KR0174106B1 - 연마 입자체의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 막의 표면이 연마되는 연마 패드의 표면에 연마액을 공급하는 신규의 방법으로서, 미세 연마 입자체가 이미 분산되어 있는 응집제 및 슬러리를 포함하는 용액이 별개로 연마 패드 표면에 공급되어 슬러리가 용액과 혼합되어 미세 연마 입자체의 응집이 연마용으로 사용되는 응집 입자체를 형성시키는 방법을 제공한다.
Description
제1도는 큰 크기의 실리카 입자체를 사용하는 종래의 연마 방법을 나타내는 도면.
제2도는 응집 실리카 입자체를 사용하는 또다른 종래의 연마 방법을 나타내는 도면.
제3도는 본 발명에 따른 바람직한 실시예에서의 신규의 막 연마 방법 및 장치를 나타내는 도면.
제4도는 종래 및 신규의 방법에서의 연마속도를 나타내는 선도.
본 발명은 연마되는 막 (film) 의 표면에 액체를 공급하는 것에 의해 막을 연마하는 방법 및 막을 연마하는 장치에 관한 것으로, 특히 막의 표면에 연마액을 부가하는 방법에 관한 것이다.
3차원 다레벨 상호 접속의 형성은 실리콘 산화막과 같은 충간 절연체의 표면의 평평화 (planerization) 를 요구한다. 알루미늄 배선층이 제 1 밑층으로서 형서되고 그후 실리콘 산화막이 제 1 층상에 진공 증착법에 의해 증착된다. 그 결과, 실리콘 산화막은 알루미늄 배선층에 기인한 불규칙성을 갖는다. 포토리소그래피 및 드라이 에칭 프로세스를 통하여 실리콘 산화막의 불규칙한 표면에 제 2 알루미늄 배선층을 형성할 때, 포토 레지스트 패턴을 위해 사용되는 노광을 위한 초점 맞추기의 어려움과 같은 그리고 제 2 알루미늄 배선층을 형성하기 위해 알루미늄 층의 불필요한 부분의 드라이 에칭에 의한 제거의 어려움과 같은 문제가 일어난다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 알루미늄 배선층이 실리콘 산화막에 형성되기 전에 실리콘 산화막의 표면을 연마하는 것이 제안되었다. 이것은 일본국 특허 출원 제 4-94677 호에 기재되어 있다. 실리콘 산화막의 연마는 연마 입자체의 화학적 에칭 기능과 기계적 마찰 기능에 의해 행해진다. 일본국 특허 공개 제 4-75338 호에 기재된 바와 같이, 20 나노미터의 직경을 갖는 실리카 입자체가 암모늄 용액에 10 내지 30 중량%로 분산된 연마액이 사용된다.
연마시간을 단축하는 것은 큰 크기의 실리카 입자체를 또한 요구하는 고연마 속도를 필요로한다. 큰 크기의 실리카 입자체의 사용은 연마된 막의 표면에 손상을 초래한다. 또한, 제1도에 도시된 바와 같이, 큰 실리카 입자체는 고속 침전에 의해 액체의 연속적인 교반 (stirring) 이 요구되는 문제가 있다. 액체의 연속적인 교반은 연마 장치가 교반 시스켐을 구비하는 것을 필요로 하여 연마장치의 복잡한 구조를 초래한다.
한편, 일본국 특허 공개 제 51-28295 호에 기재된 바와 같이, 미세 실리카 입자체가 연마용으로 사용될 때, 연마 표면에의 어떠한 손상을 억압하는 것이 허용되지만, 저 연마 속도와 같은 문제가 초래한다.
큰 크기의 연마 입자체의 사용없이 연마속도를 증가시키는 방법이 제안되엇는데, 제2도에 도시한 바와 같이 전해염의 응집제가 슬러리에 부가되어 실리카 입자체의 응집이 연마용으로 사용되는 큰 크기의 응집 입자체를 형성한다. 그러나, 이 방법은 연마액의 연속적인 교반을 반드시 행해야 하는 불리한 점이 있다.
따라서, 본 발명의 일반적인 목적은 상술한 어떠한 문제점 혹은 불리한점이 없이 연마액을 공급하는 것에 의해 막을 연마하는 신규한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 고속으로 막을 연마하는 신규의 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 연마액을 교반함이 없이 막을 연마하는 신규한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 막에의 어떠한 손상을 야기함이 없이 막을 연마하는 신규의 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 상술한 어떠한 문제점 혹은 불리한 점이 없이 연마액을을 공급하는 것에 의해 막을 연마하는 것에 의해 막을 연마하는 신규한장치를 제고하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 고속으로 막을 연마하는 신규의 장치를 제고하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 연마액을 교반함이 없이 막을 연마하는 연마하는 신규한 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 막에의 어떠한 손상을 야기함이 없이 막을 연마하는 신규의 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 및 다른 목적, 특징 및 이점은 다음의 설명으로부터 분명해 질 것이다.
본 발명은 막의 표면이 연마되는 연마패드의 표면에 연마액을 공급하는 신규의 방법으로서, 응집제를 포함하는 용액과 미세 연마 입자체가 이미 분산되어 있는 슬러리를 별개로 연마 패드 표면에 공급하여 슬러리를 용액과 혼합시켜 미세 연마 입자체의 응집이 연마용으로 사용되는 응집 입자체를 형성시키도록 하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 막이 연마되는 연마 패드가 구비되는 판을 갖는 연마유닛, 연마 패드의 표면에 미세 연마 입자체가 분산되는 슬러리를 저장 및 공급하는 슬러리 긍급 시스템, 연마 패드의 표면에 응집제를 포함하는 용액을 저장 및 공급하여 슬러리가 용액과 혼합되어 미세 연마 입자체의 응집이 연마용으로 사용되는 응집 입자체를 형성시키는 응집제 용액 공급 시스템을 구비하는 신규의 막 연마 장치를 제공한다.
본 발명은 연마 장치에 의해 연마되는 막의 표면으로 연마액을 공급하는 신규의 방법으로서, 응집제를 포함하는 용액과 미세 연마 입자체가 이미 분산되어 있는 슬러리를 별개로 연마 패드 표면에 공급하여 슬러리를 용액과 혼합시켜 미세 연마 입자체의 응집이 연마용으로 사용되는 응집 입자체를 형성시키도록 하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.
본 발명은 또한 막이 연마되는 연마 패드가 구비되는 판을 갖는 연마 유닛, 연마 팩드의 표면에 미세 연마 입자체가 분신되는 슬러리를 저장 및 공급하는 슬러리 공급 시스템, 연마 패드의 표면에 응집제을 포함하는 용액을 저장 및 공급하여 슬러리가 용액과 혼합되어 미세 연마 입자체의 응집이 연마용으로 사용되는 응집 입자체를 형성시키는 응집제 용액 공급 시스템을 구비하는 막 연마 장치를 제공한다.
미세 실리카 입자체로의 슬러리는 슬러리 탱크에 저장된다. 미세 실리카 입자체는 작은 크기에 기인하여 침전되지 않는다. 이때문 탱크에서 슬러리를 교반할 필요가 없다. 슬러리는 응집제를 포함하는 용액과 별개로 연마 패드의 표면에 전달되고 다음에 연마패드 표면에서 슬러리는 응집제를 포함하는 용액과 혼합되어 그에 의해 슬러리에 포함되어 있는 미세 실리카 입자체의 응집을 야기하며 후속하여 응집된 실리카 입자체는 막 연마용 입자체로서 기여하도록 형성된다. 응집된 실리카 입자체는 고속 연마를 이루기에 충분히 큰 직경을 갖지만 연마되는 막의 표면에 어떠한 손상을 방지하는 유연성을 갖는다. 그 유연성은 미세 실리카 입자체를 조합하는 전기력에 의해 야기된다. 대비적으로, 종래방법에서 사용된 큰 크기의 실리카 입자체의 사용은 연마되는 막의 표면으로의 손상을 제공한다.
제3도에 나타낸 바와 같이, 신규의 여남 장치는 슬러리 (3) 를 저장하는 슬러리 탱크 (1) 와 전해액 (4) 를 저장하는 응집제 용액 탱크 (2) 를 구비한다. 슬러리 (3) 및 전해액 용액 (4) 은 펌프에 의해 연마판 (5) 에 형성된 연마 패드 (6) 의 표면에 별개로 공급된다. 기판 지퍼 (10) 에 정의도니 반도체 기판 (9) 에 형성된 실리콘 산화막이 연마 패드 (6) 의 표면에 연마된다.
슬러리 탱크 (1) 에서, 슬러리는 현탁액으로서 저장되는데 10 내지 40 중량 % 의 미세 실리카 입자체 (7) 가 순수 혹은 8 내지 9 pH 값의 알킬 용액에 분산된다. 실리카 입자체는 입자체의 슬러리 (3) 로의 침전을 방지하기 위해 약 100나노미터 이하, 바람직하게는 , 10 내지 100 나노미터 범위의 직경을 갖는다. 반도체 공정 라인으로의 알킬 금속 오염을 고려하면, 8 내지 9 pH 값의 알킬용액을 만들기 위해 순수에 용해된 NaOH 혹은 KOH 와 같은 알킬 금속을 사용하는 것은 바람직하지 않다.
암모니아 혹은 아민과 같은 비알킬 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
응집제 용액 탱크 (2) 에서, 암모늄 아세테이트 0.3 mol/l 을 포함하는 용액이 저장된다. 전해염으로서, 질산 암모늄 혹은 염화 암모늄과 같은 암모늄염을 사용하는 것이 바람직하다. NaCl 혹은 KCl 또한 사용가능하다.
응집제 탱크 용액 탱크 (2) 로부터, 암모늄 아세테이트 0.3 mol/l를 포함하는 용액이 20 ml/분의 적하율 (dropping rate) 로 연마 패드 (6) 의 표면에 적하되도록 폐치된다. 그런다음, 미세 실리카 입자체의 30 중량 %를 포함하는 슬러리는 암모니아 부가로 9 내지 10 pH 값을 갖도록 조정 되고 후속하여 폐치되어 40 ml/분의 적하율로 연마 패드 (6) 의 표면에 적하된다. 그 결과, 적하된 슬러리는 연마 패드 (6) 의 표면에서 응집제 용액과 혼합되어 그에 의해 슬러리에 포함된 미세 실리카 입자체의 응집을 야기하고 그 응집된 실리카 입자체 (11) 는 고속 연마를 가능하게 하는 큰 직경을 갖고 막의 표면이 연마시 어떠한 손상이 없도록 하는 유연성을 갖는 연마 입자체로서 작용하도록 형성된다. 연마 패드 (6) 의 표면에서, 실리카 농도는 20 중량 % 이고 암모늄 아세테이트의 농도는 0.1 mol/l 이며 그에 의해 약 20 나노미터의 직경을 갖는 미세 실리카 입자체의 10 내지 50 은 200 내지 1000 나노미터의 직경을 갖는 응집 입자체 (11) 를 응집시킨다.
제 4 도는 0.4 kg/cm2의 연마 압력 및 35 rpm 의 회전 속도하에서 연마율 혹은 연마량 대 연마 시간을 나타낸다. 단지 슬러리만을 적하할 때, 연마속도는 300 A/분이다. 대비적으로, 슬러리가 암모늄 아세테이트를 포함하는 용액과 함께 적하된때, 연마속도는 900 A/분 까지 증가된다.
손상의 발생을 체크하기 위해, 레이저 입자 체커를 사용하여 연마된 표면상의 마이크로 스크래치 (micro-scratch) 가 체크된다. 사용된 체커는 0.3 마이크로미터 이상의 폭을 갖는 마이크로 스크래치를 검출할 수 있다. 존재한다면, 선과 같은 스크래치로서 마이크로 스크래치조차 검출 할 수 있지만, 어떠한 마이크로 스크래치도 검출되지 않았다.
비록 전술한 실시예에서 실리카 입자체가 연마 입자체로서 사용되었지만, 알루미나 입자체 혹은 세륨 산화 입자체가 또한 사용될 수 있다. 알루미나 입자체가 그것을 슬러리에 분산시킴으로써 사용되는 경우, 바람직한 pH 값은 3 내지 5 의 범위이다. 어째든, pH 값은 슬러리 탱크의 슬러리에서의 미세 입자체의 어떠한 응집을 제공하도록 제어되어야 한다.
상기의 신규한 방법은 실리콘 산화막 뿐만 아니라 실리콘 질화막, 보론 포스페이트 실리케이트 글라스막, 알루미늄막, 코퍼막 및 텅스텐막과 같은 다른 막에도 적용가능함은 물론이다.
상기 설명으로부터, 본 발명은 막의 연마 표면에 어떤 손상을 제공 함이 없이 고속 연마 및 제조비용의 감소뿐만 아니라 연마시간의 단축화를 가능하게 하는 것이 이해된다.
본 발명의 변형은 당업자에게 명백할 것이며, 예시적으로 나타내고 설명된 실시예는 결코 제한적인 의미로 생각되도록 의도된 것이 아님이 이해되어야 한다. 따라서, 본 발명의 사상과 범위내에 있는 본 발명의 모든 변형예는 특허청구의 범위에 의해 커버되는 것이다.
Claims (11)
- pH 조절성분이 첨가된 슬러리를 제조하여, 직경이 약 0.1 마이크로미터 이하인 미세 연마입자체를 10 내지 40 중량% 의 저농도로 함유시키는 단계; 및 상기 슬러리를 전해염 용액과 혼합시켜, 상기 입자체들을 응집시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 입자체의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 슬러리의 pH 값은 상기 슬러리가 연마 패드 표면에서 상기 용액과 혼합될 때 까지 상기 미세 연마 입자체의 어떠한 응집 발생도 억압하도록 제어되는 것을 특징으로하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 슬러리는 비알킬 금속 화합물과 미세 연마 입자체를 갖는 현탁액을 구비하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 비알킬 금속 화합물은 암모니아를 구비하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 비알킬 금속 화합물은 아민을 구비하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마 입자체는 실리카 입자체를 구비하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마 입자체는 알루미나 입자체를 구비하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마 입자체는 세륨 산화물 입자체를 구비하는 방법.
- 제1항에 있어서, 응집제가 전해염을 구비하도록 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 전해염은 질산 암모늄을 구비하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 전해염은 염화 암모늄을 구비하는 방법.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR20000019872A (ko) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | 유현식 | 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리의 제조방법 |
| KR100850085B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｐ 공정용 슬러리의 희석방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US5798302A (en) * | 1996-02-28 | 1998-08-25 | Micron Technology, Inc. | Low friction polish-stop stratum for endpointing chemical-mechanical planarization processing of semiconductor wafers |
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| US6095902A (en) * | 1998-09-23 | 2000-08-01 | Rodel Holdings, Inc. | Polyether-polyester polyurethane polishing pads and related methods |
| JP3538042B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2004-06-14 | 松下電器産業株式会社 | スラリー供給装置及びスラリー供給方法 |
| JP4604727B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2011-01-05 | 日立化成工業株式会社 | Ｃｍｐ研磨剤用添加液 |
| KR20000055130A (ko) * | 1999-02-03 | 2000-09-05 | 유현식 | 균일한 입자분포를 갖는 반도체소자 ｃｍｐ용 금속산화물 슬러리의 제조방법 |
| KR100347317B1 (ko) * | 1999-06-04 | 2002-08-07 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 ｃｍｐ용 금속산화물 슬러리의 분산방법 |
| WO2000079577A1 (fr) * | 1999-06-18 | 2000-12-28 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Compose abrasif pour polissage cmp, procede de polissage d'un substrat, procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur utilisant ledit compose, et additif pour compose abrasif cmp |
| US6419554B2 (en) | 1999-06-24 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Fixed abrasive chemical-mechanical planarization of titanium nitride |
| KR20010004982A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 소자의 산화막 연마용 슬러리 제조 방법 |
| KR100627510B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2006-09-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 나이트라이드용 ｃｍｐ 슬러리 |
| JP4776388B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2011-09-21 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| JP4776387B2 (ja) * | 2006-02-06 | 2011-09-21 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
| DE102010028461B4 (de) * | 2010-04-30 | 2014-07-10 | Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg | Einebnung eines Materialsystems in einem Halbleiterbauelement unter Anwendung eines nicht-selektiven in-situ zubereiteten Schleifmittels |
| US9303187B2 (en) * | 2013-07-22 | 2016-04-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of silicon oxide, silicon nitride, and polysilicon materials |
| JP5843036B1 (ja) * | 2015-06-23 | 2016-01-13 | コニカミノルタ株式会社 | 再生研磨材スラリーの調製方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3500591A (en) * | 1966-11-21 | 1970-03-17 | Owens Illinois Inc | Glass grinding method and apparatus |
| US3638366A (en) * | 1969-12-03 | 1972-02-01 | Norton Co | Lapping method for metallic workpieces |
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| US4059929A (en) * | 1976-05-10 | 1977-11-29 | Chemical-Ways Corporation | Precision metering system for the delivery of abrasive lapping and polishing slurries |
| ATE7798T1 (de) * | 1979-11-29 | 1984-06-15 | Rhone-Poulenc Industries | Verfahren zum polieren mineralischer und organischer werkstoffe. |
| SU1042968A1 (ru) * | 1981-10-12 | 1983-09-23 | Предприятие П/Я Р-6496 | Способ обработки неметаллических материалов свободным абразивом |
| US4435247A (en) * | 1983-03-10 | 1984-03-06 | International Business Machines Corporation | Method for polishing titanium carbide |
| JPH02172666A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-04 | Yamau Sangyo Kk | 研磨粒 |
| JPH0475338A (ja) * | 1990-07-18 | 1992-03-10 | Seiko Epson Corp | 機械・化学研磨法 |
| JP2689706B2 (ja) * | 1990-08-08 | 1997-12-10 | 上村工業株式会社 | 研磨方法 |
| DE69108546T2 (de) * | 1991-05-28 | 1995-11-30 | Rodel Inc | Polierbreie aus Silika mit geringem Gehalt an Natrium und an Metallen. |
| JP3060714B2 (ja) * | 1992-04-15 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路の製造方法 |
-
1994
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-
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- 1995-02-14 EP EP95101984A patent/EP0667211B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-02-14 KR KR1019950002708A patent/KR0174106B1/ko active IP Right Grant
- 1995-02-14 DE DE69507345T patent/DE69507345T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000019872A (ko) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | 유현식 | 웨이퍼 절연층 연마용 슬러리의 제조방법 |
| KR100850085B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-08-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｐ 공정용 슬러리의 희석방법 |
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| Publication number | Publication date |
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