KR0155863B1 - 청색 발광성 고분자 및 이를 채용한 발광 다이오드 - Google Patents

청색 발광성 고분자 및 이를 채용한 발광 다이오드

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Abstract

본 발명은 청색 발광성 고분자 및 이를 채용하는 발광 다이오드에 관한 것이다. 공역계 폴리머층 양면에 양전극측과 음전극층이 형성된 발광 다이오드에 있어서, 상기 공역계 폴리머가 실리콘으로 치환된 페닐렌을 주쇄로 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드는 청색 발광을 할 뿐만 아니라, 열안정성이 우수하여 수명이 길다.

Description

청색 발광성 고분자 및 이를 채용한 발광 다이오드
제1도는 일반적인 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
제2도는 제1도와 같은 발광 다이오드에 전계를 가할 경우 전계 발광을 하는 과정을 개략적으로 나타내고 있다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 양전극
3 : 고분자 물질 4 : 음전극
본 발명은 청색 발광성 고분자 및 이를 채용한 발광 다이오드에 관한 것으로서, 상세하게는 장시간 청색 발광이 가능하고, 열 안정성이 우수한 청색 발광성 고분자 및 이를 채용하는 발광 다이오드에 관한 것이다.
공역계 고분자(conjugated polymer)는 전기, 비선형 광학 및 발광 특성이 있다. 또한 고분자는 금속이나 반도체에 비해 제조가 용이하고 그 비용이 저렴하기 때문에, 전기/전자 산업 분야에서 공역계 고분자의 응용에 대한 연구가 활발하다.
그러나, 현재 개발되어 있는 대부분의 공역계 고분자는 용해도가 좋지 않으며, 용해도를 높이기 위하여 주쇄에 알킬기로 이루어진 스페이서(spacer) 그룹의 길이를 길게 하면, 기계적 특성이 손상되는 문제점이 있어 적용에 한계가 있다. 따라서, 전기전도성, 비선형 광학 응답 특성 및 발광 특성을 가질 뿐만 아니라, 가공성이 우수한 전도성 고분자에 대한 연구가 활발히 진행중에 있다.
한편, 현재 액정표시소자(LCD)는 소비전력이 적어 경량화 시킬 수 있다는 이점이 있기 때문에 널리 사용되고 있지만, 대형화 및 칼라화에 어려움이 있다. 이러한 액정표시소자의 한계로 인해 발광 다이오드(lighting-emitting diode, 이하 LED라 함)를 채용한 표시장치에 대한 관심이 높아지고 있다.
발광 다이오드를 채용한 표시장치는 수광형 액정표시소자에 비해 응답성, 시각 의존성 및 콘트라스트가 훨씬 우수하기 대문에 음극선관 및 평면 패널형 표시소자인 액정표시소자를 대체할 수 있을 것으로 전망되고 있다.
현재 사용되고 있는 대부분의 발광 다이오드는 무기 결정을 소재로 하고 있는데, 이러한 무기물을 소재로 한 발광 다이오드는 저 전력화, 칼라화 및 대형화가 곤란하고, 구동전압이 높으며 녹색과 청색 영역의 빛을 얻기가 힘들다는 한계가 있다.
따라서 무기결정의 한계를 극복하기 위하여, 발광 다이오드의 소재로서 유기 고분자 물질에 대한 연구가 집중되고 있다. 고분자를 소재로 하는 발광 다이오드에 대한 연구 성과는 1990년 영국의 캠브리지(Cambridge) 그룹에 의해 처음 발표되었다(Nature 1992, 347, 539. 미국 특허 제 5,247,190호). 발광층으로 사용된 고분자 물질은 공역 이중 결합(conjugated double bond)을 갖는 폴리(1,4-페닐렌 비닐렌)으로서, 하기식 (I)과 같은 구조로서 표시된다.
상기 폴리(1,4-페닐렌 비닐렌)은 페닐 그룹과 이중 결합이 교대로 연결된 공역계 고분자(conjugated polymer)로서, 540nm 파장에서 녹색 발광을 하며, 알루미늄과 ITO(Indium Tin Oxide)를 각각 음극의 양극으로 사용했을 경우 0.01%의 발광 효율을 보였다.
그 후, 캠브리지 그룹과 히거 그룹(Heeger Group, U.S.Santa Barbara)에 의해 폴리(1,4-페닐렌 비닐렌)과 그 유도체에 대한 연구가 진행되었고(WO9216023), 다양한 전극과 새로운 발광층의 개발을 통하여 발광효율이 약 4%까지 개선된 것으로 보고되었다(Nature 1993, 365, 628). 그러나, PPV와 그 유도체는 완전한 공역 이중결합을 가지고 있어서 녹색 이하의 파장 영역을 갖는 빛을 얻을 수 없다는 단점이 있다.
이에 따라, 청색 발광성 고분자 개발에 대한 연구가 집중되었고, 폴리파라페닐렌(PPP)이 459nm 이하에서 청색발광하는 것이 발표되었고(Synth. Met. 1992, 51 383), 폴리 알킬 플로렌이 470nm에서 청색을 띠는 것이 발표되었다(Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1941). 그러나, PPP와 알킬 플로렌은 합성이 어렵고, 필름의 질과 가공성이 떨어지며 발광 수명이 아주 짧다는 문제점이 있다.
한편, 미국 메사추세츠 대학교의 카라츠(Karasz) 그룹 등에 의해 페닐렌 비닐렌으로 이루어진 일정한 공역 이중결합 단위를 가지는 청색발광 고분자(II)가 개발되었다.
상기 식 (II)와 같이 표시되는 고분자는 유기용매에 용해되며, 가공성과 필름의 질이 매우 우수한 것으로 발표되었다(Macromolecules 1993, 26, 1188). 그러나, 이러한 고분자를 발광 물질로서 채용할 경우 용해도를 높이기 위해 부가되는 스페이서(spacer) 그룹의 길이가 길어서 PPV가 가지는 우수한 기계적 특성이 손상되는 문제점이 있다.
상기 카라츠 그룹의 고분자 물질과는 별도로, 일본 특개공 제05-320635호에는 하기 식 (III)과 같은 청록색 및 청색 발광 고분자의 합성에 관하여 개시되어 있다.
상기 식 (III)으로 표시되는 고분자 물질에서 가장 주가되는 부분은 Ar2단위로서, 이 Ar2단위는 페닐렌에 알콕시 그룹이 대칭적으로 치환된 형태로 되어 있다. 그러나, 알콕시 그룹은 강한 전자 주게 그룹(electron donationg group)이기 때문에 고분자 흡수 파장을 장파장 쪽으로 이동시켜, 발광되는 빛의 파장을 장파장 쪽으로 이동시키는 작용을 한다. 따라서 알콕시 그룹이 치환된 고분자의 발광 파장은 520 내지 530nm으로서, 초록색을 강하게 띄는 청록색 영역에 위치하게 된다.
반면, Ar2단위가 치환기를 갖지 않는 페닐, 나프탈렌, 바이페닐, 등일 경우 발광 파장은 단파장 쪽으로 이동하지만, 고분자의 용해도가 좋지 않아 적용이 어려웠다.
이러한 이유로 인해, 용해도를 증가시키기 위하여 스페이서 그룹을 증가시키면 필름의 열적 안정성이 좋지 않아 수명이 단축되기 때문에 그 적용이 어렵다는 문제점이 있다. 따라서 유기용매에 대한 용해도는 청색 발광 고분자 물질에 대한 필요성이 증대되고 있다.
한편, 제1도에는 일반적인 발광 다이오드가 개략적으로 나타나 있는데, 일반적으로 기판(1) 위에 열증착 등의 방법으로 양전극(2)을 형성하고, 그 위에 박막 형태의 고분자막(3)을 형성한 다음, 음전극(4)을 형성하는 과정을 거쳐 제조된다. 이 경우 고분자막의 형성에 있어서, 고분자 물질 또는 고분자 전구체(precursor)를 용매에 용해시킨 다음, 스핀 코팅하는 것이 일반적이다. 그런데, 고분자 또는 고분자 전구체의 용해도가 좋지 않으면 고분자막을 형성하기 어려울 뿐만 아니라, 형성된 고분자의 발광 효율도 좋지 않다는 문제점이 있다.
제2도에는 제1도와 같은 발광 다이오드에 전계를 가할 경우 전계 발광을 하는 과정이 개략적으로 나타나 있다. 제2도로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1도의 각 전극을 통해 전계를 가할 경우 고분자 사슬의 구조적인 이완 작용에 의해 음과 양으로 대전된 플라론(polaron)(p-, p+)이 발생되며, 이들은 곧 플라론-엑시톤을 형성한 다음, 극히 짧은 시간 내에 단일의 플라론 엑시톤을 재결합하면서 발광하게 된다.
그런데, 고분자 내에 흠(defect)이 있으면, 홈이 발광하지 않는 재결합 중심이 된다. 이러한 홈은 용해도가 좋지 않은 고분자를 채용할 경우 그 가공 과정에서 생기는 것으로서, 용해도가 좋지 않은 고분자를 채용하여 제조된 발광 다이오드는 발광 효율도 좋지 않다는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상기 문제점을 해결하여 장시간 동안 청색 영역에서 빛을 발할 수 있고, 가공성도 뛰어난 청색 발광성 고분자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 하기 식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 청색 발광성 고분자를 제공하는 것이다.
단, X는 하기 식 (V) 및 (VI)로 이루어진 군에서 선택된 하나, Y는 하기식 (VII) 및 (VIII)로 이루어진 군에서 선택된 하나, Z는 하기 식 (V) 및 (IX)로 이루어진 군에서 선택된하나, n은 1∼20이고,
R1, R2, R3는 각각 C1∼C8알킬기임.
특히, 상기 n은 2 내지 5이고, 상기 R1, R2, R3는 각각 C1∼C4알킬기인 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 목적은 장시간 동안 청색 영역에서 빛을 발할 수 있고, 열안정성이 뛰어난 청색 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 공역계 폴리머층 양면에 양전극층과 음전극층이 형성된 청색 발광 다이오드에 있어서, 상기 공역계 고분자는 상기 식 (IV)로 표시되는 것임을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명에서는 실리콘으로 치환된 페닐렌이 주쇄인 것을 특징으로 한다. 즉, 실리콘은 전자를 주거나 당기는 전기적 성질이 수소 원자와 비슷하므로, 종래의 알콕시 치환 고분자보다 훨씬 단파장의 청색 빛을 발할 수 있다. 또한 치환기가 없는 고분자와 달리, 클로로포름, 디클로로메탄, 테트라하이드로퓨란, 사이클로헥사논과 같은 유기 용매에 대한 용해도가 좋기 때문에 균일하고, 홈이 매우 적은 고분자 박막을 형성하는 것이 용이하다. 또한 스페이서 그룹이 짧더라도 용해도가 좋으므로 페닐렌비닐렌 그룹이 가지는 기계적 강도와 열적 안정성을 유지할 수 있다.
이하, 청색 발광성 고분자 및 이를 채용하는 발광 다이오드의 제조방법을 통해 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
[모노머 합성]
(1) 2,5-비스(트리알킬실릴)-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄브로마이드)(X)의 합성
하기 식과 같이, 2,5-비스(트리알킬실릴)-1,4-비스(브로모메틸)벤젠과 트리페닐포스핀을 DMF에서 반응시킨 다음, 디에틸에테르에서 침전시킨다. 이어 침전물을 여과한 다음, 진공 건조하면 희색의 2,5-비스(트리알킬실릴)-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄 브로마이드)(X)가 얻어진다.
(2) 2-트리알킬실릴-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄 브로마이드) (XI)의 합성
하기 식과 같이, 2-트리알킬실릴-1,4-비스(브로모메틸)벤젠과 트리페닐포스핀을 DMF에서 반응시킨 다음, 디에틸에테르에서 침전시킨다. 이어 침전물을 여과하고 진공 건조하면, 하기 식 (XI)로 표기되는 흰색의 최종 생성물을 얻는다.
(3) 1,3-비스(4-포르밀-페녹시)알칸의 합성
하기 식과 같이, 4-하이드록시벤잘데히드와 양말단이 각각 하나의 브롬으로 치환된 알칸(디브로모알칸)을 탄산칼륨이 용해된 DMF 용액에서 반응시킨 다음, 냉각하여 침전시킨다. 이어 침전물을 여과하여 진공건조한 다음, 침전물을 에탄올에 넣어 재결정하여 하기 식 (XII)로 표기되는 흰색의 생성물이 얻어진다.
(4) 1,3-비스(4-포르밀-2,6-디메톡시페녹시)알칸의 합성
하기 식과 같이, 4-하이드록시벤잘데히드와 양말단이 각각 하나의 브롬으로 치환된 알칸(디브로모알칸)을 탄산칼륨이 용해된 DMF 용액에서 반응시킨 다음, 냉각하여 침전시킨다. 이어 침전물을 여과하여 진공건조한 다음, 침전물을 에탄올에 넣어 재결정하여 하기 식 (i)로 표기되는 흰색의 생성물이 얻어진다.
[고분자 물질의 합성]
(1) P-1의 합성
하기 식과 같이, 동일한 당량의 (X)와 (XII) 모노머를 에탄올과 클로로포름 용매에 완전히 녹인 후, 약간 과량의 에톡시화나트륨을 넣고 상온에서 반응시킨다. 이어 반응 생성물을 클로로포름으로 추출한 다음, 메탄올에 침전시키면, P-1으로 표기되는 최종 고분자가 얻어진다.
(2) P-2의 합성
동일한 당량의 (XI)와 (XII) 모노머를 이용하여 상기 과정 (1)과 같은 과정을 거치면, P-2로 표기되는 최종 고분자가 얻어진다.
(3) P-3의 합성
동일한 당량의 (X)와 (i) 모노머를 이용하여 상기 과정 (1)과 같은 과정을 거치면, P-3로 표기되는 최종 고분자가 얻어진다.
(4) P-4의 합성
동일한 당량의 (XI)와 (i) 모노머를 이용하여 상기 과정 (1)과 같은 과정을 거치면, P-4로 표기되는 최종 고분자가 얻어진다.
[발광 다이오드의 제조]
본 발명에 따라 제조된 고분자를 이용하여 제1도와 같은 형태의 MIS(Metal-semiconductor-metal) 구조를 갖는 발광 다이오드를 제조한다. 이 경우, 발광 다이오드의 양전극은 높은 일함수(work function)를 갖는 금, 백금, ITO(Indium Tin Oxide) 등으로 이루어지고, 음전극은 상대적으로 낮은 일함수를 갖는 알루미늄, 마그네슘, 칼슘 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이 경우, 양전극과 음전극 중 적어도 하나는 투명해야 하는데, 이는 발광되는 빛이 쉽게 투과되도록 하기 위한 것이다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 상세히 설명하기로 하되, 본 발명이 반드시 이에 따라 한정되는 것은 아니다.
[모노머 합성]
1) 2,5-비스(트리메틸실릴)-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄 브로마이드)의 합성
7.4g의 2,5-비스(트리메틸실릴)-1,4-비스(브로모메틸)벤젠과 4.3g의 트리페닐포스핀을 30ml의 DMF하에서 24시간 동안 반응시켰다. 반응된 용액을 디에틸에테르에서 침전시켜 흰색 침전물을 얻었다. 이 침전물을 여과하고 진공 건조하여 하기 식(X-1)로 표기되는 최종 생성물을 얻었다(수율 89%).
분해 온도 : 299-300℃
1H-NMR(DMSO-d6): δ 7.94-7.55 (m, 30H), 7.05 (s, 2H), 5.01 (d, 4H), -0.31 (s, 18H).
원소 분석: 계산치(C 64.35%, H 5.79%), 측정치(C 63.01%, H 6.04%)
2) 2-트리메틸실릴-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄 브로마이드)의 합성
3.0g의 2-트리메틸실릴-1,4-비스(브로모메틸)벤젠과 5.2g의 트리페닐포스핀을 30ml의 DMF에서 24시간 동안 반응시켰다. 반응된 용액을 디에틸에테르에서 침전시켜 흰색의 침전물을 얻었다. 이 침전물을 여과하고 진공 건조하여 하기 식 (XI-I)로 표기되는 흰색의 최종 생성물을 얻었다(수율 80%).
3) 1,3-비스(4-포르밀-페녹시)프로판의 합성
10.0g의 1,3-디브로모프로판을 10ml의 DMF와 6.2g의 탄산칼륨 용액에서 24시간 동안 환류하면서 반응시켰다. 반응물을 찬 증류수에 부어서 침전시킨 후, 여과하여 진공건조하였다. 얻어진 화합물 에탄올에 넣어 재결정하여 하기 식 (XII-I)로 표기되는 흰색이 생성물을 얻었다(수율 65%).
4) 1,5-비스(4-포르밀-2,6-디메톡시페녹시)펜탄의 합성
10.0g의 4-하이드록시벤잘데히드와 6.3g의 1,5-디브로로펜탄을 100ml의 DMF와 6.2g의 탄산칼륨 용액에서 24시간 동안 환류하면서 반응시켰다. 반응물을 찬 증류수에 부어서 침전시킨 후, 여과해서 진공건조하였다. 얻어진 화합물을 에탄올로 재결정하여 하기 식 (i-I)로 표기되는 흰색의 생성물을 얻었다(수율 60%).
[실시예 1]
[고분자 합성]
3.28g의 2,5-비스(트리메틸실릴)-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄 브로마이드)(X-1)와 1.00g의 1,3-비스(4-포르밀-페녹시)프로판(XII-1)(동일한 당량)을 에탄올과 클로로포름 용매 20ml에 넣고 완전히 녹인 다음, 여기세 0.6g의 에톡시화나트륨을 넣고 24시간 동안 반응시켰다. 반응 후 생성물을 클로로포름으로 추출한 후, 물을 제거한 다음, 메탄올에 침전시켜 폴리[1,3-프로판디옥시-1,4-페닐렌-1,2-에틸렌-(2,5-비스(트리메틸실린)-1,4-페닐렌)-1,2-에테닐렌-1,4-페닐렌](P-1-1)을 합성하였다.
폴리스티렌을 표준으로 하여, 상기 얻어진 P-1-1에 대한 분자량을 측정하여 [표 1]에 나타냈는데, 수평균 분자량 2100 및 중량평균 분자량 7200로 나타났다. 또한, 광원으로서 330nm 크세논 램프를 사용하여 고분자 P-1-1을 여기시켜, 고분자에서 방출되는 광발광(PL) 스펙트럼을 기록하여 [표 1]에 나타냈는데, 청색 영역에서 발광하였다. 여기에서, 150Hz 초핑 주파수(chopping frequency)를 갖는 록인증폭기 (lock-in amplifer)를 이용하는 퍼킨 엘머사의 LS-50 형광계를 이용하여, 기록이 이루어졌다.
[발광 다이오드 제작]
상기 얻어진 P-1-1 1.2g을 사이클로헥사논 12ml에 용해시킨 다음, 마이크로 필터로 여과하여 먼지를 제거하였다. 이어, 기판 위에 형성된 ITO층을 초음파 세척기로 세척한 다음, 4000rpm의 속도로 15초 동안 기판을 회전시키면서 ITO층 위에 상기 용액을 스핀코팅하여 140nm 두께의 고분자층을 형성하였다. 마지막으로, 진공증착법에 의해 알루미늄을 코팅하여 지름 5mm의 구형 전극을 형성하는 과정을 거쳐 본 발명의 발광 다이오드를 제작하였다.
제조된 발광 다이오드의 각 전극을 통하여 25V의 전압을 가하여 알루미늄 전극에서 ITO 전극 쪽으로 방출되는 빛의 파장을 측정하여 [표 1]에 나타냈는데, 파장이 470nm로서 청색 영역이었다.여기에서, 빛의 파장은, 검출기로서 광전자 증배관(photomultiplier)(Hammamtzu R955)이 구비된 이중 그레이팅 단색화 장치(grating monochrometer)(Spex 270M)를 이용하여 측정되었다.
[실시예 2]
3.02g의 2-트리메틸실릴-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포늄 브로마이드)(XI-I)와 1.00g의 1,3-비스(4-포르밀-페녹시)프로판 (XII-l)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 의하여, 폴리[1,3-프로판디옥시-1,4-페닐렌-1,2-에테닐렌-(2-트리메틸실릴-1,4-페닐렌)-1,2-에테닐렌-1,4-페닐렌](P-2-1)를 합성하였다.
실시예 1과 같은 방법으로, 제조된 P-2-1에 대한 분자량 및 PL 스펙트럼을 측정한 다음, 발광 다이오드를 제작하여 EL 파장을 측정하여, [표 1]에 나타냈다.
[실시예 3]
2,14g의 2,5-비스(트리메틸실릴)-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포니움 브로마이드)(X-I)와 1.00g의 1,5-비스(4-포르밀-2,6-디메톡시페녹시)펜탄 (i-l)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 의하여, 폴리[1,5-프로판디옥시-(2,6-디메톡시-1,4-페닐렌)-1,2-에테닐렌-(2,5-비스(트리메틸실릴-1,4-페닐렌)-1,2-에테닐렌-(3,5-디메톡시-1,4-페닐렌] (P-3-1)을 합성하였다.
실시예 1과 같은 방법으로, 제조된 P-3-1에 대한 분자량 및 PL 스펙트럼을 측정한 다음, 발광 다이오드를 제작하여 EL 파장을 측정하여, [표 1]에 나타냈다.
[실시예 4]
2.00g의 2-트리메틸실릴-1,4-크실렌비스(트리페닐포스포니움 브로마이드)(XI-l)와 1.00g의 1,5-비스(4-포르밀-2,6-디메톡시페녹시)펜탄 (i-l)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법에 의하여, 폴리[1,5-프로판디옥시-(2,6-디메톡시-1,4-페닐렌)-1,2-에테닐렌-(2-트리메틸실릴-1,4-페닐렌)-1,2-에테닐렌-(3,5-디메톡시-1,4-페닐렌] (P-4-1)을 합성하였다.
실시예 1과 같은 방법으로, 제조된 P-4-1에 대한 분자량 및 PL 스펙트럼을 측정한 다음, 발광 다이오드를 제작하여 EL 파장을 측정하여, [표 1]에 나타냈다.
이상에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따라 제조된 고분자는 청색 발광을 한 뿐만 아니라, 유기용매에 대한 용해도가 우수하여 이를 채용하여 제조된 발광 다이오드는 우수한 청색 발광을 할 수 있다.

Claims (7)

  1. 하기식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 청색 발광성 고분자.
    단, X는 하기 식 (V) 및 (VI)로 이루어진 군에서 선택된 하나, Y는 하기식 (VII) 및 (VIII)로 이루어진 군에서 선택된 하나, Z는 하기 식 (V) 및 (IX)로 이루어진 군에서 선택된하나, n은 1∼20이고,
    R1, R2, R3는 각각 C1∼C8알킬기임.
  2. 공역계 고분자층 양면에 양전극층과 음전극층이 형성된 발광 다이오드에 있어서, 상기 공역계 고분자로서 제1항의 공역계 고분자가 채용되는 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드.
  3. 제2항에 있어서, 상기 양전극은 금, 백금 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드.
  4. 제2항에 있어서, 상기 음전극은 알루미늄, 마그네슘 및 칼슘으로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드.
  5. 제2항에 있어서, 상기 n은 2 내지 5인 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드.
  6. 제2항에 있어서, 상기 R1, R2, R3는 각각 C1∼C4알킬기인 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드.
  7. 제2항에 있어서, 상기 양전극층과 음전극층 중 적어도 하나의 층은 투명한 것을 특징으로 하는 청색 발광 다이오드.
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