KR0136720Y1 - High voltage protecting circuit of monitor - Google Patents

Abstract

본 고안은 모니터의 필요 이상의 고압 펄스 동작으로 인한 회로의 손상과 오동작을 방지하기 위한 모너티의 고전압 보호회로에 관한 것으로서, 고압 출력회로에 연결된 FET에 흐르는 과전류를 검출하여 전압으로 전환시키는 과전류 검출부와 과전류 검출부로 부터 전달되는 전압을 입력단자중 데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력받는 펄스폭 변조용 집적소와 상기 펄스폭 변조용 집적소자와 상기 펄스폭 변조용 집적소자의 출력단으로부터 전달되는 신호에 따라 동작되는 신호 스위칭회로로 구성된 과전압 보호 회로에 있어서, 과전류 검출부가 상기 FET의 드레인(DRAIN)과 소스(SOURCE)간에 흐르는 전류의 과전류여부를 검출하는 검출용 저항과, 상기 검출용 저항에 병렬로 연결되어 상기 검출용 저항에 인가되는 전압을 검출하므로써 과전류 신호를 상응하는 전압으로 바꾸는 신호 전달용 저항과 신호 전달용 저항에 연결되어 전달된 전압을 평활하고 정형하는 캐패시터 및 다이오드로 구성되고, 정형된 신호가 상기 펄스폭 변조용 집적소자의 데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력되는 것을 특징으로 하는 모니터의 고전압 보호회로에 관한 것이다.The present invention relates to a high voltage protection circuit of Monity for preventing damage and malfunction of the circuit caused by the high voltage pulse operation of the monitor more than necessary, and an over-current detection unit for detecting the over-current flowing through the FET connected to the high-voltage output circuit and converting it into a voltage; The voltage transmitted from the overcurrent detector is input to the dead time control terminal (terminal 4) among the input terminals, and is transmitted from the pulse width modulation integrated device and the output terminal of the pulse width modulation integrated device and the pulse width modulation integrated device. An overvoltage protection circuit composed of a signal switching circuit operated according to a signal, the overcurrent detecting unit comprising: a detection resistor for detecting an overcurrent of a current flowing between the drain DRAIN and the source of the FET; Connected in parallel to detect the voltage applied to the detection resistor to match the overcurrent signal Comprising a capacitor and a diode for smoothing and shaping the transmitted voltage connected to the signal transfer resistor and the signal transfer resistor to convert the voltage, the shaped signal is a dead time control terminal (No. 4 terminal) of the pulse width modulation integrated device It relates to a high voltage protection circuit of the monitor, characterized in that the input.

Description

모니터의 고전압 보호 회로High voltage protection circuit of the monitor

제1도는 본 고안의 실시에 따른 모니터의 고전압 보호 회로의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a high voltage protection circuit of a monitor according to an embodiment of the present invention.

본 고안은 모니터의 고전압 보호 회로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 필요 이상의 고압 펄스 동작으로 인한 회로의 손상과 오동작을 방지하기 위한 모니터의 고전압 보호 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a high voltage protection circuit of the monitor, and more particularly to a high voltage protection circuit of the monitor for preventing damage and malfunction of the circuit due to the high voltage pulse operation more than necessary.

일반적으로 음극선관(Cathode Ray Tube : 이하 CRT라 칭함)에 걸리는 애노드 전류는 로드 변화 즉, 화면의 밝기에 의해 변동하므로 고압이 변동한, 이 고압의 변동은 화면의 크기를 변화시키고 포커스에 영향을 주므로, 화면 상태를 나쁜쪽으로 유도하는 것이다.In general, the anode current across the cathode ray tube (hereinafter referred to as a CRT) is changed by the load change, that is, the brightness of the screen, so that the change in the high voltage, which changes the size of the screen, affects the focus. As a result, the screen state is misleading.

이러한 이유로 플라이백 트랜스포머(FlyBack Transformer : 이하 FBT라 칭함)를 이용하여 고압변동율을 줄이기 위하여 부단히 노력하여 그 결과 근래에 여러가지 방법이 개발되어 실용화되었다.For this reason, efforts have been made to reduce the high-pressure fluctuation rate using a flyback transformer (hereinafter referred to as FBT). As a result, various methods have been developed and put into practical use in recent years.

고압변동을 줄이는 방법은 FBT 자체에 의한 방법과 회로에 의한 보정 방법이 있다.There are two methods to reduce the high voltage variation by the FBT itself and the correction by the circuit.

그러나 FBT에 의한 보정의 방법으로는 고압변동을 제로화 하기에는 불가능하므로 회로상에서 보정하는 방법을 사용하여 제로화 시키고 있다.However, it is impossible to zero the high-voltage fluctuation by the FBT correction method.

회로 보정 방법에는 1차측회로에서 보정하는 방법과 고압측을 가지고 보정하는 방법이 있다. 이 두가지 모두 로드 변환시 귀선기간의 펄스폭을 조정하는 것으로써 일반 TV 및 디스플레이장치에서는 사용하지 않고 고해상도 디스플레이장치에서 사용한다.Circuit correction methods include the correction method in the primary circuit and the high voltage correction method. Both of these adjust the pulse width of the return period during load conversion, and are not used in general TVs and display devices, but in high resolution display devices.

종래 기술의 경우에는 수평 발진파를 입력 받아 스위칭 펄스를 출력하는 고압 출력회로가 필요 이상의 고압 펄스로 동작하거나 주변회로의 이상으로 인해 비정상적인 동작을 할 경우, 상기 이상 전압을 FBT의 2차측에 유도하고 유도된 전압과 기준 전압을 비교하여 그 파도여부에 따라 보호동작이 이루어지도록 설계되었다.In the prior art, when a high voltage output circuit that receives a horizontal oscillation wave and outputs a switching pulse operates with a high voltage pulse that is more than necessary or abnormally operates due to an abnormality of a peripheral circuit, the abnormal voltage is induced to the secondary side of the FBT. It is designed to compare the induced voltage with the reference voltage and to carry out the protective action according to the wave condition.

이러한 종래의 기술은 상기 고압 출력회로에서 발생되는 스위칭 펄스의 변동에 따른 고전압의 변동을 FBT의 2차측에 유도하여 과전압에 대한 보상동작을 함에 있어서, 그 구성회로가 복잡하고 FBT의 2차측에서 동작되므로 응답속도가 느리다는 문제점이 있었다.This conventional technique is a compensating operation for the overvoltage by inducing a high voltage change in accordance with the change of the switching pulse generated in the high voltage output circuit to the secondary side of the FBT, the configuration circuit is complicated and operates on the secondary side of the FBT Therefore, there was a problem that the response speed is slow.

본 고안은 FBT응 1차측에 스위칭 펄스를 제공하는 고압 출력회로에 연결된 스위칭 소자인 전계효과 트랜지스터(이하FET라 칭함) 드레인단과 소스단 사이의 과전류를 검출하여 펄스폭변조용 직접회로(이하 PWM-IC라 칭함)의 데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력하고 상기 고압 출력회로의 스위칭 펄스를 컨트롤하므로써 응답속도가 빠르고 구조가 간단한 모니터의 고전압 보호 회로를 제공함을 목적으로 한다.The present invention detects an overcurrent between the drain and source terminals of a field effect transistor (hereinafter referred to as a FET) which is a switching element connected to a high voltage output circuit that provides a switching pulse to the primary side of an FBT. It is an object of the present invention to provide a high voltage protection circuit of a monitor having a fast response speed and simple structure by inputting to a dead time control terminal (terminal 4) of an IC) and controlling a switching pulse of the high voltage output circuit.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 고압 출력회로에 연결된 FET에 흐르는 과전류를 검출하여 전압으로 전환시키는 과전류 검출부와, 상기 과전류 검출부로 부터 전달되는 전압을 입력단자중 데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력받는 펄스폭 변조용 집적소자와, 상기 펄스폭 변조용 집적소자의 출력단으로부터 전달되는 신호에 따라 동작되는 신호 스위칭회로 구성된 과전압 보호 회로에 있어서, 상기 과전류 검출부가 상기 FET의 드레인(DRAIN)과 소스(SOURCE) 간에 흐르는 전류의 과전류여부를 검출하는 검출용 저항과, 상기 검출용 저항에 병렬로 연결되어 상기 검출용 저항에 인가되는 전압을 검출하므로써 과전류 신호를 상응하는 전압으로 바꾸는 신호 전달용 저항과, 상기 신호 전달용 저항에 연결되어 전달된 전압을 평활하고 정형하는 캐패시터 및 다이오드로 구성되고, 정형된 신호가 상기 펄스폭 변조용 집적 소자의데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력되는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object, an overcurrent detection unit for detecting the overcurrent flowing in the FET connected to the high-voltage output circuit and converting it into a voltage, and the dead time control stage (No. 4) of the voltage transmitted from the overcurrent detection unit And an overvoltage protection circuit comprising a pulse width modulation integrated device input to a terminal) and a signal switching circuit operated according to a signal transmitted from an output terminal of the pulse width modulation integrated device, wherein the overcurrent detector is connected to a drain (DRAIN) of the FET. A detection resistor for detecting whether the current flowing between the source and the source is overcurrent and a signal connected to the detection resistor in parallel to detect a voltage applied to the detection resistor, thereby converting the overcurrent signal into a corresponding voltage. And a capacitor for smoothing and shaping the voltage transmitted by being connected to the signal transmission resistor. Consists of a diode, it characterized in that the shaped signal to be inputted to the dead time control stage of a pulse width modulation integrated element (fourth terminal).

이하 도면을 참조로 하여 본 고안을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 보안의 실시에 따른 모니터의 고전압 보호 회로의 회로도로서, 고압 출력회로에 연결된 FET(Q1)에 흐르는 과전류를 검출하여 전압으로 전환시키는 과전류 검출부(10)와, 상기 파전류 검출부로 부터 전달되는 전압을 데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력받는 PWM-IC(20)와, 상기 PWM-IN(20)의 출력단으로부터 전달되는 신호에 따라 동작되는 스위칭회로(30)로 구성된다.FIG. 1 is a circuit diagram of a high voltage protection circuit of a monitor according to the implementation of the present security, and includes an overcurrent detector 10 for detecting an overcurrent flowing in a FET Q1 connected to a high voltage output circuit and converting it into a voltage, and from the wave current detector. It consists of a PWM-IC (20) that receives the transmitted voltage to the dead time control terminal (terminal 4), and the switching circuit 30 is operated in accordance with the signal transmitted from the output terminal of the PWM-IN (20).

상기 과전류 검출부(10)은 고압 출력회로에 연결된 FET(Q1)와 상기 FET의 소스단에 연결되어 상기 FET의 드레인과 소스사이의 전류를 검출하는 검출용 저항(R1)과, 상기 검출용 저항(R1)에 병렬로 연결되어 상기 검출용 저항(R1)에 인가되는 전압을 검출하므로써 과전류 신호를 상응하는 전압으로 바꾸는 신호 전달용 저항(R2)과, 상기 신호 전달용 저항(R2)에 연결되어 전달된 전압을 평활하고 정형하는 캐패시터(C1) 및 다이오드(D1)로 구성된다.The overcurrent detector 10 includes a FET Q1 connected to a high voltage output circuit, a detection resistor R1 connected to a source terminal of the FET to detect a current between the drain and the source of the FET, and the detection resistor ( Connected in parallel to R1) to detect the voltage applied to the detection resistor R1, thereby converting an overcurrent signal into a corresponding voltage, and a signal transfer resistor R2 and connected to the signal transfer resistor R2. Capacitor C1 and diode D1 for smoothing and shaping the applied voltage.

상기 PWM-IC(20)는 1번 단자에서 FBT의 궤환부에 연결되어 있어서 상기 FBT의 과전압 변동 검출신호를 입력받고, 4번 단자(데드 타임 컨트롤단)에는 상기 과전류 검출부로부터 전달되는 신호가 입력되도록 구성된다.The PWM-IC 20 is connected to the feedback part of the FBT at terminal 1 to receive the overvoltage fluctuation detection signal of the FBT, and the signal transmitted from the overcurrent detector is input to terminal 4 (dead time control terminal). It is configured to be.

또한 상기 스위칭 회로는 상기 PWM-IN(20)의 출력단자로부터 전달되는 보정된 펄스신호를 검출하는 저항(R4)과 상기 보정 펄스를 베이스단에 인가 받고 이미터단에는 상기 보정 펄스를 정류하는 다이오드(D2)가 연결되어 구성된 pnp 구조의 트랜지스터(Q2)와 상기 트랜지스터(Q2)의 스위칭 결과를 FET(Q1)에 전달하는 저항(R3)로 구성된다.In addition, the switching circuit is a resistor (R4) for detecting the corrected pulse signal transmitted from the output terminal of the PWM-IN (20) and the diode to receive the correction pulse at the base end and rectifies the correction pulse at the emitter end ( D2) is composed of a transistor Q2 having a pnp structure connected thereto and a resistor R3 transferring a switching result of the transistor Q2 to the FET Q1.

이와 같이 구성된 본 고안의 고전압 보호 회로의 작용은 다음과 같다.The operation of the high voltage protection circuit of the present invention configured as described above is as follows.

먼저, 관전류 검출부(10)는 FET(Q1)의 드레인-소스간의 전류가 정상을 벗어나 비정상적으로 과도하게 흐르는 경우 이를 검출용 저항(R1)을 통해 검출하고, 상기 검출용 저항(R1)의 양단에 걸리는 전압을 신호 전달용 저항(R2)을 통해 평활용 캐패시터(C1) 및 정류용 다이오드(D1)측에 전달한다.First, when the current between the drain and the source of the FET Q1 flows abnormally excessively out of the normal state, the tube current detector 10 detects the abnormality through the detection resistor R1, and at both ends of the detection resistor R1. The applied voltage is transferred to the smoothing capacitor C1 and the rectifying diode D1 through the signal transfer resistor R2.

상기 평활용 캐패시터(C1) 및 정류용 다이오드(D1)를 거쳐 직류전압으로 변환된 신호는 상기 PWM-IC(20)의 데드타임 컨트롤단자인 4번단자에 인가된다.The signal converted into a DC voltage through the smoothing capacitor C1 and the rectifying diode D1 is applied to terminal 4 which is a dead time control terminal of the PWM-IC 20.

데드타임 컨트롤단자(4번 단자)에 직류전압을 인가받은 PWM-IC(20)는 펄스폭이 '0'인 신호를 출력한다. PWM-IC(20)의 출력단에서 출력되는 펄스폭이 '0'인 신호는 스위칭 회로(30)에 구비된 저항(R4)을 통해 검출되어 트랜지스터(Q2)의 베이스단에 인가된다.The PWM-IC 20, which receives the DC voltage to the dead time control terminal (terminal 4), outputs a signal having a pulse width of '0'. The signal having the pulse width '0' output from the output terminal of the PWM-IC 20 is detected through the resistor R4 included in the switching circuit 30 and applied to the base terminal of the transistor Q2.

따라서, pnp 구조의 트랜지스터(Q2)가 턴 온(turn on)되고, PWM-IC(20)에서 출력되는 펄스를 정류하는 다이오드(D2)의 캐소드가 상기 트랜지스터(Q2)를 통해 접지되어, PWM-IC(20)의 출력단과 FET(Q1)의 게이트 사이의 연결이 차단된다.Accordingly, the transistor Q2 of the pnp structure is turned on, and the cathode of the diode D2 rectifying the pulse output from the PWM-IC 20 is grounded through the transistor Q2, thereby providing PWM- The connection between the output of IC 20 and the gate of FET Q1 is cut off.

PWM-IC(20)에서 출력되는 펄스신호에 따라 스위칭 동작하는 FET(Q1)는, PWM-IC(20)로부터 펄스신호를 인가받지 못함에 따라 동작을 중단한다.The FET Q1 which switches according to the pulse signal output from the PWM-IC 20 stops the operation as the pulse signal is not received from the PWM-IC 20.

따라서, FBT의 1차측에 스위칭 펄스가 제공되지 못하여 FBT의 고압 생성 작업이 중단되고, 고압 출력회로나 FET를 포함하는 주변회로가 FBT에서 출력되는 비정상적인 고전압에 의해 파손되는 것이 방지된다.Therefore, the switching pulse is not provided to the primary side of the FBT, so that the high voltage generation operation of the FBT is stopped, and the high voltage output circuit or the peripheral circuit including the FET is prevented from being damaged by abnormal high voltage output from the FBT.

Claims (1)

고압을 발생시키는 고압 출력회로에 연결된 FET에 흐르는 과전류를 검출하여 전압으로 전환시키는 과전류 검출부와, 상기 과전류 검출부로 부터 전달되는 과전압신호를 데타임컨트롤단(4번 단자)에 입력받는 펄스폭 변조용 집적회로와. 상기 펄스폭 변조용 집적회로의 출력단으로부터 전달되는 펄스폭이 변조된 신호에 따라 동작되는 스위칭회로를 포함하여 구성된 고전압보호 회로에 있어서, 상기 과전류 검출부가 상기 FET의 드레이(DRAIN)과 소스(SPURCE) 간에 흐르는 전류의 과전류여부를 검출하는 검출용 저항과, 상기 검출용 저항에 병렬로 연결되어 상기 검출용 저항에 인가되는 전압을 검출하므로써 과전류 신호를 사응하는 전압으로 바꾸는 신호 전달용 저항과, 상기 신호 전달용 저항에 연결되어 전달된 전압을 평활하고 정형하는 캐패시터 및 다이오드를 구성되고, 정형된 신호가 상기 펄스폭 변조용 집적소자의 데드타임컨트롤단(4번 단자)에 입력되는 것을 특징으로 하는 모니터의 고전압 보호 회로.For the pulse width modulation to input the over-current detector for detecting the over-current flowing through the FET connected to the high-voltage output circuit for generating a high voltage and convert the voltage into a voltage, and the over-voltage signal transmitted from the over-current detector to the time control terminal (terminal 4) With integrated circuits. A high voltage protection circuit comprising a switching circuit operated according to a signal whose pulse width transmitted from an output terminal of the pulse width modulation integrated circuit is modulated, wherein the overcurrent detector includes a drain and a source of the FET. A detection resistor for detecting whether the current flowing between the overcurrent is over, a signal transfer resistor connected to the detection resistor in parallel to detect a voltage applied to the detection resistor, thereby converting the overcurrent signal into a corresponding voltage, and the signal A capacitor and a diode connected to the transfer resistor to smooth and shape the transferred voltage, and the shaped signal is input to a dead time control terminal (terminal 4) of the pulse width modulation integrated device. High voltage protection circuit.