KR0139332B1 - Active rc integrator wsing a frequency characteristic compensation circuit of high frequency type mos transistor resistance - Google Patents
Active rc integrator wsing a frequency characteristic compensation circuit of high frequency type mos transistor resistanceInfo
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Abstract
본 발명은 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로를 이용한 액티브 RC 적분기에 관한 것으로, 두 개의 입력 전압(Vin, -Vin)을 입력으로 받아, 모스 트랜지스터 저항의 기생 커패시터 성분에 의해 영향을 받는 액티브 RC 회로의 주파수 특성을 보상하여 보상된 전압을 출력하는 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)와, 상기 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)로부터 출력된 전압(A, B)을 입력으로 받고, 두 입출력 단자 양단(A와 C, B와 D)에 각각 연결되어 있는 커패시터(C1, C2)와 함께 적분 기능을 수행하여 출력하는 오피 앰프로 이루어져 있으며, 고주파용 모스 트랜지스터를 저항으로 사용하는 액티브 RC 회로에서, 모스 트랜지스터 저항에 존재하는 기생 커패시터에 의해 영향을 받을 수 있는 주파수 특성을 보상하기 위해서 고주파 보상용 커패시터를 구비한 모스 트랜지스터 저항을 사용함으로써, 주파수 특성을 보상하고 위상 변이를 제거하여 안정된 출력을 얻도록 한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로를 이용한 액티브 RC 적분기에 관한 것이다.The present invention relates to an active RC integrator using a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor, and receives two input voltages (Vin and -Vin) as inputs and is affected by a parasitic capacitor component of the MOS transistor resistor. The frequency characteristics compensation circuit 10 of the high frequency MOS transistor resistor outputting the compensated voltage by compensating the frequency characteristics of the RC circuit, and the voltages A, It consists of an op amp that receives B) as an input and performs an integral function with the capacitors C1 and C2 connected to the two input and output terminals (A and C, B and D), respectively. In an active RC circuit that uses a resistor as a resistor, it can be affected by parasitic capacitors present in the MOS transistor resistors. Active RC using the frequency characteristic compensation circuit of the high frequency MOS transistor resistor to compensate for the frequency characteristic and to obtain a stable output by eliminating phase shift by using a MOS transistor resistor with a high frequency compensation capacitor to compensate the wave characteristic. It's about the integrator.
Description
제1도는 종래의 고주파 기생 커패시터 성분을 갖는 모스 트랜지스터의 모델도이고,1 is a model diagram of a MOS transistor having a conventional high frequency parasitic capacitor component,
제2도는 제1도의 등가 회로도이고,2 is an equivalent circuit diagram of FIG.
제3도는 종래의 모스 트랜지스터 저항을 이용한 액티브 알씨(RC) 적분기의 상세 회로도이고,3 is a detailed circuit diagram of an active RC integrator using a conventional MOS transistor resistor.
제4도는 본 발명의 실시예에 따른 고주파 특성 보상 커패시터를 구비한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로의 예시도이고,4 is an exemplary diagram of a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor having a high frequency characteristic compensation capacitor according to an embodiment of the present invention.
제5도는 본 발명의 실시예에 따른 고주파 특성 보상 커패시터를 구비한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로의 다른 예시도이고,5 is another exemplary diagram of a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor having a high frequency characteristic compensation capacitor according to an embodiment of the present invention.
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로를 이용한 액티브 RC적분기의 상세 회로도이다.6 is a detailed circuit diagram of an active RC integrator using a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor according to an embodiment of the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
R : 모스 트랜지스터 드레인, 소오스 단자간의 전압 조절 저항R: Voltage regulating resistor between MOS transistor drain and source terminal
Cd : 모스 트랜지스터 드레인 단자측의 커패시터 성분Cd: capacitor component on the MOS transistor drain terminal side
Cs : 모스 트랜지스터 소오스 단자측의 커패시터 성분Cs: capacitor component on the MOS transistor source terminal side
Cp : 모스 트랜지스터의 기생 커패시터 성분Cp: parasitic capacitor component of MOS transistor
Cc : 모스 트랜지스터의 고주파 보상용 커패시터Cc: high frequency compensation capacitor of MOS transistor
본 발명은 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로를 이용한 액티브 RC 적분기에 관한 것으로서, 더 상세히 말하자면 고주파용 모스 트랜지스터를 저항으로 사용하는 액티브 RC 회로에서, 모스 트랜지스터 저항에 존재하는 기생 커패시터에 의해 영향을 받을 수 있는 주파수 특성을 보상함으로써, 위상 변이를 제거하고 안정된 출력을 얻기 위한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로를 이용한 액티브 RC 적분기에 관한 것이다.The present invention relates to an active RC integrator using a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor. More specifically, in an active RC circuit using a high-frequency MOS transistor as a resistor, it is influenced by a parasitic capacitor present in the MOS transistor resistor. The present invention relates to an active RC integrator using a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor for compensating for a frequency characteristic capable of receiving a high frequency.
종래의 모스 트랜지스터를 저항으로 사용하는 액티브 RC 회로에서 시상수는 모스 트랜지스터를 수단으로 하는 전압 조절 저항에 의해 결정된다.In an active RC circuit using a conventional MOS transistor as a resistor, the time constant is determined by a voltage regulating resistor using the MOS transistor as a means.
그러나, 고주파 영역에서 동작하는 액티브 RC 회로에서 모스 트랜지스터의 기생 커패시터는 액티브 RC 회로의 주파수 특성에 영향을 미치게 된다.However, in an active RC circuit operating in the high frequency region, the parasitic capacitor of the MOS transistor affects the frequency characteristics of the active RC circuit.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래의 고주파 기생 성분을 갖는 모스 트랜지스터와 동 트랜지스터를 이용한 액티브 RC 회로에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a MOS transistor having a high frequency parasitic component and an active RC circuit using the same transistor will be described with reference to the accompanying drawings.
제1도는 종래의 고주파 기생 성분을 갖는 모스 트랜지스터의 모델도이고, 제2도는 제2도의 등가 회로도이고, 제3도는 종래의 모스 트랜지스터 저항을 이용한 액티브 RC 적분기의 상세 회로도이다.1 is a model diagram of a conventional MOS transistor having a high frequency parasitic component, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of FIG. 2, and FIG. 3 is a detailed circuit diagram of an active RC integrator using a conventional MOS transistor resistor.
제1도는 게이트(G), 드레인(D), 소오스(S), 벌크(B)의 네 단자를 갖는 전형적인 엔모스(NMOS) 트랜지스터의 모델도이다.1 is a model diagram of a typical NMOS transistor having four terminals, a gate G, a drain D, a source S, and a bulk B. FIG.
제2도에 도시되어 있듯이, 상기 엔모스 트랜지스터의 동작 상태를 등가 회로도로 살펴보면, 게이트(G) 전압에 의해 생성되는 전류원(IN)과 드레인(D)단자, 소오스(S)단자 사이에 존재하는 전압 조절 저항(R), 그리고 드레인(D)단자측과 소오스(S)단자측에 존재하는 커패시터 성분(Cd, Cs)과 모스 트랜지스터의 기생 커패시터 성분(Cp)이 존재함을 알 수 있다.As shown in FIG. 2, when the operating state of the NMOS transistor is viewed in an equivalent circuit diagram, the NMOS transistor is present between the current source IN, the drain D, and the source S generated by the gate G voltage. It can be seen that the capacitor components Cd and Cs and the parasitic capacitor component Cp of the MOS transistor exist on the voltage regulating resistor R, the drain D terminal and the source S terminal.
종래의 이러한 모스 트랜지스터가 입력단 또는 오피 앰프(OP AMP)의 입력단과 연결되어 이상적인 동작을 할 경우, 상기 드레인(D)단자측에 존재하는 커패시터 성분(Cd)과 소오스(S)단자측에 존재하는 커패시터 성분(Cs)이 회로에 미치는 영향은 무시할 수 있으나, 모스 트랜지스터의 각주파수(ω)와 인덕턴스 성분(L) 그리고 접합 커패시터 성분(Cox)을 곱한 만큼 생성되는 기생 커패시터 성분(Cp)은 액티브 RC 회로의 주파수 특성에 영향을 미치게 되어, 입력 전압과 출력 전류 사이의 위상 변이를 발생시키게 된다.When such a MOS transistor is conventionally connected to an input terminal or an input terminal of an OP AMP and performs an ideal operation, the MOS transistor is present on the capacitor component Cd and the source S side of the drain D terminal. The effect of the capacitor component (Cs) on the circuit can be ignored, but the parasitic capacitor component (Cp) generated by multiplying the angular frequency (ω), the inductance component (L) and the junction capacitor component (Cox) of the MOS transistor is the active RC. This affects the frequency characteristics of the circuit, causing a phase shift between the input voltage and the output current.
다시 말해서, 엔모스 트랜지스터 저항의 크기는 저항의 매칭 및 위상 변이 사이에 상충 관계를 형성하고, 엔모스 트랜지스터의 기생 커패시터 성분(Cp)으로 인한 주파수 특성의 변화는 드레인 입력 전압과 소오스 출력 전류 사이에 위상 변이를 발생하게 되고 상기 위상 변이량은 대략 -1/6·ω·R·Cgate(Cgate:게이트-드레인간의 커패시터 성분)이 된다.In other words, the magnitude of the NMOS transistor resistance creates a tradeoff between the matching of the resistor and the phase shift, and the change in frequency characteristic due to the parasitic capacitor component (Cp) of the NMOS transistor between the drain input voltage and the source output current. A phase shift is generated and the amount of phase shift is approximately -1 / 6 · ω · R · Cgate (Cgate: capacitor component between gate and drain).
상기 고주파 기생 커패시터 성분을 갖는 모스 트랜지스터를 저항으로 이용한 종래의 액티브 RC 적분기의 상세 회로도가 제3도에 도시되어 있다.A detailed circuit diagram of a conventional active RC integrator using a MOS transistor having the high frequency parasitic capacitor component as a resistor is shown in FIG.
제3도에 도시되어 있듯이, 종래의 액티브 RC 적분기의 구성은, 두 입력 전압(Vin, -Vin)을 입력으로 받아, 게이트 단자 전압(Vg)에 의해 입력 전압(Vin, -Vin)을 오피 앰프의 두 입력 단자(A, B)로 출력함으로써, 저항의 역할을 대신하는 기생 커패시터 성분을 갖는 모스 트랜지스터(Q1, Q2)와; 상기 모스 트랜지스터(Q1, Q2)의 출력 전압(A, B)을 입력으로 받고, 두 입출력 단자(A와 C, B와 D) 양단에 각각 연결되어 있는 커패시터(C1, C2)와 함께 적분 기능을 수행하여 출력하는 오피 앰프로 이루어져 있다.As shown in FIG. 3, the conventional active RC integrator has two input voltages (Vin and -Vin) as inputs, and the input voltages (Vin and -Vin) are inputted by the gate terminal voltage (Vg). MOS transistors Q1 and Q2 having parasitic capacitor components that take the role of resistors by outputting to the two input terminals A and B; The output voltages A and B of the MOS transistors Q1 and Q2 are received as inputs, and an integration function is performed together with the capacitors C1 and C2 connected to both input and output terminals A, C, B, and D, respectively. It consists of an op amp that performs and outputs.
제3도에 도시된 종래의 액티브 RC 적분기에서, 모스 트랜지스터 저항의 기생 커패시턴스 성분(Cp)은 적분기의 출력단에서 위상 변이를 발생시켜 질적 계수(Quality factor)에 영향을 미친다.In the conventional active RC integrator shown in FIG. 3, the parasitic capacitance component Cp of the MOS transistor resistor generates a phase shift at the output of the integrator, thereby affecting the quality factor.
...............(1) ...............(One)
상기 제(1)식은 상기 적분기의 전달 함수이고, 이 때 적분기의 질적 계수(Q)는 X(ω)/R(ω)이다. 또, 여기서 상기 적분기의 차단 주파수(ωo)는 1/Rt1·C(Rt1:모스 트랜지스터 저항의 드레인, 오스 단자간의 저항)이고, 기생 커패시터 성분(Ctl)에 의한 차단 주파수(ωt1)는 1/Rt1·Ct1이다.Equation (1) is a transfer function of the integrator, wherein the integrator's qualitative coefficient Q is X (ω) / R (ω). Here, the cutoff frequency ω o of the integrator is 1 / Rt 1 · C (Rt 1: resistance between the drain of the MOS transistor resistor and the resistance of the os terminal), and the cutoff frequency ω t 1 caused by the parasitic capacitor component Ctl is 1 / R t 1. Ct1.
따라서, 적분기의 질적 계수(Q)는 아래의 제(2)식과 같다.Therefore, the qualitative coefficient Q of the integrator is as shown in Equation (2) below.
...........(2) ...........(2)
(단, ωT는 오피 앰프의 단위 이득(unity gain) 주파수)(Where ωT is the unity gain frequency of the operational amplifier)
상기 제(2)식에서 오피 앰프가 이상적인 동작을 한다고 가정하면, 질적 계수(｜Q(ωo)｜)는 아래의 제(3)식과 같다.Assuming that the op amp operates ideally in Equation (2), the qualitative coefficient | Q (ωo) | is expressed by Equation (3) below.
｜Q(ωo)｜ =.............(3)Q (ωo) ............. (3)
(단, Cp'은 모스 트랜지스터 저항의 단위 면적당 기생 커패시터 성분)Where Cp 'is the parasitic capacitor component per unit area of the MOS transistor resistor.
상기 제(3)식에 도식되어 있듯이, 모스 트랜지스터 저항에 존재하는 기생 커패시터 성분은 RC 회로의 주파수 특성에 영향을 줌으로써, 출력단에서 위상 변이를 발생시켜 질적 계수(Quality factor)에 영향을 미치게 되는 문제점이 있다,As shown in Equation (3), the parasitic capacitor component present in the MOS transistor resistor affects the frequency characteristics of the RC circuit, thereby causing a phase shift at the output stage, thereby affecting the quality factor. This is,
따라서 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 고주파용 모스 트랜지스터를 저항으로 사용하는 액티브 RC 회로에서, 모스 트랜지스터 저항에 존재하는 기생 커패시터에 의해 영향을 받을 수 있는 주파수 특성을 보상하기 위해서 고주파 보상용 커패시터를 구비한 모스 트랜지스터 저항을 사용함으로써, 주파수 특성을 보상하고 위상 변이를 제거하여 안정된 출력을 얻기 위한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상회로를 이용한 액티브 RC 적분기를 제공하는 데에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the conventional problems as described above, in an active RC circuit using a high-frequency MOS transistor as a resistor, the frequency characteristics that can be affected by the parasitic capacitor present in the MOS transistor resistance. By using a MOS transistor resistor with a high frequency compensation capacitor to compensate, it provides an active RC integrator using a frequency characteristics compensation circuit of a high frequency MOS transistor resistor for compensating for frequency characteristics and removing phase shift to obtain a stable output. There is.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, 두 개의 입력 전압을 입력으로 받아, 모스 트랜지스터 저항의 기생 커패시터 성분에 의해 영향을 받는 액티브 RC 회로의 주파수 특성을 보상하여 보상된 전압을 출력하는 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 수단과; 상기 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 수단으로부터 출력된 전압을 입력으로 받고, 두 입출력 단자 양단에 각각 연결되어 있는 커패시터와 함께 적분 기능을 수행하여 출력하는 오피 앰프로 이루어져 있다.The configuration of the present invention for achieving the above object is a high frequency that receives two input voltages as inputs and outputs a compensated voltage by compensating the frequency characteristics of the active RC circuit affected by the parasitic capacitor component of the MOS transistor resistor. Frequency characteristic compensation means for the MOS transistor resistor; It is composed of an op amp receiving the voltage output from the frequency characteristic compensation means of the high-frequency MOS transistor resistor as an input, performing an integral function with the capacitor connected to each of the two input and output terminals.
상기한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 수단의 구성은, 두 개의 입력 전압을 입력으로 받아, 게이트 단자 전압에 의해 입력 전압을 오피 앰프의 두 입력 단자로 출력함으로써, 저항의 역할을 대신하는 기생 커패시터 성분을 갖는 모스 트랜지스터와; 상기 모스 트랜지스터의 드레인과 소오스 단자 양단에 각각 병렬로 연결되어 고주파에서 RC 회로의 주파수 특성을 보상하는 주파수 특성 보상 커패시터로 이루어져 있다.The above-described configuration of the frequency characteristic compensation means of the high-frequency MOS transistor resistor is a parasitic that takes the role of a resistor by receiving two input voltages as inputs and outputting the input voltages to the two input terminals of the op amp by the gate terminal voltage. A MOS transistor having a capacitor component; It is composed of a frequency characteristic compensation capacitor connected in parallel to both the drain and the source terminal of the MOS transistor to compensate for the frequency characteristics of the RC circuit at a high frequency.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위해 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention in detail.
제6도는 본 발명의 실시예에 따른 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성보상 회로를 이용한 액티브 알씨 적분기의 상세 회로도이다.6 is a detailed circuit diagram of an active RF integrator using a frequency characteristic compensation circuit of a high-frequency MOS transistor resistor according to an embodiment of the present invention.
제6도에 도시되어 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로를 이용한 액티브 알씨 적분기의 구성은, 두 개의 입력 전압(Vin, -Vin)을 입력으로 받아, 모스 트랜지스터 저항(Q1, Q2)의 기생 커패시터 성분에 의해 영향을 받는 액티브 RC 회로의 주파수 특성을 보상하여 보상된 전압을 출력하는 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)와; 상기 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)로부터 출력된 전압(A, B)을 입력으로 받고, 두 입출력 단자(A와 C, B와 D) 양단에 각각 연결되어 있는 커패시터(C1, C2)와 함께 적분 기능을 수행하여 출력(Vout, -Vout)하는 오피 앰프(20)로 이루어져 있다.As shown in FIG. 6, the active RF integrator using the frequency characteristic compensation circuit of the high-frequency MOS transistor resistor according to the embodiment of the present invention receives two input voltages Vin and -Vin as inputs, A frequency characteristic compensation circuit 10 of the high-frequency MOS transistor resistor for compensating the frequency characteristic of the active RC circuit affected by the parasitic capacitor components of the transistor resistors Q1 and Q2 and outputting a compensated voltage; Capacitors C1, which receive the voltages A and B output from the frequency characteristic compensation circuit 10 of the high-frequency MOS transistor resistors as inputs, and are connected to both input and output terminals A and C, B and D, respectively. The op amp 20 performs an integral function together with C2) and outputs (Vout, -Vout).
상기한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)의 구성은, 두 개의 입력 전압(Vin, -Vin)을 입력으로 받아, 게이트 단자 전압(Vg)에 의해 입력 전압을 오피 앰프의 두 입력 단자(A, B)로 출력함으로써, 저항의 역할을 대신하는 기생 커패시터 성분을 갖는 모스 트랜지스터(Q1, Q2)와; 상기 모스 트랜지스터(Q1, Q2)의 드레인과 소오스 단자 양단에 각각 병렬로 연결되어 고주파에서 RC 회로의 주파수 특성을 보상하는 주파수 특성 보상 커패시터(Q3, Q4)로 이루어져 있다.The configuration of the frequency characteristic compensation circuit 10 of the high-frequency MOS transistor resistor is configured to receive two input voltages (Vin and -Vin) as inputs, and input the two input voltages of the op amp by the gate terminal voltage (Vg). MOS transistors Q1 and Q2 having parasitic capacitor components that serve as resistors by outputting to terminals A and B; A plurality of frequency characteristic compensation capacitors Q3 and Q4 are connected to both ends of the drain and source terminals of the MOS transistors Q1 and Q2 in parallel to compensate for the frequency characteristics of the RC circuit at a high frequency.
상기와 같이 이루어져 있는 본 발명의 실시예에 따른 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)를 이용한 액티브 RC적분기의 동작은 다음과 같다.The operation of the active RC integrator using the frequency characteristic compensation circuit 10 of the high-frequency MOS transistor resistor according to the embodiment of the present invention made as described above is as follows.
제4도 및 제5도는 고주파 보상용 커패시터를 구비한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로의 예시도이다.4 and 5 are exemplary diagrams of a frequency characteristic compensation circuit of a high frequency MOS transistor resistor having a high frequency compensation capacitor.
제4도에 도시되어 있듯이, 모스 트랜지스터에 존재하는 기생 커패시터를 보상할 수 있는 수단을 구비한 보상 커패시터(Cc)를 모스 트랜지스터의 드레인 단자(D)와 소오스 단자(S) 양단에 병렬로 연결하여 구성한 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)는, 고주파에서 RC회로의 주파수 특성을 부상함으로써, 위상 변이로 인해 RC회로 출력단에 미치는 영향을 제거할 수 있다.As shown in FIG. 4, a compensation capacitor Cc having means for compensating parasitic capacitors present in the MOS transistor is connected in parallel across the drain terminal D and the source terminal S of the MOS transistor. The frequency characteristic compensation circuit 10 of the configured high frequency MOS transistor resistor can eliminate the influence on the RC circuit output terminal due to the phase shift by floating the frequency characteristic of the RC circuit at high frequency.
제5도에 도시되어 있듯이, 상기한 보상 커패시터(Cc)는 소오스 단자와 드레인 단자가 단락된 모스 트랜지스터(Q3, Q4)를 통해서도 구현이 가능하다.As illustrated in FIG. 5, the compensation capacitor Cc may also be implemented through MOS transistors Q3 and Q4 in which source and drain terminals are shorted.
........(4) ........(4)
∴..........(5)∴ .......... (5)
즉, 상기 제(4), (5)식에 도식되어 있듯이, 고주파 보상용 커패시터(Q3, Q4)를 구비했을 경우, 질적 계수(Q')를 향상시켜 주파수 특성을 보상하게 된다.That is, as shown in the above formulas (4) and (5), when the high frequency compensation capacitors Q3 and Q4 are provided, the qualitative coefficient Q 'is improved to compensate for the frequency characteristic.
따라서, 제4도에 도시되어 있듯이, 본 발명의 실시예에 따른 고주파용 모스 트랜지스터 저항의 주파수 특성 보상 회로(10)를 이용한 액티브 알씨 적분기 역시 질적 계수가 향상됨으로써 주파수 특성을 보상할 수 있고, 위상 변이로 인한 적분기 출력단의 영향을 제거할 수 있다.Accordingly, as shown in FIG. 4, the active RC integrator using the frequency characteristic compensation circuit 10 of the high-frequency MOS transistor resistor according to the embodiment of the present invention can also compensate for the frequency characteristic by improving the qualitative coefficient and phase. The influence of the integrator output stage due to the transition can be eliminated.
따라서, 상기와 같이 동작하는 본 발명의 효과는, 고주파용 모스 트랜지스터를 저항으로 사용하는 액티브 RC 회로에서, 모스 트랜지스터 저항에 존재하는 기생 커패시터에 의해 영향을 받을 수 있는 주파수 특성을 보상하기 위해서 고주파 보상용 커패시터를 구비한 모스 트랜지스터 저항을 사용함으로써, 주파수 특성을 보상하고 위상 변이를 제거하여 안정된 출력을 얻도록 한 것이다.Therefore, the effect of the present invention operating as described above is to compensate for high frequency in order to compensate for frequency characteristics that may be affected by parasitic capacitors present in the MOS transistor resistance in an active RC circuit using a high frequency MOS transistor as a resistor. The use of a MOS transistor resistor with a capacitor for compensating the frequency characteristics and eliminating the phase shift to obtain a stable output.
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