KR100218357B1 - A temperature controlling device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 주기적으로 상온의 온도를 측정하여 최초 측정한 상온의 온도와 비교하여 차이가 설정오차 보다 큰 경우 설정온도를 변화하여 반도체 공정장비의 온도를 일정하게 유지시키는 온도조절장치에 관한 것으로, 종래의 온도조절장치는 공정의 진행중에 상온이 변화해도 최초측정한 상온의 온도를 사용하여 온도를 조절함으로써, 최적의 공정조건을 유지할 수 없는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 주기적으로 상온의 온도값을 측정하고, 그 값에 따라 설정온도를 변화시키고, 반도체 공정장비내의 온도를 그 변화된 설정온도값으로 유지시킴으로써, 최적의 공정조건을 제공하여 제조되는 반도체소자의 질을 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a temperature control device for maintaining a constant temperature of a semiconductor process equipment by changing a set temperature when the difference is greater than a set error compared to the temperature measured at room temperature by periodically measuring the temperature at room temperature. The temperature control device has a problem that the optimum process conditions cannot be maintained by adjusting the temperature using the temperature measured at room temperature even if the room temperature changes during the process. In view of the above problems, the present invention periodically measures the temperature value of room temperature, changes the set temperature according to the value, and maintains the temperature in the semiconductor process equipment at the changed set temperature value, thereby providing an optimal process condition. There is an effect of improving the quality of the semiconductor device to be manufactured.
Description
본 발명은 온도조절장치에 관한 것으로, 특히 반도체 공정상에 요구되는 설정온도를 결정하는 상온을 주기적으로 감지하여 그 상온의 변화에 따라 설정온도를 변화시켜 반도체 공정장비의 온도를 최적의 공정조건으로 유지하는 온도조절장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
일반적으로 고온을 사용하는 반도체 공정장비에 사용되는 온도조절장치는 반도체 공정상에서 요구되는 온도값에서 현재 상온의 값을 감한 값을 설정온도로 하고, 그 상온의 값을 초기값인 0로 하여 반도체 공정장비의 온도를 설정온도로 증가시키고 그 값을 유지하도록 동작되며, 이와같은 반도체 공정장비의 온도조절을 목적으로 하는 종래의 온도조절장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In general, the temperature control device used in the semiconductor process equipment using high temperature is set to the set value which is the value obtained by subtracting the current room temperature value from the temperature value required in the semiconductor process, and the value of the room temperature is 0, which is an initial value. It is operated to increase the temperature of the semiconductor process equipment to the set temperature and to maintain the value, as described in detail with reference to the accompanying drawings of a conventional temperature control device for the purpose of temperature control of such semiconductor processing equipment as follows. same.
제1도는 종래 온도조절장치의 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 사용자 임의의 온도값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와; 상온을 측정하는 측온소자(2)와; 상기 측온소자(2)에서 측정된 상온을 표시하고, 그 상온의 값을 전기적신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와; 상기 변환부(3)의 출력신호와 상기 온도설정 및 표시부(1)의 출력신호를 인가받아 제어신호를 출력하는 제어부(4)와; 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 특정부의 온도를 조절하는 온도조절부(5)로 구성된다.1 is a block diagram of a conventional temperature control device, and as shown therein, a temperature setting and
이하, 상기와 같이 구성된 종래 온도조절장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the conventional temperature control device configured as described above will be described.
