KR100211656B1 - Gas exhausting line of semiconductor fabrication apparatus - Google Patents
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Abstract
반응가스 공급라인에 잔존하는 반응가스를 제거하기 위하여 공급되는 세정가스가 배출되는 배기라인이 부식되고, 가스가 누출되는 것을 방지하는 반도체 설비의 가스배기라인에 관한 것이다.To a gas exhaust line of a semiconductor facility that prevents an exhaust line from being exhausted, and prevents gas from leaking, to remove a reaction gas remaining in the reaction gas supply line.
본 발명은, 가스봄베 내부의 가스실린더에서 공급되는 반응가스가 공급라인을 통해서 상기 가스봄베 외부의 공정챔버에 모두 공급되어 가스실린더 교체시 상기 공급라인의 세정용으로 공급되는 세정가스가 상기 가스봄베 외부의 배기라인 유입부, 배기라인 및 산배기덕트를 통과하여 배기되도록 구성된 반도체설비의 가스배기라인에 있어서, 상기 배기라인 유입부와 상기 배기라인 및 상기 배기라인과 산배기덕트는 플랜지를 이용한 결합에 의해서 연결됨을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that a reaction gas supplied from a gas cylinder in a gas cylinder is supplied to a process chamber outside the gas cylinder through a supply line so that a cleaning gas supplied for cleaning the supply line, A gas exhaust line of a semiconductor facility configured to exhaust through an exhaust line inlet portion, an exhaust line, and an acid exhaust duct, the exhaust line inlet portion, the exhaust line, and the exhaust line and the acid exhaust duct are connected by a flange As shown in FIG.
따라서, 배기라인이 부식되는 것을 방지할 수 있고, 반응가스가 누설되어 작업자의 건강에 악영향을 미치고, 주변기기를 부식시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, it is possible to prevent the exhaust line from being corroded, and the reaction gas is leaked, adversely affecting the health of the worker and preventing the peripheral equipment from being corroded.
Description
제1도는 종래의 반도체설비의 가스배기라인을 나타내는 모식도이다.FIG. 1 is a schematic view showing a gas exhaust line of a conventional semiconductor facility.
제2도는 본 발명에 따른 반도체설비의 가스배기라인의 일 실시예를 나타내는 모식도이다.FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of a gas exhaust line of a semiconductor facility according to the present invention. FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS
10 : 가스봄베 12 : 가스실린더10: gas cylinder 12: gas cylinder
14, 16, 22, 24 : 밸브 18 : 공정챔버14, 16, 22, 24: valve 18: process chamber
20 : 질소가스공급원 26 : 배기라인 유입부20: nitrogen gas source 26: exhaust line inlet
28, 40 : 배기라인 30 : 산배기덕트28, 40: exhaust line 30: acid exhaust duct
32 : 테이프 42 : 플랜지32: tape 42: flange
본 발명은 반도체설비의 가스배기라인에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반응가스 공급라인에 잔존하는 반응가스를 제거하기 위하여 공급되는 세정가스가 배출되는 배기라인이 부식되고, 가스가 누출되는 것을 방지하는 반도체설비의 가스배기라인에 관한 것이다.The present invention relates to a gas exhaust line of a semiconductor facility, and more particularly, to a gas exhaust line of a semiconductor facility, which is used for removing a reaction gas remaining in a reaction gas supply line, To a gas exhaust line of a semiconductor facility.
통상, 반도체 소자를 제조하는 공정에는 반응성, 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 반응가스를 이용하여 공정이 진행된다.Usually, a process is performed using a reaction gas having reactivity, corrosiveness, toxicity, and the like as a process for manufacturing a semiconductor device.
예를 들면, 화학기상증착공정은, 가스실린더에서 공급되는 반응가스를 이용하여 공정챔버에서 반도체 기판 상에 박막이나 에피층을 형성한다.For example, a chemical vapor deposition process forms a thin film or an epilayer on a semiconductor substrate in a process chamber using a reaction gas supplied from a gas cylinder.
또한, 이온주입공정에서는 가스실린더에서 공급되는 반응가스를 공정챔버에서 높은 에너지로 이온화시켜 생성된 이온을 반도체 기판 상에 주입시킨다.Further, in the ion implantation process, the reaction gas supplied from the gas cylinder is ionized at a high energy in the process chamber to inject the generated ions onto the semiconductor substrate.
가스실린더에서 공급되는 반응가스는 일정사용시간이 경과되면 반응가스가 충전된 새로운 가스실린더로 교체하는데, 이때 반응가스 공급라인에 잔존하는 반응 가스를 제거하기 위하여 질소가스공급원에서 공급되는 질소가스를 반응가스 공급라인에 공급한다.The reaction gas supplied from the gas cylinder is replaced with a new gas cylinder filled with the reaction gas when a predetermined use time has elapsed. At this time, in order to remove the reaction gas remaining in the reaction gas supply line, nitrogen gas supplied from a nitrogen gas supply source is reacted Gas supply line.
제1도는 종래의 반도체설비의 가스배기라인을 나타내는 모식도이다.FIG. 1 is a schematic view showing a gas exhaust line of a conventional semiconductor facility.
제1도를 참조하면, 가스봄베(Gas bombe : 10) 내부의 가스실린더(12)에서 공급되는 반응가스는 밸브(14, 16)를 통과하여 가스봄베(10) 외부의 공정챔버(18)에 공급되어 반도체 소자 제조공정이 이루어지도록 되어 있다.1, a reaction gas supplied from a gas cylinder 12 in a gas bomb 10 passes through valves 14 and 16 and is supplied to a process chamber 18 outside the gas cylinder 10 So that the semiconductor device manufacturing process is performed.
연속적인 반도체 소자 제조공정과정에 가스실린더(12)의 반응가스가 모두 소모되면, 반응가스 공급라인에 위치한 밸브(14, 16)를 닫고 가스봄베(10) 외부의 질소가스공급원(20)에서 공급되는 질소가스가 밸브(22, 24)를 통과하여 배기라인 유입부(26)로 공급되도록 되어 있다.When the reaction gas of the gas cylinder 12 is exhausted during the continuous semiconductor device manufacturing process, the valves 14 and 16 located in the reaction gas supply line are closed and supplied from the nitrogen gas supply source 20 outside the gas cylinder 10 Nitrogen gas is supplied to the exhaust line inflow portion 26 through the valves 22,
배기라인 유입부(26)를 통과한 질소가스는 고무재질로, 내부 및 외부에 주름이 형성되고, 가스봄베(10) 외부에 위치한 배기라인(28)을 통하여 산배기 덕트(30)로 공급되어 외부로 방출되도록 되어 있다.The nitrogen gas that has passed through the exhaust line inflow section 26 is made of a rubber material and is corrugated on the inside and the outside and supplied to the acid exhaust duct 30 through the exhaust line 28 located outside the gas cylinder 10 And is discharged to the outside.
상기 배기라인(28)과 배기라인 유입부(26) 그리고 배기라인(28)과 배기덕트(30)는 일반테이프로 밀봉결합되어 있다.The exhaust line 28, the exhaust line inlet 26, the exhaust line 28, and the exhaust duct 30 are sealed to each other by a general tape.
따라서, 가스봄베(10) 내부의 가스실린더(12)에서 공급되는 반응성, 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 반응가스는 밸브(14, 16)를 통과하여 공정챔버(18)에 공급되어 반응가스를 이용한 반도체 소자 제조공정이 이루어진다.Therefore, the reactive gas, which is supplied from the gas cylinder 12 in the gas cylinder 10 and has reactivity, corrosiveness, and toxicity, is supplied to the process chamber 18 through the valves 14 and 16, A semiconductor device fabrication process is performed.
