KR0132019B1

KR0132019B1 - 망간건전지

Info

Publication number: KR0132019B1
Application number: KR1019940001373A
Authority: KR
Inventors: 하지메 무라카미; 료헤이 아시하라
Original assignee: 모리시티 요이찌; 미쯔시다덴기산교 가부시기가이샤
Priority date: 1993-01-29
Filing date: 1994-01-26
Publication date: 1998-04-24
Also published as: CA2114158C; DE69432496D1; EP0608887A3; EP0608887B1; EP0608887A2; KR940019021A; DE69432496T2; CN1092908A; JP3265673B2; MY116206A; CN1045352C; CA2114158A1; JPH06231756A

Abstract

본 발명은 수은, 카드뮴을 사용하고 있는 많은 전지에 있어서, 특정 금속을 첨가함으로써, 종래의 카드뮴을 사용한 원통형음극판과 동등한 가공성, 기계적 강도를 유지하고, 또 아연의 부식을 방지한다는 점에서도 수은, 카드뮴을 사용한 종래의 원통형음극판과 동등한 특성을 가진 원통형음극판을 사용한 망간건전지를 제공하는 것을 목적으로 한 것으로서, 카드뮴을 함유하지 않고 납, 인듐, 비스무트, 칼슘을 소정량 함유시킨 아연합금으로 이루어진 원통형음극판을 사용하는 구성에 의해, 수은을 첨가하지 않은 망간건전지가 가능하게 되는 것이다.

Description

망간건전지

제1도는 원통형음극판의 기계적 강도의 측정법을 표시한 도면.

제2도는 본 발명에 의한 원통형망간건전지의 일부를 노출한 단면도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

1 : 양극합제2 : 세퍼레이터

3,12 : 원통형음극판4 : 밑부분 절연지

5 : 탄소봉6 : 양극캡

7 : 음극단자판8 : 원통형외장판

11 : V블록13 : 원추형상의 압력단자

본 발명은 수은과 카드뮴을 함유하지 않는 망간건전지에 관한 것이다.

종래, 망간건전지의 원통형음극판의 가공성과 기계적 강도를 높이고, 또 음극의 부식(전지자체의 소모)를 방지하기 위하여, 일반적으로 원통형음극판을 구성하는 아연에 0.03∼0.1 중량%의 카드뮴과 0.1∼0.8 중량%의 납을 첨가하고 있다.

최근에 소모된 건전지에 남아있는 상기 첨가된 금속에 의한 환경오염이 문제되고 있다. 현재, 망간건전지에 수은을 거의 첨가하지 않고 생산하고 있으나, 카드뮴과 납을 첨가하지 않고 생산하는 것도 급선무이다.

그러나, 아연합금으로 이루어진 원통형음극판으로부터 카드뮴과 납을 제거하면, 원통형음극판의 가공성과 기계적 강도가 급격하게 저하되고, 또한 아연의 부식이 일어나기 쉬워진다는 것이 알려져 있다.

이 문제점을 해결하기 위한 수단으로서, 아연합금에 망간이나 마그네슘을 첨가하는 것이 일본국 특개소 50-11576호 공보, 일본국 특개소 56-143662호 공보에 개시되어 있다.

이들 금속을 아연에 첨가하여 합금화함으로써, 원통형음극판의 가공성과 기계적 강도는 종래의 카드뮴과 납을 첨가한 아연합금에 의해 만들어진 원통형음극판과 비교하면 동등 이상의 가공성과 기계적 강도를 얻을 수 있으나, 아연의 부식을 방지하는 관점에서 볼 때 종래의 카드뮴과 납을 첨가한 아연합금에 의해 만들어진 원통형음극판과 비교하면 뒤떨어져 있다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 수은과 카드뮴을 함유하지 않고서도, 종래의 카드뮴을 함유한 원통형음극판과 동등한 가공성과 기계적 강도를 유지하고, 또한 아연의 부식을 방지하는 점에서도 동등한 특성을 가진 원통형음극판을 사용한 망간건전지를 제공하는 것을 목적으로 한다.

이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 수은을 첨가하지 않은 망간건전지에 있어서, 하기 성분을 함유하는 아연합금으로 이루어진 원통형음극판을 사용한 망간건전지이다.

ⓛ 카드뮴을 함유하지 않고, 납 함유량이 0.01∼0.8 중량%이고, 또한 인듐 0.001∼0.05 중량%를 함유한다.

② 카드뮴을 함유하지 않고, 납 함유량이 0.01∼0.8 중량%이고, 또한 인듐 0.001∼0.05 중량%, 비스무트 0.001∼0.005% 중량%, 칼슘 0.0005∼0.01 중량%중 적어도 2종 이상의 금속을 함유한다.

③ 카드뮴, 납을 함유하지 않고 또한 인듐 0.001∼0.05 중량%를 함유한다.

④ 카드뮴, 납을 함유하지 않고 또한 인듐 0.001∼0.05 중량%, 비스무트 0.001∼0.005% 중량%, 칼슘 0.0005∼0.01 중량% 중 적어도 2종 이상의 금속을 함유한다.

상기 설명한 성분을 함유한 원통형음극판을 사용함으로써, 원통형음극판용 아연합금에 카드뮴이 없는 경우에도, 종래의 원통형음극판의 재료인 카드뮴과 납을 함유한 아연합금을 사용해서 만들어진 원통형음극판과 동등한 가공성과 기계적 강도를 얻을 수 있다. 또 아연의 부식 방지에 대해서도 동등하거나 또는 그 이상의 효과를 얻을 수 있다. 또, 카드뮴 뿐만 아니라, 납을 함유하지 않는 경우에도 본 발명에 의하면, 종래의 원통형음극판의 재료인 카드뮴과 납을 함유한 아연합금을 사용해서 만든 원통형음극판과 동등한 효과를 얻을 수 있다. 그리고, 망간건전지에 상기 금속원소를 첨가한 경우에는, 아연의 부식을 방지하는 효과 뿐만 아니라 원통형음극판의 강도를 높히는 효과도 아울러서 얻을 수 있다.

이하 본 발명의 일 실시예에 대해서 설명한다. 저주파유도로(低周波誘道爐)를 사용하여, 순도 99.99%의 아연을 약 500℃에서 용융하고, 용융된 아연에 표 1, 2에서 표시하는 각 원소의 소정량을 첨가하여 아연합금을 용융한 상태로 하였다.

[표 1]

[표 2]

또한 표 2중에서 비교예 1은, 종래부터 일반적으로 사용되고 있는 납 0.20중량%, 카드뮴 0.05중량%을 함유한 원통형음극판용 아연합금이다.

다음에, 이 용융된 아연합금을 냉각하면서 소정 두께의 판 형상으로 압연하고, 이 금속판을 소정의 크기의 둥근형이나 6각형의 작은 조각으로 프레스에 의해서 펀칭했다. 그리고 이 작은 조각을 임팩트성형법을 사용하여 망간건전지용 원통형음극판을 만들었다.

이와같이 만든 원통형음극판의 기계적 강도를 비교하기 위하여, 이하에 표시한 바와 같은 측정법을 사용하여, 각 성분의 원통형음극판의 기계적 강도를 측정했다.

제1도에 표시한 바와 같이 각 성분의 원통형음극판(12)을 V블록(11)위에 설치하고, 원통형음극판의 개구로부터 10mm의 위치에 원추형상의 압력단자(13)을 접촉하여 누른다. 이 압력단자가 접촉하고 있는 점의 압력단자의 이동방향의 변이량과, 이 점에 작용하는 힘을 기록계에 의해서 기록한다. R20 사이즈의 원통형음극판에서는 변이량이 약 4mm로서 대략 일정치를 나타내므로, 4mm변이시의 측정점에 작용하는 힘을 편의상 각 원통형음극판의 기계적 강도로 한다. 다음에, 각 성분의 원통형음극판의 부식방지의 효과를 평가하기 위하여, 각 성분의 원통형음극판을 사용해서 전해질 속에서 수소가스가 발생하는 실험을 행하였다. 또한, 가스 발생실험은, 염황연 30 중량%, 산화암모늄 1.9 중량%인 전해질을 5㎖ 사용하고, 일정한 중량으로 절단한 원통형음극판을 45℃의 일정한 전해질 속에 넣어서 측정했다. 기계적 강도와 가스 발생량의 측정 결과를 표 1,2에 표시하였다. 이 표로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1∼13에 의해 납을 함유한 아연합금은 비교예 1,2에 의한 합금과 비교하면, 강도 유지의 효과와 수소가스 발생의 억제 효과가 큰 것을 알 수 있다. 또 실시예 14∼24에 의해 납을 함유하지 않은 아연합금은 실시예 1∼13에 의해 납을 함유한 아연합금과 비교하면, 수소가스 발생의 억제효과가 약간 뒤떨어지나, 비교예 1,2에 의한 합금과 비교하면 상기 효과가 크다고 할 수 있다.

또한, 각 성분 원소의 함유량은 인듐이 0.001∼0.05 중량%, 비스무트이 0.001∼0.005% 중량%, 칼슘 0.0005∼0.01 중량%의 범위를 벗어난 경우에는, 종래의 카드뮴, 납을 첨가한 아연합금을 사용한 원통형음극판보다 원통형음극판의 가공성은 나빠지고, 기계적 강도도 첨가량이 적은 경우에는 연약하고, 또 첨가량이 많은 경우에는, 압연시에 취약해져서 균열이 발생한다. 또한 전지의 보전시에 실용적인 방전성능을 유지할 수 없다는 문제가 발생한다.

이들의 결과로부터 각 성분 원소의 함유량은 상기 범위에 있어야 하고, 이에 의하여, 종래의 카드뮴을 함유한 원통형음극판과 동등한 가공성과 기계적 강도를 유지하고, 또 아연의 부식방지라는 점에서도 동등한 특성을 가지는 것이다. 그리고 실시예 9∼11에 대해서 비교예 4를 대비하고 또한 실시예 20∼22에 대해서 비교예 6을 대비하면, 명확하게 비스무트 원소 단일체에서는 기계적 강도가 약한 것이 문제이므로 강도를 보장하기 위해 인듐, 칼슘의 원소를 첨가하여야 한다.

제2도는 본 발명에 의한 망간건전지의 일부를 노출한 단면도로서, (1)은 양극합제 (2)는 세퍼레이터, (3)은 본 발명의 조성으로 이루어진 원통형음극판, (4)는 밑부분 절연지, (5)는 탄소봉, (6)은 건전지의 상부를 일체적으로 밀봉하는 양극캡 (7)은 음극단자판, (8)은 원통형외장판이며, 이들은 통상의 제조법에 의해 구성되는 것이다.

이상과 같이 본 발명의 원통형음극판을 망간건전지의 구성부품으로 사용함으로써, 종래의 원통형음극판의 재료인 카드뮴, 납을 함유한 아연합금을 사용해서 만들어진 원통형음극판과 동등한 기계적 강도(전지 제조시에 필요한 강도)를 얻을 수 있고, 또 전지의 보전시에 부식방지 효과도, 종래의 원통형음극판과 비교하여 볼 때, 동등하거나 또는 그 이상의 레벨에서 유지하면서 환경오염이 적은 유용한 망간건전지를 제공할 수 있는 것이다.

Claims

수은을 첨가하지 않은 망간건전지에 있어서, 카드뮴을 함유하지 않고, 납 함유량이 0.01∼0.8 중량%이고, 또한 인듐 0.001∼0.05 중량%를 함유하는 아연합금으로 이루어진 원통형음극판을 사용하는 것을 특징으로 하는 망간건전지.
수은을 첨가하지 않은 망간건전지에 있어서, 카드뮴, 납을 함유하지 않고, 인듐 0.001∼0.05 중량%을 함유하는 아연합금으로 이루어진 원통형음극판을 사용하는 것을 특징으로 하는 망간건전지.
수은을 첨가하지 않은 망간건전지에 있어서, 카드뮴을 함유하지 않고, 납 함유량이 0.01∼0.8 중량%이고, 또한 인듐 0.001∼0.05 중량%, 비스무트 0.001∼0.005% 중량%, 칼슘 0.0005∼0.01 중량% 중 적어도 2종 이상의 금속을 함유하는 아연합금으로 이루어진 원통형음극판을 사용하는 것을 특징으로 하는 망간건전지.
수은을 첨가하지 않은 망간건전지에 있어서, 카드뮴, 납을 함유하지 않고, 인듐 0.001∼0.05 중량%, 비스무트 0.001∼0.005% 중량%, 칼슘 0.0005∼0.01 중량% 중 적어도 2종 이상의 금속을 함유하는 아연합금으로 이루어진 원통형음극판을 사용하는 것을 특징으로 하는 망간건전지.