KR100187346B1 - 에지라인 측정방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 예를 들면 전자기기의 제조공정등에 있어서의 측정, 조립, 검사작업등에서 사용되는 시각인식장치에 의해 대상물의 특정한 에지라인의 위치나 기울기를 측정하는 방법에 관한 것으로서, 주변에 먼지 또는 전기적 노이즈에 의한 이상점이 다수 포함되어 있어도 특정한 에지라인의위치와 기울기를 정확하게 단시간에 구할 수 있는 에지라인측정방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 에지라인(E)을 포함한 영역에 윈도(W)를 설정하는 동시에 윈도(W)내를 지정간격으로 에지라인(E)을 가로지르는 방향으로 주사해서 특정의 화상데이터를 도입하고, 그 주사방향에 있어서 명암의변화를 가진 점을 에지점(P)으로해서 그 좌표를 구하고, 윈도(W)내를 에지라인(E)을 포함할 수 있는 크기의 지정간격으로 빗살형상으로 분할해서 소영역군을 설정하고, 소영역군중에서 영역내에 존재하는 에지점(P)의 수가 가장 많은 에지점 최다소영역을 구하고, 에지점 최다소영역내의 에지점(P)의 좌표로부터 에지라인(E)을 구하는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

에지라인 측정방법

제1도는 본 발명의 일실시예의 에지라인측정장치의 구성도.

제2도는 동 실시예에 있어서의 에지라인 측정처리의 설명도.

제3도는 동 실시예에 있어서의 2차원도를 사용한 에지라인 측정처리의 설명도.

제4도는 종래예의 에지라인 측정장치의 구성도.

제5도는 종래예에 있어서의 에지라인 측정처리의 설명도.

제6도는 종래예에 있어서의 에지라인측정처리의 문제점의 설명도.

제7도는 종례예에 있어서의 에지라인 측정처리의 다른 문제점의 설명도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 측정대상물 3 : 화상입력수단

6 : 프레임메모리 8 : 윈도설정추출수단

9 : 에지점검출수단 11 : 2차윈도설정추출수단

12 : 에지점최다 2차원도 선출수단

13 : 소영역형성수단

14 : 에지점 최다 소영역 선출수단

15 : 직선추정수단 16 : 분산치계산수단

17 : 직선성 판단수단 18 : 분산이상점 제거수단

E : 에지라인 W : 윈도

W2 : 2차윈도 P : 에지점

본 발명은, 예를 들면 전자기기의 제조공정 등에 있어서의 측정, 조립, 검사작업등에서 사용되는 시각인식장치에 의해 대상물의 특정의 에지라인의 위치나 기울기를 측정하는 방법에 관한 것이다.

최근, 전자기기의 제조공정 등에 있어서의 측정, 조립, 검사작업을 시각인식장치를 사용해서 자동화하는 예가 증가해오고 있다. 그때, 시각인식장치에 의해 측정하는 것은 2직선의 교차점의 좌표이거나, 평행한 2직선간의 거리이거나 하는 예가 많다. 어느 경우에도 인식표적(target)인 2개의 에지라인을 직선식으로 근사시키고, 그 식선식으로부터 교차점을 구하거나, 직선간의 거리를 구하거나 하는 처리를 행한다. 그때의 시각인식장치의 주요한 기능은 정확하게 또한 확실하게 각각의 에지라인의 위치나 기울기를 측정하는 것이다.

이하 종래의 에지라인 측정방법의 일예에 대해서 제4도, 제5도를 참조하면서 설명한다. 제4도는 종래의 에지라인 측정장치의 구성을 표시한다. 제4도에 있어서, 측정대상을(21)의 측정해야할 에지라인의 비쳐보이도록 현미경(22)이 설치되어 있으며, 현미경(22)의 접안부에는 화상입력수단(23)이 정착되어 있다. 화상입력수단(23)의 영상신호는 A/D변환기(24)에 의해 디지틀변환된 후, 기록수단(24)를 개재해서 프레임모리(26)에 기억된다. 다음에 윈도설정추출수단(28)이 판독수단(27)을 개재해서 프레임메모리(26)로부터 필요한 화상데이터만을 인출한다.

인출된 화상데이터로부터 에지점검수단(29)이 에지점을 검출하고, 그 좌표데이터를 직선추정수단(30)에 보낸다. 직선추정수단(30)은 보내온 에지점의 좌표데이터를 근거로 직선추정을 행하고, 얻어진 직선식데이터를 분산치계산수단(31)에 보낸다. 분산치 계산수단(31)은 이 직선식데이터에 의거해서 그려지는 직선으로부터 각에지점까지의 거리를 계산하고, 그 값을 직선성 판단수단(32)에 보낸다.

직선성 판단수단(32)은 보내온 데이터를 근거로, 에지점중에서 이상하게 큰 거리를 가진 것은 없는 지를 판단하고, 이상이 있는 경우는 분산이상점 제거수단(33)에 신호를 보낸다. 그 신호를 수취한 분산이상점 제거수단(33)은 직선식으로부터 가장 먼 에지점을 말소하고, 남은 에지점의 좌표데이터에 의해 재차 직선추정을 다시하도록 직선추정수단(30)에 지령을 부여한다. 필요에 따라, 이 처리를 반복한 후, 직선상 판단수단(32)이 직선성있다고 판단하였을 경우는 직선식출력수단(34)에 신호를 보내고, 그 신호를 수취한 직선식출력수단(34)은 직선식 주제어부에 보낸다. 주제어부에서는, 그 데이터와, 마찬가지로 해서 구한 다른 에지라인의 직선식의 데이터를 근거로, 2개의 직선식의 교차점의 계산이나, 2개의 직선식의 거리의 계산 등의 처리를 행하는 것이다.

이상의 구성의 에지라인 측정장치에 있어서의 직선식을 구하는 처리에 대해서 제5도를 사용해서 상세히 설명한다.

제5도(a)에 있어서, 시야F내에 있어서 측정대상물(21)의 특정의 에지라인E를 포함하고 또한 그 좌우로 확대되는 영역을 가지도록 미리 설정된 윈도 W를 윈도설정추출수단(28)이 개방되고, 그 속을 어떤 간격 MP로 에지라인E를 가로지르도록 n개의 샘플라인 L₁∼L_n을 그린다. 그리고, 판독수단(27)에 의해, 각각의 샘플라인 L₁∼L_n위의 화상데이터를 프레임메모리(26)로부터 인출하고, 명(明우)에서 암(暗 )으로 변화하는 점을 에지점으로 해서 에지점검출수단(29)에 의해 검출하고, 그 좌표데이터 P₁(X₁,y₁)∼P_n(X_n,y_n)을 구한다. 제5도의 예에서는, k개재의 샘플라인 L_k위에 먼지 G가 있기 때문에, P_k(X_k,y_k)는 에지라인 E위가 아니고 먼지 6의 위에 있다.

다음에 제5(b)도에 표시한 바와 같이, 좌표데이터P1(X₁,y₁)∼P_n(X_n,y_n)을 사용해서 직선측정수단(30)이 최소2승법에 의해 직선근자식 y=a₁x+b₁을 구하고, 그 직선근사식에 의거해서 그려지는 직선으로부터 각 에지점 P1(X₁,y₁)∼P_n(X_n,y_n)까지의 거리의 2승치, 즉 σ1²~σn²을 구한다. 직선성판든수단(32)은, 각 분산치가 미리 설정된 값 C²의 범위내에 있는지 없는지를 판단하고, C²의 범위를 초과하는 에지점이 있는 경우에는 직선성이 없다고 판단하고, 분산이상점 제거수단(33)에 신호를 보낸다. 그 신호를 받은 분산이상점 제거수단(33)은 근사식선 y=a₁x+b₁에 의거해서 그려지는 직선으로부터 가장 먼 에지점 P₁(X_k,y_k)를 말소하고, 남은 에지점에서 재차 직선근사를 행하도록 직선추정수단(30)에 지령을 부여한다.

직선추정수단(30)은 에지점 P_k(X_k,y_k)를 제외하여 최소 2승법을 다시하고, 제5(C)도에 표시한 바와 같이, 직선근사식 y=a₂x+b₂를 구하고, 이 직선근사식에 의거해서 그려지는 직선으로부터 P_k(X_k,y_k)를 제외한 각 에지점까지의 분산치를 구한다. 이번에는 각분산치가 모두 C²의 범위내에 있으므로, 직선성판단수단(32)은 직선성에 있따고 판단하고, 직선식출력수단(34)에 신호를 보낸다. 그 신호를 받은 직선식출력수단(34)은, 이 직선식 y=a₂x+b₂를 주제어부에 출력한다.

그러나, 상기와 같은 구성에서는 제5도와 같이 1계소 또는 수개소에만 먼지 G에 의한 이상점이 포함될 뿐인 경우는 문제없으나, 제6도에 표시한 바와같이 큰먼지 G가 에지라인 E에 걸려 있는 경우에는, 기울기가 본래의 기울기와 상이한 직선식 y=a₃x+b₃이 측정된다. 또, 제7도에 표시한 바와같이, 윈도 W내에 작은 먼지 G가 무수히 존재하는 경우에는 측정된 직선식 y=a₄x+b₄는 기울기뿐만 아니라, 위치도 이상하게 된다.

또, 에지라인 E의 명암의 콘트라스트가 약한 경우, 그 약한 에지점을 검출하려고 하면, 본래 백 또는 흑인부분에서도 그 전기적 노이즈에 의한 미소한 명암의 변화가 있을 때에 이 변화까지도 검출해버리는 일이 있으나, 이와같은경우에도 정확하게 에지라인을 추출할 수 없다고 하는 문제가 있다. 또,이와같은 경우나 제7도의 경우에는, 직성성 없음이 반복되는 결과, 측정에 시간이 걸린다고 하는 문제도 있다.

본 발명은, 상기 종래의 문제점에 비추어, 특정의 에지라인주변에 먼지 또는 전기적노이즈에 의한 이상점이 다수 포함되는 측정 대상물에 있어서도 특정의 에지라인의 위치와 기울기를 정확하게 단시간에 구할 수 있는 에지라인 측정방법을 제공하는 것을 목적으로하고 있다.

본 발명의 에지라인 측정방법은, 화상데이터에 있어서의 특정의 에지라인을 포함하는 영역에 윈도를 설정하는 동시에 윈도내를 지정간격에 의해 에지라인을 가로지르는 방향으로 주사하므로서 추출되는 특정의 화상데이터를 도입하는 윈도설정추출공정과, 주사방향에 있어서의 명암의 변화를 가진 점을 에지점으로 해서 그 좌표를 구하는 에지점감출공정과, 윈도내를 에지라인을 포함할 수 있는 크기의 지정간격에 의해 빗살 형상으로 분할해서 소영역형성 공정과, 소영역군 증으로부터 영역내에 존재하는 에지점의 수가 가장 많은 에지점 최다소영역을 구하는 에지점최다소영역 선출공정과, 에지점최다소영역내의 에지점의 좌표로부터 에지라인을 구하는 에지라인 추정공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.

필요에 따라서, 윈도설정추출공정에서 설정한 윈도를 1차윈도로해서 이 1차윈도내를 에지라인을 포함할 수 있는 동시에 1차윈도보다도 폭이 좁은 2차윈도로 분할해서 2차윈도군을형성하는 2차윈도 설정공정과, 2차 윈도군증으로부터 2차윈도내에 존재하는 에지점을 수가 가장 많은 에지점 최다 2차윈도를 구하는 에지점 최다 2차윈도선출공정을 구비하고, 소영역형성공정이 2차윈도내를 에지라인을 포함할 수 있는 크기의 지정간격에 의해 빗살형상으로 분할해서 소영역군을 설정한다.

또, 호적하게는 소영역군의 설정시에 인접하는 소영역을 서로 중복시켜서 형성한다.

또, 에지점검출공정에서는, 주사방향에 있어서 일정레벨이상의 명암의 변화를 가진 점을 에지점으로 판정한다.

또, 에지라인으로부터 에지라인을 구하는 근거가 된 각 에지점까지의 거리가 모두 지정된 범위내에 있는지 없는지에 따라 에지라인의 적정을 판별하는 에지라인 판별공정과, 구한 에지라인이 적정하지 않다고 판별되었을 때에 에지라인으로부터 가장 먼 에지점을 말소해서 나머지의 에지점의 좌표로부터 에지라인을 구하도록 지령하는 분산이상 제거공정을 구비한다.

본 발명의 에지라인 추출방법에 의하면, 윈도내를 에지라인에 평행하는 선에 의해 빗살형상으로 분할해서 소영역군을 형성하고, 동소영역군중에서 가장 에지점이 많은 에지점 최다소영역을 선택해서 그 에지점 최다소 영역내의 에지점에만 의거해서 직석식을 구하므로서, 에지점으로부터 떨어진 부분의 데이터를 제외하여 직선 근사를 행하게 되어, 에지라인을 확실하게 또한 단시간에 추출할 수 있다.

그런데, 에지라인의 위치의 불균일이 큰 등의 경우에는 에지라인을 확실하게 윈도내에 수납하도록 하기 위해서는 윈도의 면적을 크게해둘 필요가 있으며, 그 때문에 소영역을 만들어서 에지점최다 소영역을 구하도록 하면 소영역의 수가 매우 커진다는 불리함이 있으므로, 윈도를 소영역보다는 폭이 넓으나 동원도보다는 폭이 좁은 2차윈도로 분할해 두고서, 에지라인이 들어 있는 2차윈도를 추출해서 빗살형상의 소영역으로 분할하므로서 처리시간을 짧게 할 수 있다.

또, 에지라인이 인접하는 소영역사이에 걸쳐지면, 적은 에지점에 의거해서 에지 라인을 구하는 것으로 되어, 정밀도 저하를 초래할 염려도 있으나, 소영역군의 설정시에 인접하는 소영역을 서로 중복시켜서 형성하므로써, 에지라인이 인접하는 소영역사이에 걸쳐질 가능성이 작아지고, 고정밀도로 에지라인을 측정할수 있다.

또, 명암의 변화에 의해 에지점을 구하는 경우에, 일정레벨이상의 명암의 변화만을변화있음이라 판정하므로서, 먼지나 노이즈에 의거한 미소한 명암변화의 영향을 없앨 수 있어서 정확하게 에지라인을 추출할 수 있다.

또, 구한 에지라인으로부터의 거리가 모두 지정된 범위내에 있는지 없는지에 의해서 에지라인의 적정을 판별하고, 상상에 먼 에지점을 말소해서 나머지의 에지점의 좌표로부터 에지라인을 구하므로서, 적정한 에지라인을 구할 수 있다. 이하, 본 발명의 일 실시예에 대해서 제1도~제3도를 참조하면서 설명한다.

제1도는, 본 실시예의 에지라인 측정장치의 구성을 표시한다. 제1도에 있어서, 측정대상물(1)의 측정해야할 에지라인이 비쳐보이도록 현미경(2)이 설치되어 있으며 현미경(2)의 접안부에는 화상입력수단(3)이 장착되어 있다. 화상입력수단(3)의영상신호는 A/D변환기(4)에 의해 디지틀변환된 후, 기록수단(5)을 개재해서 프레임메모리(6)에 기억된다. 윈도설정추출수단(8)은, 측정대상물(1)의 특정의 에지라인을 포함해서 그 좌우로 크게 넓어지는 영역을 가진 1차윈도를 설정하고, 이것을 미리 개방해두고, 상기 기억이 이루어지면 판독수단(7)을 개재해서 프레임메모리(6)로부터 1차윈도내에 들어가는 화상데이터내로부터 특정의 화상데이터만을 인출한다.

에지점검출수단(9)은, 특정의 화상데이터에 의거하여, 명암의 변화로부터 에지점을 검출한다. 평활화처리수단(10)은, 그때 인출된 특정의 화상데이터로부터 일정레벨이하의불필요한 노이즈를 제거하는 작용을 한다. 2차윈도설정수단(11)은, 1차윈도내를 에지라인을 따라서 폭이 좁은 2차윈도로 분할한다. 그리고, 에지점 최다 2차윈도설출수단(12)은, 각 에지점의 좌표데이터를 근거로 각 2차윈도속의 에지점의 총수를 구하고, 가장 많은 에지점을가진 에지점최다 2차윈도를 추출한다. 소영역형성수단(13)은, 1차윈도 또는 에지점최다 2차윈도내를 에지라인을 따라서 뱃살형상의 소영역으로 분할한다. 에지점최다소영역선출수단(14)은, 각 에지점의 좌표데이터를 근거로 각 소영역속의 에지점의 총수를 구하고, 가장 많은 에지점을 가진 소영역을 추출한다. 직선추정수단(15)은, 가장 많은 에지점을 가진 소영역내의 에지점의좌표데이터에 의거해서 최소 2승법에 의해 직선추정을 행하고, 얻어진 직선식데이터를 분산치 계산수단(16)에 보낸다. 분산치계산수단(16)은 식선식에 의해서 그려지는 직선으로부터 각 에지점까지의 거리를 계산하고, 그 값을 직선성판단수단(17)에 보낸다. 직선성판단수단(17)DS 보내온 데이터를 근거로 직선식으로부터 그려지는 직선이 허용범위내의 직선성을 가지고 있는지 아닌지를 판단하고, 아닌 경우는 분산이상점 제거수단(18)에 신호를 보낸다. 그 신호를 수취한 분산이상점 제거수단(18)은 직선식으로 그려지는 직선으로부터 가장 먼에지점을 말소하고, 남은 에지점의 좌표데이터에 의해 재차 직선성 추정을 다시 하도록 직선추정수단(15)에 지령을 부여한다. 직선성 판단수단(17)에 의해 직선성있음이라 판단하였을 경우는, 작신식 출력수단(19)에 신호를 보내고, 그 신호를 수취한 직선식출력수단(19)은 그 직선의 데이터를 주제어부에 보낸다.

이상과 같이 구성된 에지라인 측정장치에 대해서, 이하에 직선식을 구하기 위한 에지점추출처리 예를 설명한다.

제2도(a)에 측정해야할 특정의 에지라인 E를 포하맣도록 윈도 W를 개방한 상태를 표시한다. 윈도 W의 크기, 위치는 측정대상물(1)의 위치등의 불균일을 고려하여, 시야 F에 대하여 미리 설정되어 있다. 이 실시예는, 에지라인 E의 위치의 불균일이 작으므로, 윈도 W가 그다지 크지 않는 경우에 관한 것이다.

윈도설정추출수단(8)은, 윈도 W를 개방한 후, 제2도(a)에 표시한 바와 같이, 이 윈도 w내를 어떤 간격 Mp으로 특정의 에지라인E를 가로지르는 방향으로 주사해서 복수개의 샘플라인을 긋는다. 제2도(a)의 예에서는 셈플라인은 L1~L13의 13개이다. 이 샘플라인위의 명암정보를 프레임메모리(6)로부터 판독수단(7)을 개재해서 인출한다.

이 화상데이터를 근거로 에지점검출수단(9)은, 주사방향에 있어서 명에서 암(주사방향이 반대의 경우는 암에서 명)으로 변화하는 점을 모두 검출하여, 특정화상데이터로서 출력한다. 검출방법은, 샘플의 조건에 따라서 어떤 일정한 임개치를 넘는 점을 구하는 임계치법이나, 2차미분한 후 제로크로스점을 구하는 2차미분제로크로스법 등을 적당히 사용하면 된다.

상기에 있어서, 평활화처리수단(10)은, 상기 화상데이터를 근거로 토패스필러나 다중평균화수법 등 샘플의 조건에 따른 최적의 평활화처리수법을 사용해서 일정레벨 이하의 미소한 오목블록을 제거한다. 이 처리에 의해 작은 먼지나 노이즈에 의거한 명암 변화데이터가 제거된다. 그러나, 이와같은 평활화처리수단(10)은, 먼지나 노이즈가 적은 경우는 생략해도 된다. 소 영역형성수단(13)은, 제2도(b)에 표시한 바와같이, 윈도W내를 에지라인에 평행한 선을 지정간격 Sp만큼 어긋나게 하면서 Sa×Sb의 크기의 영역, 즉 에지라인을 포함할 수 있는 크기의 빗살형상의 소영역을 셈플라인을 따르게 하여 만들어가며, 각 소영역을 S1∼S12로 한다. 에지점최다 영역선출수단(14)은, 각 소영역속의 에지점 P의 총수를 카운트하고, 가장 에지점수가 많은 소영역을 추출한다. 제2도(b)의 예에서는 소영역 Sg가 에지점최다 소영역으로서 추출된다.

제3도는 에지라인 E에 불균일이 크기 때문에, 비교적 큰 1차윈도 W를 설정하였을 경우의 처리예를 표시한다. 즉, 2차윈도 설정수단(11)이 제3도(a)에 표시한 바와 같이, 1차윈도 W내를, 에지라인을 충분히 포함할 수 있으나, 1차윈도 W보다도 폭이 좁은 2차윈도 W2로 분할하고, 제2도와 마찬가지로 해서 얻게되는 에지점데이터에 의거하여, 에지점P가 가장 많은 2차윈도 W2를 구한다. 이 에지점최다 2차윈도 W2내에는, 에지라인이 확실하게 포함되어 있다. 그래서, 이 에지점 최다 2차윈도 W2를 정보로서 소영역형성수단(13)에 입력하면, 소영역형성수단(13)은, 제3도(b)에 표시한 바와 같이, 2차윈도 W2내에 da×db의 크기의 빗살형상 소영역군을 만들도록, 에지라인에 평행한 선을 지정간격 dp만큼 샘플라인 방향으로 어긋나게 해가며, 각 미소영역을 D1∼D9로 한다. 에지점최다 소영역선출수단(14)은, 상기 각 소영역속의 에지점P의 총수를 카운트하고, 가장 에지점수가 많은 소영역을 추출한다. 제3도(b)의 예에서는, D6이 에지점최다영역으로서 추출된다.

직선성추정수단(15)은, 제3도(C)에 표시한 바와 같이, 상기 소영역 D6(제2도의 소영역 S9라도 좋음)내의 에지점의 좌표데이터를 사용해서 최소 2승법에 의해 직선근사식 y=a₁x+b₁을 구한다. 분산치계산수단(16)은, 이 직선식에 의거해서 그려지는 직선으로부터 각 에지점까지의 거리의 2승치 즉 분산치를 구한다. 직선성 판정수단(17)은, 가 분산치가 미리 설정된 값C²의 범위에 있는지 여부를 비교하고, C²의 범위를 넘는 에지점이 있기 때문에 직선성이 없다고 판단하고, 분산이상점 제거수단(18)에 신호를 보낸다. 그 신호를 받은 분산이상점 제거수단(18)은, 근사한 직선 y=a₁x+b₁에 의거해서 그려지는 직선으로부터 가장 먼 에지점을 말소하고, 남은 에지점에 의해 재차 직선근사를 행하도록 직선추정수단(15)에 지령을 부여한다. 필요에 따라서 이 처리를 반복한 결과, 제3도(d)에 표시한 바와 같이, 새로이 y=a₂x+b₂를 얻는다. 분산치계산수단(16)은, 이 직선식 y=a₂x+b₂에 의거해서 그려지는직선으로부터 남은 에지점까지 분산치를 구하고, 직선성 판단수단(17)은, 각 분산치 C²가 범위내에 있기 때문에 직선성 있음이라고 판단하고, 직선식출력수단(19)에 신호를 보낸다. 그 신호를 받는 직선식출력수단(19)은, 이 직선식 y=a₂x+b₂를 주제어부에 출력한다.

이상과같이, 측정해야할 특정의 에지라인을 따라서 윈도를 소영역으로 분할하므로서 에지라인주변의 원호형상의 먼지의 영향에 의한 측정 미스를 없애고, 고정밀도로 에지라인의 위치를 측정할 수 있다. 또, 2차윈도에 의해 대층 특정한 에지라인의 위치를 구하므로서, 1차윈도를 크게 설정하였을 때의 처리시간의 단측을 할 수 있다.

또한, 본 발명은 측정해야할 특정의 에지라인의 위치에 X,y의 방향의 불균일은 있어도, 기울기는 어떤 범위내에 규제되어 있는 경우에만 유효하나, 실제작업에 있어서는 이 제약조건은 측정대상물의 광학계에 대한 위치결정기구에의해 비교적 간단히 실현할 수 있는 경우가 많다. 또, 패턴매칭 등의 다른 수단에 의해, 에지라인의 대략의 위치와 기울기를 구하고, 그 위치와 기울기를 따라서, 윈도를 자동적으로 설정하는 기구를 부가하는 것에 의해서도 제약조건을 만족시키는 일이 가능하다.

또, 상기 실시예에서는 에지라인으로서 직선의 경우를 예시하였으나, 본 발명은 경우에 따라서는 원호형상 등, 임의의 형상의 에지라인의 측정 등에도 적용가능하며, 그 경우 소영역군은 에지라인의 형상에 맞추어서 형성하면 된다.

본 발명의 에지라인 측정방법에 의하면, 이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 윈도내를 에지라인에 평행하는 선에 의해 빗살형상으로 분할해서 소영역군을 형성하고, 동소영역군중에서 가장 에지점이 많은 에지점 최다소영역을 선택해서 그 에지점 최다소영역내의 에지점에만 의거해서 직선식을 구하도록 하고 있으므로, 에지점으로부터 떨어진 부분의 데이터를 제외하고 직선근사를 행하는 것으로 되어, 에지라인을 확실하게 또한 단시간에 추출할 수 있다.

또, 윈도를 소영역보다는 폭이 넓으나 동윈도보다는 폭이 좁은 2차윈도로 분할하고, 에지라인이 들어가 있는 2차윈도를 추출해서 빗살형상의 소영역으로 분할하므로서, 불균일을 고려해서 비교적 넓은 영역을 윈도로서 설정하였을 경우에도 처리시간을 짧게 할 수 있다.

또, 소영역군의 설정시에 인접하는 소영역을 서로 중복시켜서 형성하므로서, 에지라인이 인접하는 소영역사이에 걸쳐질 가능성이 작아져, 고정밀도로 에지라인을 측정할 수 있다.

또, 명암의 변화에 의해 에지점을 구하는 경우에, 일정레벨이상의 명암의 변화만을 변화있다고 판정하므로서, 먼지나 노이즈에 의거한 미소한 명암변화의 영향을 없앨 수 있어서 정확하게 에지라인을 추출할 수 있다.

또, 구한 에지라인으로부터의 거리가 모두 지정된 범위내에 있는지 없는지에 따라서 에지라인의 직경을 판별하고, 이상하게 먼 에지점을 말소해서 남은 에지점의 좌표로부터 에지라인을 구하므로서, 적정한 에지라인을 구할 수 있다.

Claims (5)

1. 화상데이터에 있어서의 특정의 에지랑니을 포함하는 영역에 윈도를 설정하는동시에 윈도내를 지정간격에 의해 에지라인을 가로지르는 방향으로 주사하므로서 추출되는 특정의 화상데이터를 도입하는 윈도설정추출공정과, 주사방향에 있어서 명암의 변화를 가진 점을 에지점으로 해서 그 좌표를 구하는 에지점검출 공정과, 윈도내를 에지라인을 포함할 수 있는 크기의 지정간격에 의해 빗살형상으로 분할해서 소영역형성 공정과, 소영역군증으로부터 영역내에 존재하는 에지점의 수가 가장 많은 에지점 최다소영역을 구하는 에지점최다소 영역 선출공정과, 에지점최다소영역내의 에지점의 좌표로부터 에지라인을 구하는 에지라인 추정공정을 구비한 것을 특징으로 하는 에지라인 측정방법.
2. 제1항에 있어서, 윈도설정추출공정에서 설정한 윈도를 1차윈돌해서 이 1차윈도내를 에지라인을 포함할 수 있는 동시에 1차윈도보다도 폭이 좁은 2차윈도로 분할해서 2차윈도군을 형성하는 2차윈도설정공정과, 2차윈도군즈응로부터 2차윈도내에 존재하는 에지점의수가 가장 많은 에지점최다 2차윈도를 구하는 에지점최다 2차윈도 선출공정을 구비하고, 소영역형성공정이 2차윈도내를 에지라인을 포함할 수 있는 크기의 지정간격에 의해 빗살형상으로 분할해서 소영역군을 설정하는 것을 특징으로 하는 에지라인측정방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 소영역군의 설정시에 인접하는 소영역을 서로 중복시켜서 형성하는 것을 특징으로 하는 에지라인 측정방법.
4. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 에지점검출공정에선, 주사방향에 있어서, 일정레벨이상의 명암의 변화를 가진 점을 에지점으로 판정하는 것을 특지응로 하는 에지라인측정방법.
5. 제1항, 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 에지라인으로부터 에지라인을 구하는 근거가 된 각 에지점까지의 거리가 모두 지정된 범위내에 있는지 없는지에 따라 에지라인의 적정을 판별하는 에지라인 판별공정과, 구한 에지라인이 적정하지 않다고 판별되었을 때에 에지라인으로부터 가장먼 에지점을 말소해서 나머지의 에지점의 좌표로부터 에지라인을 구하도록 지령하는 분산이상 제거공정을 구비한 것을 특징으로 하는 에지라인 측정방법.