KR0182040B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
액정 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0182040B1 KR0182040B1 KR1019950052850A KR19950052850A KR0182040B1 KR 0182040 B1 KR0182040 B1 KR 0182040B1 KR 1019950052850 A KR1019950052850 A KR 1019950052850A KR 19950052850 A KR19950052850 A KR 19950052850A KR 0182040 B1 KR0182040 B1 KR 0182040B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- gate line
- film
- thin film
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 강한 후광 장치 사용이 가능하고 저반사를 실현할 수 있으며, 광 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이타선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하는 액정 표시장치에 있어서, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 하부에 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
Description
제1도의 (a)는 종래의 액정 표시장치를 나타낸 단면도이고,
제1도의 (b)는 종래의 다른 액정 표시장치를 나타낸 단면도이고,
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트선을 나타낸 평면도이고,
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고,
제4도는 제3도의 A-A'부의 단면도이고,
제5도는 제3도의 B-B'부의 단면도이고,
제6도의 (a)-(g)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 순서를 나타낸 평면도이다.
본 발명은 액정 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히 말하자면 강한 후광 장치 사용이 가능하고 저반사를 실현할 수 있으며, 광 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시장치는, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이타선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정 물질을 포함하고 있다.
이때, 상기 박막 트랜지스터 기판의 게이트 전극은 상기 게이트선을 통해 게이트 구동 드라이브로부터 게이트 구동 신호를 전달받아 반도체 층에 채널을 형성시키고, 이에 따라 데이타 구동 드라이브로부터의 데이타 신호가 상기 데이타선을 통해 소스 전극에 전달되고, 반도체층과 드레인 전극을 거쳐 화소 전극에 전달된다.
제1도의 (a)는 종래의 액정 표시장치를 나타낸 단면도이다.
제1도의 (a)에 도시한 바와 같이, 차광막(100)가 형성되어 있는 컬러 필터 기판(200) 쪽에서 백 라이트(400)를 조사한다.
따라서 백 라이트(400)의 빛은 컬러 필터 기판(200)의 차광막(100)에 의해 박막 트랜지스터의 실리콘막에 도달하지 못하므로 누설 전류가 흐르지 않게 된다.
즉, 박막 트랜지스터 기판(300)의 실리콘층에 영향을 적게 주는 장점이 있으나, 박막 트랜지스터 기판(300)에 외광(500)이 비추면 외광(500)이 박막 트랜지스터 기판(300)의 도전 물질로 형성된 게이트 및 데이터 배선에서 반사가 일어나 시인성이 좋지 않은 단점이 있다.
한편, 제1도의 (b)는 종래의 다른 액정 표시장치를 나타낸 단면도이다.
제1도의 (b)에 도시한 바와 같이, 컬러 필터 기판(200) 쪽에서 백 라이트(400)를 조사되며, 화소 전극(600)의 양끝을 덮도록 절연막(700)이 형성되어 있고, 이 절연막의 상부에는 실리콘막(800)이 적층되어 있으며, 그 위에 데이터선(900)이 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판(1000)을 포함하는 액정 표시장치가 제시되었다. 이는 상기 제1도에서 보인 액정 표시장치의 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것이다.
이러한 구조는 실리콘막(800)이 데이터선(900)을 가리고 있어 외광(500)이 데이터선(900)에 의해 반사되는 것을 방지한다. 그러나 박막 트랜지스터 기판(1000)의 실리콘막(800)이 외광에 노출되므로 실리콘막(800)에 포토 전류가 발생하는 단점이 있다.
그러므로 본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로 게이트선 하부와 데이터선 하부에는 CrOx막이 형성되어 있어서 저반사화를 가능하게 하는 액정 표시장치 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이타선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통 전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정물질을 포함하는 액정 표시장치에 있어서, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 하부에 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 게이트선 및 데이터선 하부에는 산화막이 형성되어 있어 차광막 역할을 하여 액정 표시장치의 저반사화를 실현한다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제조 방법의 구성은, 기판 위에 CrOx막을 형성한 다음, A1막을 적층한 후 가로선 및 세로선이 형성되도록 패터닝하여 제1 게이트선 및 세로 배선을 형성하는 단계, 상기 제1 게이트선 위에 Cr막을 적층한 후 패터닝하여 제2 게이트선 및 게이트 패드 그리고 데이터 패드를 형성하는 단계, 상기 제2 게이트선 및 상기 세로 배선을 마스크로 하여 CrOx막을 패터닝하는 단계, 상기 세로 배선을 제거하는 단계를 포함한다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 게이트선을 나타낸 평면도이고, 제3도는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판을 나타낸 평면도이고, 제4도는 제3도의 A-A'부의 단면도이고, 제5도는 제3도의 B-B'부의 단면도이고, 제6도는 (a)-(g)는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 공정 순서를 나타낸 평면도이다.
먼저, 제6도의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(2) 위에 CrOx막(4)을 400Å 내지 800Å의 두께로 적층한 다음, A1막을 적층한 후 패터닝하여 제1 게이트선(6-1) 및 데이터선이 형성될 만큼 배선(6-2)을 형성한다.
다음, 제6도의 (b)에 도시한 바와 같이, Cr막을 적층한 후 패터닝하여 제2 게이트선(8-1) 및 이의 분지인 게이트 전극(8-2), 게이트 패드(8-3), 데이터 패드(8-4)를 형성한다.
이때 제3도에 도시한 바와 같이, 제2 게이트선(8-1)은 제1 게이트선(6-1)보다 폭이 같거나 넓게 형성한다.
그 후 상기 제2 게이트선(8-1) 및 세로 배선(6-2)을 마스크로 하여 산화막인 CrOx막(4)을 패터닝한다.
이때 CrOx막(4)은 상기 제1 게이트선(6-1) 보다 폭이 넓거나 같게 형성된다.
다음, 제6도의 (c)에 도시한 바와 같이, 데이터선이 형성될 부분에 있는 알루미늄막인 세로 배선(6-2)을 제거한다.
다음, 제6도의 (d)에 도시한 바와 같이, 절연막, 비정질 실리콘, 외인성 반도체막으로 차례로 적층한 후 액티브 패턴(9)을 형성한다.
이때 제1 및 제2 게이트선 위에 제1 게이트선(6-1)의 일부분에 비정질 실리콘막(10)이 남도록 패터닝한다.
다음, 제6도의 (e)에 도시한 바와 같이, 크롬을 적층한 후 패터닝하여 소스/드레인 전극(9)과 데이터선(12)을 형성한다.
이때 데이터선(12)은 제5도에 도시한 바와 같이 산화막인 CrOx막(4)위에 Cr막(12)이 형성되어 있는 구조를 갖는다.
데이터선(12)은 CrOx막(4) 보다 좁은 폭을 갖게 형성하거나 같은 폭을 형성한다.
다음, 제6도의 (f)에 도시한 바와 같이, 보호막(13)을 적층한 후 컨택홀을 형성한다.
다음, 제6도의 (g)에 도시한 바와 같이 ITO막을 적층한 후 패터닝하여 화소 전극(14)을 형성한다.
이와 같은 공정에 의해 만들어진 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판은 소스/드레인 전극 및 데이터선 하부에는 항상 CrOx막이 남게 된다.
또한 게이트선과 데이터선의 교차부에는 비정질 실리콘막이 존재하여 박막 트랜지스터 쪽에서 바라볼 때 저반사를 실현할 수 있다.
그러므로 본 발명은 게이트선 하부와 데이터선 하부에는 CrOx막이 형성되어 있어 액정 표시 장치의 저반사화를 실현할 수 있다.
Claims (9)
- 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 형성되어 있는 다수의 화소 단위가 행렬의 형태로 형성되어 있으며, 게이트선 및 데이터선이 각각 화소 행과 화소 열을 따라 형성되어 있는 박막 트랜지스터 기판, 공통전극이 형성되어 있는 컬러 필터 기판, 그리고 그 사이에 봉입되어 있는 액정물질을 포함하는 액정 표시장치에 있어서, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 하부에 산화막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 CrOx막으로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제2항에 있어서, 상기 CrOx막이 400Å 내지 800Å의 두께로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 산화막은 상기 게이트선 보다 폭이 넓거나 같게 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 산화막은 상기 데이터선 보다 폭이 넓거나 같게 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 게이트선은 A1으로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 제2 게이트선은 상기 제1 게이트선 보다 폭이 같거나 넓은 액정 표시장치.
- 제1항에서, 상기 데이터선은 Cr으로 형성되어 있는 액정 표시장치.
- 기판 위에 CrOx막을 형성한 다음, A1막을 적층한 후 가로선 및 세로선이 형성되도록 패터닝하여 제1 게이트선 및 세로 배선을 형성하는 단계, 상기 제1 게이트선 위에 Cr막을 적층한 후 패터닝하여 제2 게이트선 및 게이트 패드 그리고 데이터 패드를 형성하는 단계, 상기 제2 게이트선 및 상기 세로 배선을 마스크로 하여 CrOx막을 패터닝하는 단계, 상기 세로 배선을 제거하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950052850A KR0182040B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950052850A KR0182040B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970048716A KR970048716A (ko) | 1997-07-29 |
KR0182040B1 true KR0182040B1 (ko) | 1999-05-01 |
Family
ID=19441960
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950052850A KR0182040B1 (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0182040B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9599869B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052850A patent/KR0182040B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9599869B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR970048716A (ko) | 1997-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001021894A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2004199049A (ja) | 液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法 | |
US5767927A (en) | Liquid crystal display with pixel electrode divided in two by common electrode line | |
JPH1124101A (ja) | アクティブ素子アレイ基板およびその製造方法 | |
KR0182877B1 (ko) | 액정표시장치의 구조 및 그 제조방법 | |
US7781268B2 (en) | Array substrate and display panel | |
US5956104A (en) | Active matrix-type liquid crystal display device and method of making the same | |
KR101758834B1 (ko) | 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법 | |
JP4782389B2 (ja) | 表示装置用表示板及びその表示板を含む液晶表示装置 | |
KR20020011573A (ko) | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
KR100237673B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 제조 방법 | |
KR100345959B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100538293B1 (ko) | 평면 구동 방식 액정 표시 장치의 제조 방법 | |
KR101409704B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
KR0182040B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US20080149933A1 (en) | Display panel | |
KR100670047B1 (ko) | 광차단막을 가지고 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR101215943B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR100237684B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100695298B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
KR100529574B1 (ko) | 평면 구동 방식의 액정 표시 장치 및 그 제조방법 | |
JPH1138437A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
KR100268105B1 (ko) | 박막트랜지스터기판및그제조방법 | |
KR20050009039A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는액정 표시 장치 | |
KR100200349B1 (ko) | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20071127 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |