KR100224695B1 - Dry etcher for semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 대구경의 웨이퍼를 균일하게 식각할 수 있는 표면 웨이브 커플 플라즈마 방식을 채용한 건식 식각 장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 건식 식각 장치는 챔버와, 이 챔버의 상단부 전체를 덮도록 장착된 절연 플레이트와, 이 절연 플레이트로 마이크로웨이브를 공급하기 위하여 챔버의 외부에 장착된 마이크로웨이브 도입부와, 이 절연 플레이트와 소정 간격으로 이격되어 그 하부에 장착된 퀄츠 플레이트와, 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사하는 부위를 조절할 수 있도록 퀄츠 플레이트 상면 전체에 형성된 슬릿트 모양의 금속 플레이트와, 챔버의 하단부에 장착되고, 그 상부에 웨이퍼가 놓여지는 제1 전극과 제1 전극에 대향되도록 퀄츠 플레이트 하면에 형성되고, 그 표면이 양극산화되어 있으며, 챔버의 가장자리를 덮는 링 모양의 제2 전극을 구비한다. 이때, 절연 플레이트는 테플론으로 되어 있고, 제2 전극 및 금속 플레이트는 알루미늄으로 되어 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a dry etching apparatus employing a surface wave coupled plasma method capable of uniformly etching a large diameter wafer. The dry etching apparatus according to the present invention includes a chamber, an insulating plate mounted to cover the entire upper end of the chamber, a microwave introduction part mounted outside of the chamber to supply microwaves to the insulating plate, and the insulating plate; A quartz plate spaced apart from each other at predetermined intervals, a slit-shaped metal plate formed on the entire upper surface of the quartz plate so as to control a portion of the microwave incident into the chamber, and mounted at a lower end of the chamber, A first electrode on which the wafer is placed is formed on the lower surface of the quartz plate so as to face the first electrode, the surface is anodized, and has a ring-shaped second electrode covering the edge of the chamber. At this time, the insulating plate is made of Teflon, and the second electrode and the metal plate are made of aluminum.

Description

반도체 제조 장치의 건식 식각 장치Dry Etching Device of Semiconductor Manufacturing Equipment

본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 특히 대구경의 웨이퍼를 균일하게 식각할 수 있는 표면 웨이브 커플 플라즈마 방식을 채용한 건식 식각 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a dry etching apparatus employing a surface wave coupled plasma method capable of uniformly etching a large diameter wafer.

ULSI (Ultra-Large Scale Intergrated)급 소자를 제조하기 위하여, 쿼트(quarter) 또는 서브쿼트 마이크론 크기의 패턴 형성이 요구되고 있다. 특히, 예를들어 5∼7 정도의 높은 어스펙트 비(high aspect ratio)를 갖는 윈도우(window)를 식각하는 기술은 ULSI급 소자 제조를 위한 기본적인 기술이 되고 있다.In order to manufacture ULSI (Ultra-Large Scale Intergrated) devices, it is required to form a quarter or subquat micron size pattern. In particular, a technique for etching a window having a high aspect ratio of, for example, about 5 to 7 has become a basic technique for manufacturing a ULSI device.

쿼트 또는 서브쿼트 마이크론 크기의 패턴을 형성하기 위한 한 방법으로, 저압에서 고밀도의 플라즈마(high density plasma)를 식각 소오스로 사용하는 식각 시스템들이 도입되었다. 인덕티브 커플 플라즈마(Inductive Coupled Plama), 트랜스포머 커플 플라즈마(Transformer Coupled Plasma) 또는 표면 웨이브 커플 플라즈마(Surface Wave Coupled Plasma; 이하 SWP라 칭함) 방식을 채용한 식각 장치는 고밀도의 플라즈마를 식각 소오스로 하는 식각 장치들 중 차세대를 대표하는 것으로 소개되고 있다.As one method for forming a quart or subquat micron size pattern, etch systems have been introduced that use a high density plasma as an etch source at low pressure. An etching apparatus employing an inductive coupled plasma, a transformer coupled plasma, or a surface wave coupled plasma (SWP) method is used to etch a high density plasma as an etching source. It is introduced as representing the next generation of devices.