먼저, 측온소자(2)는 현재 상온의 온도값을 측정한다.First, the
그 다음, 상기 측온소자(2)에서 측정된 상온값을 입력받은 변환부(3)는 그 상온의 온도값을 사용자가 인식할 수 있도록 표시하고, 그 상온의 값에 해당하는 전기적인 신호를 출력한다.Next, the
그 다음, 사용자는 공정에서 사용되는 반도체 공정장비의 온도에서 상기 변환부(3)에 표시된 온도를 감한 설정온도를 온도설정 및 표시부(1)에 입력시킨다.Then, the user inputs the set temperature to the temperature setting and
그 다음, 종래 퍼난스 등의 산화막성장장비는 0내지 1200까지 사용이 가능하며, 상기 변환부(3)의 출력신호를 입력받은 제어부(4)는 그 변환부(3)의 출력값을 상기 0로하여 상기 온도설정 및 표시부(1)에 입력된 설정온도까지 반도체 공정장비내의 온도를 증가시키기 위해 제어신호를 출력하여 히터 등의 온도조절부(5)를 동작시킨다.Next, the oxide film growth equipment such as conventional furnaces is zero. To 1200 It is possible to use until, the
그 다음, 제어부(4)는 상기 온도조절부(5)에 의해 가열되는 반도체 공정상의 온도를 측정하여 상기 온도설정 및 표시부(1)상에 표시하고, 상기 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도와 비교하여 같은 경우 온도조절부(5)의 운전을 중단시킨다. 또한 소정의 공정이 끝날 때까지 상기 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도와 동일 하도록 현재 반도체 공정장비의 온도를 온도조절부(5)의 동작을 제어하여 조절하게 된다.Then, the
그러나, 상기한 바와같이 종래의 온도조절장치는 상온을 측정하는 소자에 이상이 발생하는 경우에도 그 측온소자의 측정온도값을 항상 0로 표시하여 사용자가 인식하는 상온에는 변화가 없지만 실제 온도는 차이가 있어 최적의 공정조건을 충족시키지 못한다는 문제점과, 온도측정용 소자에 이상이 없는 경우에 주변의 온도가 수시로 바뀌는 경우에도 최적의 공정조건을 충족시키지 못해 제조되는 반도체소자의 질이 감소하는 문제점이 있었다.However, as described above, the conventional temperature controller always resets the measured temperature value of the temperature measuring element even when an abnormality occurs in the element measuring the room temperature. There is no change in the room temperature recognized by the user, but the actual temperature is different so that the optimum process conditions are not met, and even when the ambient temperature changes frequently when there is no abnormality in the temperature measuring device, There is a problem in that the quality of the semiconductor device to be manufactured is not satisfied because the process conditions are not met.
이와같은 문제점을 감안한 본 발명은 상온을 측정하는 측온소자의 측정온도를 주기적으로 입력받아 그 측정된 상온에 따른 온도조절이 가능한 온도조절장치의 제공에 그 목적이 있다.In view of the above problems, the present invention has an object to provide a temperature control device capable of periodically adjusting the temperature according to the measured room temperature by periodically receiving the measured temperature of the temperature measuring element for measuring the room temperature.
제1도는 종래 온도조절장치의 블록도.1 is a block diagram of a conventional thermostat.
제2도는 본 발명에 의한 온도조절장치의 블록도.2 is a block diagram of a thermostat according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 온도설정 및 표시부 2 : 측온소자1: temperature setting and display unit 2: temperature measuring element
3 : 변환부 4 : 제어부3: converter 4: controller
5 : 온도조절부 6 : 조절부5: temperature control unit 6: control unit
상기와 같은 목적은 일정한 주기에 따라 상온을 측정하는 측온소자의 온도 출력값을 입력받고, 그 온도의 변화가 최초 설정오차보다 큰 경우 초기값을 다시 설정하여 반도체 공정장비의 온도를 변환시킴으로써 달성되는 것으로, 이와같은 본 발명에 의한 온도조절장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The above object is achieved by receiving a temperature output value of the temperature measuring element measuring room temperature at a constant cycle, and converting the temperature of the semiconductor process equipment by resetting the initial value when the temperature change is larger than the initial set error. When described in detail with reference to the accompanying drawings, such a thermostat according to the present invention.
제2도는 본 발명에 의한 온도조절장치의 블록도로서, 이에 도시한 바와같이 사용자로 부터 공정상에 요구되는 온도의 값을 입력받는 온도설정 및 표시부(1)와; 상온을 측정하는 측온소자(2)와; 상기 측온소자(2)에서 측정한 온도값을 입력받아 사용자가 인식하도록 온도로 표시하고, 그 측정된 상온의 값을 전기적인 신호로 변환하여 출력하는 변환부(3)와; 상기 변환부(3)의 출력값을 주기적으로 인가받아 비교 저장하고 그 값이 설정오차보다 큰 경우 조절신호를 출력하는 조절부(6)와; 상기 변환부(3)의 출력신호를 인가받아 그에 따른 제어신호를 출력하며, 상기 조절부(6)의 조절신호에 따라 초기값을 변환하는 제어부(4)와; 상기 제어부(4)의 제어신호에 따라 반도체 공정장비의 온도를 증가 및 유지시키는 온도조절부(5)로 구성된다.2 is a block diagram of a temperature control device according to the present invention, and as shown therein, a temperature setting and
이하, 상기와 같이 구성된 본 발명에 의한 온도조절장치의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the temperature control device according to the present invention configured as described above.
먼저, 측온소자(2)는 현재 상온의 온도를 측정하여 그 값을 출력한다.First, the RTD 2 measures the temperature of the current room temperature and outputs the value.
그 다음, 상기 측온소자(2)의 측정온도값을 입력받은 변환부(3)는 상기 입력받은 측온소자(2)의 온도측정값을 사용자가 인식하도록 표시하고, 그 온도값에 해당하는 전기적인 신호를 출력한다.Next, the
그 다음, 상기 변환부(3)에 표시된 현재 상온의 온도값을 인식한 사용자는 공정상에 필요한 온도에서 상기 상온의 온도값을 감한 온도값을 설정온도로 하여 온도설정 및 표시부(1)를 통해 입력한다. 또한, 상기 변환부(3)의 출력신호를 인가받은 조절부(6)는 그 변환부(3)의 출력을 저장한다.Then, the user who recognizes the current temperature of the room temperature displayed on the
그 다음, 제어부(4)는 상기 변환부(3)의 출력인 상온의 온도값을 초기값인 0로 하여 반도체 공정에 사용되는 장치의 내부온도를 사용자가 온도설정 및 표시부(1)를 통해 설정한 온도로 변환시키기 위해 제어신호를 출력한다.Then, the
그 다음, 상기 제어신호를 인가받은 히터 등의 온도조절부(5)는 그 제어신호에 따라 반도체 공정장비를 가열하고, 그 반도체 공정장비의 내부온도를 측정하여 그 측정값이 상기 설정온도와 동일하도록 온도값을 유지시킨다. 이때, 제어부(4)는 반도체 공정장비의 내부온도를 온도설정 및 표시부(1)에 표시하여 사용자가 인식할 수 있도록 한다.Then, the
그 다음, 공정이 진행되는 동안에 어떠한 원인에 의해 상기 측온소자(2)에서 측정되는 상온의 값이 변화하는 경우, 변환된 상온의 값을 변환부(3)를 통해 입력받은 조절부(6)는 초기에 입력된 상온의 값과 현재 변화된 상온의 값을 비교하여 그 값이 설정오차보다 큰 경우에 부저음을 발생하고, 그 변화에 해당하는 조절신호를 출력한다.Then, when the value of the room temperature measured by the
그 다음, 상기 조절부(6)의 조절신호를 입력받은 제어부(4)는 그 조절신호에 따라 상기 초기값을 변화하여 그 변화된 초기값에 해당하는 제어신호를 출력한다. 또한, 상기 조절부(6)의 조절신호는 온도설정 및 표시부(1)에 입력되어 현재 상온이 초기 상온의 값과 차이가 있음을 인식시킨다.Then, the
그 다음, 상기 제어부(4)의 변화된 제어신호를 입력받은 온도조절부(5)는 그 입력되는 제어신호에 따라 운전하여 반도체 공정장비의 온도를 조절하게 된다.Then, the
다시 말해서, 공정상에 필요한 온도에서 초기에 측정한 상온을 감한 설정온도값에 반도체 공정장비의 온도를 유지하다가, 상온의 값에 변화가 발생하면 그 상온의 값에 따른 설정온도의 변화를 감안하여 변화된 설정온도에 반도체 공정장비의 온도를 유지시키게 된다.In other words, if the temperature of the semiconductor process equipment is maintained at the set temperature value obtained by subtracting the room temperature initially measured from the temperature required for the process, and if a change occurs in the value of the room temperature, the change in the set temperature according to the value of the room temperature is considered. It maintains the temperature of the semiconductor process equipment at the changed set temperature.
상기한 바와같이 본 발명에 의한 온도조절장치는 반도체 공정상에 요구되는 설정온도값을 상온의 변화에 따라 변화시켜 그 변화된 설정온도에 따라 반도체 공정장비의 온도를 조절함으로써, 최적의 공정조건을 유지하여 반도체 장비에서 생산되는 제품의 특성을 향상시키는 효과가 있다.As described above, the temperature control device according to the present invention changes the set temperature value required for the semiconductor process according to the change in the room temperature and adjusts the temperature of the semiconductor processing equipment according to the changed set temperature, thereby maintaining the optimum process conditions. Therefore, there is an effect of improving the characteristics of the product produced in the semiconductor equipment.
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- 1997-01-21 KR KR1019970001571A patent/KR100218357B1/en not_active IP Right Cessation
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