KR0179148B1 - 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조 - Google Patents
정렬도 측정용 오버레이 패턴구조 Download PDFInfo
- Publication number
- KR0179148B1 KR0179148B1 KR1019950030263A KR19950030263A KR0179148B1 KR 0179148 B1 KR0179148 B1 KR 0179148B1 KR 1019950030263 A KR1019950030263 A KR 1019950030263A KR 19950030263 A KR19950030263 A KR 19950030263A KR 0179148 B1 KR0179148 B1 KR 0179148B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- overlay
- measuring
- alignment
- overlay pattern
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체장치 제조시의 정렬로 측정을 위한 오버레이(Overlay)패턴구조에 관한 것으로, 특히 오버레이 패턴형상으로 정렬도 측정을 용이하도록 한 것이다.
이를 위한 본 발명의 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조는 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 원형의 중심을 기준으로 원형일측이 타 일측에 비해 크게 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측으로 제1패턴과 크기는 다르나 같은 형상으로 형성되는 제2패턴으로 구성되어 이루어진다.
Description
제1도는 종래의 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도.
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 제1패턴 2 : 제2패턴
3 : 요(凹)홈부
본 발명은 반도체장치 제조시의 정렬도 측정용 오버레이(Overlay) 패턴구조에 관한 것으로, 특히 오버레이 패턴형상으로 정렬도 측정을 용이하도록 한 것이다.
오버레이(Overlay) 측정이란 반도체를 만들기 위해 여러장의 마스크를 필요로 하는데 웨이퍼상에 마스크를 노광장비를 정렬시켜 노광시킬 때 하층에 있는 패턴이 정확하게 정렬되었는지를 체킹(Checking)하는 것을 말한다.
오버레이 패턴의 형성위치는 메인칩 사이의 스크라이브 라인(Scribe Line)에 형성하여 메인칩에 형성된 반도체 장치의 정렬도를 측정하게 되는 것이다.
종래에는 제1도(a)에 도시된 바와 같이 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 사각형 형태의 제1패턴(1) 외측에 사각형 형태의 제2패턴(2)을 형성하여 오버레이 패턴을 형성한다.
상기와 같이 형성된 제1패턴(1)과 제2패턴(2)은 X와 Y라는 직교좌표를 이용하는 계측기를 사용하여 정렬도를 측정한다.
그러나 종래와 같은 사각형 구조의 오버레이 패턴은 와 Y라는 직교좌표를 사용하여 계측하므로 대각선으로만큼 벗어나면 쉽게 계측할 수 없었다.
또한 제1도(b)에 도시된 바와 같이 오버레이 패턴정렬시 제2패턴(2)이 제1패턴(1)에 대하여 회전되어 정렬되어을 경우 그 각도(θ)를 쉽게 알아낼 수 없는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 본 발명의 목적은 오버레이 패턴의 구조를 측정하기 쉬운 형상으로 형성하고 극좌표를 이용하여 정확한 오버레이를 측정하기 쉬운 형상으로 형성하고 극좌표를 이용하여 정확한 오버레이를 측정할 수 있게 한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조는 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 원형의 중심을 기준으로 원형일측이 타일측에 비해 크게 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측으로 제1패턴과 크기는 다르나 같은 형상으로 형성되는 제2패턴으로 구성된다.
이하, 본 발명의 제1실시예를 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제2도(a)에 도시된 바와 같이 오버레이를 측정하기 위한 제1패턴(1)이 원형 형태이나 원형의 중심을 기준으로 원형 중심부터 일측이 다른 일측보다 크게 형성되고, 상기 제1패턴(1) 외측에 제1패넌(1)과 같은 형태의 제2패턴(2)으로 형성되는 것이다.
즉, 오버레이 패턴이 제1패턴(1)이 형상을 원형으로 하되 일측이 타측보다 크게 형성되어 다음공정 진행을 위한 제2패턴(2) 형성시 제1패턴(1)과 올바른 정렬이 되었는지를 용이하게 관찰하는 것이다.
또한 제2도(b)에 도시된 바와 같이 제1패턴(1)과 제2패턴(2)이 정렬이 잘못되었을 때 그 각도(θ)를 쉽게 측정할 수 있고 원형으로 형성된 제1패턴(1) 및 제2패턴(2)으로 인해 특별히 측정기준이 제한되지 않고 어디에서나 측정할 수 있는 극좌표를 이용할 수 있다.
제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조도로서 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 일측에 요(凹)홈이 형성된 원형형상으로 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측에 제1패턴 요(凹)홈쪽으로 요(凹)홈이 형성된 원형형상의 제2패턴으로 구성된다.
이하 본 발명의 제2실시예를 제3도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
제3도(a)에 도시된 바와 같이 오버레이를 측정하기 위한 제1패턴(1)을 원형으로 형성하되 원형형상의 제1패턴 일측에 요(凹)홈(3a)이 형성되고, 상기 제1패턴(1) 외측에 제1패턴(1)과 같은 형태의 제2패턴(2)이 형성되고 제2패턴(2)의 요(凹)홈(3b)이 제1패턴(1)이 요(凹)홈(3a)과 마주보게 형성되는 것이다.
즉 제3도(a)에 도시된 바와 같이 오버레이 패턴이 제1패턴(1)의 형상을 요(凹)홈(3a)이 있는 형상으로 형성되어 다음 공정진행을 위한 제2패턴(2) 형성시 제1패턴(1)과 올바른 정렬이 되었는지 용이하게 관찰할 수 있게 한 것이다.
또한 제3도(b)에 도시된 바와 같이 제1패턴(1)과 제2패턴(2)의 정렬이 잘못되었을 때 그 각도(θ)를 를 쉽게 측정할 수 있고 요(凹)홈(3a)(3b)이 형성된 원형형상의 제1패턴(1)과 제2패턴(2)으로 인해 특별히 측정기준이 제한되지 않고 어디에서나 사용할 수 있는 극좌표를 이용할 수 있다.
본 발명은 제2도 및 제3도에서와 같이 정렬도 측정을 위한 오버레이 패턴구조를 측정하기 쉬운 원형형상으로 하고, 상기 원형형상에 돌출부 또는 요(凹)홈부를 형성하여 정렬도 측정시 쉽게 관찰할 수 있게 하였고 극좌표를 이용하여 오버레이 패턴을 쉽게 측정할 수 있도록 하였다.
Claims (2)
- 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 원형의 중심을 기준으로 원형일측이 타 일측에 비해 크게 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측으로 제1패턴과 크기는 다르나 같은 형상으로 형성되는 제2패턴으로 구성됨을 특징으로 하는 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조.
- 스크라이브 라인상에 오버레이 패턴 측정을 위한 마스크 패턴을 형성함에 있어서, 일측에 요홈이 형성된 원형형상으로 형성되는 제1패턴과, 제1패턴 외측에 제1요홈쪽으로 요홈이 형성된 원형형상으로 형성되는 제2패턴으로 구성됨을 특징으로 하는 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030263A KR0179148B1 (ko) | 1995-09-15 | 1995-09-15 | 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950030263A KR0179148B1 (ko) | 1995-09-15 | 1995-09-15 | 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018313A KR970018313A (ko) | 1997-04-30 |
| KR0179148B1 true KR0179148B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19426964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950030263A KR0179148B1 (ko) | 1995-09-15 | 1995-09-15 | 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0179148B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100815763B1 (ko) * | 2006-10-13 | 2008-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 프레임 및 이를 이용한 마스크 프레임과 마스크의정렬방법 |
-
1995
- 1995-09-15 KR KR1019950030263A patent/KR0179148B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970018313A (ko) | 1997-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6150231A (en) | Overlay measurement technique using moire patterns | |
| US5868560A (en) | Reticle, pattern transferred thereby, and correction method | |
| JP2802561B2 (ja) | 半導体チップのアライメント方法およびレーザ修理用ターゲット | |
| US20070195326A1 (en) | Image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device | |
| TW388803B (en) | A structure and method of measuring overlapping marks | |
| JP6153117B2 (ja) | 結晶方位マーク付き処理基板、結晶方位検出方法及び結晶方位マーク読出装置 | |
| JPH11126746A (ja) | 重ね合わせ精度測定パターン及び重ね合わせ精度測定方法 | |
| KR0179148B1 (ko) | 정렬도 측정용 오버레이 패턴구조 | |
| JP2650182B2 (ja) | 位置合せマーク並びに該マークを有する電子装置及びその製造方法 | |
| JP2806242B2 (ja) | 電子線露光の位置合わせマークおよび電子線露光の位置合わせマークの検出方法 | |
| KR100519374B1 (ko) | 반도체 장치의 오버레이 측정 방법 | |
| JP2687418B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100298193B1 (ko) | 웨이퍼의수평정렬을위한레티클 | |
| KR100700467B1 (ko) | 패턴 측정 장치 및 측정 방법 | |
| JPS63199416A (ja) | 位置ずれ測定用マ−クおよびこれを用いた位置ずれ測定方法 | |
| KR960007621B1 (ko) | 반도체 소자의 중첩 오차 보정방법 | |
| KR20000026310A (ko) | 반도체장치 | |
| KR100255087B1 (ko) | 더미셀이 형성된 스테퍼용 레티클 | |
| KR960001466Y1 (ko) | 노광 장치의 칩 확대율 보정 패턴 | |
| KR20230003843A (ko) | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 | |
| KR100546336B1 (ko) | 복수의 교점을 가지는 오버레이 키 및 이를 이용한오버레이 측정 방법 | |
| KR20230003846A (ko) | 오버레이 마크 및 이를 이용한 오버레이 계측방법 및 반도체 디바이스 제조방법 | |
| JPS60136326A (ja) | 半導体装置 | |
| KR19990070018A (ko) | 반도체 소자의 오정렬 측정 패턴 | |
| JPS61111531A (ja) | 半導体装置のマスク合わせ精度検出方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20091028 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |