KR0143037B1 - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법Info
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 금속배선(Metal Pattern)이 형성될 부분의 절연층을 소정깊이 및 넓이로 식각하여 트렌치(trench)를 형성한 후 그 상부에 금속배선을 형성시키므로써 이루 열처리 공정시 사이드 힐록(side hillock)현상의 발생으로 인한 금속배선간의 단락(short)을 방지할 수 있도록 한 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것이다.
Description
제 1a 및 제 1b도는 종래 반도체 소자의 금속배선 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
제2a 내지 제 2c 도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1:실리콘 기판 2:소자 형성층
3:절연층 4 및 4A:금속배선
5:감광막 6:트랜치
7:요홈
본 발명의 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 특히 금속배선(Metal Pattern)이 형성될 부분의 절연층을 소정깊이 및 넓이로 식각하여 트렌치(trench)를 형성한 후 그 상부에 금속배선을 형성시키므로써 이루 열처리 공정시 사이드 힐록(side hillock)현상의 발생으로 인한 금속배선간의 단락(short)을 방지할 수 있도록 한 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정에서 금속배선의 폭은 목적에 따라 달리 선택하여 형성하는데, 주변회로상에서는 넓은 금속배선을 많이 사용한다. 이러한 넓은 폭의 금속배선에는 형성이후의 열처리 공정중 고온에 의해 금속배선 바깥쪽으로 성장하는 사이드 힐록 현상이 발생되고, 이 사이드 힐록이 지나치게 클 경우 인접하는 금속배선과 전기저으로 단락(short)되어 소자의 동작에 치명적인 영향을 미치게 된다. 그러면 종래 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제 1a 및 제 1b 도를 통해 설명하면 다음과 같다.
종래 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제 1a 도에 도시된 바와 같이 소정의 공정에 의해 소자 형성층(2)이 형성된 실리콘 기판(1)상에 절연층(3)을 형성시키고 소정의 금속을 증착(Deposition)하여 금속층을 형성시킨 상태에서 금속배선 형성용 마스크를 사용하여 사진 및 식각공정에 의해 금속배선(4)이 형성되는데, 이후 열처리 공정을 진행하게 되면 제 1b 도에 도시된 바와 같이 금속이 바깥쪽으로 성장되는 사이드 힐록 현상이 발생되어 인접하는 금속배선과 사이드 힐록 부위(A)가 서로 접촉된다.
따라서 본 발명은 금속배선(Metal Pattern)이 형성될 부분의 절연층을 소정깊이 및 넓이로 식각하여 트렌치(trench)를 형성한 후 그 상부에 금속배선을 형성시키므로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 실리콘 기판에 반도체 소자를 구성하는 여러 요소를 형성한 후 전체구조상에 절연층을 형성하는 단계와, 금속배선이 형성될 상기 절연층의 선택된 부분을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치를 포함한 상기 절연층상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 상기 트렌치를 따라 금속배선이 형성되는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명은 상세히 설명하기로 한다.
제 2a 내지 제 2c 도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도로서, 제 2a 도는 실리콘 기판(1)에 반도체 소자를 구성하는 여러 요소가 형성된 소자 형성층(2)을 형성한 후 전체 구조상에 절연층(3)을 형성하고, 절연층(3) 상에 감광막(5)을 형성시킨 후 소정의 마스크를 사용하여 사진 및 식각공정에 의해 상기 감광막(5)을 패턴화하고, 상기 패턴화된 감광막을 이용한 식각공정으로 금속배선이 형성될 부분의 절연층(3)을 소정 깊이 및 넓이로 식각하여 트렌치(6)를 형성시킨 상태의 단면도인데, 상기 트렌치(6)는 금속배선과 같은 방향으로 형성시키며 금속 배선폭보다 좁게 형성된다.
제 2b 도는 상기 패턴화된 감광막(5)을 제거한 후 소정의 금속(Metal)을 증착하여 금속층을 형성시키고 패터닝하여 금속배선(4A)이 형성된 상태의 단면도인데, 상기 절연층(3)의 트렌치(6) 상부 즉, 상기 금속배선(4A)의 중앙부위에는 요홈(7)이 형성된다. 이 상태에서 열처리 공정이 진행되면 상기 금속은 제 2c 도에 도시된 바와 같이 상기 금속배선의 요홈(7)부분 즉, 내측으로 성장이 유도되기 때문에 인접하는 다른 금속배선과 접촉되는 것이 방지된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하여 금속배선(Metal Patten)이 형성될 부분의 절연층을 소정 깊이 및 넓이로 식각하여 트렌치(Trench)를 형성한 후 그 상부에 금속배선을 형성시키므로써, 열처리 공정시 금속의 성장이 금속배선 내측으로 유도되어 금속배선 간의 단락이 방지되며, 이로 인해 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 탁월한 효과가 있다.
Claims (2)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 실리콘 기판에 반도체 소자를 구성하는 여러 요소를 형성한 후 전체구조상에 절연층을 형성하는 단계와, 금속배선이 형성될 상기 절연층의 선택된 부분을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계와, 상기 트렌치를 포함한 상기 절연층상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 상기 트렌치를 따라 금속배선이 형성되는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트렌치를 상기 금속배선의 폭보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013493A KR0143037B1 (ko) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013493A KR0143037B1 (ko) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002485A KR960002485A (ko) | 1996-01-26 |
| KR0143037B1 true KR0143037B1 (ko) | 1998-08-17 |
Family
ID=19385338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013493A KR0143037B1 (ko) | 1994-06-15 | 1994-06-15 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0143037B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990062214A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
| KR101303777B1 (ko) * | 2007-10-15 | 2013-09-04 | 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 | 파워 ｌｅｄ 용 방열기판 및 이를 이용하여 제조된 파워 ｌｅｄ 디바이스 |
| US10128279B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-11-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having a stepped part |
| US11075231B2 (en) | 2015-04-30 | 2021-07-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having a stepped part |
-
1994
- 1994-06-15 KR KR1019940013493A patent/KR0143037B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990062214A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 김영환 | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 |
| KR101303777B1 (ko) * | 2007-10-15 | 2013-09-04 | 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 | 파워 ｌｅｄ 용 방열기판 및 이를 이용하여 제조된 파워 ｌｅｄ 디바이스 |
| US10128279B2 (en) | 2015-04-30 | 2018-11-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having a stepped part |
| US11075231B2 (en) | 2015-04-30 | 2021-07-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having a stepped part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960002485A (ko) | 1996-01-26 |
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