KR100215910B1 - P-웰을베이스로이용한바이씨모스구조 - Google Patents

Abstract

본 발명은 P-웰을 베이스로 이용한 바이씨모스 구조에 관한 것으로 에피층에 바이폴라의 베이스로 사용될 P-웰과 씨모스의 P-웰을 구성하고 씨모스의 소오스/드레인을 바이폴라의 에미터로 구성하여서 이루어진다.

Description

P-웰을 베이스로 이용한 바이씨모스 구조

제 1 도는 종래 P-웰 공정후의 소자 단면도

제 2 도는 종래 바이씨모스 소자의 완성 단면도

제 3 도는 본 발명 P-웰 공정후의 소자 단면도

제 4 도는 본 발명 바이씨모스 소자의 완성 단면도

제 5 도는 본 발명의 콜렉터 부분을 나타낸 평면도

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2 : 메몰층

3 : 에피층 4,4a : P-웰

5 : 콜렉터

본 발명은 피-웰(P-Well)을 베이스로 이용한 바이씨모스(BICMOS) 구조에 관한 것이다.

일반적으로 바이씨모스 소자는 바이폴라 소자와 모스소자를 접합하여 양소자의 특성을 적합하게 하기위한 것으로 공정상의 복잡함으로 인하여 그 이용이 제한되어 왔다.

즉, 씨모스를 구성하기 위한 공정과 바이폴라 소자를 구성하기 위한 소자 제조공정을 그대로 합치는 모양이 되어서 바이폴라, 씨모스 소자 각각의 특성은 만족시켜 줄 수 있으나 공정스텝이 증가하여 원가가 상승된다.

종래에는 제 1 도와 같이 기판(1)에 콜렉터 저항을 줄이기 위한 N⁺메몰층(2)을 형성하고 에피층(3)을 성장시킨 후 씨모스소자를 위한 P-웰(4)과 바이폴라 베이스(5)를 형성한다.

이후 제 2 도와 같은 씨모스를 제공하기 위한 공정을 진행하고 바이폴라의 에미터, 콜렉터를 형성한다.

그러나, 상기와 같은 종래의 제조방법에 있어서는 바이폴라와 씨모스를 함께 제조하므로 제조공정이 복잡하고, 이에따라 생산성의 저하 및 원가의 상승을 가져오게 되는 결점이 있었다.

이하에서 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 제 3 도와 제 4 도에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.

본 발명은 기판(1)에 메몰층(2)과 에피층(3)을 형성하고 이 에피층(3)에 P-웰(4)을 형성한 상태에서 씨모스의 P-웰(4a)을 바이폴라의 베이스로 그리고 씨모스의 소오스/드레인을 바이폴라의 에미터로 같이 사용하도록 구성하고 바이폴라 소자의 콜렉터 저항특성을 최적화하여 주기위해 띠모양의 콜렉터(5)를 형성한 것이다.

이와같은 본 발명은 제 3 도와 같이 바이폴라의 베이스로 사용될 P-웰(4a)과 씨모스의 P-웰(4)을 동시에 형성하고 제 4 도와 같이 씨모스의 소오스/드레인을 바이폴라의 에미터로도 사용하고, 바이폴라 소자의 콜렉터 저항을 줄이기 위해 띠모양의 콜렉터(5)를 형성한 것으로 농도분포가 낮은 씨모스의 P-웰을 바이폴라의 베이스로 사용하여 바이폴라의 특성을 최적화하면서도 씨모스의 특성은 변하지 않도록 한 것이다.

또한, 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터 저항측면에서 볼 때 제 5 도와 같이 콜렉터(5)가 띠모양으로 형성되어 있어 중간전압 이상 범위에서 딥(deep) 콜렉터를 사용하지 않고서도 콜렉터 저항을 최적화시킬 수 있다.

이상과 같은 본 발명에 따르면 제조공정을 단순화시킴은 물론 생산성 향상과 원가절감을 얻을 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 제 1 도전형의 에피층에 동시에 형성된 씨모스 제 2 도전형웰과 바이폴라의 베이스로 사용될 제 2 도전형웰, 상기 씨모스의 제 2 도전형웰내와 상기 바이폴라의 베이스로 사용될 제 2 도전형웰내에 각각 동시에 형성된 씨모스의 제 1 도전형 소오스/드레인과 바이폴라의 제 1 도전형 에미터,상기 바이폴라의 베이스로 사용될 제 2 도전형웰을 감싸도록 상기 제 1 도전형 에피층의 표면내에 형성된 띠모양의 바이폴라의 제 1 도전형 콜렉터를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 P웰을 베이스로 이용한 바이씨모스 구조.

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