KR0175679B1 - 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크 - Google Patents

조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크 Download PDF

Info

Publication number
KR0175679B1
KR0175679B1 KR1019960016179A KR19960016179A KR0175679B1 KR 0175679 B1 KR0175679 B1 KR 0175679B1 KR 1019960016179 A KR1019960016179 A KR 1019960016179A KR 19960016179 A KR19960016179 A KR 19960016179A KR 0175679 B1 KR0175679 B1 KR 0175679B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mask
pattern
roughness
scanning direction
illuminance
Prior art date
Application number
KR1019960016179A
Other languages
English (en)
Inventor
슈이찌 하시모또
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Application granted granted Critical
Publication of KR0175679B1 publication Critical patent/KR0175679B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

슬릿 형상의 조도 영역과 연관되어 형성된 패턴을 갖는 마스크와 감광성 기판을 주사하는 스캔-노광 방법에서 사용되는 마스크가 제공되었으며, 감광성 기판은 슬릿 형상의 조명 영역의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 패턴으로 노광된다. 마스크는 주사 방향으로 마스크의 메인 패턴 영역밖의 마스크 가장가리부에 형성되는 조도 불균일 검출용 패턴을 가진다.

Description

조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크
제1도는 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 종래 마스크의 일예를 도시하는 평면도.
제2a도는 본 발명 노광 마스크의 일 실시예 평면도.
제2b도는 제2a도에 도시된 노광 마스크의 정렬 마크 영역의 부분 확대도.
제3도는 본 발명 노광 마스크에 형성된 조도 불균일 검출용 패턴의 제1예를 도시하는 평면도.
제4도는 본 발명 노광 마스크에 형성된 조도 불균일 검출용 패턴의 제2예를 도시하는 평면도.
제5도는 본 발명 노광 마스크에 형성된 조도 불균일 검출용 패턴의 제3예를 도시하는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 스캔-노광 마스크 2 : 정렬 마크 영역
2A : 메인 패턴 영역 3 : 조도 불균일 검출용 패턴 영역
4 : 라인 및 스페이스 패턴 5 : 콘택트 홀 패턴
6 : 마름모형 애퍼츄어 패턴 7 : 투과부
8 : 광차단부 9 : 조도 불균일 검출용 마스크
10 : 조도 불균일 검출용 패턴
본 발명은 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크에 관한 것으로, 특히 구형 또는 원호 형상 등의 조명 영역에 대하여 마스크와 감광성 기판을 동기화시켜 주사함으로서 조명 영역의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 패턴을 감광성 기판에 노광하는 소위 스캔-노광 방식에 사용하는 마스크에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 공정인 리소그래피 단계에서, 노광 광선으로 감광성 기판 또는 웨이퍼(정확히 표현하면, 웨이퍼상에 감광제가 증착되어 있음)상에 마스크의 패턴을 투영시키는 투영 노광 장치(투영 프린터)를 사용하였다.
이 투영 노광 장치는 웨이퍼상에 마스크의 칩 패턴을 일괄적으로 투영시키는 플래시 노광 방식과, 슬릿 형상의 조명 영역에 대하여 마스크와 웨이퍼를 동기화시켜 주사함으로서 조명 영역의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 마스크 패턴을 웨이퍼상에 투영시키는 스캔 노광 방식으로 나누어진다.