이중, 특히, SWP 식각 장치는 넓은 영역에 걸쳐 균일한 마이크로웨이브를 발생시킬 수 있는 특성이 있어 대구경의 웨이퍼를 균일하게 식각할 수 있는 차세대의 식각 장치로 유력시 되고 있다.In particular, the SWP etching apparatus has a characteristic of generating a uniform microwave over a large area, and thus has been considered as a next-generation etching apparatus capable of uniformly etching a large diameter wafer.

도 1은 기존의 SWP 식각 장치를 개략적으로 도시한 단면도로서, 도면부호 10은 웨이브 가이드(wave guide)를, 12는 알루미늄 플레이트(Al plate)를, 14는 절연 플레이트(dielectric plate)를, 16은 퀄츠 플레이트(Qz plate)를, 18은 애노드 전극(anode electrode)을, 20은 캐소드 전극(cathod electrode)를, 그리고 22는 챔버(chamber)를 나타낸다.1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional SWP etching apparatus, wherein 10 is a wave guide, 12 is an aluminum plate, 14 is a dielectric plate, and 16 is a A Qz plate, 18 represents an anode electrode, 20 represents a cathode electrode, and 22 represents a chamber.

기존의 SWP 식각 장치는, 개략적으로, 플라즈마 발생과 웨이퍼(24) 식각이 이루어지는 챔버(22)와 이 챔버 상부에 장착된 절연 플레이트(14) 및 애노드 전극(18)과 이 챔버 하부에 장착된 캐소드 전극(20)으로 구성된다.The conventional SWP etching apparatus is roughly characterized by a chamber 22 in which plasma generation and wafer 24 are etched, an insulating plate 14 and an anode electrode 18 mounted above the chamber, and a cathode mounted below the chamber. It consists of an electrode 20.

웨이브 가이드(10)로 들어온 마이크로웨이브는 절연 플레이트(14)를 통해 챔버 상부로 유입된다. 이때, 절연 플레이트(14)는 웨이브 가이드(10)로부터 들어온 마이크로웨이브를 균일하게 가두는 능력이 있으므로 상기 마이크로웨이브는 챔버의 상부 전체에 걸쳐 균일하게 발생한다. 이후, 캐소드 전극(20)에 RF 전원을 인가하여 접지(ground)되어 있는 애노드 전극(18)과 상기 캐소드 전극(20) 사이로 유입되는 식각 소오스를 플라즈마화한 후 상기 캐소드 전극(20) 상에 얹혀있는 웨이퍼(24)를 식각한다.The microwaves entering the wave guide 10 are introduced into the chamber through the insulating plate 14. At this time, since the insulating plate 14 has the ability to uniformly trap the microwaves from the wave guide 10, the microwaves are uniformly generated throughout the upper portion of the chamber. Subsequently, an RF power is applied to the cathode electrode 20 to form an etch source introduced between the anode electrode 18 and the cathode electrode 20 which are grounded, and then placed on the cathode electrode 20. The wafer 24 is etched.

도 1의 SWP 식각 장치는 절연 플레이트(14)를 이용하여 균일하게 마이크로웨이브를 챔버 내로 유입시킬 수 있으므로 챔버 전체에 걸쳐 균일하게 식각 플라즈마를 발생시킬 수 있어 대구경의 웨이퍼를 식각하는 것이 용이하고, 고밀도의 플라즈마를 소오스로 하여 식각을 행하기 때문에 쿼트 또는 서브쿼트 마이크론급의 미세 패턴 형성을 용이하게 할 수 있다.Since the SWP etching apparatus of FIG. 1 may uniformly introduce microwaves into the chamber using the insulating plate 14, the etching plasma may be uniformly generated throughout the chamber, so that the wafer having a large diameter may be easily etched and have a high density. Since etching is performed using the plasma as a source, it is possible to easily form a fine pattern of quart or sub-quart micron class.

그러나, 애노드 전극(18)은 절연 플레이트(14) 하부에 위치하여 플라즈마 가스와 직접적으로 접하도록 되어있기 때문에 부식되기 쉽다는 단점이 있다.However, since the anode electrode 18 is positioned below the insulating plate 14 to be in direct contact with the plasma gas, there is a disadvantage that it is easy to corrode.

애노드 전극(18)은 통상 알루미늄과 같은 금속물질로 이루어져 있고, 원통형의 챔버(22)의 가장자리를 둘러싸는 링 모양으로 된 부분(18a)과 챔버(22)의 중앙부를 그물모양 또는 막대모양으로 가로지르는 슬릿트(slit) 모양으로 된 부분(18b)으로 되어 있다. 이때, 상기 링 모양으로 된 부분(18a)과 슬릿트 모양으로 된 부분(18b)은 서로 전기적으로 연결되어 있을 수도 있고 그렇지 않을 수도 있는데, 도 1에서는 이들이 전기적으로 연결되어 있는 경우를 도시하였다.The anode electrode 18 is usually made of a metal material such as aluminum, and has a ring-shaped portion 18a surrounding the edge of the cylindrical chamber 22 and a central portion of the chamber 22 in a net or rod shape. It is made of a portion 18b in the shape of a slit. In this case, the ring-shaped portion 18a and the slit-shaped portion 18b may or may not be electrically connected to each other. FIG. 1 illustrates a case in which they are electrically connected.

상기한 링 모양으로 된 부분(18a)과 슬릿트 모양으로 된 부분(18b)이 서로 연결되어 있지 않을 경우엔, 캐소드 전극(20)의 대향전극으로써의 역할과 식각 균일도(uniformity)를 높이기 위해 마이크로웨이브의 입사부위를 조절하는 역할을 각각 행하나, 이들이 서로 연결되어 있는 도 1의 경우엔, 상기 애노드 전극(18)이 언급한 두가지 역할을 동시에 행하게 된다.In the case where the ring-shaped portion 18a and the slit-shaped portion 18b are not connected to each other, the micro-electrode may serve as a counter electrode of the cathode electrode 20 and to increase etching uniformity. In the case of FIG. 1 in which the incidence portions of the wave are adjusted, but they are connected to each other, the anode electrode 18 plays two roles simultaneously.

건식 식각 시, 챔버(22) 내에 형성되는 플라즈마 가스의 밀도는 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사되는 부위, 즉 퀄츠 플레이트(16) 부위에서 최대가 되는 특성을 가지는데, 이러한 특성에 의해, 도 1과 같은 기존의 식각 장치의 경우, 산화막을 식각하기 위해 챔버 내에 형성되어 있는 플루오린(fluorine)을 함유한 플라즈마 가스에 의해 상기 퀄츠 플레이트(16) 하부에 형성되어 있는 알루미늄 재질의 애노드 전극(18)이 부식되는 문제가 발생한다.In dry etching, the density of the plasma gas formed in the chamber 22 has a maximum characteristic at a portion where the microwave is incident into the chamber, that is, at the portion of the quartz plate 16. In the conventional etching apparatus, the aluminum anode electrode 18 formed under the quartz plate 16 is corroded by the fluorine-containing plasma gas formed in the chamber to etch the oxide film. Problem occurs.

애노드 전극의 부식은 식각 플라즈마의 밀도와 식각 균일도를 저하시키는 원인이되고, 결과적으로 식각 장치의 신뢰도 및 수명을 떨어뜨린다.Corrosion of the anode electrode causes the density and etching uniformity of the etching plasma to be lowered, and as a result, the reliability and lifetime of the etching apparatus are reduced.

본 발명의 목적은 대향 전극의 부식을 방지할 수 있는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a dry etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing corrosion of a counter electrode.

도 1은 기존의 표면 웨이브 커플 플라즈마(SWP) 식각 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional surface wave coupled plasma (SWP) etching apparatus.

도 2는 본 발명에 의한 SWP 식각 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the SWP etching apparatus according to the present invention.

도 3은 기존의 SWP 식각 장치에서의 대향 전극의 부식을 보여주는 사진이다.Figure 3 is a photograph showing the corrosion of the counter electrode in the conventional SWP etching apparatus.

도 4는 부식된 대향 전극의 표면을 보여주는 사진이다.4 is a photograph showing the surface of the corroded counter electrode.

도 5는 본 발명에 의한 SWP 식각 장치의 대향 전극과 이곳에 침적된 폴리머(polymer) 및 금속 플레이트를 보여주는 사진이다.5 is a photograph showing a counter electrode of the SWP etching apparatus according to the present invention and a polymer and a metal plate deposited thereon.

본 발명에 의한 건식 식각 장치는 챔버와 절연 플레이트와 퀄츠 플레이트와 제1 전극 및 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 구비한다. 챔버는 그 내부에 플라즈마 가스를 형성한 후 이를 이용하여 웨이퍼를 식각하는 곳으로 통상 원통형으로 되어 있다. 상기 절연 플레이트는 테플론으로 되어 있으며, 상기 챔버의 상단부 전체를 덮도록 장착되어 있다. 상기 퀄츠 플레이트는 상기 절연 플레이트와 소정간격으로 이격되어 있으며, 챔버 내부와 절연 플레이트 사이의 마이크로웨이브 커플링을 위하여 상기 절연 플레이트 하부에 장착되어 있다. 상기 제1 전극은 챔버의 하단부에 장착되고, 그 상부에는 웨이퍼가 놓여진다. 상기 제2 전극은 상기 제1 전극에 대향하도록 상기 퀄츠 플레이트 하면에 상기 챔버의 가장자리를 덮는 링 모양으로 형성되어 있으며, 그 표면은 양극산화되어 있다. 상기 제2 전극은 접지되고 상기 제1 전극에는 라디오 주파수(RF) 전원이 연결되어 이들 사이로 공급되는 식각 소오스를 플라즈마화한 후 상기 제1 전극 상에 놓여있는 웨이퍼를 식각하도록 한다.The dry etching apparatus according to the present invention includes a chamber, an insulating plate, a quartz plate, a first electrode, and a second electrode facing the first electrode. The chamber is a cylindrical shape where a plasma gas is formed therein and then the wafer is etched using the plasma gas. The insulating plate is made of Teflon and is mounted to cover the entire upper end of the chamber. The quartz plate is spaced apart from the insulation plate at a predetermined interval and is mounted below the insulation plate for microwave coupling between the chamber and the insulation plate. The first electrode is mounted at the lower end of the chamber, and the wafer is placed on the upper part. The second electrode is formed in a ring shape covering the edge of the chamber on a lower surface of the quartz plate so as to face the first electrode, and the surface of the second electrode is anodized. The second electrode is grounded, and a radio frequency (RF) power source is connected to the first electrode, thereby plasmalizing an etching source supplied therebetween, and etching the wafer on the first electrode.

또한, 본 발명에 의한 건식 식각 장치에는, 상기 퀄츠 플레이트 상면 전체에, 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사하는 부위를 조절할 수 있는 슬릿트 모양의 금속 플레이트가 더 형성되어 있다. 이때, 상기 금속 플레이트는 알루미늄으로 되어 있다.In addition, in the dry etching apparatus according to the present invention, a slit-shaped metal plate that can control a portion where microwaves enter the chamber is further formed on the entire upper surface of the quartz plate. At this time, the metal plate is made of aluminum.

따라서, 본 발명에 의한 건식 식각 장치에 의하면, 플라즈마 가스에 직접적으로 노출되는 제2 전극의 표면이 양극산화되어 있으므로, 건식 식각시, 플라즈마 가스에 의해 제2 전극이 부식되는 것을 방지할 수 있을 뿐만아니라, 슬릿트 모양의 금속 플레이트를 퀄츠 플레이트 상면에 형성하여 금속 플레이트가 플라즈마 가스와 직접적으로 접하는 것을 막을 수 있으므로 금속 플레이트의 부식 또한 방지할 수 있다.Therefore, according to the dry etching apparatus of the present invention, since the surface of the second electrode directly exposed to the plasma gas is anodized, it is possible to prevent corrosion of the second electrode by the plasma gas during dry etching. In addition, since a slit-shaped metal plate may be formed on the upper surface of the quartz plate, the metal plate may be prevented from directly contacting the plasma gas, thereby preventing corrosion of the metal plate.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 건식 식각 장치를 더욱 자세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in more detail the dry etching apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 의한 SWP 식각 장치를 개략적으로 도시한 단면도로서, 도면부호 30은 웨이브 가이드를, 32는 알루미늄 플레이트를, 34는 절연 플레이트를, 36은 퀄츠 플레이트를, 38은 제2 전극, 즉 대향 전극을, 40은 금속 플레이트를, 42는 제1 전극을, 44는 웨이퍼를, 그리고 46은 챔버를 나타낸다.Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the SWP etching apparatus according to the present invention, reference numeral 30 is a wave guide, 32 is an aluminum plate, 34 is an insulating plate, 36 is a quartz plate, 38 is a second electrode, That is, the counter electrode, 40 is a metal plate, 42 is a first electrode, 44 is a wafer, and 46 is a chamber.

본 발명에 의한 SWP 식각 장치는, 원통형의 챔버(46) (현재 대부분의 챔버는 원통형으로 되어 있다. 하지만 원통형 이외의 다른 모양의 챔버도 가능함은 물론이다.)와, 상기 챔버(46)의 상단부 전체를 덮도록 장착되고 테플론(teflon)으로 된 절연 플레이트(34)와, 상기 절연 플레이트(34)로 마이크로웨이브를 공급하기 위하여 상기 챔버(46)의 외부에 장착된 웨이브 가이드(30)와, 상기 절연 플레이트(34)와 소정 간격으로 이격되어 그 하부에 장착된 퀄츠 플레이트(36)와, 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사하는 부위를 조절할 수 있도록 상기 퀄츠 플레이트(36) 상면 전체에 형성된 슬릿트 모양의 금속 플레이트(40)와, 상기 챔버(46)의 하단부에 장착되고, 그 상부에 웨이퍼(44)가 놓여지는 제1 전극(42)과 상기 제1 전극(42)에 대향되도록 상기 퀄츠 플레이트(36) 하면에 형성되고, 그 표면이 양극산화되어 있으며, 상기 챔버(46)의 가장자리를 덮는 링 모양의 제2 전극(38) (즉, 대향 전극)으로 이루어져 있다.The SWP etching apparatus according to the present invention includes a cylindrical chamber 46 (most chambers are cylindrical in shape. However, a chamber having a shape other than cylindrical shape is also possible.), And an upper end portion of the chamber 46. An insulating plate 34 which is mounted to cover the whole and is made of teflon, a wave guide 30 mounted to the outside of the chamber 46 to supply microwaves to the insulating plate 34, and A quartz plate 36 spaced apart from the insulating plate 34 at predetermined intervals and a slit-shaped metal formed on the entire upper surface of the quartz plate 36 so as to control a portion where microwaves enter the chamber. The quartz plate 36 is mounted on the plate 40 and the lower end of the chamber 46, and faces the first electrode 42 and the first electrode 42 on which the wafer 44 is placed. Formed on the bottom Its surface is anodized and consists of a ring-shaped second electrode 38 (that is, an opposite electrode) covering the edge of the chamber 46.

상기 챔버(46)는 그 내부에 플라즈마 가스를 형성한 후 이를 사용하여 웨이퍼(44)를 식각하기 위한 것으로, 통상 원통형으로 되어 있으며, 밀폐되어 있다. 상기 퀄츠 플레이트(36)는 상기 절연 플레이트(34)와의 사이에 에어갭(air gap)이 형성되도록 소정간격으로 이격되어 있으며, 챔버 내부와 절연 플레이트(34) 사이의 마이크로웨이브 커플링을 위하여 장착되어 있다.The chamber 46 is used to form a plasma gas therein and then use the same to etch the wafer 44. The chamber 46 is generally cylindrical and is sealed. The quartz plate 36 is spaced at a predetermined interval so that an air gap is formed between the insulating plate 34 and is mounted for microwave coupling between the inside of the chamber and the insulating plate 34. have.

이때, 상기 제2 전극(38)과 금속 플레이트(40)는 알루미늄(Al) 재질로 되어 있으며, 상기 제2 전극(38)의 표면은 전기한 바와 같이 양극산화되어 있다.In this case, the second electrode 38 and the metal plate 40 are made of aluminum (Al), and the surface of the second electrode 38 is anodized as described above.

마이크로웨이브 공급장치(도시되지 않음)에서 발생한 마이크로웨이브는 상기 웨이브 가이드(30)를 통해 절연 플레이트(34)로 유입된 후, 퀄츠 플레이트(36)에 의해 커플링되어 챔버(46) 내부로 유입된다. 이때, 절연 플레이트(34)는 웨이브 가이드(30)로부터 들어온 마이크로웨이브를 균일하게 가두는 능력이 있으므로 상기 마이크로웨이브는 챔버의 상부 전체에 걸쳐 균일하게 발생한다. 이후, 제1 전극(42)에 RF 전원을 인가하여 접지(ground)되어 있는 제2 전극(대향 전극)(38)과 상기 제1 전극(42) 사이로 유입되는 식각 소오스를 플라즈마화한 후 상기 제1 전극(42) 상에 얹혀있는 웨이퍼(44)를 식각한다.The microwave generated from the microwave supply device (not shown) is introduced into the insulating plate 34 through the wave guide 30, and then coupled by the quartz plate 36 and introduced into the chamber 46. . At this time, since the insulating plate 34 has the ability to uniformly trap the microwaves coming from the wave guide 30, the microwaves are uniformly generated throughout the upper portion of the chamber. Subsequently, an RF power is applied to the first electrode 42 to plasmaate the etching source flowing between the second electrode (counter electrode) 38 and the first electrode 42 which are grounded, and then the 1 The wafer 44 placed on the electrode 42 is etched.

이때, 웨이퍼를 식각하기 위한 플라즈마 가스는 상기 제1 전극(42)과 제2 전극(38) 사이의 영역에 형성되는데, 상기 금속 플레이트(40)는 상기 퀄츠 플레이트(36) 상부에 형성되어 있으므로 상기 플라즈마 가스로부터 보호될 수 있고, 상기 제2 전극(38)은 그 표면이 양극산화되어 있으므로 상기 플라즈마 가스로부터 보호될 수 있다. 따라서, 산화막을 식각하기 위해 플루오린(fluorine)을 함유한 플라즈마 가스가 챔버 내에 형성된다하더라도 상기 제2 전극(38) 및 금속 플레이트(40)가 부식될 염려는 없다.In this case, the plasma gas for etching the wafer is formed in the region between the first electrode 42 and the second electrode 38, and the metal plate 40 is formed on the quartz plate 36. The second electrode 38 may be protected from the plasma gas, and the second electrode 38 may be protected from the plasma gas because its surface is anodized. Therefore, even if a plasma gas containing fluorine is formed in the chamber for etching the oxide film, the second electrode 38 and the metal plate 40 do not have to be corroded.

전술한 도 2에서 제2 전극(38)을 챔버의 가장자리를 덮는 링 모양이라고 한정하였으나, 이러한 한정은 현재 일반적으로 사용되고 있는 대향 전극의 모양을 규정한 것일 뿐이다. 따라서,상기 제2 전극(38)의 모양을 링 모양으로 하지않는다 하더라고 그 표면이 양극산화되어 있기만하면 본 발명이 이루고자 하는 소정의 목적을 달성할 수 있음은 물론이다. 또한, 상기 금속 플레이트(40)은 슬릿트 모양으로 한정하였으나, 이 또한 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사하는 부위를 조절할 수 있는 모양이라면 어떤 모양이라도 가능하다.In FIG. 2, the second electrode 38 is defined as a ring shape covering the edge of the chamber. However, this limitation only defines the shape of the counter electrode which is generally used. Therefore, even if the shape of the second electrode 38 is not ring-shaped, as long as the surface is anodized, it is a matter of course that a certain object of the present invention can be achieved. In addition, the metal plate 40 is limited to a slit shape, but also any shape can be used as long as the shape of the microwave can adjust a portion incident to the chamber.

도 3은 기존의 SWP 식각 장치에서의 대향 전극(도 1의 경우, 애노드 전극(18))의 부식을 보여주는 사진으로, 가로로 긴 막대모양 (검은색으로 표시되어 있음)을 제외한 영역이 대향 전극이다. 도 3을 참조하면, 상기 대향 전극의 표면이 부분적으로 부식되어 있음을 알 수 있다.FIG. 3 is a photograph showing corrosion of the counter electrode (the anode electrode 18 in FIG. 1) in the conventional SWP etching apparatus, and the region except the horizontally long bar (marked in black) is the counter electrode. to be. Referring to FIG. 3, it can be seen that the surface of the counter electrode is partially corroded.

도 4는 부식된 대향 전극의 표면을 보여주는 사진이다.4 is a photograph showing the surface of the corroded counter electrode.

도 5는 본 발명에 의한 SWP 식각 장치의 대향 전극과 이곳에 침적된 폴리머(polymer) 및 금속 플레이트를 보여주는 사진으로서, 사진 외곽으로부터 링모양으로 되어 있는 부분이 대향 전극이고, 사진 중앙부의 막대 모양의 검은 부분은 금속 플레이트이다.5 is a photograph showing the counter electrode of the SWP etching apparatus according to the present invention, a polymer and a metal plate deposited thereon, wherein the ring-shaped portion from the outside of the photo is the counter electrode, and has a rod shape in the center of the photo. The black part is a metal plate.

도 5를 참조하면, 폴리머가 대향 전극의 표면에 침적되어 있으나, 대향 전극 및/ 또는 금속 플레이트가 부식된 흔적은 없음을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, although the polymer is deposited on the surface of the counter electrode, it can be seen that there is no trace of corrosion of the counter electrode and / or the metal plate.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.

본 발명에 의한 건식 식각 장치에 의하면, 플라즈마 가스에 직접적으로 노출되는 제2 전극, 즉 대향 전극의 표면이 양극산화되어 있으므로, 건식 식각시, 플라즈마 가스에 의해 상기 제2 전극이 부식되는 것을 방지할 수 있을 뿐만아니라, 슬릿트 모양의 금속 플레이트를 퀄츠 플레이트 상면에 형성하여 금속 플레이트가 플라즈마 가스와 직접적으로 접하는 것을 막을 수 있으므로 금속 플레이트의 부식 또한 방지할 수 있다. 따라서, 건식 식각 장치의 신뢰도 및 수명을 향상시킬 수 있다.According to the dry etching apparatus of the present invention, since the surface of the second electrode, ie, the counter electrode, which is directly exposed to the plasma gas is anodized, it is possible to prevent the second electrode from being corroded by the plasma gas during dry etching. In addition, the slit-shaped metal plate may be formed on the upper surface of the quartz plate to prevent the metal plate from directly contacting the plasma gas, thereby preventing corrosion of the metal plate. Therefore, the reliability and lifespan of the dry etching apparatus can be improved.

Claims (13)

챔버;chamber; 상기 챔버의 상단부 전체를 덮도록 장착된 절연 플레이트;An insulation plate mounted to cover the entire upper end of the chamber; 상기 절연 플레이트와 소정 간격으로 이격되어 그 하부에 장착된 퀄츠 플레이트;A quality plate spaced apart from the insulation plate at predetermined intervals and mounted thereon; 상기 챔버의 하단부에 장착되고, 그 상부에 웨이퍼가 놓여지는 제1 전극; 및A first electrode mounted at a lower end of the chamber and having a wafer placed thereon; And 상기 제1 전극에 대향되도록 상기 퀄츠 플레이트 하면에 형성되고, 그 표면이 양극산화되어 있는 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And a second electrode formed on a lower surface of the quartz plate so as to face the first electrode and whose surface is anodized. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극은 알루미늄으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.The first electrode is a dry etching apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that made of aluminum. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 퀄츠 플레이트 상면 전체에, 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사하는 부위를 조절할 수 있는 슬릿트 모양의 금속 플레이트가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.Drying apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the whole of the upper surface of the quartz plate, the slit-shaped metal plate that can control the portion of the microwave incident into the chamber is further formed. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 금속 플레이트는 알루미늄으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.The metal plate is a dry etching device of a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that made of aluminum. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연 플레이트는 테플론으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And the insulating plate is made of Teflon. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 전극은 접지되어 있고, 상기 제2 전극에는 라디오 주파수(RF) 전원이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And the first electrode is grounded, and a radio frequency (RF) power source is connected to the second electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 챔버의 외부에, 상기 절연 플레이트로 마이크로웨이브를 공급하기 위한 마이크로웨이브 공급 장치와 웨이브 가이드가 더 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And a microwave supplying device and a wave guide for supplying microwaves to the insulating plate outside of the chamber. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2 전극은 상기 챔버의 가장자리를 덮는 링 모양인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.The second electrode is a dry etching apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the ring shape covering the edge of the chamber. 챔버;chamber; 상기 챔버의 상단부 전체를 덮도록 장착된 절연 플레이트;An insulation plate mounted to cover the entire upper end of the chamber; 상기 절연 플레이트로 마이크로웨이브를 공급하기 위하여 상기 챔버의 외부에 장착된 웨이브 가이드;A wave guide mounted to the outside of the chamber to supply microwaves to the insulating plate; 상기 절연 플레이트와 소정 간격으로 이격되어 그 하부에 장착된 퀄츠 플레이트;A quality plate spaced apart from the insulation plate at predetermined intervals and mounted thereon; 마이크로웨이브가 챔버 내로 입사하는 부위를 조절할 수 있도록 상기 퀄츠 플레이트 상면 전체에 형성된 슬릿트 모양의 금속 플레이트;A slit-shaped metal plate formed on the entire upper surface of the quartz plate so as to control a portion of the microwave incident into the chamber; 상기 챔버의 하단부에 장착되고, 그 상부에 웨이퍼가 놓여지는 제1 전극; 및A first electrode mounted at a lower end of the chamber and having a wafer placed thereon; And 상기 제1 전극에 대향되도록 상기 퀄츠 플레이트 하면에 형성되고, 그 표면이 양극산화되어 있는 제2 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And a second electrode formed on a lower surface of the quartz plate so as to face the first electrode and whose surface is anodized. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 전극과 금속 플레이트는 알루미늄으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And the first electrode and the metal plate are made of aluminum. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 절연 플레이트는 테플론으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And the insulating plate is made of Teflon. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제1 전극은 접지되어 있고, 상기 제2 전극에는 라디오 주파수(RF) 전원이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.And the first electrode is grounded, and a radio frequency (RF) power source is connected to the second electrode. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제2 전극은 상기 챔버의 가장자리를 덮는 링 모양인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 건식 식각 장치.The second electrode is a dry etching apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the ring shape covering the edge of the chamber.

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