KR100202851B1 - Method of manufacturing electrophotographic screen of crt and crt therof - Google Patents
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Abstract
현상공정에서 현상밀도를 증대시키기 위한 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법과 이에 의해 제조된 고밀도 형광체의 스크린을 지니는 음극선관을 제공한다.Provided are a method for producing an electrophotographic screen of a cathode ray tube for increasing the development density in a developing process, and a cathode ray tube having a screen of a high density phosphor manufactured thereby.
판넬내면에 휘발성전도막을 형성시키는 1차코팅 단계, 그 전도막위에 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성광전도막을 형성시키는 2차코팅 단계, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시키는 대전단계; 그리고 그 광전도막의 정전하를 선택적으로 방출시키도록 자외선광원으로 새도우마스크를 통과시켜 노광하는 노광단계, 미세분말을 방전전극을 통과시켜 대전시키면서 분사시켜, 상기 노광단계에서 정전하가 선택적으로 방출된 광전도막의 노광부분과 그 나머지 공전도막의 비노광부분중 어느 하나의 영역에 그 대전된 미세분말을 부착시키는 현상단계를 포함하는 전자사진식 음극선관의 스크린제조방법에 있어서, 상기 현상단계이전에 그 현상단계에 사용되는 미세분말중 11μ이상의 입도를 가지는 대립자들을 제거하는 필터링단계를 추가로 구비하는 것이다.A primary coating step of forming a volatile conductive film on an inner surface of the panel, a secondary coating step of forming a volatile photoconductive film containing a material sensitive to ultraviolet rays on the conductive film, and a charging step of charging a uniform electrostatic charge to the photoconductive film; And an exposure step of exposing through a shadow mask with an ultraviolet light source to selectively discharge the electrostatic charge of the photoconductor film, and spraying fine powder through a discharge electrode to charge the electrostatic charge to selectively discharge the electrostatic charge in the exposure step. In the screen manufacturing method of an electrophotographic cathode ray tube comprising a developing step of attaching the charged fine powder to any one of the exposed portion of the photoconductive film and the non-exposed portion of the remaining resonant conductive film, before the developing step. It further comprises a filtering step of removing alleles having a particle size of 11μ or more in the fine powder used in the developing step.
또한, 본 발명은, 10μ이하의 입자크기를 가지는 형광체입자들로 형성된 스크린을 지닌 음극선관을 제공한다.In addition, the present invention provides a cathode ray tube having a screen formed of phosphor particles having a particle size of 10 μm or less.
이에 따라, 조밀하고 밀도가 높은 R,G,B형광체의 도트 내지 스트라이프를 얻을 수 있어, 중간고착공정을 생략할 수 있을 뿐만 아니라, 화질을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As a result, dots and stripes of dense, high-density R, G, and B phosphors can be obtained, and the intermediate fixing step can be omitted, and the image quality can be greatly improved.
Description
제1도는 칼라음극선관의 부분단면한 개략정면도.1 is a schematic front view in partial cross section of a color cathode ray tube;
제2도는 제1도의 음극선관의 스크린 구성을 나타낸 부분 확대단면도.2 is a partially enlarged cross-sectional view showing the screen configuration of the cathode ray tube of FIG.
제3도는 (가) 내지 (마)는 종래의 건식 전자사진식 스크린 제조방법을 설명하기 위한 개략도.3 is a schematic view for explaining a conventional dry electrophotographic screen manufacturing method (a) to (e).
제4도(b)는 전자사진식 스크린제조방법중 현상공정에서 현상된 상태를 도시한 부분확대평면도.Figure 4 (b) is a partially enlarged plan view showing a state developed in the developing step of the electrophotographic screen manufacturing method.
제5도(a)는 입도 10μ이하의 형광체입자들에 의해 현상된 상태를 도시한 부분확대평면도이고, (b)는 입도 5μ이하의 형광체입자들에 의해 현상된 상태를 도시한 부분확대평면도.FIG. 5A is a partially enlarged plan view showing a state developed by phosphor particles having a particle size of 10 μm or less, and (b) is a partially enlarged plan view showing a state developed by phosphor particles having a particle size of 5 μm or less.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
10 : 음극선관(CRT) 11 : 전자총10 cathode ray tube (CRT) 11 electron gun
12 : 판넬(panel) 13 : 펀넬(funnel)12: panel 13: funnel
14 : 네크(neck) 15 : 양극 보턴14 neck 15 anode button
16 : 새도우마스크 17 : 편향 요크16: shadow mask 17: deflection yoke
18 : 판넬면판 19a,19b : 전자빔18: panel face plate 19a, 19b: electron beam
20 : 형광면(스크린) 21 : 빛흡수물질20: fluorescent screen (screen) 21: light absorbing material
22 : 알루미늄박막층 32 : 전도막22: aluminum thin film layer 32: conductive film
34 : 광전도막 36 : 코로나방전장치34: photoconductive film 36: corona discharge device
38 : 광원(가시광선) 40 : 렌즈38: light source (visible light) 40: lens
42 : 현상용기 PL: 대립 형광체 입자42: developing container P L : allelic phosphor particles
PS: 소립 형광체 입자P S : small phosphor particles
본 발명은 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법 및 이에의한 음극선관에 관한 것으로 더 상세히는 현상밀도를 향상시킨 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법 및 이에의한 음극선관에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing an electrophotographic screen of a cathode ray tube and a cathode ray tube thereby, and more particularly to a method for producing an electrophotographic screen of a cathode ray tube having improved development density, and a cathode ray tube thereby.
일반적으로 음극선관은, 제1도에 도시된 바와 같이, 판넬(panel)(12), 펀넬(funnel)(13) 및 네크(14)로 구분되는 진공 벌브(bulb)와, 그 네크(14)내부에 장착되는 전자총(11)과, 판넬(12)의 측벽에 장착되는 새도우마스크(16)를 구비한다.In general, the cathode ray tube, as shown in FIG. 1, has a vacuum bulb divided into a panel 12, a funnel 13 and a neck 14, and the neck 14 thereof. An electron gun 11 mounted therein and a shadow mask 16 mounted on the side wall of the panel 12 are provided.
그 판넬(12)의 면판(18)의 내면에는 형광면(20)이 형성되어 있어, 전자총(11)으로부터 방출된 전자빔(19a)(19b)은 각종 렌즈계에 의해 집속되고 가속되며, 양극보턴(15)을 통해 인가되는 고전압에 의해 크게 가속되면서 편향요크(17)에 의해 편향되고 새도우마스크(16)의 애퍼처 또는 슬리트(16a)를 통과하여 형광면(20)에 주사된다.A fluorescent surface 20 is formed on the inner surface of the face plate 18 of the panel 12, and the electron beams 19a and 19b emitted from the electron gun 11 are focused and accelerated by various lens systems, and the anode button 15 It is greatly accelerated by the high voltage applied through the deflection yoke (17) and deflected by the deflection yoke (17) and passed through the apertures or slits (16a) of the shadow mask (16) to the fluorescent surface (20).
형광면(20)은 면판(18)의 배면에 형성되는데, 칼라의 경우 제2도에 도시된 바와 같이 일정한 배열구조의 다수의 스트라이프(stripe) 또는 도트(dot)형상의 형광체(R,G,B)와, 그 각 형광체들사이의 블랙코팅과 같은 빛흡수물질로 형성된다. 또, 그 배면은 전도막층으로서 알루미늄박막층(22)이 형성되어 형광면의 휘도증대, 형광면의 이온손상방지, 형광면의 전위강하방지 등의 역할을 하게 된다. 또한, 도시되지는 않지만, 그 알루미늄박막층(22)의 평면도 및 반사율을 높이기 위해서는 형광면(20)과 전도막층(22)사이에 라커(lacquer)와 같은 수지가 도포된다.The fluorescent surface 20 is formed on the back surface of the face plate 18. In the case of the color, as shown in FIG. 2, a plurality of stripe or dot-shaped phosphors R, G, and B in a constant arrangement structure are shown. ) And a light absorbing material such as a black coating between the respective phosphors. In addition, the rear surface of the aluminum thin film layer 22 is formed as a conductive film layer, which serves to increase the luminance of the fluorescent surface, to prevent ion damage of the fluorescent surface, and to prevent the potential drop of the fluorescent surface. Although not shown, a resin such as a lacquer is applied between the fluorescent surface 20 and the conductive film layer 22 in order to increase the plan view and reflectance of the aluminum thin film layer 22.
이러한 형광면(20)이 발색광 인성분과 같은 형광입자들을 포함하는 현탁액(slurry)또는 빛흡수물질을 포함하는 현탁액을 도포하고 건조시켜 형성되는 종래의 습식 사진 석판술(photolithographic wet process)은, 고화 질의 요구를 충족시키지 못할 뿐만 아니라 제조공정 및 제조설비가 복잡하여 제조비용이 크게 소요되며, 또한, 대량의 청정수 소모와 폐수발생, 인배출물, 6가 크롬감광체 배출 등 여러 가지 문제점들을 안고 있다. 최근에 이러한 습식사진석판술을 개량한 전자사진식(electrophotographical) 스크린 제조방법이 개발되었는데, 이 전자사진식 제조방법도 습식은 여전히 상술한 문제점들을 안고 있으며, 건식제조방법에 의해서는 상술한 문제점들이 상당히 해소되었다.The conventional photolithographic wet process in which the fluorescent surface 20 is formed by applying and drying a suspension containing fluorescent particles such as a chromophoric phosphorus component or a suspension containing a light absorbing material is dried, Not only does not meet the requirements, the manufacturing process and manufacturing equipment is complicated, the manufacturing cost is large, and also has a number of problems, such as the consumption of large amounts of clean water, wastewater generation, phosphorus emissions, hexavalent chromium photoresist emissions. Recently, an electrophotographic screen manufacturing method has been developed that improves the wet photolithography. In the electrophotographic manufacturing method, the wet still has the above-mentioned problems. It was considerably resolved.
그 대표적인 건식 전자사진식 스크린제조방법은 미국 특허 제 4,921,767호(1990년 5월 1일 특허됨)에 개시되어 있는 바, 이를 간략히 설명하면 다음과 같다.The representative dry electrophotographic screen manufacturing method is disclosed in US Patent No. 4,921,767 (patented May 1, 1990), which is briefly described as follows.
제3도(가)내지(마)에는 그 건식전자사진식 스크린제조방법의 각 기본 공정이 개략적으로 도시된다.3 (a) to (e) schematically show each basic process of the dry electrophotographic screen manufacturing method.
판넬(12)는 스크린공정에 들어가기 전에 그 내면이 여러 가지 방법으로 세척된다. 그리고나서, 그 판넬의 면판(18)의 내면에는 제3도(가)에서와 같이 전기적 전도막(32)이 코팅되고, 그 위에 광전도막(34)이 코팅된다. 이러한 전도막(32)에 사용되는 화합물로는 주석이나 인듐(indium)산화물, 또는 그 혼합물과 같은 무기전도물이 개시되어 있고, 휘발성전도막의 원료로는 Aldrich Chemical Co.의 상품명 폴리브린(Polybrene : 1,5-디메틸-1,5-디아자-언디카메틸렌 폴리메소브로마이드, 헥사디메스린 브로마이드)이 개시되어 있다. 이러한 폴리브린은 약 10 중량%의 프로판놀과 10중량% 수용성 접착 폴리머(폴리 비닐알콜, 폴리아크릴산, 폴리아미드 등)를 함유하는 수용액상태로 도포되고 건조되어 108Ω/(ohms per square unit)이하의 표면저항과 약 1-2㎛의 두께를 가지는 전도막(32)을 형성한다. 그 전도막(32)위에 도포되는 광전도막(34)으로는 휘발성 유기폴리머(폴리비닐카바졸)또는 폴리머 바이더(폴리메틸메타크릴레이트 또는 폴리프로필렌 카본네이트)에 용해된 n-에틸 카바졸이나 n-비닐카바졸 또는 테트라페닐부타트리엔과 같은 유기단량체와, 적당한 광전도 염료와 용매를 포함하는 도포액이 개시되어 있다. 그 광전도 염료성분으로는 가시광선(바람직하게는 400-700nm파장)에 반응하는 것으로서 크리스탈 바이오릿(crystal violet), 크로리다인 블루우(chloridine blue), 로다민 EG(rhodamine EG)와 같은 것들이 약 0.1 내지 0.4 중량 % 함유되는 것으로 개시되어 있다. 그리고 용매로는 전도막(32)을 오염시키지 아니하는 클로로벤젠이나 싸이클로펜타논과 같은 유기물이 개시되어 있다. 이와같은 조성을 가지는 광정도막(34)은 2-6μ의 두께를 가진다.Before the panel 12 enters the screening process, the inner surface of the panel 12 is cleaned in various ways. Then, the inner surface of the panel 18 of the panel is coated with the electrically conductive film 32, as shown in FIG. 3A, and the photoconductive film 34 is coated thereon. As the compound used in the conductive film 32, inorganic conductive materials such as tin, indium oxide, or mixtures thereof are disclosed. As a raw material of the volatile conductive film, Albrich Chemical Co. 1,5-dimethyl-1,5-diaza-undicamethylene polymethobromide, hexadimethrin bromide) is disclosed. This polybrine is applied in an aqueous solution containing about 10% by weight of propanol and 10% by weight of water-soluble adhesive polymers (polyvinyl alcohol, polyacrylic acid, polyamide, etc.) and dried to give 10 8 Ω / (ohms per square unit) to form a conductive film 32 having a surface resistance of less than about 1-2㎛. The photoconductive film 34 coated on the conductive film 32 includes n-ethyl carbazole or n dissolved in a volatile organic polymer (polyvinylcarbazole) or a polymer provider (polymethylmethacrylate or polypropylene carbonate). A coating liquid comprising an organic monomer such as -vinylcarbazole or tetraphenylbutatriene, a suitable photoconductive dye and a solvent is disclosed. Its photoconductive dye reacts to visible light (preferably 400-700nm wavelength), such as crystal violet, chloridine blue and rhodamine EG. About 0.1 to 0.4% by weight. As the solvent, organic substances such as chlorobenzene and cyclopentanone that do not contaminate the conductive film 32 are disclosed. The photosensitive film 34 having such a composition has a thickness of 2-6 mu.
제3도(나)에는 상술한 바와 같이 이중코팅된 면판(18)의 광전도막(34)에 종래의 방전장치(36)에 의해 암실에서 +전하로 대전되는 대전공정이 개략적으로 도시된다. 그 방전장치(36)는 +200 내지 +700 볼트의 직류전원의 +전극에 인가되고, -전극은 전도막(32)에 인가됨과 동시에 어스되며, 이와같이 +전극에 인가된 방전장치(36)가 면판(18)의 광전도막(34)위를 가로질러 이동함으로써 광전도막(34)은 +전하로 대전되게 된다.FIG. 3B schematically shows a charging process in which the photoconductive film 34 of the double coated face plate 18 is charged with positive charge in the dark room by the conventional discharge device 36 as described above. The discharge device 36 is applied to the + electrode of the DC power supply of +200 to +700 volts, the-electrode is applied to the conductive film 32 and ground at the same time, the discharge device 36 applied to the + electrode in this way By moving across the photoconductor film 34 of the face plate 18, the photoconductor film 34 is charged with positive charge.
제3도(다)는 노광공정을 도시한 것으로 상술한 바와 같이 대전된 광전도막(34)은 역시 암실내에서 새도우마스크(16)를 통해 렌즈(40)를 구비하는 크세논 플래시 램프(38)에 의해서 노광된다. 따라서, 먼저 새도우마스크(16)가 판넬(12)에 장착되고 전도막(32)은 어스된다. 이 공정에서는 그크세논 플래시램프(38)를 켜서 렌즈(40)와 새도우마스크(16)를 통해 그 램프(38)의 광선을 광전도막(34)에 조사하면, 새도우마스크(16)의 애퍼처 또는 슬리트(16a)에 해당하는 광전도막(34)부분들이 노광되고, 그 가시광선에 의해 그 노광부분의 +전하가 전도막(32)을 통해 방출되어 제3도(c)에 도시된 바와 같이 노광부분만 비대전상태로 된다. 상술한 크세논 플래시램프(38)는 칼라의 경우 빛흡수물질을 부착시키기 위해서는 종래와 같이 그 광선이 각 전자빔의 입사각에 일치하도록 3위치사이를 이동하는 구조가 바람직하다.3 (c) illustrates an exposure process, wherein the photoconductive film 34 charged as described above is applied to the xenon flash lamp 38 having the lens 40 through the shadow mask 16 in the dark room as well. Is exposed. Therefore, the shadow mask 16 is first mounted on the panel 12 and the conductive film 32 is earthed. In this process, the light beam of the lamp 38 is irradiated to the photoconductive film 34 through the lens 40 and the shadow mask 16 by turning on the xenon flash lamp 38, so that the aperture of the shadow mask 16 Portions of the photoconductive film 34 corresponding to the slit 16a are exposed, and the positive charges of the exposed portions are emitted through the conductive film 32 by the visible light, as shown in FIG. Only the exposed portion is in a non-charged state. In the case of the xenon flash lamp 38 described above, in order to attach a light absorbing material to the color, the xenon flash lamp 38 has a structure in which the light beam moves between three positions so as to coincide with the incident angle of each electron beam.
제3도(라)는 현상(형광입자 또는 빛흡수물질의 부착)공정을 개략적으로 도시한다. 이공정에서는 현상용기(42)내에 건식 빛흡수물질미세분말 또는 건식의 각 형광체미세분말과, 그 각 분말과의 접촉으로 정전기를 발생시킬 수 있는 캐리어 비드(carrier bead)가 담겨진다. 그 빛흡수물질용 캐리어 비드는 미세분말과 접촉하여 빛흡수물질입자는 -전하로, 또 형광 입자는 +전하로 대전시킬 수 있는 것이 적당하며, 그와같이 전하를 띠도록 혼합된다. 새도우마스크(16)를 제거한 판넬(12)은 광전도막(34)이 그 분말에 접촉할 수 있도록 상술한 분말이 담긴 현상용기(42)위에 설치된다.3 (d) schematically shows a development (adhesion of fluorescent particles or light absorbing material) process. In this step, the developing container 42 contains a dry light absorbing material fine powder or dry phosphor fine powder and a carrier bead capable of generating static electricity by contact with each powder. The carrier beads for the light absorbing material are in contact with the fine powder, so that the light absorbing material particles can be charged with -charge and the fluorescent particles with + charge. The panel 12 from which the shadow mask 16 is removed is installed on the developing container 42 containing the above-described powder so that the photoconductive film 34 can contact the powder.
이 때 혼합된 분말중에서 -전하를 띤 빛흡수물질은 +전하로 대전된 광전도막(34)의 비노광부분에 전기인력에 의해 부착되게 되며, +전하를 띤 형광입자는 +전하로 대전된 광전도막(34)의 비노광부분에서는 반발하고 비대전상태로 된 광전도막(34)의 노광부분에만 역현상(reversal developing)에 의해 부착하게 된다.At this time, the negatively charged light absorbing material in the mixed powder is attached to the non-exposed portion of the photoconductive film 34 charged with positive charge, and the positively charged fluorescent particles are positively charged photoelectric charge. In the non-exposed part of the coating film 34, it adheres only to the exposed part of the photoconductive film 34 which is in a non-charged state by reversal developing.
제3도(마)는 적외선 가열에의한 고착공정을 도시한 것으로, 이공정에서는 상술한 현상공정에서 부착된 건식 빛흡수물질입자 또는 건식의 각 형광입자들이 서로, 또한, 광전도막(34)에 고착된다. 따라서, 가열에 의해 융착되는 적당한 폴리머 성분이 그 광전도막(34)과 건식 빛흡수물질 입자나 건식의 각 형광입지들에 포함된다. 추후 베이킹(baking)공정에서 전도막(32)이나 광전도막(34) 등 휘발성물질들은 연소되어 제거되고 상술한 바와같이 고착되어 형성된 소정 배열구조의 각종 형광체입자들이나 빛흡수물질들로 형성된 스크린이 얻어진다.FIG. 3 (E) shows a fixing process by infrared heating, in which dry light absorbing material particles or dry fluorescent particles attached in the above-described developing process are added to each other, and the photoconductive film 34 Is stuck on. Therefore, a suitable polymer component fused by heating is included in the photoconductive film 34 and dry light absorbing material particles or dry fluorescent sites. In the subsequent baking process, volatile materials such as the conductive film 32 and the photoconductive film 34 are burned and removed, and a screen formed of various phosphor particles or light absorbing materials having a predetermined arrangement formed by being fixed as described above is obtained. Lose.
제4도(a)에는 현상공정에서 형광체입자들로 현상되는 상태가 부분적으로 확대되어 도시된다. 제4도(a)에 도시된 바와 같이 +로 대전된 형광체입자(P)가 광전도막(34)의 노광부분 즉 전하방출부분에 전기적 인력과 반발력에 의해 부착되게 되지만, 일단 부착된 형광체입자(P)들사이에도 서로 동일한 +전하로 인하여 화살표로 도시한 바와같이 전기적 반발력이 작용하게 되며, 또, 새로 전기적 인력으로 부착되려는 형광체입자에도 약 하지만 전기적 반별력이 작용하게 되어 고밀도로 강하게 현상되지 못하는 문제점이 있다.FIG. 4 (a) shows a partially enlarged state of development of phosphor particles in a developing process. As shown in FIG. 4 (a), the phosphor particles P charged with + are attached to the exposed portion of the photoconductive film 34 by the electric attraction force and the repulsive force. Due to the same positive charges between P), the electric repulsive force acts as shown by the arrow, and the phosphor particles to be newly attached by the electric attraction force are weak, but the electric repulsive force acts so that they cannot be developed strongly at high density. There is a problem.
제4도(b)에는 상술한 전자사진식 스크린제조방법에 의해 소정의 배열로 형성된 형광막이 부분확대평면도가 도시되는데, 여기에서 알 수 있는 바와 같이 대립(大粒)형광체입자(PL)의 주위에는 형광체부착(현상)밀도가 크게 저하되는 문제점이 있다.FIG. 4 (b) shows a partially enlarged plan view of the fluorescent film formed in a predetermined arrangement by the electrophotographic screen manufacturing method described above. As can be seen here, the periphery of the opposing fluorescent substance particles P L is shown. There is a problem that the density of phosphor adhesion (development) is greatly reduced.
그 이유는 대립형광체입자(PL)의 대전 전하량이 커서 전기적 반발력도 크게 될 것이기 때문이라고 사료된다.It is considered that the reason is that the large amount of charged charge of the allelic phosphor particles P L will increase the electrical repulsive force.
본 발명은 이러한 점에 확안하여 상술한 문제점을 해결한 것으로, 현상공정에서 현상밀도를 증대시키기 위한 음극선관의 전자사진식 스크린 제조방법과 이에 의해 제조된 고밀도 형광체의 스크린을 지니는 음극선관을 제공하는 데에 있다.The present invention has been made in view of the above problems and solves the above-mentioned problems, and provides a method for producing an electrophotographic screen of a cathode ray tube for increasing the development density in a developing step, and a cathode ray tube having a screen of a high density phosphor manufactured thereby. There is.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 판넬내면에 휘발성전도막을 형성시키는 1차코팅 단계, 그 전도막위에 자외선에 감응하는 물질을 함유하는 휘발성광전도막을 형성시키는 2차코팅단계, 그 광전도막에 균일한 정전하를 대전시키는 대전단계; 그리고 그 광전도막의 정전하를 선택적으로 방출시키도록 자외선 광원으로 새도우마스크를 통과시켜 노광하는 노광단계, 미세분말을 방전전극을 통과시켜 대전시키면서 분사시켜, 상기 노광단계에서 정전하가 선택적으로 방출된 광전도막의 노광부분과 그 나머지 광전도막의 비노광부분중 어느 하나의 영역에 그 대전된 미세분말을 부착시키는 현상단계를 포함하는 전자사진식 음극선관의 스크린제조방법에 있어서, 상기 현상단계이전에 그 현상단계에 사용되는 미세분말중 11μ이상의 입도를 가지는 대립자들을 제거하는 필터링단계를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 전자사진식 음극선관의 스크린제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a first coating step for forming a volatile conductive film on the inner surface of the panel, a second coating step for forming a volatile photoconductive film containing a material sensitive to ultraviolet rays on the conductive film, the photoconductive film in the A charging step of charging a uniform electrostatic charge; An exposure step of exposing through a shadow mask with an ultraviolet light source to selectively discharge the electrostatic charge of the photoconductor film, and the fine powder is sprayed while passing through the discharge electrode, the electrostatic charge is selectively released in the exposure step In the screen manufacturing method of an electrophotographic cathode ray tube comprising a developing step of attaching the charged fine powder to one of the exposed portion of the photoconductive film and the non-exposed portion of the remaining photoconductive film, before the developing step. It provides a screen manufacturing method of an electrophotographic cathode ray tube, characterized in that it further comprises a filtering step for removing alleles having a particle size of 11μ or more of the fine powder used in the developing step.
또한, 본 발명은, 전자사진식 스크린제조방법에 의해 적어도 1종의 형광체가 소정의 배열로 형성된 스크린을 지니는 음극선관에 있어서, 상기 형광체가 10μ이하의 입자크기를 가지는 형광체입자들로 형성된 것을 특징으로 하는 음극선관을 제공한다. 상기 형광체입자들이 블레인 방법(Blaine method) 내지 에프.에스.에스.에스(F.S.S.S.:Fisher Sub-sieve sizer)법에 의해 5μ이하의 입도를 가지거나, 쿨턴 카운터(Coulten counter)에 의해 7μ이상의 입도를 가지는 형광체입자인 것이 바람직하다.The present invention also provides a cathode ray tube having a screen in which at least one phosphor is formed in a predetermined arrangement by an electrophotographic screen manufacturing method, wherein the phosphor is formed of phosphor particles having a particle size of 10 μm or less. A cathode ray tube is provided. The phosphor particles have a particle size of 5 μm or less by the Blaine method or the F. S. S. size (FSSS) method, or a particle size of 7 μm or more by a Coulten counter. It is preferable that the branch is a phosphor particle.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예가 설명된다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
본 발명에 따른 전자사진식 스크린제조방법은 제3도에 도시된 종래의 전자사진식 스크린제조방법과 유사하다. 즉, 여러 가지 방법으로 세척된 판넬(12)의 면판내면에는 제3도(a)의 코팅공정에서 전기적전도막(32)과 광전도막(34)이 형성되고, 그 뒤, 제3도(b)의 대전공정에서 광전도막(34)이 종래의 코로나 방전장치(36)에 의해 +전하로 대전되며, 그 다음, 제3도(c)의 노광공정에서 새도우마스크(16)를 장착하고 그 새도우마스크(16)의 슬로트 또는 애퍼처(16a)를 통과시켜 +전하로 대전된 광전도막(34)을 노광시킴으로써 소정의 배열구조의 전하잠상이 광전도막(34)에 형성된다.The electrophotographic screen manufacturing method according to the present invention is similar to the conventional electrophotographic screen manufacturing method shown in FIG. That is, the conductive plate 32 and the photoconductive film 34 are formed on the inner surface of the panel 12 cleaned by various methods in the coating process of FIG. Photoelectric film 34 is charged with positive charge by a conventional corona discharge device 36, and then the shadow mask 16 is mounted in the exposure process of FIG. A charge latent image having a predetermined configuration is formed on the photoconductive film 34 by exposing the photoconductive film 34 charged with positive charge through the slot or aperture 16a of the mask 16.
그 뒤, 제3도(d)의 현상공정에서 +전하로 대전된 건식의 3종 형광체미세분말중의 하나 또는 -전하로 대전된 건식의 빛흡수물질미세분말이 광전도막(34)측으로 부유, 접촉할 때 전기적 인력과 반발력의 작용으로 +전하로 대전된 형광체입자의 경우에는 광전도막(34)의 노광부분, 즉 +전하방출부분에 부착하게 되고, -전하로 대전된 빛흡수물질입자의 경우에는 광전도막(34)의 비노광부분, 즉, +전하부분에 부착하게 된다.그 빛흡수물질 입자를 현상시키고자 하는 경우에는 상기 노광단계에서 3종의 전자빔의 입사각에 일치하는 3위치에서 각각 노광이 이루어짐으로써, 3종의 형광체 부착부분을 제외한 부분에서 빛흡수물질입자들이 현상될 수 있게 된다.Subsequently, in the developing process of FIG. 3 (d), one of the three kinds of dry fine phosphor powder charged with + charge or the dry light absorbing material fine powder charged with charge is suspended toward the photoconductive film 34, In the case of contacting, the phosphor particles charged with + charge due to the action of electrical attraction and repulsive force are attached to the exposed part of the photoconducting film 34, that is, the + charge emitting part, and the case of the light-absorbing material particles charged with charge. Is attached to the non-exposed portion of the photoconductive film 34, i.e., the + charged portion. In order to develop the light-absorbing material particles, the light-absorbing material particles are developed at three positions corresponding to the incident angles of the three electron beams in the exposure step. By the exposure, the light absorbing material particles can be developed at portions other than the three kinds of phosphor attaching portions.
그런데, 본 발명에 의하면, 상기 노광공정과는 별도로 상술한 현상 공정이전에 필터링 공정을 추가로 구비하여 적어도 11μ이상의 입도를 가지는 대립자들을 미세분말로부터 제거하는 것이다.However, according to the present invention, apart from the exposure step, a filtering step is further provided before the above-described developing step to remove alleles having a particle size of at least 11 μm from the fine powder.
이와같이 필터링공정에서 10μ이하의 입도를 가지는 미세분말을 대전시켜 상술한 현상공정에 투입시킴으로써 적어도 11μ이상의 입도를 가지는 대립자에의한 전기적반발력을 제거할 수 있게 된다.In this way, by charging the fine powder having a particle size of 10μ or less in the filtering process and inserting it into the above-described developing process, it is possible to remove the electric repulsive force by alleles having a particle size of at least 11μ.
예를 들어, 제5도(a)에는 10μ이하의 입도를 가지는 형광체입자들로 제3도(d)의 현상공정을 실시한 결과의 현상상태가 도시된다. 제4도(b)와 비교하면, 제4도(b)에서와 같이 11μ이상의 입도를 가지는 대립광체입자(PL)의 주위로부터 큰 틈새를 두고 인접형광체입자들이 부착되는 것과는 크게 대조된다.For example, FIG. 5 (a) shows a development state resulting from the development process of FIG. 3 (d) with phosphor particles having a particle size of 10 mu or less. Compared with FIG. 4 (b), as in FIG. 4 (b), there is a large contrast with the attachment of adjacent phosphor particles with a large gap from the periphery of the allele particles P L having a particle size of 11 mu or more.
또한, 제5도(b)에는, 상술한 필터링단계에서 쿨턴 카운터에 의해 8μ이상의 입도, 또는 블레인(Blaine)법이나 F.S.S.S 법에 의해 6μ이상의 입도를 가지는 형광체입자들을 제거하고, 현상공정을 실시한 결과의 형광체입자들이 부착된 상태가 도시된다. 이 경우에는 제5도(a)에서보다 더욱 조밀하게형광체입자들이 부착되어 있다.In addition, in FIG. 5 (b), in the above-described filtering step, phosphor particles having a particle size of 8 μm or more by the Coulton counter or a particle size of 6 μ or more are removed by the Blaine method or the FSSS method, and a developing process is performed. The state in which phosphor particles of are attached is shown. In this case, the phosphor particles are more densely attached than in Fig. 5A.
또한, 이상에서와 같이 11μ이상의 형광체입자들을 제거하고 현상한 결과, 다른 2종의 형광체입자들을 위해 대전공정, 노광공정 및 현상공정을 2회 반복하는 동안에도 부착된 형광체입자들이 거의 떨어져 나가지 아니한 채, 그대로 부착 형태를 유지하고 있기 때문에, 3종의 형광체에 대해 현상이 완료되기 까지에는 종래와 달리 별도의 중간 고착공정이 생략될 수 있었다.In addition, as described above, as a result of removing and developing the phosphor particles of 11μ or more, the adhered phosphor particles hardly fell out during the charging process, the exposure process, and the developing process twice for the other two kinds of phosphor particles. Since the attachment form is maintained as it is, a separate intermediate fixing step may be omitted, unlike in the prior art, until development is completed for three kinds of phosphors.
상술한 바와같이, 본 발명에 따라 10μ이하의 입도를 가지는 형광체만으로 건식전자사진식 스크린제조방법을 실시함으로써, 조밀하고 밀도가 높은 R,G,B형광체의 도트 내지 스트라이프를 얻을 수 있어, 중간고착공정을 생략할 수 있을 뿐만 아니라, 화질을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, by performing a dry electrophotographic screen manufacturing method using only phosphors having a particle size of 10 μm or less, dense and dense dots or stripes of R, G, and B phosphors can be obtained, and the intermediate fixation is performed. Not only can the process be omitted, but the image quality can be greatly improved.
이상에서 본 발명이 바람직한 실시예들을 통해 설명되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 청구범위에 기재된 사항으로부터 당업자라면 여러 가지 응용과 변형이 가능할 것이다.Although the present invention has been described above through the preferred embodiments, the present invention is not limited thereto and various applications and modifications may be made by those skilled in the art from the matters described in the claims.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950024029A KR100202851B1 (en) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | Method of manufacturing electrophotographic screen of crt and crt therof |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950024029A KR100202851B1 (en) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | Method of manufacturing electrophotographic screen of crt and crt therof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
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Family Applications (1)
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| KR1019950024029A KR100202851B1 (en) | 1995-08-04 | 1995-08-04 | Method of manufacturing electrophotographic screen of crt and crt therof |
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| KR (1) | KR100202851B1 (en) |
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1995
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| KR970012925A (en) | 1997-03-29 |
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