투영 노광 장치의 성능 항목 한가지는 조도의 불균일도이다. 조도 불균일도는 노광된 필드 내에서의 조도 불균일도 정도를 나타낸다. 만약 조도 불균일도가 높으면, 노광 필드내에 선폭의 변동이 초래된다. 따라서, 조도 불균일도가 규정치 이상이 되지 않도록 하는 것이 필요하다.
종래에 있어서는 플래시 노광 방식이 주류를 이루었으나, 최근에는 웨이퍼상에 커다란 칩 패턴을 투영할 수 있도록 필드 확대에 대한 요구가 증가하기 때문에 스캔 노광 방식이 주목을 받고 있다. 그러나, 이러한 스캔 노광 방식에서는 노광 광선에 대하여 마스크와 웨이퍼가 동기화되어 이동하기 때문에, 만약 동기화 타이밍의 편차 및/또는 주사 속도의 변화나 변동이 발생하게 되면, 조도의 불균일도가 초래되게 된다. 또한, 펄스 발진 레이저를 광원으로 사용하는 경우에 이 레이저의 광선 강도가 스캔-노광 경로에 따라서 변하게 되면(예를 들면, 미스화이어(misfire)등), 이 또한 조도의 불균일도를 초래하게 된다. 따라서, 스캔 노광 방식은 플래시 노광 방식에서 요구되는 것보다 더욱 정밀한 조도 불균일도 제어를 필요로 한다.
종래에 있어서, 투영 노광에서의 조도 불균일도는 웨이퍼 스테이지상에 약 1mm의 스텝으로 조도 센서를 이동시켜 웨이퍼 스테이지의 전체 표면에 대한 조도를 측정하고, 이 측정 결과에 기초한 계산을 행하여 결정하였다.
또한, 제1도에 도시된 것처럼, 일본 특개소 제58-139427호와 그 영문 요약서는 또 다른 방법을 제시하는데, 웨이퍼는 사실상 마스크(9)의 전체면에 대하여 한계 해상도의 조도 불균일 검출용 패턴(10)을 갖는 조도 불균일 검출용 마스크(9)를 통하여 노광되고, 이렇게 노광되고 현상된 웨이퍼를 관찰하여 조도 불균일도를 조사한다.
이 방법은 정상 상태하에서의 스캔 노광 장치의 조도 불균일도를 검출하는데 매우 효과적이다. 그러나, 본 발명은 전술한 다양한 이유로 인하여 사실상의 제품 패턴의 노광 경로에서 초래될 수 있는 조도의 불균일도를 검출할 수가 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 전술한 종래의 결점을 극복할 수 있는 마스크를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 조도 불균일 검출용 패턴을 가지며, 사실상의 제품 패턴 노광 처리시에 발생할 수 있는 조도 불균일도를 검출할 수 있는 마스크를 제공하는 것이다.
마스크와 감광층 기판을 조명 영역에 대하여 주사함으로서, 조명 영역의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 마스크 패턴을 감광층 기판에 노광시키는 방법에 사용되는 마스크로서, 주사 방향을 따라서 마스크의 메인 패턴 영역밖의 마스크의 가장자리부 영역에 형성되는 조도 불균일 검출용 패턴을 가지는 마스크를 제공하여 본 발명의 전술한 목적 및 또 다른 목적을 달성할 수 있다.
전술한 감광성 기판은 포토레지스트와 같은 감광층이 증착된 기판 또는 웨이퍼를 의미한다.
전술한 마스크는 슬릿 형상의 조명 영역에 대하여 감광성 기판과 감광성 기판에 형성되는 패턴을 갖는 마스크를 주사하여, 슬릿 형상의 조명 영역 면적보다 더 큰 면적을 갖는 패턴을 감광층 기판에 노광시키는 스캔-노광 방법에 사용되는 마스크이다.
예를 들면, 조도 불균일 검출용 패턴은 마스크의 전체 주사 방향 길이에 대하여 연장되며 한계 해상도 부근의 폭을 갖는 복수개의 라인 및 스페이스로 이루어지는 라인 및 스페이스 패턴, 한계 해상도 부근의 치수를 가지며 마스크의 전체 주사 방향 길이에 대하여 연장되는 다수개의 콘택트 홀로 이루어지는 콘택트 홀 패턴, 또는 마스크의 전체 주사 방향 길이에 대하여 배치되는 다수개의 마름모형 애퍼츄어로 이루어지는 마름모형 애퍼츄어 패턴으로 형성된다.
본 발명은 마스크에 있어서, 조도 불균일도 검출용 패턴은 주사 방향을 따라서 마스크의 가장자리부, 예를 들면 상부 또는 하부 가장자리부에 형성되기 때문에, 조도 불균일 검출용 패턴은 마스크의 메인 패턴 영역과 간섭하지 않으며, 만약 조도 불균일 검출용 패턴이 실질 제품용 마스크의 가장자리부에 형성되는 경우에는, 실질 제품 마스크 패턴의 노광시에 우연히 발생되는 조도의 불균일을 검출할 수 있다.
따라서, 조도의 불균일을 제어할 수 있으며, 따라서 실재 제품의 부분적 결함을 감소시킨다.
본 발명의 이러한 목적과, 특징 및 장점은 도면과 함께 기술된 본 발명의 바람직한 예로부터 명확해진다.
제2a도는 본 발명 노광 마스크의 일 실시예를 도시하는 평면도이다. 후술된 치수는 웨이퍼상의 크기이며, 따라서 축소 투영 노광 장치의 축소율이 1/x이면, 마스크상의 치수는 웨이퍼상의 치수의 x배이다.
제2a도에서 번호 1로 표시된 스캔 노광 마스크 실시예에서, 마스크의 치수는 32.5mm×22mm이다. 이 마스크는 메인 패턴 영역(2A)과 주사 방향의 전체 길이를 따라서 마스크(1)의 상부 가장자리부에 형성된 폭이 100μm(=1mm)인 정렬 마크 영역(2)으로 이루어진다.
제2b도는 제2a도에 도시된 노광 마스크의 정렬 마크 영역(2)의 확대도이다. 정렬 마크 영역(2)을 따라서, 마스크(1)의 정렬 마크 영역(2)과 메인 패턴 영역(2A) 사이에는 폭이 10μm인 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)이 형성된다. 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)은 주사 방향으로 마스크(1)의 전체 길이를 따라서 뻗어 있다.
전술한 것처럼, 스캔-노광 방식의 노광 장치에서는 주사 방향을 따라서 조도의 불균일성이 초래되기 때문에, 단지 주사 방향으로 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)을 형성하는 것으로도 충분하다. 또한, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)의 폭이 10μm이면, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)의 면적은 마스크 전체 면적의 0.045% 정도이다. 따라서 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)은 매우 적은 면적으로도 기대 효과를 달성할 수 있다. 또한, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)은 마스크의 가장자리부에 제공되기 때문에, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)과 메인 패턴 영역(2A)간의 간섭이 일어나지 않으며, 따라서 실질적인 제품용의 마스크로 형성된다.
상기 실시예에서, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)의 폭은 10μm로 표시되었다. 그러나, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)의 폭은 10μm에 제한되지 않으며, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3) 내에 필요한 조도 불균일 검출용 패턴을 형성할 수 있으면, 10μm 이하도 가능하다. 또한, 상기 실시예에서, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)이 정렬 마크 영역(2)과 인접하여 형성되어 있지만, 메인 패턴 영역(2A)과 저촉되지 않으면서 주사 방향으로 연장되는 소정 위치에 위치 가능하다. 예를 들면, 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)은 주사 방향의 전체 길이를 따라서 마스크(1)의 하부 가장자리부에 형성될 수도 있다.
지금부터, 조도 불균일 검출용 패턴의 일예와 조도 불균일 검출용 패턴 일예를 사용하여 조도 불균일도를 검출하는 방법을 기술한다.
제3도에서, 본 발명 노광 마스크(1)의 조도 불균일 검출용 패턴 영역(3)에 형성된 조도 불균일 검출용 패턴의 제1예를 기술한다. 상기 제1예는 라인 및 스페이스 패턴(4)을 도시하며, 이는 투과부(7)의 폭과 동일한 폭을 갖는 광차단부(8)에 의하여 상호 떨어져 있으며, 주사 방향을 따라서 상호 평행하게 연장되는 다수의 투과부(7)를 가진다.
제3도의 일예에서, 라인 및 스페이스 패턴(4)의 라인 및 스페이스 폭은 0.25μm로 동일하다. 상기 폭은 노광 장치의 한계 해상도보다 크지만 그에 근접하게 선택하는 것이 바람직하다. 또한, 제3도의 라인 및 스페이스는 단일 폭만을 가지지만, 한계 해상도 보다 크지만 그에 근접한 폭을 갖는 다수의 폭으로 변형될 수 있다.
제3도의 일예를 사용하여 조도 불균일도를 검출함에 있어서, 조도 불균일 검출용 패턴이 실질상의 제품용 마스크에 형성되기 때문에, 노광되고 현상된 라인 및 스페이스 포토레지스트 패턴을 SEM으로 관찰하여, 일정 간격으로 라인 및 스페이스의 치수(즉, 폭)를 측정하고, 치수의 변동이 소정 허용 범위내에 있는지를 체크한다. 치수 변동이 소정 허용 범위를 벗어나면, 조도 불균일도는 수용할 수 없다고 간주된다. 또한, 노광되고 현상된 라인 및 스페이스 레지스트 패턴을 현미경으로 관찰하여, 노광 장치의 한계 해상도 근방의 폭을 갖는 라인의 레지스트 패턴이 확실히 현상되거나 형성되었는가를 알아낸다.
제4도는 본 발명에 의한 노광 마스크에 형성된 조도 불균일 검출용 패턴의 제2예를 나타낸다. 제2예는 한계 해상도보다 크지만 그에 근접한 치수를 가지는 다수의 콘택트 홀(투과부(7))을 갖는 콘택트-홀 패턴(5)을 도시한다. 도시예에서, 각각의 콘택트 홀의 치수는 0.3μm?이며, 콘택트 홀은 일정한 간격으로 규칙적으로 배치되어 복수개의 로우와 복수개의 칼럼을 갖는 매트릭스를 형성한다.
로우 방향과 칼럼 방향을 따라서 인접해 있는 각 쌍의 콘택트 홀의 치수(0.3μm)와 동일하거나 그렇지 않을 수도 있다.
제3도의 예와 유사하게, 제4도의 콘택트 홀의 치수는 한계 해상도보다 크지만 그에 근접하도록 선택된다. 그러나, 한계 해상도보다 크지만 그에 근접한 다양한 치수를 갖는 콘택트 홀을 사용하는 것도 가능하다.
노광 장치의 한계 해상도에 근접한 치수를 갖는 콘택트 홀 마스크를 사용하여 얻은 레지스트 패턴은 노광양의 변동에 매우 민감하다. 노광양이 조금 변화더라도, 애퍼츄어가 레지스트 패턴으로 형성될 수도 그렇지 않을 수도 있다. 따라서, 현상된 레지스트 패턴을 현미경으로 관찰하여 조도 불균일도를 쉽게 검출할 수 있다.
제5도는 본 발명에 의한 노광 마스크에 형성된 조도 불균일 검출용 패턴의 제3예를 나타낸다. 제3예는 주사 방향의 단일 라인을 따라서 규칙적으로 배치된 다수개의 마름모형 애퍼츄어를 갖는 마름모형 애퍼츄어 패턴(6)을 도시한다. 도시된 마름모형 애퍼츄어(7)에서, 길이가 긴 대각선은 2μm이며, 길이가 짧은 대각선은 0.5μm이다. 예를 들면, 제5도에 도시된 것처럼, 마름모형 애퍼츄어(7)의 길이가 긴 대각선은 주사 방향과 수직이다.
제5도의 예에서, 길이가 짧은 대각선의 길이는 노광 장치의 한계 해상도보다 충분히 크도록 선택되며, 따라서 각각의 마름모형 애퍼츄어의 쐐기형부 쌍의 폭은 한계 해상도보다 충분히 큰 값으로부터 쐐기형부의 첨단부쪽으로 향하면서 점차적으로 줄어든다. 따라서, 쐐기의 베이스 부분(즉, 마름모형 애퍼츄어의 중앙부)으로부터 팁의 첨단부 방향으로 노광양은 점차적으로 감소된다. 따라서, 조도가 변하면, 최적의 노광양을 얻을 수 있는 마름모형 애퍼츄어의 길이도 변한다. 따라서, 현미경 또는 SEM을 사용하여 현상된 레지스트 패턴내의 각 마름모형 애퍼츄어의 길이를 관찰함으로서 조도 불균일도를 쉽게 검출할 수 있다.
마름모형 애퍼츄어는 쐐기형 애퍼츄어 또는 이등면 삼각형 애퍼츄어 쌍의 조합으로이라고 생각할 수도 있다. 따라서, 각각의 마름모형 애퍼츄어는 주사 방향과 평행 또는 수직하게 연장되는 베이스를 갖는 단일 이등변 삼각형 애퍼츄어로 변형될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 마스크와 웨이퍼간의 동기 어긋남, 주사 속도의 변동, 또는 펄스 발진 레이저의 광선 강도 변화로 인한 실재 제품 패턴의 노광시에 우연히 발생하는 조도 불균일을 검출할 수 있다. 또한, 조도 불균일 검출용 패턴 영역이 주사 방향을 따라서 약간의 면적만을 차지하면서 마스크의 가장자리부에 제공되기 때문에, 본 발명은 실질상의 제품용 마스크에 효과적으로 적용할 수 있다. 결과적으로, 본 발명을 사실상의 제품용 마스크에 적용하는 경우에, 노광 단계(포토레지스트 패터닝 간계)후에 조도의 불균일도를 즉각 알 수 있다. 따라서, 조도의 불균일이 발견되면, 포토레지스트를 제거한 후, 포토레지스트를 재증착하여 노광을 실시한다. 이는 제품의 부분적 결함을 효과적으로 감소시킨다.
한계 해상도에 근접한 치수 또는 폭을 갖는 투영된 이미지 부분이 한계 해상도에 근접한 동일 간격으로 연속적 또는 반복적으로 마스크의 전체 주사 방향 길이에 대하여 나타나게 되면, 조도 불균일 검출용 패턴내의 투과부(7)(애퍼츄어 또는 홀)의 형상, 치수, 개수 및 위치는 자유롭게 선택할 수 있다.
지금까지 도시된 도면과 소정 예를 기술하여 본 발명을 설명하였다. 그러나, 본 발명은 전술한 내용에 제한되지 않으며, 본 청구항의 범위내애서 그 변형이 가능하다.

Claims (5)

  1. 마스크와 감광층 기판을 조명 영역에 대하여 주사함으로써, 상기 조명 영역의 면적보다 더 큰 면적을 갖는 마스크 패턴을 감광층 기판에 노광시키는 방법에 사용되는 마스크로서, 이 마스크는 주사 방향을 따라서 상기 마스크의 메인 패턴 영역밖의 상기 마스크 가장자리부 영역에 형성되는 조도 불균일 검출용 패턴을 가짐을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크는 슬릿 형상의 조명 영역에 대하여 감광성 기판과 이 감광성 기판에 형성되는 패턴을 갖는 마스크를 주사하여, 상기 슬릿 형상의 조명 영역 면적보다 더 큰 면적을 갖는 상기 패턴을 상기 감광층 기판에 노광시키는 스캔-노광 방법에 사용되는 마스크인 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 조도 불균일 검출용 패턴은 상기 마스크의 전체 주사 방향 길이에 걸쳐 연장하는 복수개의 라인 및 스페이스를 갖는 라인 및 스페이스 패턴으로 형성되며, 상기 라인 및 스페이스의 폭은 한계 해상도에 근접한 것임을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 조도 불균일 검출용 패턴은 한계 해상도에 근접한 치수를 가지며 상기 마스크의 전체 주사 방향 길이에 걸쳐 연장하는 다수개의 콘택트 홀을 갖는 콘택트 홀 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 조도 불균일 검출용 패턴은 상기 마스크의 전체 주사 방향 길이에 걸쳐 다수개의 마름모형 애퍼츄어를 갖는 마름모형 애퍼츄어 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크.
KR1019960016179A 1995-05-15 1996-05-15 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크 KR0175679B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13989395A JP2723081B2 (ja) 1995-05-15 1995-05-15 スキャン露光方式における照度むら検出方法
JP95-139893 1995-05-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR0175679B1 true KR0175679B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=15256069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960016179A KR0175679B1 (ko) 1995-05-15 1996-05-15 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5709970A (ko)
JP (1) JP2723081B2 (ko)
KR (1) KR0175679B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100492908B1 (ko) * 1997-12-27 2005-08-25 주식회사 하이닉스반도체 렌즈의 수차 효과가 고려된 자동 초점 조정/편평도 조정 방법
US7027130B2 (en) * 2004-04-28 2006-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Device and method for determining an illumination intensity profile of an illuminator for a lithography system
FR2890461B1 (fr) * 2005-09-05 2008-12-26 Sagem Defense Securite Obturateur et illuminateur d'un dispositif de photolithographie
EP2131245A3 (en) * 2008-06-02 2012-08-01 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and its focus determination method
KR101891073B1 (ko) * 2011-12-06 2018-08-24 삼성디스플레이 주식회사 노광 균일도 측정 방법 및 이를 수행하는 노광 시스템

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834731U (ja) * 1981-08-28 1983-03-07 三洋電機株式会社 電子ビ−ム露光用マスク
JPS58139427A (ja) * 1982-02-15 1983-08-18 Hitachi Ltd むら検出用マスクおよびそれを用いたむら検出装置
JPS58193545A (ja) * 1982-05-07 1983-11-11 Hitachi Ltd ホトマスク
JP2675859B2 (ja) * 1989-05-23 1997-11-12 キヤノン株式会社 Ｘ線マスクおよびこれを用いたｘ線露光方法
JP3309865B2 (ja) * 1992-10-02 2002-07-29 株式会社ニコン 結像特性計測方法及び該方法で使用されるマスク
DE19512245C2 (de) * 1994-04-01 2002-12-05 Hyundai Electronics Ind Photomaske zum Messen der Auflösung von Belichtungseinrichtungen

Also Published As

Publication number Publication date
JP2723081B2 (ja) 1998-03-09
JPH08314118A (ja) 1996-11-29
US5709970A (en) 1998-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6094256A (en) Method for forming a critical dimension test structure and its use
US5949547A (en) System for in-line monitoring of photo processing in VLSI fabrication
JP3371852B2 (ja) レチクル
US20020182516A1 (en) Needle comb reticle pattern for critical dimension and registration measurements using a registration tool and methods for using same
JPH03155112A (ja) 露光条件測定方法
KR0172801B1 (ko) 공정 마진 테스트용 포토 마스크와 테스트 방법
JP2682523B2 (ja) 露光方法及びモニタパターン
KR20000029347A (ko) 위치정렬을 검출하는 마크를 구비한 레티클과 위치정렬검출방법
KR20010030209A (ko) 노광방법 및 주사형 노광장치
KR0175679B1 (ko) 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크
US7476473B2 (en) Process control method, a method for forming monitor marks, a mask for process control, and a semiconductor device manufacturing method
US6489067B2 (en) Reticle for manufacturing semiconductor integrated circuit
US20040219435A1 (en) Critical dimension control of printed features using non-printing fill patterns
US6338926B1 (en) Focus measurement method
KR0144489B1 (ko) 반도체소자의 공정결함 검사방법
JPH0743312A (ja) 表面状態検査装置及び該装置を備える露光装置
KR20040086769A (ko) 웨이퍼, 노광 마스크, 마크 검출 방법과 노광방법
KR100438663B1 (ko) 반도체장치의 플레어 노이즈 검출 방법
US5616438A (en) Reticle and a method for measuring blind setting accuracy using the same
CN115188738A (zh) 一种关键尺寸量测标记结构
US6662145B1 (en) Method, equipment, and recording medium for controlling exposure accuracy
KR0146172B1 (ko) 노광장치의 렌즈 비점수차 측정방법
KR0172287B1 (ko) 중첩 정확도와 노광장비의 포커스를 동시에 측정하기 위한 측정마크를 이용한 중첩 정확도 및 노광장비의 포커스 측정 방법
JP3548323B2 (ja) 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
US6579650B2 (en) Method and apparatus for determining photoresist pattern linearity

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20021107

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee