KR0172861B1

KR0172861B1 - 광자기 디스크구조

Info

Publication number: KR0172861B1
Application number: KR1019900011942A
Authority: KR
Inventors: 문혁
Original assignee: 이헌조; 엘지전자주식회사
Priority date: 1990-08-03
Filing date: 1990-08-03
Publication date: 1999-04-15
Also published as: EP0469623B1; EP0469623A2; EP0469623A3; JPH04229434A; JP2528570B2; DE69119318T2; DE69119318D1; US5175715A; KR920005088A

Abstract

내용 없음.

Description

광자기 디스크구조

제1도는 종래의 구조도.

제2도는 본 발명의 구조도.

제3도는 본 발명에 의한 투과도의 변화를 나타내는 그래프.

제4도는 본 발명과 종래의 구조에 따른 커트회전각을 비교하는 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 기판 2, 2a : 무반사막

3 : 기록막 4 : 반사막

본 발명은 광자기 디스크의 구조에 관한 것으로, 특히 광자기 디스크의 자기광학 효과를 향상시키는데 적당하도록 한 것이다.

통상 광자기 디스크의 보호막이나 무반사(Anti-reflection)막으로 사용되는 물질로는 그 동안 질화물제나 산화물제의 유전체막들이 주로 사용되어 왔으며 이들은 주로 스퍼터링(Sputtering)과 같은 방법으로 제작되어 사용되어 왔다.

종래의 구조를 일실시예를 나타내는 첨부된 제1도를 참조하여 상술하면 다음과 같다.

먼저 PC기판(5)위에 SiNx와 같은 질화물제 유전체로서 무반사막(6)이 적당한 두께(약 300Å - 1000Å)로 피복 되고 그 위에 Td Fe Co 와 같은 비정질 RE - TM 합금으로서 기록막(7)이 약 300Å정도로 형성되어 있다. 이어 상기 기록막(7)위에 SiNx와 같은 질화물계 유전체로서 무반사막(6a)이 형성되고 이 위에 Al, Cr, Ti와 같은 금속으로서 반사막(8)이 형성되므로써 기록막(7)인 비정질 RE - TM 물질의 특성, 즉 커(Kerr)회전각(θ_k)및 페러데이 효과(θ_f)를 얻을 수 있는 구조로 되어 있다.

상기 종래 구조는 다음과 같은 동작 특성을 갖는다.

즉, 기판(5)을 통과한 레이저 빔이 무반사막(6)을 통하여 기록막(7)의 표면에 도달하면 기록막(7)인 Tb Fe Co 의 표면에서 레이저 빔의 일부는 반사되어 커회전각(θ_k)향상에 기여하고 나머지 빔은 투과되어 페러데이효과(θ_f)의 향상에 기여한 후 무반사막(6a)을 거쳐 반사막(8)에서 반사된다. 이때, 유전체막인 무반사막(6)(6a)의 굴전률과 투과도 및 두께가 상기 커회전각(θ_k)및 페러데이효과(θ_f)의 향상에 커다란 영향을 미치게 된다. 이와 같이 종래 광자기 디스크의 무반사막(6)(6a)으로 사용되어온 SiNx나 SiO 등의 물질들은 커회전각(θ_k), 페러데이 효과(θ_f)의 향상을 위한 굴절률(n)이 약 1.5~2.0 정도로 낮다는 문제점이 있었다.

즉 무반사막(6)(6a)으로 사용되는 물질의 굴절률(n)이 클수록 커회전각(θ_k), 페러데이 효과(θ_f)는 증가하게 되지만, 상기 SiNx나 SiO 등의 굴절 지수가 낮아 자기 광학특성이 저하된다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기 문제점을 제거키 위한 것으로 무반사막으로 사용되는 물질의 굴절률(n)을 높게 하여 커회전각(θ_k), 및 페러데이 효과(θ_f)의 향상을 꾀하는데 그 목적이 있다.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 광자기 디스크 구조는 커회전막(θ_k), 페러데이효과(θ_f)를 향상시키기 위해 무반사막을 형성하는 광자기디스크에 있어서, 기록막의 위에다 또는 아래에서 커회전막(θ_k)을 향상시키기 위해 비정질 박막으로 되는 제1무반사막과, 페러데이 효과(θ_K)를 향상시키기 위해, 비정질 박막으로 되는 제2무반사 반사막을 포함하여, 상기 비정질박막은 As₄₀Se₅₀-xSxGe₁₀으로 되고, 그 조성은 X값이 15~40이고, 굴절지수(3)가 2.5 - 2.7인 것을 포함한다.

또한, 상기 제1무반사막의 두께는 600~660Å이고 제2무반사막의 두께는 250~350Å인 것을 포함한다.

그리고 상기 비정질박막의 커회전각(θ_k)은 최저 1,550인 것을 포함한다. 특히 본 발명의 실시예에서 사용된 As₄₀Se₂₀S₃₀Ge₁₀박막의 굴절률은 2.6이었으며 투과도는 780㎚ - 830㎚의 파장범위에서 각각 90%, 91%의 높은 투과도를 나타내었다.

즉, 제3도에 나타낸 바와 같이 광자기 디스크의 판독광원으로 사용되는 반도체 레이저의 파장에서 높은 투과도를 보여주었다.

본 발명에 의한 구조를 첨부된 제2도를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

즉 스퍼터링법으로 기판(1) 위에 유전체인 As₄₀Se₅₀-xSxGe₁₀중 As₄₀Se₂₀S₃₀Ge₁₀을 약 600 - 600Å의 두께로 무반사막(2)으로서 형성하고 그 위에 기록막(3)으로서 Tb Fe Co 를 약 250Å정도로 형성한 것이다. 이어 상기 기록막(3)위에는 무반사막(2a)으로서 상기 유전체인 As₄₀Se₂₀S₃₀Ge₁₀을 약 250 - 350Å의 두께로 형성하고 그 위에 반사막(4)으로서 A1을 약 600Å의 두께로 형성한 것이다. 이와 같은 구조로 제작된 본 고안은 먼저 디스크에 레이저 빔이 조사되면 이 레이저 빔은 무반사막(2)인 유전체 As₄₀Se₂₀S₃₀Ge₁₀막을 통화한 후 기록막(3)인 Tb Fe Co 박막표면에서 반사되어 커회전각(θ_k)의 향상을 일으킨다.

이때 유전체인 무반사막(2)의 굴절률(n)이 클수록 커회전각(θ_k)의 향상은 크게 되는데 본 실시예에서 사용된 As₄₀Se₂₀S₃₀Ge₁₀박막은 굴절률이 2.6인 높은 값을 갖고 있어 충분한 커회전각(θ_k)의 향상을 얻게 된다. 또한 기록막(3)을 통과하여 페러데이 효과를 일으킨 빔은 유전체인 무반사막(2a)을 통과하여 반사막(4)에서 반사되는데 이때에도 유전체인 무반사막(2a)의 굴절률(n)이 클수록 페러데이 효과(θ_f)의 향상을 커지게 되어 본 실시예에서는 제4도와 같이 기존 유전체막인 무반사막에서의 최대 커회전각(θ_k)값인 1.2°보다 높은 최고 1.55°의 높은 커회전각(θ_k)값을 얻을 수 있었다.

이상과 같이 본 발명에서 무반사막으로서 사용된 As₄₀Se₅₀-xSxGe₁₀박막은 가시광선 영역에서는 투과도가 낮으나 광자기 디스크의 판독 광원인 반도체 레이저 파장에서는 높은 투과도 값을 갖고 있어 기록감도가 우수할 뿐만 아니라 높은 굴절률(n)값을 가지므로 커회전각(θ_k)의 향상 효과가 기존에 사용된 물질보다 훨씬 크다는 효과가 있다.

Claims

As₄₀Se₅₀-xSxGe₁₀비정질로 되는 제1무반사막과, 상기 제1무반사막상에 형성된 기록막과, 상기 기록막상에 형성된 As₄₀Se₅₀-xSxGe₁₀비정질로된 제2무반사막을 포함하고, 상기 비정질의 조성에 있어서, X값이 15-40이고, 굴절률(N)이 2.5~2.7인 것을 특징으로 하는 광자기 디스크 구조.
제1항에 있어서, 상기 제1무반사막의 두께는 600-660Å이고, 제2무반사막의 두께는 250~350Å인 것을 특징으로 하는 광자기 디스크 구조.