KR100215878B1 - 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법 - Google Patents

컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100215878B1
KR100215878B1 KR1019960075480A KR19960075480A KR100215878B1 KR 100215878 B1 KR100215878 B1 KR 100215878B1 KR 1019960075480 A KR1019960075480 A KR 1019960075480A KR 19960075480 A KR19960075480 A KR 19960075480A KR 100215878 B1 KR100215878 B1 KR 100215878B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
imaging device
solid
state imaging
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019960075480A
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980056215A (ko
Inventor
백의현
김삼열
Original Assignee
구본준
엘지반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 구본준, 엘지반도체주식회사 filed Critical 구본준
Priority to KR1019960075480A priority Critical patent/KR100215878B1/ko
Priority to US08/883,146 priority patent/US5854091A/en
Priority to JP34257597A priority patent/JP2939539B2/ja
Publication of KR19980056215A publication Critical patent/KR19980056215A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100215878B1 publication Critical patent/KR100215878B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로, 특히 컬러 필터층의 분광 특성을 개선한 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
이와 같은 본 발명의 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법은 복수개의 광전 변환 영역들을 포함하는 고체 촬상 소자의 임의 광전 변환 영역 3개의 상측에 각각 하나씩 대응하여 형성되는 마젠타층,옐로우층,시안층의 컬러 필터층에서 마젠타층과 시안층에 그 층들을 통과하는 빛의 성분중에서 블루(B)성분의 투과율을 낮추는 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하여 다음과 같은 효과를 갖는다.
광감도가 높은 블루층을 함유하는 마젠타의 염색층과 시안의 염색층에 그층들의 투과율에 변화를 줄 수 있는 이온을 주입하여 영상 재현시에 블루 성분을 낮출 수 있다.
즉, 컬러 필터층의 단파장쪽의 분광 특성을 효율적으로 조절할 수 있게되어 색재현성을 높이는 효과가 있다.

Description

컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법
본 발명은 고체 촬상 소자에 관한 것으로, 특히 컬러 필터층의 분광 특성을 개선한 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
빛은 그 파장이 극히 짧은 일종의 전자파이다. 즉, 주파수가 아주 높다.
따라서 전자파가 눈의 망막을 자극함으로써 사람들이 이를 빛으로 느낄 수 있도록되어있다.
가시광선대를 파장별로 크게 나누면 R.G.B로 등분되는데, 흑백 고체 촬상 소자를 컬러화하기 위해서는 컬러필터를 구성해야한다.
컬러 필터는 특정파장대의 빛만을 통과시키는 유기물질로 이루어져 있다.
예를들어 블루 필터는 파랑색 대역의 빛만을 통과시키고 나머지 빚은 차단한다.
초기에는 R.G.B필터를 컬러 고체 촬상 소자에 이용하였으나, 파장대에 따른 투과율이 좋은 시안, 마젠타, 옐로우 및 그린의 복합 컬러 필터 어레이(Complementary Color Filter Array)를 채택하여 광감도를 향상시켰다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 고체 촬상 소자의 제조 공정에 관하여 설명하면 다음과 같다.
도 1a내지 도 1e는 종래 기술의 고체 촬상 소자의 공정 단면도이고, 도 2a와 도 2b는 색상 다이어그램 및 컬러 필터의 투과율을 나타낸 그래프이다.
종래 기술의 고체 촬상 소자는 마젠타,옐로우,시안 컬러 필터층들을 각각 분리시켜 형성하는 것으로, 먼저, 도 1a에서와 같이 빛에 관한 영상 신호를 전기적인 신호로 변환하는 포토 다이오드 영역(2)들과 상기 프토 다이오드 영역(2)들에서 생성된 영상 전하를 수직 방향으로 전송하는 수직 전하 전송 영역(3)들 그리고 수직방향으로 전송된 영상 전하를 수평 방향으로 전송하는 수평 전하 전송 영역(도면에 도시되지 않음) 등을 구비한 흑백 고체 촬상 소자(1)상에 제 1 평탄층(4)을 형성한다.
그리고 도 1b에서와 같이, 각각의 포토 다이오드 영역(2)들의 상측 제 1 평탄층(4)상에 선택적으로 대응되어 형성되는 각각의 마젠타 컬러 필터층(5),옐로우컬러 필터층(6), 시안 컬러 필터층(7)들을 차례로 형성한다.
이때, 컬러 필터층들은 가염성 레지스트를 도포 및 패터닝하고 패터닝되어진 가염성 레지스트층을 염색 및 고착하는 공정으로 형성한다.
이어, 도 1c에서와 같이, 상기의 마젠타, 옐로우, 시안 컬러 필터층들(5)(6)(7)을 포함하는 전면에 제 2 평탄층(8)을 형성한다.
그리고 도 1d에서와 같이, 각각의 포토 다이오드 영역(2)에 일대일 대응하여 제 2 평탄층(8)상에 마이크로 렌즈총(9)을 형성한다.
이어, 도 1e에서와 같이, 제 1,2 평탄층(4)(8)을 선택적으로 제거하여 패드부분을 오픈한다.
상기와 같은 공정을 포함하여 형성되는 종래 기술의 고체 촬상 소자의 동작은 다음과 같다.
고체 촬상 소자에 촬상되는 빛은 마이크로 렌즈층(9)에 의해 집속되어 특정파장의 빛만을 투과하는 각각의 컬러 필터층(5)(6)(7)들을 통과하여 대응되는 포토다이오드 영역(2)으로 입사된다.
상기 입사되어진 빛은 포토 다이오드 영역(2)에서 전기적인 신호로 변환되어고체 촬상 소자의 수평, 수직 전하 전송 영역상에 구성되는 게이트들(도면에 도시되지 않음)에 인가되는 클럭 신호에 의해 수직 방향, 수평 방향으로 전송되어 수평전하 전송 영역의 끝단의 플로우팅 디퓨전 영역(도면에 도시되지 않음)에서 센싱및 증폭되어 주변회로로 전송된다.
상기와 같은 종래 기술의 고체 촬상 소자에서는 각각의 포토 다이오드 영역에 선택적으로 대응하여 마젠타, 시안, 옐로우 컬러 필터층의 어느하나가 구성된다.
상기의 마젠타, 시안, 옐로우 컬러 필터층들은 각각 분리 구성되어 특정 파장의 빛만을 투과시키게 된다.
각각의 마젠타, 시안, 옐로우층의 광 투과율 및 RGB 성분은 도 2a와 도 2b에서와 같다.
마젠타층의 R:G:B 성분은 0.5 : 0 : 0.5이고, 시안층의 R:G:B 성분은 0 : 0.5 : 0.5 이고, 옐로우층의 R:G:B 성분은 0.5 : 0.5 : 0이다.
종래 기술의 고체 촬상 소자는 각각의 컬러 필터층들이 분리 구성되어 다음과 같은 문제점이 있다.
컬러 필터의 분광 특성에 변화를 줄 때 가시 광선 파장 영역대의 전체 파장에서는 분광 특성을 변화시키는 것이 가능하나, 단파장이나 장파장등 어느 한쪽 파장영역에서는 분광 특성을 변화시키는 것이 불가능하다.
그러므로 고체 촬상 소자의 색재현시에 광감도가 가장 높은 블루쪽의 감도를 낮추는 것이 불가능해진다.
이는 단파장 쪽의 분광 특성을 낮추는 것이 불가능하기 때문에 발생하는 것이다.
블루쪽의 광감도가 너무 크면 해당 컬러 필터를 통과한 색신호의 분리 특성이 저하된다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 고체 촬상 소자의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 광감도가 높은 블루 성분을 낮추고 컬러 필터층의 분광 특성의 변화를 효율적으로 이룰 수 있도록한 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a내지 도 1e는 종래 기술의 고체 촬상 소자의 공정 단면도
도 2a와 도 2b는 색상 다이어그램 및 컬러 필터층의 투과율을 나타낸 그래프
도 3a내지 도 3g는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 공정 단면도
도 4는 본 발명에 따른 마젠타층의 분광 특성을 나타낸 그래프
도 5는 본 발명에 따른 시안층의 분광 특성을 나타낸 그래프
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
30 : 흑백 고체 촬상 소자 31 : 광전 변환 영역
32 : 전하 전송 영역 33 : 제 1 평탄층
34 : 제 1 염색층 35 : 제 2 염색층
36 : 제 3 염색층 37 : 제 2 평탄층
38 : 마이크로 렌즈 39 : PAD
컬러 필터층의 분광 특성의 변화를 효율적으로 이룰 수 있도록한 본 발명의컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법은 복수개의 광전 변환 영역들을 포함하는 고체촬상 소자의 임의 광전 변환 영역 3개의 상측에 각각 하나씩 대응하여 형성되는 마젠타층,옐로우층,시안층의 컬러 필터층에서 마젠타층과 시안층에 그 층들을 통과하는 빛의 성분중에서 블루(B)성분의 투과율을 낮추는 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3a내지 도 3g는 본 발명에 따른 고체 촬상 소자의 공정 단면도이고, 도 4 는 본 발명에 따른 마젠타층의 분광 특성을 나타낸 그래프이다. 그리고 도 5는 본 발명에 따른 시안층의 분광 특성을 나타낸 그래프이다.
본 발명의 컬러 고체 촬상 소자는 마젠타,시안의 염색층에 이온을 주입하여 단파장 대역에서의 투과율을 낮춘 것으로 그 제조 공정은 다음과 같다.
먼저, 도 3a에서와 같이, 빛에 관한 신호를 전기적인 신호로 변환하는 광전변환 영역(31)들, 그 영역들에서 생성된 영상 전하를 일방향으로 전송하는 전하 전송 영역(32)들을 포함하는 흑백 고체 촬상 소자(30)의 전면에 제 1 평탄층(33)을 형성한다.
이어, 도 3b에서와 같이, 상기 광전 변환 영역(31)들에서 3개중에 어느하나에는 반드시 대응되도록 제 1 평탄층(33)상에 마젠타의 제 1 염색층(34)을 형성한다.
그리고 상기의 제 1 염색층(34)이 형성되지 않은 제 1 평탄층(33)상에 시안의 제 2 염색층(35)을 형성한다.
이어, 도 3c 에서와 같이, 상기의 제 1,2 염색층(34)(35)에 그층들의 투과율을 변화시킬 수 있는 이온을 주입한다.
상기의 이은 주입 공정에서 사용되는 이온은 일반적인 반도체 공정에서 사용되는 이온들을 사용할 수 있는데 특히, Ar 이온을 사용하는 것이 투과율의 변화 특성 및 안정성에서 유리하다.
그리고 도 3 d에서와 같이, 상기 제 1 염색층(34)이 형성되지 않은 광전 변환 영역(31)들에서 2개중에 어느하나에는 반드시 대응되도록 상기의 제 2 염색층(35)상에 옐로우의 제 3 염색층(36)을 형성한다.
상기의 제 1,2,3 염색층(34)(35)36)들은 가염성 레지스트를 도포하고 선택적으로 패터닝하여 특정의 광전 변환 영역(31)상에만 남도록한후 염색 및 고착 공정을 거쳐 형성한다.
이어, 도 3e에서와 같이, 상기의 제 1,2,3 염색층(34)(35)(36)을 포함하는 제 1 평탄층(33)의 전면에 제 2 평탄층(37)을 형성한다.
제 2 평탄층(37)은 후속되는 공정에서 마이크로 렌즈를 보다 정확하게 형성하기 위한 것이다.
그리고 도 3f에서와 같이, 상기 각각의 광전 변환 영역(31)에 대응되게 제 2평탄층(37)상에 마이크로 렌즈(38)를 형성하고, 도 3g에서와 같이 PAD39)영역을 오픈한다.
상기와 같은 본 발명에 의한 컬러 고체 촬상 소자의 동작은 다음과 같다.
고체 촬상 소자에 촬상되는 빛은 마이크로 렌즈(38)에 의해 집속되어 특정 파장의 빛만을 투과하는 각각의 제 1,2,3 염색층(34)(35)(36)들을 통과하여 대응되는 광전 변환 영역(31)으로 입사된다.
상기 입사되어진 빛은 광전 변환 영역(31)에서 전기적인 신호로 변환되어 컬러 고체 촬상 소자의 수평, 수직 전하 전송 영역상에 구성되는 게이트들(도면에 도시되지 않음)에 인가되는 클럭 신호에 의해 수직 방향, 수평 방향으로 전송되어 수평 전하 전송 영역의 끝단의 플로우팅 디퓨전 영역(도면에 도시되지 않음)에서 센싱 및 증폭되어 주변회로로 전송된다.
상기와 같은 본 발명의 컬러 고체 촬상 소자는 칼라 필터층중에서 마젠타층과 시안층(광감도가 가장 높은 블루성분을 갖는)을 블루 성분 빛의 투과율을 낮추기 위해 그층들에 이은 주입을 한것이다.
도 4와 도 5는 블루 성분을 갖는 마젠타층과 시안층의 이온 주입 전후의 분광 특성을 나타낸 것으로, 블루 성분의 빛의 투과율이 낮아진 것을 보여준다.
상기와 같은 본 발명의 컬러 고체 촬상 소자는 광감도가 높은 블루층을 함유하는 마젠타의 염색층과 시안의 염색층에 그층들의 투과율에 변화를 줄 수 있는 이온을 주입하여 영상 재현시에 블루 성분을 낮출 수 있다.
즉, 컬러 필터층의 단파장쪽의 분광 특성을 효율적으로 조절할 수 있게되어 색재현성을 높이는 효과가 있다.
상기의 이온 주입 공정에서 이온 주입의 농도를 조절하여 컬러 필터층의 단파장쪽의 분광 특성을 자유롭게 조절하는 것이 가능해진다.

Claims (8)

  1. 복수개의 광전 변환 영역들을 포함하는 고체 촬상 소자의 임의 광전 변환 영역 3개의 상측에 각각 하나씩 대응하여 형성되는 마젠타층, 옐로우층, 시안층의 컬러필터층에서 마젠타층과 시안층에 그 층들을 통과하는 빛의 성분중에서 블루(B)성분의 투과율을 낮추는 이온을 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상소자의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 시안과 마젠타층에 주입되는 이온은 Ar인 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  3. 흑백 고체 촬상 소자의 전면에 제 1 평탄층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 평탄층상에 제 1 염색층을 형성하고 상기의 제 1 염색층이 형성되지 않은 제 1 평탄층상에 제 2 염색층을 형성하는 공정과, 상기의 제 1,2 염색층에 그층들의 투과율을 변화시킬 수 있는 이온을 주입하는 공정과, 상기의 제 2 염색층상에 제 3 염색층을 형성하고 상기의 제 1,2,3 염색층을 포함하는 제 1 평탄층의 전면에 제 2 평탄층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 흑백 고체 좔상 소자는 빛에 관한 신호를 전기적으로 변환하는 광전 변환 영역들, 그 영역들에서 생성된 영상 전하를 일방향으로 전송하는전하 전송 영역들을 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서, 제 1,2 염색층은 블루 성분의 빛을 포함하여 투과하는 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  6. 제 3 항에 있어서, 제 1 염색층은 마젠타 성분의 빚을 투과하는 층이고, 제2 염색층은 시안 성분의 빛을 투과하는 층이고, 제 3 염색층은 옐로우 성분의 빛을투과하는 층인 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  7. 제 3 항에 있어서, 각각의 광전 변환 영역에 대응되게 제 2 평탄층상에 마이크로 렌즈를 형성하고 패드 영역을 오픈하는 공정을 더포함하는 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
  8. 제 3 항에 있어서, 제 1,2,3 염색층은 임의의 광전 변환 영역 3개에 각각 하나씩 대응하여 형성하는 것을 특징으로 하는 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법.
KR1019960075480A 1996-12-28 1996-12-28 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법 KR100215878B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960075480A KR100215878B1 (ko) 1996-12-28 1996-12-28 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법
US08/883,146 US5854091A (en) 1996-12-28 1997-06-27 Method for fabricating color solid-state image sensor
JP34257597A JP2939539B2 (ja) 1996-12-28 1997-12-12 カラーフィルターの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960075480A KR100215878B1 (ko) 1996-12-28 1996-12-28 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980056215A KR19980056215A (ko) 1998-09-25
KR100215878B1 true KR100215878B1 (ko) 1999-08-16

