크(13) 상에 형성되는 어퍼처(S)는 염화제일철 등의 에칭액을 상면과 하면에 작용시켜 각각 상부에칭면(Su) 및 하부에칭면(Sd)을 형성한다. 종래의 어퍼처(S)는 그 상부에칭면(Su) 및 하부에칭면(Sd)이 동일한 치수로(예컨대 점선으로 표시된 Ha) 형성되고, 그 형상은 장방형이다. 따라서 전자빔은 새도우마스크(13)의 주변부에 형성된 어퍼처(S)를 통과할 때는 빔폭(W)이 축소된다.The aperture S formed on the shadow mask 13 acts on the top and bottom surfaces of the etching solution such as ferrous chloride to form the upper etching surface Su and the lower etching surface Sd. In the conventional aperture S, the upper etching surface Su and the lower etching surface Sd are formed in the same dimension (for example, Ha indicated by a dotted line), and the shape thereof is rectangular. Therefore, when the electron beam passes through the apertures S formed in the peripheral portion of the shadow mask 13, the beam width W is reduced.

반면, 본 발명은 새도우마스크(13) 상에서 배치되는 위치에 따라 그 형상을 달리하고, 동시에 그 상부에칭면(Su)의 수평경사폭(Ha)(Hb) 및 수직경사폭(Va)(Vb)도 달리한다. 본 실시예에 따른 어퍼처(S)의 상부에칭면(Su)은 새도우마스크(13) 주변부방향(또는 외측)의 수평경사폭(Hb)이 중심부방향(또는 내측)의 수평경사폭(Ha)보다 크게 형성하여, 충분한 빔폭(W')이 확보된다.On the other hand, the present invention differs in shape depending on the position on the shadow mask 13, and at the same time, the horizontal inclination width Ha and the vertical inclination width Va (Vb) . The upper etching surface Su of the aperture S according to the present embodiment is formed such that the horizontal inclined width Hb in the peripheral direction (or the outer side) of the shadow mask 13 is greater than the horizontal inclined width Ha in the central direction So that a sufficient beam width W 'is secured.

마찬가지로 외측의 수직경사폭(Vb)이 내측의 수직경사폭(Va)보다 크게 형성되는데, 새도우마스크(13)의 우중앙(右中央), 우하(右下), 하중앙(下中央)의 어퍼처(S)를 대표적으로 선택하고 확대하여 나타내는 제3도 의해 명확히 설명된다. 이들 어퍼처(S)들은 새도우마스크(13)의 외측으로 갈수록 경사폭이 넓어지고 (즉 Hb>ha, Vb>Va), 그 형상도 장방형이 아닌 마름모형으로 된다. 특히 코너부(우하)의 어퍼처(S) 형상은 장방형도 마름모형도 아니고, 우중앙(右中央) 및 하중앙(下中央)의 어퍼처(S)를 겹쳐 놓은 형태이다.Similarly, the vertical inclined width Vb of the outer side is formed to be larger than the vertical inclined width Va of the inner side. The upper edge of the upper portion of the shadow mask 13, (S) is represented and enlarged in FIG. These apertures S become wider in width toward the outside of the shadow mask 13 (i.e., Hb > ha, Vb > Va). Particularly, the shape of the aperture (S) of the corner portion (lower right) is not a rectangular or rhombus shape but a shape in which the apertures S in the right center (lower right) and lower center (lower center) are overlapped.

한편, 도시에서는 우중앙, 우하, 하중앙 등 세 지점의 어퍼처(S)를 도시하였으나, 기타의 어퍼처(S)는 새도우마스크(13)의 중앙(이곳은 장방형)을 중심으로 점대칭 되는 형상으로 형성된다. 예컨대 좌중앙, 좌상, 상중앙의 어퍼처(S)는 각각 상기의 우중앙, 우하, 하중앙의 어퍼처(S)와 점대칭의 관계에 있다.In the meantime, in the city, the aperture (S) of three points such as the right center, the lower right, and the lower center is shown. However, the other aperture (S) has a shape that is point symmetric about the center of the shadow mask . For example, the apertures S in the left center, upper left, and upper center are point-symmetrical with the apertures S in the right-center, lower-right, and lower center, respectively.

따라서, 본 발명은 새도우마스크 상에 형성되는 어퍼처를 장방형으로 균일하게 가공하는 대신 불균일한 형상으로 가공하고 규칙적으로 배열함으로써, 음극선관의 판넬에 도달되는 전자빔의 찌그러짐을 보상하여 음극선관의 해상도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the apertures formed on the shadow mask are processed in a non-uniform shape instead of uniformly working in a rectangular shape, and regularly arranged, thereby compensating for the distortion of the electron beam reaching the panel of the cathode ray tube, There is an effect that can be improved.

본 발명은 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구의 범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.Although the present invention has been shown and described with respect to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the following claims Those skilled in the art will readily know what is known in the art.

Claims (3)

새도우마스크(13)에 형성된 무수한 어퍼처(S)를 통해 판넬(11)의 형광면으로 전자빔을 주사하는 음극선관 조립체에 있어서: 상기 어퍼처(S)는 새도우마스크(13) 상에서 배치되는 위치에 따라 그 형상을 달리하고, 동시에 그 상부에칭면(Su)의 수평경사폭(Ha)(Hb) 및 수직경사폭(Va)(Vb)도 변화되고, 이러한 어퍼처(S)들은 새도우마스크(13)의 중앙에 대하여 전체적으로 점대칭으로 되는 규칙적인 배열을 지닌 것을 특징으로 하는 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크.A cathode ray tube assembly for scanning an electron beam onto a fluorescent surface of a panel (11) through a number of apertures (S) formed in a shadow mask (13), the cathode tube assembly comprising: The horizontal slope width Ha and the vertical slope width Va of the upper etching surface Su are varied in the shape of the shadow mask 13, Wherein the shadow mask has a regular arrangement which is generally point symmetrical with respect to the center of the shadow mask. 제1항에 있어서, 상기 어퍼처(S)는 새도우마스크(13)의 주변부 방향(또는 외측)으로는 좁고, 중심부 방향(또는 내측)으로는 넓게 형성되는 불균일 형상인 것을 특징으로 하는 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크.2. The image forming apparatus according to claim 1, wherein the aperture (S) is a non-uniform shape that is narrow in the peripheral direction (or outside) of the shadow mask (13) and broad in the central direction Shadow mask with. 제1항에 있어서, 상기 어퍼처(S)의 상부에칭면(Su)은 외측의 수평경사폭(Hb)이 내측의 수평경사폭(Ha)보다 크고, 외측의 수직경사폭(Vb)이 내측의 수직경사폭(Va)보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 불균일 어퍼처를 지닌 새도우마스크.The method as claimed in claim 1, wherein the upper etching surface (Su) of the aperture (S) has an outer horizontal inclination width (Hb) larger than an inner horizontal inclination width (Ha) and an outer vertical inclination width (Vb) Is larger than a vertical inclination width (Va) of the shadow mask (20).