KR100190102B1 - Cleaning solution and cleaning method using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명에는 세정 용액이 개시되어 있다. 본 발명은 탈이온수에 플루오르화붕소수소산(HBF4)과 인산(H3PO4) 및 계면 활성제가 소정 비율로 혼합된 세정 용액을 제공한다. 본 발명은 또한 상기 세정 용액을 이용한 반도체 기판의 세정 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 세정 용액은 유기금속성 폴리머의 제거에 탁월한 효과가 있으며, 도전막에 대한 부식성이 없고 금속오염입자가 가공된 반도체 소자에 작용하는 것을 방지할 수 있어서 세정효과가 증대된다. 그리고 상기 세정 용액을 이용한 세정방법은 세정공정 및 조건이 단순화되어 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.A cleaning solution is disclosed in the present invention. The present invention provides a cleaning solution in which deionized water is mixed with a predetermined ratio of hydrofluoric borohydric acid (HBF4) and phosphoric acid (H3PO4) and a surfactant. The present invention also provides a cleaning method of a semiconductor substrate using the cleaning solution. The cleaning solution according to the present invention has an excellent effect for removing the organometallic polymer, has no corrosiveness to the conductive film, and can prevent the metal contaminating particles from acting on the processed semiconductor device, thereby increasing the cleaning effect. And, the cleaning method using the cleaning solution can simplify the cleaning process and conditions, and can greatly improve the productivity.
Description
본 발명은 반도체 소자의 제조시 사용되는 세정 용액 및 이를 이용하는 세정방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 통상의 반도체 소자의 제조 단계에서 발생하는 폴리머, 금속 물질 및 식각 잔류물 등과 같은 오염물질등을 효과적으로 제거하기 위한 세정 용액 및 이를 이용하는 세정방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning solution used in the production of semiconductor devices and a cleaning method using the cleaning solution. More particularly, the present invention relates to a cleaning solution for effectively removing contaminants such as polymers, metal materials, etching residues, And a cleaning method using the cleaning solution.
반도체 소자는 실리콘 웨이퍼 상에 적층된 여러 가지의 반도체용 박막을 화학 기계적 연마(CMP)공정, 건식 식각(dry etch)공정, 화학 기상 증착(CVD)공정 및 이온 주입 공정(ion implantation)등으로 용도에 맞게 가공함으로써 제작된다.Semiconductor devices are used for various semiconductor thin films stacked on a silicon wafer by a chemical mechanical polishing (CMP) process, a dry etch process, a chemical vapor deposition (CVD) process, and an ion implantation process .
특히 도전막(예: 알루미늄막, 티타늄막, 알루미늄/실리콘막, 텅스텐막, 텅스텐/티타늄막, 티타늄 질화막등)의 가공시 식각 가스 및 포토레지스트와 상기 도전막이 상호반응하여 측벽 폴리머(polymer) 또는 펜스(fence) 등의 부산물을 형성하여 제품의 수율 및 신뢰성에 치명적 영향을 끼치게 된다. 더구나, 전자 기기의 고속화, 고성능화 및 소형화에 따라 집적도가 높아지면서 이러한 부산물들은 더욱 심각한 문제로 대두되고 있다. 따라서 각종 부산물들을 제거하기 위한 세정 공정의 필요성이 갈수록 중요시되고 있다.Particularly, when the conductive film (e.g., an aluminum film, a titanium film, an aluminum / silicon film, a tungsten film, a tungsten / titanium film, or a titanium nitride film) is processed, the etching gas and the photoresist react with the conductive film, Thereby forming by-products such as fences, which have a critical impact on the yield and reliability of the product. Moreover, as the degree of integration increases with the speeding up, high performance and miniaturization of electronic devices, these byproducts are becoming more serious problems. Therefore, the necessity of a cleaning process for removing various by-products is becoming more and more important.
건식식각에 의해 도전막을 노출시키는 콘택홀 형성단계 또는 도전막 패턴 형성단계 이후의 세정 공정을 도 1 및 도 2를 참고로하여 설명함으로써 종래의 세정 공정에 대해 살펴본다.A conventional cleaning process will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by explaining a cleaning process after a contact hole forming step or a conductive film pattern forming step that exposes a conductive film by dry etching.
도 1은 종래의 포토레지스트 세정 용액 또는 유기물 세정 용액을 사용한 세정방법에 따라 콘택홀을 세정한 경우를 도시한 도면이다. 참조번호 10은 반도체 기판을, 20은 층간 절연막을, 30은 도전막을, 40은 산화막을 그리고 50은 콘택홀을, 60은 오염물질을 각각 나타낸다.1 is a view showing a case where a contact hole is cleaned by a conventional photoresist cleaning solution or a cleaning method using an organic material cleaning solution. Reference numeral 10 denotes a semiconductor substrate, 20 denotes an interlayer insulating film, 30 denotes a conductive film, 40 denotes an oxide film, 50 denotes a contact hole, and 60 denotes a contaminant.
도 1에 도시된 바와 같은 콘택홀(50)이 형성된 반도체 기판을 60 내지 90℃의 유기물 세정 용액 또는 포토레지스트 세정 용액등에 담그어 콘택홀의 측벽 및 바닥면에 형성된 식각 잔류물등과 같은 오염물질을 제거한다. 세정 용액 처리가 끝난 반도체 기판을 알코올 계열의 린스제(rinser)에 담그어 헹구어 낸 다음 이어서 탈이온수에 담그어 반도체 기판 표면에 존재하는 세정 용액을 완전히 제거한다. 다음에 세정 용액이 제거된 기판을 탈이온수가 담겨 있는 다른 액조에 다시 담그어 상기 세정 용액이 제거된 기판 표면에 잔존하는 이물질을 제거한 후, 반도체 기판을 회전시켜서 반도체 기판 표면에 남아있는 탈이온수를 제거함으로써 세정 공정을 완료한다.The semiconductor substrate having the contact hole 50 as shown in FIG. 1 is immersed in an organic cleaning solution or a photoresist cleaning solution at 60 to 90 ° C to remove contaminants such as etch residues formed on the side walls and the bottom of the contact hole . The semiconductor substrate subjected to the cleaning solution treatment is immersed in an alcohol rinse rinse and then immersed in deionized water to completely remove the cleaning solution present on the surface of the semiconductor substrate. Next, the substrate on which the cleaning solution has been removed is immersed in another solution containing deionized water to remove foreign substances remaining on the surface of the substrate from which the cleaning solution has been removed, and then the semiconductor substrate is rotated to remove deionized water remaining on the surface of the semiconductor substrate Thereby completing the cleaning process.
그러나, 종래의 유기물 세정 용액 또는 포토레지스트 세정 용액은 콘택홀 내에 형성되는 식각 잔류물 및 그외의 오염물질을 제거하는 능력에 한계가 있어서 세정 효과가 불충분하다. 따라서 세정 후에도 도1과 같이 콘택홀의 측벽 및 바닥 부분에 오염물질의 일부분(60)이 잔류하게 된다. 특히 금속 배선 및 비아 홀의 건식식각시 발생되는 유기금속성 측벽 폴리머 등의 경우에는 포토레지스트 제거를 위한 플라즈마 애슁(ashing) 공정에 의해 유기금속성 측벽 폴리머가 옥소-금속성 착화합물(oxo-metallic complex)들로 산화되는데 이러한 옥소-금속성 착화합물들은 종래의 세정 용액으로는 완전히 제거되기 어려운 문제점이 있다.However, the conventional organic cleaning solution or photoresist cleaning solution has a limited ability to remove etch residues and other contaminants formed in the contact holes, so that the cleaning effect is insufficient. Accordingly, even after cleaning, a portion (60) of the contaminant remains on the side wall and the bottom of the contact hole as shown in FIG. In particular, in the case of the organic metallic side wall polymer generated in the dry etching of the metal wiring and the via hole, the organic metallic side wall polymer is oxidized to oxo-metallic complexes by a plasma ashing process for removing the photoresist Such oxo-metallic complexes are difficult to be completely removed by conventional cleaning solutions.
또한, 일부 세정 용액은 도전막에 대한 부식성을 지니고 있어서 세정공정시 도전막 패턴(30)의 일부를 식각 시켜서 도 2와 같이 도전막 패턴의 프로파일을 심하게 변형시킬수 있는 문제점이 있다.In addition, some of the cleaning solution has corrosion resistance to the conductive film, so that there is a problem that a part of the conductive film pattern 30 is etched during the cleaning process to severely deform the profile of the conductive film pattern as shown in FIG.
그리고, 종래의 세정 용액은 금속에 대한 강한 부식성 때문에 세정 용액의 배관 및 세정 장비의 노후화를 빨리 초래하고 세정 후 탈이온수로 세정하기전에 알코올 등의 가연성 린스 공정을 추가적용해야 하기 때문에 제조시설내의 환경 및 공정을 복잡하게 하는 문제점이 있다. 또한 종래의 세정 용액의 경우 세정 용액 자체가 다량의 금속 이온 및 오염입자를 함유하고 있어서 세정 공정 도중에 반도체기판 표면에 금속 이온 및 오염입자등이 재흡착될 위험성이 있다.Conventional cleaning solutions cause deterioration of piping and cleaning equipment of the cleaning solution due to the strong corrosion of metals due to the strong corrosion of metals, and it is necessary to apply a combustible rinsing process such as alcohol before cleaning with deionized water after cleaning. Therefore, And the process becomes complicated. Further, in the case of the conventional cleaning solution, the cleaning solution itself contains a large amount of metal ions and contaminating particles, so that there is a risk that metal ions and contaminating particles are adsorbed on the surface of the semiconductor substrate during the cleaning process.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 세정 용액이 지니는 문제점을 해결하기 위하여 산성 세정 용액으로서 금속성 오염물질 및 유기 오염물질을 모두 제거할 수 있고 오염물질의 재부착을 효과적으로 방지할 수 있어서 세정 효율을 극대화시킬 수 있으며, 도전막 등에 손상을 주지 않으며 또한 건식 식각 공정 등에 의해 일부 손상된 유기 막질의 표면을 식각하여 손상된 막질을 제거할 수 있는 능력을 가진 세정 용액을 제공하는 데 있다.Disclosure of Invention Technical Problem [8] The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide an acid cleaning solution which can remove both metallic contaminants and organic contaminants and effectively prevent re- The present invention also provides a cleaning solution which does not damage the conductive film and has the ability to remove damaged film quality by etching a partially damaged organic film surface by a dry etching process or the like.
본 발명의 다른 기술적 과제는 상기 세정 용액을 이용하여 반도체 기판을 세정하는 방법을 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a method of cleaning a semiconductor substrate using the cleaning solution.
도 1은 종래의 포토레지스트 세정 용액 또는 유기물 세정 용액을 사용한 세정방법에 따라 콘택홀을 세정한 경우를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a case where a contact hole is cleaned by a cleaning method using a conventional photoresist cleaning solution or an organic cleaning solution.
도 2는 세정 공정후 도전막 패턴의 프로파일이 심하게 변형된 경우를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a case where the profile of the conductive film pattern is severely deformed after the cleaning process.
상기 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 탈이온수에 플루오르화붕소수소산(HBF4)과 인산(H3PO4)이 소정 비율로 용해된 것을 특징으로 하는 세정 용액을 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a cleaning solution characterized by dissolving hydrofluoric hydrofluoric acid (HBF4) and phosphoric acid (H3PO4) in deionized water at a predetermined ratio.
본 발명에 있어서, 상기 세정 용액은 계면 활성제를 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 인산에 대한 플루오르화붕소수소산의 비율은 0.01 내지 25 중량%이고 상기 인산에 대한 계면 활성제의 비율은 0.01내지 5 중량%인 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the cleaning solution further comprises a surfactant, and the ratio of the hydrofluoroboric acid to the phosphoric acid is 0.01 to 25 wt%, and the ratio of the surfactant to the phosphoric acid is 0.01 to 5 wt% .
상기 다른 기술적 과제를 해결하기 위하여 본 발명은, 플루오르화붕소수소산(HBF4)과 인산(H3PO4)이 소정 비율로 혼합된 세정 용액이 담긴 제1액조에 반도체 기판을 담그어 세정하는 단계; 상기 세정된 기판을 탈이온수가 담긴 제2 액조에 담그어 상기 세정된 기판 표면에 잔존하는 세정 용액을 제거하는 단계; 상기 세정 용액이 제거된 기판을 탈이온수가 담긴 제3 액조에 담그어 상기 세정 용액이 제거된 기판 표면에 잔존하는 이물질을 제거하는 단계; 및 상기 이물질이 제거된 기판을 회전시키어 그 표면에 잔존하는 탈이온수를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 세정방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of cleaning a semiconductor substrate, the method comprising: immersing a semiconductor substrate in a first liquid bath containing a cleaning solution in which hydrofluoric boric acid (HBF4) and phosphoric acid (H3PO4) are mixed at a predetermined ratio; Immersing the cleaned substrate in a second liquid bath containing deionized water to remove the cleaning solution remaining on the cleaned substrate surface; Immersing the substrate from which the cleaning solution has been removed in a third liquid tank containing deionized water to remove foreign matter remaining on the substrate surface from which the cleaning solution has been removed; And rotating the substrate on which the foreign substance is removed to remove deionized water remaining on the surface of the substrate.
본 발명에 있어서, 상기 세정 용액은 이온화 또는 비이온화되어진 계면 활성제를 더 포함하는 것이 바람직하며, 상기 인산에 대한 플루오르화붕소수소산의 비율은 0.01 내지 25 중량%이고 상기 인산에 대한 계면 활성제의 비율은 0.001 내지 5 중량%인 것이 바람직하다. 또한 상기 제1액조내 세정 용액의 온도는 20 내지 60℃인 것이 바람직하다.In the present invention, it is preferable that the cleaning solution further comprises an ionized or non-ionized surfactant. The ratio of the hydrofluoroboric acid to the phosphoric acid is 0.01 to 25% by weight, and the ratio of the surfactant to the phosphoric acid is 0.001 to 5% by weight. The temperature of the cleaning solution in the first liquid bath is preferably 20 to 60 ° C.
이하 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
세정 용액의 제조Preparation of cleaning solution
본 발명에 의한 세정 용액은 인산(H3PO4) 용액의 총량에 대해 0.01 내지 25 중량%가 되도록 플루오르화붕소수소산(HBF4) 용액을 첨가한뒤 교반하여 잘 혼합하여 제조한다. 이 때 상기 인산 용액과 플루오르화붕소수소산 용액의 순도는 각각 1 % 내지 55%인 것이 바람직하다.The cleaning solution according to the present invention is prepared by adding a hydrofluoroboric acid (HBF4) solution so as to be 0.01 to 25% by weight based on the total amount of the phosphoric acid (H3PO4) solution, followed by stirring and mixing well. In this case, the purity of the phosphoric acid solution and the hydrogen fluoride acid solution is preferably 1% to 55%.
그리고 상기 혼합 용액에 양이온, 음이온, 비이온성 계열의 계면 활성제중에서 선택된 어느 하나의 계면활성제를 상기 혼합용액에 대해 0.001 내지 5 중량%가 되도록 더 첨가하는 것이 바람직하다.It is preferable to add any surfactant selected from the group consisting of cationic, anionic and nonionic surfactants to the mixed solution in an amount of 0.001 to 5% by weight based on the mixed solution.
이와 같이 만들어진 본 발명의 세정 용액은 반도체 소자의 제조 단계에서 발생하는 폴리머, 금속 물질 및 식각 잔류물 등과 같은 오염물질등을 효과적으로 제거할 수 있다. 작용 기작을 좀 더 상세히 설명하면, 플루오르화붕소수소산은 유기금속성 폴리머 특히 옥소-금속성 폴리머의 제거에 탁월한 효과가 있으며, 도전막에 대한 부식성이 거의 없다. 따라서 종래의 알칼리성 세정 용액이 도전막 패턴의 일부를 식각 시켜서 도전막 패턴의 프로파일을 심하게 변형시키는 종래의 문제점이 해결된다. 그리고 인산은 하기 화학식1과 같이 금속과 배위결합을 형성함으로써 금속오염입자가 가공된 반도체 소자에 작용하는 것을 방지할 수 있다.The cleaning solution of the present invention thus produced can effectively remove contaminants such as polymers, metal materials, etch residues, and the like that are generated during the manufacturing process of semiconductor devices. To explain the mechanism of action in more detail, hydrogen fluoroboric acid has an excellent effect for the removal of organometallic polymers, especially oxo-metallic polymers, and has little corrosiveness to the conductive film. Accordingly, the conventional problem that the conventional alkaline cleaning solution etches a part of the conductive film pattern to severely deform the profile of the conductive film pattern is solved. And phosphoric acid can prevent the metal contaminating particles from acting on the processed semiconductor device by forming a coordination bond with the metal as shown in the following Chemical Formula 1.
또한, 세정 용액의 또 다른 구성요소인 계면활성제는 세정 후 오염입자가 반도체 기판에 재부착되는 것을 방지하는 효과가 있다.Further, the surfactant, which is another component of the cleaning solution, has the effect of preventing the contaminated particles from reattaching to the semiconductor substrate after cleaning.
즉, 본 발명에 의한 세정 용액은 유기 금속성 폴리머와 금속 오염 물질을 선택적으로 제거하는 탁월한 세정 효과가 있으며, 폴리이미드를 포토레지스트로 사용하는 경우 발생하는 경화된 폴리머의 제거에 또한 우수한 효과를 지니고 있다. 그리고 금속에 대한 부식성이 매우 낮기 때문에 종래와 같이 세정 설비가 부식되는 문제점 또한 해결할 수 있다.That is, the cleaning solution according to the present invention has an excellent cleaning effect for selectively removing the organometallic polymer and the metal contaminants, and has an excellent effect on the removal of the cured polymer which occurs when polyimide is used as a photoresist . Also, since the corrosion resistance to the metal is very low, it is possible to solve the problem that the cleaning equipment is corroded as in the prior art.
세정 방법Cleaning method
본 발명에 의한 세정 용액으로 기판을 세정하는 방법은 본 발명에 의한 세정 용액으로 채워진 제1 액조(bath)에 반도체 소자 제조 공정을 거친 반도체 기판을 소정 시간동안 담그어 기판 표면의 오염물질(금속 및 유기금속성 폴리머)을 제거시키는 제1 단계와, 상기 제1 단계가 완료된 기판을 탈이온수로 채워진 제2 액조에 담그어 기판 표면에 잔존하는 본 발명의 세정 용액을 제거하는 제2 단계와, 상기 제2 단계가 완료된 기판을 탈이온수로 채워진 제3 액조에 담그어 기판 표면에 잔존하는 이물질을 제거하는 최종 세정 단계인 제3 단계 및 상기 제3 단계가 완료된 기판을 회전시키어 기판 표면에 남아있는 탈이온수를 제거하는 건조 공정인 제4 단계로 이루어진다. 이 때 상기 제1액조내 세정 용액의 온도는 20 내지 60℃가 되도록 하는 것이 바람직하다.In the method of cleaning a substrate with a cleaning solution according to the present invention, a semiconductor substrate having undergone a semiconductor device manufacturing process is immersed in a first bath filled with a cleaning solution according to the present invention for a predetermined period of time to remove contaminants A second step of immersing the substrate on which the first step has been completed in a second liquid tank filled with deionized water to remove the cleaning solution of the present invention remaining on the surface of the substrate, A final cleaning step of immersing the substrate in a third liquid tank filled with deionized water to remove foreign substances remaining on the surface of the substrate, and a third step of rotating the substrate on which the third step is completed to remove deionized water remaining on the substrate surface And a fourth step of drying. At this time, the temperature of the cleaning solution in the first liquid bath is preferably 20 to 60 ° C.
이와 같이 본 발명에 의한 세정방법은 종래의 세정공정에 비해 린스제(rinser)에 담그어 헹구어 내는 공정이 생략되기 때문에 세정공정 시간을 단축시킬 수 있으며 공정이 단순화되어 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.As described above, the cleaning method according to the present invention can shorten the cleaning process time and simplify the process because the process of rinsing by soaking in the rinser is omitted compared to the conventional cleaning process, and productivity can be greatly improved.
또한, 종래의 세정 용액은 그 충분한 활성을 위해서 60 내지 90℃에서 반응을 시키는 반면, 본 발명에 의한 세정 용액은 실온을 포함한 온도 즉 20 내지 60℃에서 그 반응을 진행한다. 따라서 종래에 비해 공정 조건 설정이 용이하고, 일정 시간마다 진행되는 세정 용액 교환시 세정 용액의 온도를 실온으로 낮추는 단계가 필요없기 때문에 세정 용액 교환 시간을 대폭 감소시킬 수 있어서 설비가동율이 향상된다.In addition, the conventional cleaning solution reacts at 60 to 90 ° C for sufficient activity, whereas the cleaning solution according to the present invention proceeds at a temperature including room temperature, that is, 20 to 60 ° C. Therefore, it is easy to set the process conditions as compared with the prior art, and it is not necessary to lower the temperature of the cleaning solution to the room temperature when the cleaning solution is changed every predetermined time, so that the cleaning solution replacement time can be greatly reduced.
본 발명이 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진자에 의하여 가능함은 명백하다.It is apparent that the present invention is not limited to the above embodiments, and many modifications are possible within the technical scope of the present invention by those skilled in the art.
본 발명에 의한 세정 용액의 구성성분중 플루오르화붕소수소산은 유기금속성 폴리머 특히 옥소-금속성 폴리머의 제거에 탁월한 효과가 있으며, 도전막에 대한 부식성이 거의 없을 뿐만 아니라 식각 공정중에 손상을 입은 산화막 등을 식각할 수 있는 능력을 지니고 있다. 그리고 인산은 금속과 배위결합을 형성함으로써 금속오염입자가 가공된 반도체 소자에 작용하는 것을 방지할 수 있다. 또한 또 다른 구성요소인 계면 활성제는 세정 후 오염입자가 반도체 기판에 재부착되는 것을 방지한다. 따라서 본 발명에 의한 세정 용액은 세정효과가 극대화되고 반도체 기판에 형성된 여러 패턴의 변형을 방지할 수 있는 장점이 있다. 그리고 세정방법은 린스제(rinser)에 담그어 헹구어 내는 공정이 생략되어 세정공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 세정 용액을 실온에서 사용할 수 있기 때문에 공정이 용이하고 단순화되어 생산성을 크게 향상시킬 수 있다. 그리고 종래의 세정 용액보다 세정 용액 자체내에 금속 이온 및 오염입자의 함유량이 낮아서 세정 공정 도중에 반도체기판 표면에 금속 이온 및 오염입자등이 재흡착되는 현상을 억제할 수 있으며, 종래의 세정 용액보다 가격이 저렴하여 반도체 장치의 생산 원가를 낮출수 있다.Among the constituents of the cleaning solution according to the present invention, borohydroborofluoric acid has an excellent effect for removing the organometallic polymer, particularly the oxo-metallic polymer, and has not only little corrosivity to the conductive film, but also an oxide film or the like damaged during the etching process It has the ability to etch. And phosphoric acid can prevent the metal contaminating particles from acting on the processed semiconductor element by forming a coordination bond with the metal. Still another component, the surfactant, prevents the contaminated particles from reattaching to the semiconductor substrate after cleaning. Therefore, the cleaning solution according to the present invention has an advantage of maximizing the cleaning effect and preventing deformation of various patterns formed on the semiconductor substrate. In addition, since the cleaning process can be shortened by omitting the process of rinsing by rinsing in a rinser, and the cleaning solution can be used at room temperature, the process can be simplified and simplified, and the productivity can be greatly improved. Also, since the content of the metal ions and the contaminating particles in the cleaning solution itself is lower than that of the conventional cleaning solution, it is possible to suppress the phenomenon that metal ions and contaminating particles are reabsorbed on the surface of the semiconductor substrate during the cleaning process. So that the production cost of the semiconductor device can be lowered.
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