연속적인 공정과정에 가스실린더(12)에 채워진 반응가스가 모두 소모되면, 새로운 반응가스가 채워진 가스실린더(12)로 교체하는 작업을 실시한다.When the reaction gas filled in the gas cylinder 12 is consumed in the continuous process, the gas cylinder 12 filled with the new reaction gas is replaced.
가스실린더(12) 교체작업시 반응가스가 공급되는 공급라인을 세정하는 세정작업을 실시한다.A cleaning operation for cleaning the supply line to which the reaction gas is supplied during the replacement operation of the gas cylinder 12 is performed.
반응가스가 공급되는 공급라인의 세정작업은, 반응가스 공급라인에 설치된 밸브(14, 16)를 닫고 가스봄베(10) 외부의 질소가스공급원(20)에서 공급되는 질소가스의 공급으로부터 시작된다.The cleaning operation of the supply line to which the reaction gas is supplied starts with the supply of the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 20 outside the gas cylinder 10 by closing the valves 14 and 16 provided in the reaction gas supply line.
질소가스공급원(20)에서 공급되는 질소가스는 밸브(22)를 통과하여 반응가스 공급라인에 설치된 두개의 밸브(14, 16) 사이의 반응가스 공급라인에 공급되어 공급라인에 잔존하는 반응성, 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 반응가스를 제거하여 밸브(24)를 통과하여 배기라인 유입부(26)와 배기라인(28), 산배기덕트(30)를 통과하여 외부로 방출된다.Nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 20 is supplied to the reaction gas supply line between the two valves 14 and 16 provided in the reaction gas supply line through the valve 22 so that the reactive gas, The exhaust gas is exhausted to the outside through the exhaust line inflow section 26, the exhaust line 28, and the acid exhaust duct 30 after passing through the valve 24, the reaction gas having toxicity and the like.
그러나, 질소가스에 의해서 반응가스 공급라인에서 제거된 반응가스는 부식성을 가지고 있으므로 고무재질의 배기라인을 부식시키고, 배기라인의 연결부위가 일반테이프로 밀봉되어 있으므로 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 반응가스가 누설되어 작업자의 건강에 악영향을 미치며, 주변기기를 부식시키는 문제점이 있었다.However, since the reaction gas removed from the reaction gas supply line by the nitrogen gas is corrosive, the rubber exhaust line is corroded and the connecting portion of the exhaust line is sealed with a general tape, The gas is leaked, adversely affecting the health of the operator, and there is a problem that the peripheral equipment is corroded.
본 발명의 목적은, 가스실린더 교체시 반응가스 공급라인 세정용으로 공급되는 질소가스가 배기되는 배기라인이 부식되는 것을 방지하는 반도체 설비의 가스배기라인을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a gas exhaust line of a semiconductor facility that prevents corrosion of an exhaust line from which nitrogen gas supplied for cleaning a reaction gas supply line during gas cylinder replacement is exhausted.
본 발명의 다른 목적은, 가스실린더 교체시 반응가스 공급라인 세정용으로 공급되는 질소가스가 배기라인 연결부위로 누설되는 것을 방지하는 반도체 설비의 가스공급라인을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a gas supply line of a semiconductor facility that prevents nitrogen gas supplied for cleaning the reaction gas supply line from leaking to the exhaust line connection portion when the gas cylinder is replaced.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체설비의 가스배기라인은, 가스봄베 내부의 가스실린더에서 공급되는 반응가스가 공급라인을 통해서 상기 가스봄베 외부의 공정챔버에 모두 공급되어 가스실린더 교체시 상기 공급라인의 세정용으로 공급되는 세정가스가 상기 가스봄베 외부의 배기라인 유입부, 배기라인 및 산배기덕트를 통과하여 배기되도록 구성된 반도체설비의 가스배기라인에 있어서, 상기 배기라인 유입부와 상기 배기라인 및 상기 배기라인과 산배기덕트는 플랜지를 이용한 결합에 의해서 연결됨을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a gas exhaust line of a semiconductor facility according to the present invention is characterized in that a reaction gas supplied from a gas cylinder in a gas cylinder is supplied to a process chamber outside the gas cylinder through a supply line, A gas exhaust line of a semiconductor facility configured to exhaust a cleaning gas supplied for cleaning a supply line through an exhaust line inlet portion, an exhaust line, and an acid exhaust duct outside the gas cylinder, wherein the exhaust line inlet portion and the exhaust And the exhaust line and the acid exhaust duct are connected by a coupling using a flange.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도는 본 발명에 따른 반도체설비의 가스배기라인의 일 실시예를 나타내는 모식도로서 제1도와 동일부품은 동일부호로 표시한다.FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment of a gas exhaust line of a semiconductor device according to the present invention, wherein the same components as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
제2도를 참조하면, 가스봄베(10) 내부의 가스실린더(12)에서 공급되는 반응성, 부식성, 유독성 등을 가진 반응가스는 공급라인 상에 설치된 밸브(14, 16)를 통과하여 가스봄베(10) 외부의 공정챔버(18)로 공급되어 반도체 소자를 제조하는 공정에 소모되도록 되어 있다.Referring to FIG. 2, the reactive gas, which is supplied from the gas cylinder 12 inside the gas cylinder 10 and has reactivity, corrosiveness, toxicity, etc., passes through the valves 14 and 16 provided on the supply line, 10 to an external process chamber 18 to be consumed in the process of manufacturing the semiconductor device.
연속적인 반도체 소자 제조공정과정에 가스실린더(12)의 반응가스가 모두 소모되면, 반응가스 공급라인에 위치한 밸브(14, 16)를 닫고 세정가스가 공급되는 라인에 설치된 밸브(22, 24)를 열도록 되어 있다.When the reaction gas in the gas cylinder 12 is exhausted during the continuous semiconductor device manufacturing process, the valves 14 and 16 located in the reaction gas supply line are closed and the valves 22 and 24 provided in the line to which the cleaning gas is supplied To open.
밸브(22, 24)가 열리면, 가스봄베(10) 외부의 질소가스공급원(20)에서 공급되는 질소가스는 반응가스 공급라인에 설치된 밸브(14, 16)를 통과하여 배기라인 유입부(26)로 공급되도록 되어 있다.When the valves 22 and 24 are opened, the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 20 outside the gas cylinder 10 passes through the valves 14 and 16 provided in the reaction gas supply line, Respectively.
배기라인 유입부(26)를 통과한 질소가스는 부식되지 않는 스테인레스 스틸(Stainless steel)재질로 제작되고, 가스봄베(10) 외부에 위치한 배기라인(40)을 통과하여 산배기덕트(30)로 공급되어 외부로 방출되도록 되어 있다.The nitrogen gas that has passed through the exhaust line inflow section 26 is made of stainless steel which is not corroded and passes through the exhaust line 40 located outside the gas cylinder 10 to the acid exhaust duct 30 And is discharged to the outside.
상기 배기라인 유입부(26)와 배기라인(40)은 플랜지(42)에 의해서 결합되어 있고, 플랜지(42) 내부에는 이들 사이의 기밀을 유지하는 O-링 등의 패킹이 내재되어 있다.The exhaust line inflow part 26 and the exhaust line 40 are coupled by a flange 42 and a packing such as an O-ring is held inside the flange 42 to maintain airtightness therebetween.
또한, 상기 배기라인(40)과 산배기덕트(30)도 플랜지(42)에 의해서 결합되어 있고, 플랜지(42) 내부에는 이들 사이의 기밀을 유지하는 O-링 등의 패킹이 내재되어 있다.The exhaust line 40 and the acid exhaust duct 30 are also connected to each other by a flange 42 and a packing such as an O-ring is held inside the flange 42 to maintain airtightness therebetween.
이하에서 본 발명의 작용 및 효과를 설명하면, 가스봄베(10) 내부의 가스실린더(12)에서 공급되는 반응성, 부식성, 유독성 등을 가진 반응가스는 밸브(14, 16)를 통과하여 가스봄베(10) 외부의 공정챔버(18)에 공급되어 반도체 소자를 제조하는 공정에 사용된다.The reactive gas, which is supplied from the gas cylinder 12 inside the gas cylinder 10 and has reactivity, corrosiveness, and toxicity, passes through the valves 14 and 16, 10) is supplied to an external process chamber 18 to be used in a process of manufacturing a semiconductor device.
연속적인 반도체 소자 제조과정에 가스실린더(12)에 채워진 반응가스가 모두 소모되면, 밸브(14, 16)를 닫고 밸브(22, 24)를 연다.When the reaction gas filled in the gas cylinder 12 is consumed in the continuous semiconductor device manufacturing process, the valves 14 and 16 are closed and the valves 22 and 24 are opened.
밸브(22, 24)가 열리면, 가스봄베(10) 외부의 질소가스공급원(20)에서 공급되는 질소가스는 밸브(22)를 통과하여 반응가스 공급라인에 설치된 두개의 밸브(14, 16) 사이를 통과하며 잔존하는 반응성, 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 반응가스를 제거한다.When the valves 22 and 24 are opened, the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 20 outside the gas cylinder 10 passes through the valve 22 and flows between the two valves 14 and 16 And removes the remaining reactive gas, corrosive gas, toxic gas, and the like.
밸브(22)를 통과한 질소가스는 밸브(24)를 통과하여 가스봄베(10) 외부의 배기라인 유입부(26), 부식되지 않는 스테인레스 스틸재질의 배기라인(40), 산배기덕트(30)를 통과하여 외부로 방출된다.The nitrogen gas that has passed through the valve 22 passes through the valve 24 and flows through the exhaust line inlet 26 outside the gas cylinder 10, the exhaust line 40 of stainless steel which is not corroded, the acid exhaust duct 30 And is discharged to the outside.
배기라인 유입부(26)와 배기라인(40)의 연결부위, 배기라인(40)과 산배기덕트(30)의 연결부위는 패킹이 내재되어 있는 플랜지(42)에 의해서 결합되어 있으므로 반응가스가 누출되지 않는다.Since the connecting portion between the exhaust line inflow portion 26 and the exhaust line 40 and the connecting portion between the exhaust line 40 and the acid exhaust duct 30 are coupled by the flange 42 having the packing therein, It does not leak.
본 발명에 따라서, 배기라인이 부식되지 않는 스테인레스 스틸재질로 제작되어 있으므로 배기라인이 부식되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있고, 배기라인의 연결부위가 패킹이 내재되어 있는 플랜지에 의해서 결합되어 있으므로 반응성, 부식성, 유독성 등을 가진 반응가스가 누설되어 작업자의 건강에 악영향을 미치고, 주변기기를 부식시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the exhaust line is made of a stainless steel material which is not corroded, it is possible to prevent the exhaust line from being corroded, and since the connecting portion of the exhaust line is coupled by the flange in which the packing is embedded, Corrosive, poisonous, and the like is leaked, adversely affecting the health of the operator and preventing the peripheral equipment from being corroded.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연하다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
Claims (3)
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960023545A KR100211656B1 (en) | 1996-06-25 | 1996-06-25 | Gas exhausting line of semiconductor fabrication apparatus |
Publications (2)
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| KR980005363A KR980005363A (en) | 1998-03-30 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101883213B1 (en) | 2018-02-14 | 2018-07-30 | (주) 세아그린텍 | Exhaust duct having excellent corrosion resistance and fire retardant and manufacturing method thereof |
-
1996
- 1996-06-25 KR KR1019960023545A patent/KR100211656B1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101883213B1 (en) | 2018-02-14 | 2018-07-30 | (주) 세아그린텍 | Exhaust duct having excellent corrosion resistance and fire retardant and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980005363A (en) | 1998-03-30 |
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