KR0144896B1 - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 셀갭의 조절이 용이하고 전체적인 광제어 특성이 고른 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a liquid crystal display device in which cell gap is easily adjusted and the overall light control characteristic is even.
본 발명 제조 방법은, 제1전극 수단이 형성된 기판에 제1합성 수지층과 제2합성 수지층 및 제3합성 수지층을 형성하는 단계; 상기 제2합성 수지층으로부터 상기 제2합성수지층에 이르는 소정 깊이의 제1우물을 다수 형성하는 단계; 상기 제1우물에 상기 용해제에 용해되지 않는 제4합성 수지를 충전하는 단계; 상기 적층의 최상위 표면에 상기 제1전극 수단에 대응하는 제2전극수단을 형성하는 단계; 상기 적층에 상기 제2합성 수지층으로 통하는 제2우물을 다수 형성하는 단계; 상기 제2우물에 상기 용해제를 공급하여 상기 제2합성수지층을 용해하여 상기 제1합성수지층과 제2합성 수지층의 사이에 액정이 주입되는 공동부를 형성하는 단계; 상기 제2우물에 통해 액정을 주입하여 상기 공동부에 액정층을 형성하는 단계; 상기 제2관통공을 밀봉하는 단계; 를 포함한다. 이러한 본 발명에 의하면, 액정표시소자의 제작이 용이하고, 화질이 우수한 액정표시소자를 얻을 수 있게 된다.The manufacturing method of the present invention comprises the steps of: forming a first synthetic resin layer, a second synthetic resin layer, and a third synthetic resin layer on a substrate on which the first electrode means is formed; Forming a plurality of first wells having a predetermined depth from the second synthetic resin layer to the second synthetic resin layer; Filling the first well with a fourth synthetic resin not dissolved in the solvent; Forming second electrode means corresponding to the first electrode means on the top surface of the stack; Forming a plurality of second wells through the second synthetic resin layer in the stack; Supplying the solvent to the second well to dissolve the second synthetic resin layer to form a cavity in which liquid crystal is injected between the first synthetic resin layer and the second synthetic resin layer; Injecting a liquid crystal through the second well to form a liquid crystal layer in the cavity; Sealing the second through hole; It includes. According to the present invention, it is easy to manufacture a liquid crystal display device, and a liquid crystal display device excellent in image quality can be obtained.
Description
제1도는 본 발명 제조방법에 의해 얻어진 액정 표시소자의 일례의 개략적 단면도, 그리고1 is a schematic cross-sectional view of an example of a liquid crystal display device obtained by the manufacturing method of the present invention, and
제2도 내지 제13도는 본 발명 제조 방법의 일실시예의 공정도이다.2 to 13 are process diagrams of one embodiment of the manufacturing method of the present invention.
본 발명은 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 셀갭의 조절이 용이하고 전체적인 광제어 특성이 고른 액정표시소자의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to a method for manufacturing a liquid crystal display device in which cell gap is easily adjusted and the overall light control characteristic is even.
액정표시소자의 광제어층, 즉 실제 화상을 구현하는데 필요한 화소별 광 통과 및 제어 동작을 하는 광제어층은 액정층과 액정층에 접촉되는 양 배향막을 가지고 배향막의 양측에는 상기 액정층에 전계를 형성하는 전극이 마련되는 구조를 가진다.The light control layer of the liquid crystal display device, that is, the light control layer for performing light-passing and control operations for each pixel required to realize an actual image, has a liquid crystal layer and both alignment layers in contact with the liquid crystal layer, and an electric field is applied to the liquid crystal layer on both sides of the alignment layer. It has a structure in which the electrode to form is provided.
상기 배향막은 전계가 주어지지 않은 액정층의 액정분자 배열을 결정하는 것으로서, 상기 전극들에 의해 전계가 주어졌을 때에는 액정물질의 이방성 유전율에 의하여 재배열된다.The alignment layer determines the arrangement of liquid crystal molecules of a liquid crystal layer without an electric field, and is rearranged by anisotropic dielectric constant of a liquid crystal material when an electric field is given by the electrodes.
즉, 액정층에 의한 광의 제어는 입사된 광의 통과 및 차단에 의해 이루어지는데, 이와 같은 제어는 액정의 배열을 제어하는 것에 의해 이루어 진다. 이와 같은 액정의 제어 특성은 액정층의 재료, 액정층의 두께 즉 셀갭, 그리고 전후 배향막의 러빙방향 등에 의해 좌우되는데,액정층의 갭 조절은 특히 액정의 제어에 매우 중요한 인자이다.That is, the control of the light by the liquid crystal layer is made by passing and blocking incident light, and such control is made by controlling the arrangement of the liquid crystal. Such control characteristics of the liquid crystal depend on the material of the liquid crystal layer, the thickness of the liquid crystal layer, that is, the cell gap, the rubbing direction of the front and rear alignment films, and the like, and the gap control of the liquid crystal layer is a very important factor in the control of the liquid crystal.
고르지 못한 액정층이 셀갭은 국부적인 액정제어 특성의 변화를 가져와서 전체적으로 고르지 못한 화상을 나타나게 하는 것이기 때문에 액정표시소자의 제조에 있어서 특히 주의를 기울여야할 요소이다.The uneven liquid crystal layer is an element to pay particular attention in the manufacture of the liquid crystal display device because the cell gap causes a change in the local liquid crystal control characteristics to cause an overall uneven image.
또한 종래의 액정 표시소자 예를 들어 STN 이나 TFT 액정 표시소자는 두매의 기판을 적용하게 되는데, 각 기판의 내면에 전극 및 배향막을 형성하는 공정이 각각 이루어지고, 각각이 완성된 이후에 상호배향막이 소정 거리를 두고 마주보는 상태로 접합한 후 이들 사이에 액정을 주입하는 것으로 사실상 제조공정을 마치게 된다.In addition, a conventional liquid crystal display device, for example, an STN or a TFT liquid crystal display device applies two substrates, and a process of forming an electrode and an alignment layer on the inner surface of each substrate is performed. After joining in a state facing each other at a predetermined distance, the liquid crystal is injected therebetween, thereby substantially completing the manufacturing process.
그런데, 이상과 같이 종래 액정표시소자는 두개의 기판을 사용할 뿐아니라, 각 기판에 대한 해당 기능층의 형성과정이 각각 이루어 지기 때문에 제조과정이 복잡하며, 특히 양 기판을 접합함에 있어서 배향막과 배향막의 사이 거리, 즉 일정한 셀갭을 유지시켜야 하므로 양 기판의 접합이 용이하지 않다. 일반적으로 셀갭을 유지하는 방안으로 양 기판을 접합하기 이전에 일측 기판에 셀갭유지를 위한 미세 입자를 뿌리고 있는데, 이 입자는 기판에 대한 전체적으로 고르게 분포되기 어렵고, 또한 액정이 주입될 때에 액정의 압력에 의해 한 쪽으로 유동하여 셀갭이 불균일하게 되는 문제가 있다.However, as described above, the conventional liquid crystal display device uses not only two substrates, but also a manufacturing process is complicated because the formation of the corresponding functional layer for each substrate is performed, and in particular, in the bonding of both substrates, Bonding the two substrates is not easy because the distance between them, i.e., a constant cell gap must be maintained. Generally, in order to maintain the cell gap, fine particles for maintaining the cell gap are sprinkled on one substrate before bonding both substrates, which are difficult to distribute evenly to the substrate as a whole, and also to the pressure of the liquid crystal when the liquid crystal is injected. There is a problem that the cell gap is nonuniform due to flow to one side.
본 발명은 제조 가공이 용이한 액정표시소자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device which is easy to manufacture and process.
본 발명은 셀갭의 변화가 사실상없고, 전체적으로 고른 광제어 특성을 가지는 액정표시소자의 제조방법을 제공함에 그 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device having substantially no change in cell gap and having uniform light control characteristics as a whole.
본 발명은 우수한 화상의 현시할 수 있는 액정표시소자의 제조방법을 제공함에 그 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device capable of displaying excellent images.
본 발명은 중량이 경감된 액정표시소자의 제조 방법을 제공함에 그 그 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a liquid crystal display device having reduced weight.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법은, 기판의 일측면에 제1전극 수단을 마련하는 단계;According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, the method including: providing a first electrode means on one side of a substrate;
상기 기판의 제1전극 수단의 위에 소정의 용해제에 용해되지 않는 제1합성수지를 적층하는 단계;Stacking a first synthetic resin which is not dissolved in a predetermined solvent on the first electrode means of the substrate;
상기 제1합성수지층의 표면을 소정방향으로 러빙하는 단계;Rubbing the surface of the first synthetic resin layer in a predetermined direction;
상기 제1합성수지층의 위에 상기 용해제에 용해되는 제2합성수지를 적층하는 단계;Stacking a second synthetic resin dissolved in the dissolving agent on the first synthetic resin layer;
상기 제2합성수지층을 소정 방향으로 러빙하는 단계;Rubbing the second synthetic resin layer in a predetermined direction;
상기 제2합성수지층에 상기 용해제에 용해되지 않는 제3합성수지를 적층하는 단계;Stacking a third synthetic resin that is not dissolved in the dissolving agent on the second synthetic resin layer;
상기 제2합성 수지층으로 부터 상기 제2합성수지층에 이르는 소정 깊이의 우물형 제1관통공을 다수 형성하는 단계;Forming a plurality of well-type first through holes having a predetermined depth from the second synthetic resin layer to the second synthetic resin layer;
상기 우물형 관통공에 상기 용해제에 용해되지 않는 제4합성 수지를 충전하는 단계;Filling the well type through hole with a fourth synthetic resin that is not dissolved in the solvent;
상기 적층의 최상위 표면에 상기 제1전극 수단에 대응하는 제2전극수단을 형성하는 단계;Forming second electrode means corresponding to the first electrode means on the top surface of the stack;
상기 적층에 상기 제2합성 수지층으로 통하는 우물형 제2관통공을 다수 형성하는 단계;Forming a plurality of well-type second through holes through the stack to the second synthetic resin layer;
상기 제2관통공에 상기 용해제를 공급하여 상기 제2합성수지층을 용해하여 상기 제1합성수지층과 제2합성수지층의 사이에 액정이 주입되는 공동부를 형성하는 단계;Supplying the solvent to the second through hole to dissolve the second synthetic resin layer to form a cavity in which liquid crystal is injected between the first synthetic resin layer and the second synthetic resin layer;
상기 제2관통공을 통해 액정을 주입하여 상기 공동부에 액정층을 형성하는 단계;Injecting a liquid crystal through the second through hole to form a liquid crystal layer in the cavity;
상기 제2관통공을 밀봉하는 단계;를 포함하는 점에 그 특징이 있다.And sealing the second through hole.
또한 상기 목적을 달성하는 본 발명에 따른 액정표시소자의 제조방법의 다른 유형은;In addition, another type of manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention for achieving the above object;
기판의 일측명에 제1전극 수단을 마련하는 단계;Providing a first electrode means on one side of the substrate;
상기 기판의 제1전극 수단의 위에 소정의 용해제에 용해되지 않는 제1합성수지를 적층하는 단계;Stacking a first synthetic resin which is not dissolved in a predetermined solvent on the first electrode means of the substrate;
상기 제1합성수지층의 표면을 소정방향으로 러빙하는 단계;Rubbing the surface of the first synthetic resin layer in a predetermined direction;
상기 제1합성수지층의 위에 상기 용해제에 용해되는 제2합성수지를 적층하는 단계;Stacking a second synthetic resin dissolved in the dissolving agent on the first synthetic resin layer;
상기 제2합성수지층을 소정 방향으로 러빙하는 단계;Rubbing the second synthetic resin layer in a predetermined direction;
상기 제2합성수지층에 상기 용해제에 용해되지 않는 제3합성수지를 적층하는 단계;Stacking a third synthetic resin that is not dissolved in the dissolving agent on the second synthetic resin layer;
상기 제2합성 수지층으로부터 상기 제2합성수지층에 이르는 소정 깊이의 우물형 제1관통공을 다수 형성하는 단계;Forming a plurality of well type first through holes having a predetermined depth from the second synthetic resin layer to the second synthetic resin layer;
상기 우물형 관통공에 상기 용해제에 용해되는 않는 제4합성 수지를 충전하는 단계;Filling the well-type through hole with a fourth synthetic resin not dissolved in the solvent;
상기 적층에 상기 제2합성 수지층으로 통하는 우물형 제2관통공을 다수 형성하는 단계;Forming a plurality of well-type second through holes through the stack to the second synthetic resin layer;
상기 제2관통공에 상기 용해제를 공급하여 상기 제2합성수지층을 용해하여 상기 제1합성수지층과 제2합성수지층의 사이에 액정이 주입되는 공동부를 형성하는 단계;Supplying the solvent to the second through hole to dissolve the second synthetic resin layer to form a cavity in which liquid crystal is injected between the first synthetic resin layer and the second synthetic resin layer;
상기 제2관통공을 통해 액정을 주입하여 상기 공동부에 액정층을 형성하는 단계;Injecting a liquid crystal through the second through hole to form a liquid crystal layer in the cavity;
상기 제2관통공을 밀봉하는 단계;Sealing the second through hole;
상기 적층의 최상위 표면에 상기 제1전극 수단에 대응하는 제2전극수단을 형성하는 단계;를 포함하는 점에 그 특징이 있다.And forming a second electrode means corresponding to the first electrode means on the uppermost surface of the stack.
이상의 본 발명 제조 방법에 있어서, 상기 제2합성수지층을 제외한 합성수지층을 동일한 재료로 형성될 수 있고, 그리고 상기 제1우물에 충전되는 제3합성수지층의 재료는 에폭시 수지 등과 같은 별개의 소재로 형성될 수 있다.In the above-described manufacturing method of the present invention, the synthetic resin layer except for the second synthetic resin layer may be formed of the same material, and the material of the third synthetic resin layer filled in the first well is formed of a separate material such as epoxy resin. Can be.
이상과 같은 본 발명 액정표시소자의 제조방법은 도면과 함께 예시로서 설명되는 실시예들에 더욱 명백히 이해될 것이나, 이 실시예들은 본 발명에 의해 얻어질수 있는 다양한 유형들 중의 일부들로서 본 발명의 범위를 제한시키지 않는다.The above-described manufacturing method of the liquid crystal display device will be more clearly understood in the embodiments described as an example together with the drawings, but the embodiments are the scope of the present invention as some of the various types that can be obtained by the present invention. Do not limit
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제1도는 본 발명에 의해 제작된 액정 표시소자의 개략적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device produced by the present invention.
여기에서의 특징은 하나의 기판(10)이 적용되고 있고, 그리고 액정층(40)의 셀갭의 유지는 이하에서 설명되는 다수의 기둥(50)들에 의해 유지된다는 점이다. 보다 구체적으로 구조를 살펴보면, 기판(10)의 상면에 제1전극 수단(20)이 형성되는데, 이 제1전극 수단(20)은 화소전극(21)와 이를 스위칭하는 TFT(Thin Film Transistor; 22 )가 형성되어 있다. 그리고 상기 전극수단(20)의 위에는 제1배향막(30), 액정층(40), 제2배향막(60)으로 된 광제어층이 마련된다. 광제어층중에는 제1배향막(30)과 제2배향막(60)의 사이 즉, 액정층(40) 중에는 셀갭 유지를 위한 기둥(50)이 마련되어 있다. 그리고 광제어층의 제2배향막(60)의 위에는 제2전극 수단 예를 들어 공통전극(70)이 형성되고, 그 위에는 이를 보호하는 보호층(80)이 형성되어 있다. 이상과 같은 구조에 더하여 칼라 표시를 위한 칼라필터층이 마련될 수 있는데, 이는 상기 제2배향막(60)의 상부층의 어느 사이 또는 상기 보호층(80)의 표면에 부착될 수 있다. 이상과 같은 구조에 있어서, 상기 기둥(50)은 상기 제1배향막(30) 및 제2배향막(60)과 일체로 형성되어 있다. 이러한 기둥(50)은 이는 후술되는 본 발명의 제조방법에 의해 얻어지는 특징적 요소로서, 도시된 바와 같이 비화소 영역 즉, 화소 전극(21)과 겹쳐지지 않는 영역에 마련되며, 경우에 따라서는 화소 영역에 중첩되게 마련될 수 있다.A feature here is that one substrate 10 is applied, and the maintenance of the cell gap of the liquid crystal layer 40 is maintained by a plurality of pillars 50 described below. In more detail, the structure of the first electrode means 20 is formed on the upper surface of the substrate 10. The first electrode means 20 includes a pixel electrode 21 and a thin film transistor (TFT) for switching the same. ) Is formed. The light control layer including the first alignment layer 30, the liquid crystal layer 40, and the second alignment layer 60 is provided on the electrode means 20. In the light control layer, a pillar 50 for maintaining a cell gap is provided between the first alignment layer 30 and the second alignment layer 60, that is, the liquid crystal layer 40. A second electrode means, for example, a common electrode 70 is formed on the second alignment layer 60 of the light control layer, and a protective layer 80 is formed thereon to protect the second electrode means. In addition to the above structure, a color filter layer for color display may be provided, which may be attached to any one of the upper layers of the second alignment layer 60 or the surface of the protective layer 80. In the above structure, the pillar 50 is formed integrally with the first alignment film 30 and the second alignment film 60. This pillar 50 is a characteristic element obtained by the manufacturing method of the present invention to be described later, is provided in the non-pixel region, that is, the region that does not overlap the pixel electrode 21 as shown, in some cases, the pixel region It may be provided to overlap.
이상과 같은 구조의 액정표시소자를 제조사는 본 발명 제조방법은 다음과 같다.The manufacturing method of the present invention for a liquid crystal display device having the above structure is as follows.
먼저, 제2도에 도시된 바와 같이, 기판(10)의 표면에 기존의 공정을 통하여 제1전극수단(20), 예를 들어 도시된 바와 같이 TFT형 액정표시소자를 제조할 경우 화소전극(21)과 TFT(22) 그리고 STN 형 액정표시소자의 경우 다수 나란한 스트라이프상의 전극들을 소정의 패턴으로 형성한다.First, as shown in FIG. 2, when manufacturing the first electrode means 20, for example, a TFT type liquid crystal display device as shown in the drawing, the pixel electrode ( 21), the TFT 22, and the STN type liquid crystal display device, a plurality of parallel stripe electrodes are formed in a predetermined pattern.
제3도에 도시된 바와 같이, 제1전극수단(20)이 마련된 기판의 상면 전체에 배향막으로서의 제1합성수지층(30')을 형성한다. 이 제1합성수지층(30')은 어떠한 하나의 용제에 대해 불용성을 가지는 것이 필요하다. 여기에서 사용될 수 있는 소재로는 아크릴 수지가 있다.As shown in FIG. 3, the first synthetic resin layer 30 ′ as an alignment layer is formed on the entire upper surface of the substrate on which the first electrode means 20 is provided. This first synthetic resin layer 30 'needs to have insolubility in any one solvent. Materials that can be used here are acrylic resins.
제4도에 도시된 바와 같이 상기 제1합성수지층(30')의 표면을 일반적인 기술로 예를 들어 러빙 로울러(91)를 회전시키면서 러빙하여 제1배향막(30)로서 완성한다.As shown in FIG. 4, the surface of the first synthetic resin layer 30 ′ is rubbed by rotating the rubbing roller 91 in a general technique, for example, to complete the first alignment layer 30.
제5도에 도시된 바와 같이, 상기 배향막(30)위에 상기 용제에 대해 용해성을 가진 제2합성수지층(40')을 소정두께로 형성한다. 여기에서 제2합성 수지층(40')의 두께는 셀갭을 결정하게 되는 것인데, 예를 들어 그 소재로서 폴리이미드를 1 내지 2마이크로미터의 두께로 형성한다.As shown in FIG. 5, a second synthetic resin layer 40 'having a solubility in the solvent is formed on the alignment layer 30 to a predetermined thickness. Here, the thickness of the second synthetic resin layer 40 'is to determine the cell gap. For example, as the material, polyimide is formed to a thickness of 1 to 2 micrometers.
제6도에 도시된 바와 같이, 상기 제2합성수지층(40')의 표면을 소정 방향으로 러빙한다. 이때에 러빙방향은 사용될 액정의 특성을 고려하여 상기 제1배향막의 러빙방향에 대해 예를 들어 90 °의 각을 유지하는 방향으로 제2합성수지층(40')을 러빙한다.As shown in FIG. 6, the surface of the second synthetic resin layer 40 ′ is rubbed in a predetermined direction. At this time, the rubbing direction rubs the second synthetic resin layer 40 'in a direction that maintains an angle of, for example, 90 ° with respect to the rubbing direction of the first alignment layer in consideration of characteristics of the liquid crystal to be used.
제7도에 도시된 바와 같이 전술한 바와 같은 과정에 의해 러빙된 상기 제2합성수지층(40')의 상면에 제2배향막으로서의 제3합성 수지층(60)을 소정 두께로 형성한다. 여기에서 사용되는 소재는 제1합성수지층(30')과 같은 이크릴 수지를 사용하거나 아니면 다른 소재를 사용할 수 있다.As shown in FIG. 7, the third synthetic resin layer 60 as the second alignment layer is formed on the upper surface of the second synthetic resin layer 40 ′ rubbed by the above-described process to a predetermined thickness. As the material used herein, an acrylic resin such as the first synthetic resin layer 30 ′ may be used, or another material may be used.
제8도에 도시된 바와 같이, 일반적인 포토 리소그래피법에 의해 상기 제2합성수지층(40')즉, 제2배향막(60)으로부터 제1배향막(30)에 이르는 소정 직경의 제1우물(50')을 다수 형성한다. 이 제1우물(50')은 상기 화소전극(21)에 중첩되지 않는 비화소 영역에 주로 형성되며, 필요에 따라서는 화소 영역 내에도 형성될 수 있다.As shown in FIG. 8, the first well 50 'having a predetermined diameter from the second alignment layer 60 to the first alignment layer 30 is formed by the general photolithography method. ) Form a large number. The first well 50 ′ is mainly formed in a non-pixel region not overlapping the pixel electrode 21, and may also be formed in the pixel region if necessary.
제9도에 도시된 바와 같이, 상기 제1관통공(50')을 제4합성수지로 충진하여 상기 제1배향막(30)과 제2배향막(60)와 연결되는 지주(50)를 형성한다. 이와 같은 지주(50)를 형성함에 있어서는 상기 제2배향막(60)의 상면 전체에 제4합성수지를 도포하는 것에 의해 가능하게 된다. 여기서 사용되는 제4합성 수지는 역시 상기 용제에 대해 불용성을 지녀야 한다.As shown in FIG. 9, the first through hole 50 ′ is filled with a fourth synthetic resin to form a support 50 connected to the first alignment layer 30 and the second alignment layer 60. In forming such support | pillar 50, it becomes possible by apply | coating a 4th synthetic resin to the whole upper surface of the said 2nd orientation film 60. FIG. The fourth synthetic resin used here must also be insoluble in the solvent.
제10도에 도시된 바와 같이, 상기 적층의 상부 즉, 제2배향막 또는 지주(50)를 형성하기 위해 도포된 최상위층의 위에 제2전극 수단으로서의 투명 전극(70)을 형성한다. 여기에서 TFT 형 액정표시소자의 경우는 전면적으로 투명 전극(70)이 형성되는 STN 형 액정 표시소자의 경우에는 상기 제1전극 수단의 스트라이프상 전극에 직교되는 다수 나란한 스트라이프 상으로 형성된다.As shown in FIG. 10, a transparent electrode 70 as second electrode means is formed on top of the stack, i.e., on the topmost layer applied to form the second alignment film or support 50. As shown in FIG. In the case of the TFT type liquid crystal display device, in the case of the STN type liquid crystal display device in which the transparent electrode 70 is formed on the entire surface, the TFT type liquid crystal display device is formed in a plurality of parallel stripe shapes orthogonal to the stripe electrode of the first electrode means.
제11도에 도시된 바와 같이 상기 적층에 제2우물(90)을 상기 제2합성수지층(40')에 까지 다다르도록 형성한다. 여기에서 제2우물(90)은 지주(50)로부터 떨어진 위치에 형성하며, 비화소 영역 또는 비화소 영역 및 화소 영역에 일정한 분포로 형성한다.As shown in FIG. 11, the second well 90 is formed in the stack so as to reach the second synthetic resin layer 40 ′. Here, the second well 90 is formed at a position away from the support 50, and is formed in a non-pixel region or a non-pixel region and a pixel region in a constant distribution.
제12도에 도시된 바와 같이 상기 제2우물(90)에 용제를 주입하여 제2합성수지층(40')을 제거하여 제1배향막(30)과 제2배향막(60)의 사이에 액정 주입을 위한 공동부(40)를 마련하다.As shown in FIG. 12, a solvent is injected into the second well 90 to remove the second synthetic resin layer 40 ′ to inject liquid crystal between the first alignment layer 30 and the second alignment layer 60. Prepare a cavity 40 for.
제13도에 도시된 바와 같이, 상기 제2우물(90)을 통해 액정을 공동부(40)에 주입하여 제1배향막(30)과 제2배향막(60)의 사이에 액정층(40)을 형성한다. 액정 주입이 완료된 후에는 상기 적층의 표면전체에 제5합성 수지를 도포하여 상기 제2우물(90)을 막는 동시에 제2전극수단(80)을 보호한다.As shown in FIG. 13, the liquid crystal layer 40 is interposed between the first alignment layer 30 and the second alignment layer 60 by injecting liquid crystal into the cavity 40 through the second well 90. Form. After the liquid crystal injection is completed, the fifth synthetic resin is applied to the entire surface of the stack to prevent the second well 90 and protect the second electrode means 80.
상기와 같은 공정에 있어서, 제11도에 나타난, 투명전극(80)을 형성하기 이전에 먼저 제2우물(90)을 형성하고, 여기에 액정을 충진한 후 합성수지로 제2우물(90)을 막고 그 위에 투명전극(80)을 형성할 수 도 있다.In the above process, before forming the transparent electrode 80 shown in FIG. 11, the second well 90 is first formed, and then the second well 90 is filled with synthetic resin after filling the liquid crystal. And a transparent electrode 80 may be formed thereon.
이상과 같은 과정에 이어 칼라형 액정표시소자인 경우 별도로 제작된 칼라 필터가 형성된 필름을 상기 적층 위에 입혀서 목적하는 액정 표시소자를 얻는다. 그러나, 이러한 칼라 필터는 상기 공정 중에 형성하여 이 필터가 상기 보호층의 하위층으로 존재하게 할 수 있다. 또한 상기 방법은 액정층을 단일층으로 형성하도록 되어 있으나 전술한 공정의 일부를 반복함으로써 액정층을 다층으로 할 수도 있다. 한편, 앞에서 언급된 합성수지들에 있어서, 제2합성 수지층을 제외한 다른 수지층들은 용제에 대해 불용성인 것이 부분적으로 필요하며, 경우에 따라서는 동일한 소재로 형성될 수도 있다.Subsequent to the above process, in the case of a color liquid crystal display device, a film formed with a separately produced color filter is coated on the laminate to obtain a desired liquid crystal display device. However, such a color filter can be formed during the process so that this filter is present as a lower layer of the protective layer. In addition, the above method is to form the liquid crystal layer as a single layer, but the liquid crystal layer may be made into a multilayer by repeating a part of the above-described process. On the other hand, in the above-mentioned synthetic resins, other resin layers except the second synthetic resin layer need to be partially insoluble in the solvent, and may be formed of the same material in some cases.
이상과 같은 본 발명의 제조방법에 있어서, 주목될 수 있는 부분은 다음과 같다.In the manufacturing method of the present invention as described above, the parts that can be noted are as follows.
첫째는 두매의 기판을 사용하고 또한 이들 각 기판에 대해 별도의 과정이 수행되었던 종래 방법과는 달리 하나의 기판을 사용하고 이 기판에 대한 일련된 작업을 통해 목적하는 액정 표시소자를 얻는다는 점이다.First, unlike the conventional method using two substrates and a separate process for each of these substrates, one substrate is used and a series of operations on the substrates provide a desired liquid crystal display device. .
둘째는 별도로 제작된 기판의 사이에 미세입자를 분사시킨 후 양기판을 접합하도록 하는 종래 방법과는 달리 하나의 기판에 대한 연속된 적층과정을 통해 셀갭을 유지하는 지주를 형성한다는 점이다.Second, unlike the conventional method of injecting microparticles after spraying microparticles between the separately manufactured substrates, the pillars are formed to maintain the cell gap through a continuous stacking process on one substrate.
세째는 제2배향막에 대한 러빙은 직접적인 아닌 간접적인 방법에 의해서 이루어 진다는 점이다. 즉, 제2합성 수지층의 표면을 러빙하여 이 위에 형성되는 제2배향막의 저면, 즉 액정에 접촉될 표면이 제2합성 수지층에 접촉됨으로써 음각의 형태로 제2합성수지층의 러빙형상이 모방된다는 점이다.Third, rubbing on the second alignment layer is performed by an indirect method, not directly. That is, the rubbing shape of the second synthetic resin layer is imitated by rubbing the surface of the second synthetic resin layer and then contacting the bottom surface of the second alignment layer formed thereon, that is, the surface to be in contact with the liquid crystal, with the second synthetic resin layer. Is that.
이상과 같은 특이점에 의하면, 본 발명에 의해 제작된 액정 표시소자는 일련된 과정을 통해 셀갭 유지를 위한 스페이서로서의 지주를 형성하기 때문에 제작이 매우 용이하고, 이들 지주에 의해 매우 고른 분포로 셀갭을 유지할 수 있게 된다. 또한 본 발명에 의해 완성된 제품은 하나의 기판을 사용하기 때문에 종래 방법에 의해 제작된 액정표시소자에 비해 무게가 가볍고, 전체적으로 고른 광제어 특성을 가지고 또한 셀갭이 설계에 따라 조정, 예를 들어 매우 좁은 셀갭을 유지시키기가 용이하기 때문에 시야각이 매우 넓은 장점을 가진다.According to the singularity as described above, the liquid crystal display device fabricated by the present invention is very easy to manufacture because it forms a post as a spacer for maintaining the cell gap through a series of processes, and maintains the cell gap with a very even distribution by these posts. It becomes possible. In addition, since the finished product according to the present invention uses a single substrate, it is lighter in weight than the liquid crystal display device manufactured by the conventional method, has an overall light control characteristic, and the cell gap is adjusted according to the design, for example, The viewing angle is very wide because it is easy to maintain a narrow cell gap.
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|---|---|---|---|
| KR1019950010113A KR0144896B1 (en) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR960038460A KR960038460A (en) | 1996-11-21 |
| KR0144896B1 true KR0144896B1 (en) | 1998-07-15 |
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ID=19413104
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950010113A KR0144896B1 (en) | 1995-04-27 | 1995-04-27 | Manufacturing method of liquid crystal display device |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7483114B2 (en) | 2003-10-20 | 2009-01-27 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device, substrate bonding apparatus, and method for fabricating liquid crystal display device using the same |
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1995
- 1995-04-27 KR KR1019950010113A patent/KR0144896B1/en not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Publication date |
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| KR960038460A (en) | 1996-11-21 |
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