Family

ID=19491900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960075480A KR100215878B1 (ko) 1996-12-28 1996-12-28 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5854091A (ko)
JP (1) JP2939539B2 (ko)
KR (1) KR100215878B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8263675B2 (en) 2007-09-04 2012-09-11 Cheil Industries Inc. Photosensitive resin composition for color filter and color filter made using the same

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100239408B1 (ko) * 1996-12-31 2000-01-15 김영환 고체 촬상 소자의 제조 방법
US6057586A (en) * 1997-09-26 2000-05-02 Intel Corporation Method and apparatus for employing a light shield to modulate pixel color responsivity
KR100359768B1 (ko) * 1999-03-18 2002-11-07 주식회사 하이닉스반도체 고체 촬상 소자 및 그 제조방법
US6344369B1 (en) * 2000-07-03 2002-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process
KR100707072B1 (ko) * 2001-06-30 2007-04-13 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 칼라필터 형성방법
FR2849277B1 (fr) * 2002-12-18 2005-10-28 St Microelectronics Sa Procede de protection de la surface d'un plot de connexion d'une cellule de capteur d'image couleur a semi-conducteur lors d'un processus de colorisation
US7507598B2 (en) * 2003-06-06 2009-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor fabrication method and structure
KR100793946B1 (ko) * 2006-11-17 2008-01-16 제일모직주식회사 액정표시소자 칼럼 스페이서용 감광성 수지 조성물, 이를이용한 액정표시소자 칼럼 스페이서의 제조방법,액정표시소자용 칼럼 스페이서 및 이를 포함하는디스플레이 장치
KR100919715B1 (ko) * 2007-11-30 2009-10-06 제일모직주식회사 컬러 필터용 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 컬러필터
KR100918691B1 (ko) * 2007-12-07 2009-09-22 제일모직주식회사 패드 보호막 형성용 감광성 수지 조성물, 및 이를 이용하는이미지 센서의 제조 방법
JP5422914B2 (ja) * 2008-05-12 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
KR101107003B1 (ko) 2009-04-09 2012-01-25 제일모직주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR101201831B1 (ko) 2009-07-09 2012-11-15 제일모직주식회사 유-무기 하이브리드 조성물 및 이미지 센서

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63276002A (ja) * 1987-05-08 1988-11-14 Toshiba Corp カラ−固体撮像装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8263675B2 (en) 2007-09-04 2012-09-11 Cheil Industries Inc. Photosensitive resin composition for color filter and color filter made using the same

Also Published As

Publication number Publication date
US5854091A (en) 1998-12-29
KR19980056215A (ko) 1998-09-25
JPH10200910A (ja) 1998-07-31
JP2939539B2 (ja) 1999-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100215878B1 (ko) 컬러 고체 촬상 소자의 제조 방법
US10715768B2 (en) Solid-state imaging device and imaging apparatus
US10312279B2 (en) High dynamic range pixel with in-pixel light shield structures
US6632702B2 (en) Color image sensor and method for fabricating the same
US20060131625A1 (en) CMOS image sensor and method for fabricating the same
WO2017048425A1 (en) High dynamic range pixel using light separation
KR100832710B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
US20070051992A1 (en) CMOS image sensor and method of fabricating the same
KR100312087B1 (ko) 고체촬상장치
KR0186183B1 (ko) 컬러 고체촬상소자
KR100263466B1 (ko) 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법
KR100236068B1 (ko) 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR100748325B1 (ko) 이미지센서
KR100236080B1 (ko) 고체 촬상 소자의 제조 방법
KR0155780B1 (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR20020058459A (ko) 서로 다른 색의 픽셀 내에 각기 다른 깊이의포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100282455B1 (ko) 고체촬상소자및그제조방법
KR19980039148A (ko) 고체 촬상 소자 및 그의 제조 방법
KR100311503B1 (ko) 고체촬상소자의 칼라필터 제조 방법
US20080122021A1 (en) Image sensor
KR0166807B1 (ko) 고체촬상 소자의 칼라필터 제조방법
KR0166781B1 (ko) 고체촬상소자의 칼라필터 제조방법
KR100657150B1 (ko) 광감지 영역에 연결된 전원공급선을 구비하는 이미지 센서
KR100593160B1 (ko) 시모스 이미지센서의 제조방법
KR20050041609A (ko) 씨모스 이미지센서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050422

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee