KR0123935Y1 - 모니터의 스포트 킬러회로 - Google Patents

모니터의 스포트 킬러회로

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KR0123935Y1
KR0123935Y1 KR2019950014948U KR19950014948U KR0123935Y1 KR 0123935 Y1 KR0123935 Y1 KR 0123935Y1 KR 2019950014948 U KR2019950014948 U KR 2019950014948U KR 19950014948 U KR19950014948 U KR 19950014948U KR 0123935 Y1 KR0123935 Y1 KR 0123935Y1
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배순훈
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Abstract

본 고안은 모니터에 관한 것으로서, 특히 모니터가 파워세이빙모드로 절환될 때 발생되는 스포트(Spot)현상이 제거되어 음극선관을 보호할 수 있는 모니터의 스포트킬러회로에 관한 것이다. 이와같은 본 고안의 스포트킬러부(20)는 입력전압(B)을 충전한 후 바이어스전압을 출력시키는 콘덴서(C21) 및 다이오드(D21)와, 상기 고전압처리부(10)의 출력전압을 바이어스시키는 다이오드(D22)와, 다이오드(D22)의 출력전압을 분배하는 저항(R21)(R22)과, 스포트킬러 동작시 상기 저항(R21)(R22)의 분배전압에 의해 스위칭하여 콘덴서(C21)의 방전전압을 출력하는 트랜지스터(Q21)와, 상기 트랜지스터(Q21)의 출력전압을 통과하여 그레이드단자(G1)의 전위를 낮추는 다이오드(D23)로 구성된다.

Description

모니터의 스포트 킬러회로
제1도는 일반적인 모니터의 스포트킬러회로의 구성을 보인 도면.
제2도는 본 고안에 따른 모니터의 스포트킬러회로의 구성을 보인 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 고전압 처리부 20 : 스포트킬러부
R11,R12,R21,R22 : 저항 Q21 : 트랜지스터
C11,C21 : 콘덴서 D21-D23 : 다이오드
본 고안은 모니터에 관한 것으로서, 특히 모니터가 파워세이빙모드로 절환될 때 발생되는 스포트(Spot) 현상이 제거되어 음극선관을 보호할 수 있는 모니터의 스포트킬러회로에 관한 것이다.
일반적으로 전원 차단시 짧은 순간동안 고전압이 음극선관에 인가되어 비디오신호가 화면의 중심으로 주사되게 된다.
상기와 같은 과정이 반복하여 발생되면, 상기 비디오 신호가 주사되는 음극선관의 코팅된 형광 물질이 파괴되어 음극선관이 타는 스포트(Spot) 현상이 발생된다.
상기와 같이, 일반적인 모니터의 스포트 현상을 제거하기 위한 스포트 킬러(Spot Killer) 회로는 제1도에 도시된 바와 같이, 고압트랜스포머(FBT)에서 출력되는 고압을 바이어스시킨 후 네거티브성분을 통과하여 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가하는 고전압 처리부(1)와, 스포트 킬러동작시 입력전압(B)을 그레이드단자(G1)에 인가하도록 처리하는 스포트킬러부(2)로 구성된다.
여기서, 고전압 처리부(1)는 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압을 바이어스시킨 후 네거티브성분을 통과시키는 다이오드(D11)와, 상기 다이오드(D11)의 출력전압을 충전한 후 방전하여 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가시키는 콘덴서(C11)와, 콘덴서(C11)의 출력전압을 분배시킨 후 그 분배전압을 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가시키는 저항(R11) 및 저항(VR11)(R12)로 구성된다.
그리고, 상기 스포트킬러부(2)는 정상동작시 입력전압(B)을 충전하고 스포트킬러 동작시 방전하는 콘덴서(C21)와, 콘덴서(C21)가 충전하는 동안 바이어스전압을 출력하는 다이오드(D21)와, 다이오드(D21)의 바이어스전압 및 콘덴서(C21)의 방전전압을 바이어스시켜 그레이드단자(G1)에 인가하는 저항(R21)으로 구성된다.
이와같이 구성된 일반적인 모니터의 스포트킬러회로에 있어서, 정상 동작시 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압은 고전압 처리부(1)의 다이오드(D11)에 인가되어 고압 트랜스포머(FBT)의 여자전압중 네거티브성분이 통과된다.
그리고, 다이오드(D11)의 출력신호는 콘덴서(C11)에 충전되며, 콘덴서(C11)의 충전전압은 저항(R11) 및 저항(VR11)(R12)에 의해 분배된 후 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가된다. 그때 그레이드단자(G1)에 인가되는 전압은 약 -80V정도이다.
한편, 입력전압(B)은 스포트킬러부(2)의 콘덴서(C21)에 의해 충전되며, 그때 다이오드(D21)의 바이어스전압은 저항(R21)을 통해 그레이드단자(G1)에 인가된다. 그때 다이오드(D21)의 전압강하인 약 0.7V가 그레이드단자에 인가되므로, 그레이드단자(G1)에 인가되는 전압은 약 -80V정도로 그대로 유지된다.
그러나, 스포트킬러 동작시 입력전압(B)이 제거되어 스포트킬러부(2)의 콘덴서(C21)가 방전하게 되고, 그 콘덴서(C21)의 충전전압이 저항(R21)을 통해 그레이드단자(G1)에 인가되므로, 그레이드단자(G1)에 인가되는 전압은 약 -200V정도가 된다. 즉, 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가되는 전압을 약 -200V로 낮춤으로써, 화면에 나타나는 스포트 현상이 제거된다.
상기와 같은 일반적인 모니터의 스포트킬러회로는 모니터가 파워세이빙 모드로 절환될 때 입력전압(B)이 저항(R21)을 통해 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가되는데, 저항(R21)의 전압강하로 인해 음극선관에 인가되는 전압이 정확하게 낮추어지지 않게되어 스포트 킬러 동작을 정확하게 수행할 수 없는 문제점이 있었다.
따라서, 본 고안은 이와같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 입력전압이 정확하게 그레이드단자에 인가되어 음극선관의 그레이드단자의 전압을 정확하게 조절함으로써, 모니터의 스포트 킬러 동작을 정확하게 수행할 수 있는 모니터를 제공하고자 함에 있다.
이와같은 본 고안의 목적은 고압트랜스포머의 여자전압을 처리하여 음극선관의 그레이드단자에 인가시키는 고전압 처리부와, 스포트킬러 동작시 충전전압에 의해 그레이드단자의 전위를 낮추어 스포트현상을 제거하는 스포트킬러부로 구성된 모니터에 있어서, 상기 스포트킬러부가 입력전압을 충전한 후 바이어스전압을 출력시키는 콘덴서 및 다이오드와, 상기 고전압 처리부의 출력전압을 바이어스시키는 다이오드와, 상기 다이오드의 출력전압을 분배하는 저항과, 스포트킬러 동작시 상기 저항의 분배전압에 의해 스위칭하여 콘덴서의 방전전압과 다이오드의 출력전압을 출력하는 트랜지스터와, 트랜지스터의 출력전압을 통과하여 그레이드단자의 전위를 낮추는 다이오드로 구성됨을 특징으로 하는 모니터의 스포트킬러회로를 제공함으로써 달성될 수 있다.
이하 본 고안에 따른 모니터의 스포트킬러회로의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
제2도는 본 고안에 따른 모니터의 의 구성을 보인 도면으로서, 이에 도시된 바와 같이, 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압을 처리하여 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가하는 고전압 처리부(10)와, 스포트킬러 동작시 충전전압에 의해 그레이드단자(G1)의 전위를 낮추어 스포트현상을 제거하는 스포트킬러부(20)로 구성된다.
여기서, 상기 고전압 처리부(10)는 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압의 네거티브성분을 통과하는 다이오드 (D11)와, 다이오드(D11)의 출력전압을 충전하는 콘덴서(C11)와, 콘덴서(C11)의 출력전압을 분배하여 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가하는 저항(R11) 및 저항(VR11)(R12)로 구성된다.
그리고, 상기 스포트킬러부(20)는 입력전압(B)을 충전하는 동안 바이어스전압을 출력하는 콘덴서(C21) 및 다이오드(D21)와, 상기 고전압 처리부(10)의 출력전압을 바이어스시키는 다이오드(D22)와, 다이오드(D22)의 출력전압을 분배시키는 저항(R21)(R22)과, 스포트킬러 동작시 저항(R21)(R22)의 분배전압에 의해 스위칭하여 콘덴서(C21)의 방전전압 및 다이오드(D22)의 출력전압을 출력하는 트랜지스터(Q21)와, 트랜지스터(Q21)의 출력전압을 통과시켜 그레이드단자(G1)의 전위를 낮추는 다이오드(D23)로 구성된다.
이와같이 구성된 본 고안에 따른 모니터의 스포트킬러회로에 있어서, 우선 정상동작시 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압은 고전압 처리부(10)의 다이오드(D11)에 의해 여자전압의 네거티브성분이 통과되고, 다이오드(D11)의 출력전압은 콘덴서(C11)에 충전된다.
그리고, 콘덴서(C11)의 방전전압은 저항(R11) 및 가변저항(VR11)(R12)에 의해 분배되고, 저항(R11) 및 가변저항(VR11)(R12)의 분배전압은 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가된다.
그때, 입력전압(B)은 스포트 킬러부(2)의 콘덴서(C21)에 충전되고, 고전압 처리부(10)의 출력전압은 저항(R21)(R22)에 의해 분배되어 스포트 킬러부(20)의 트랜지스터(Q21)의 베이스측에 인가되고, 그때 트랜지스터(Q21)의 베이스측전위가 에미터측의 전위보다 낮기때문에 트랜지스터(Q21)는 턴오프상태로 스위칭된다.
즉, 고전압 처리부(10)의 저항(R11) 및 저항(VR11)(R12)의 분배전압은 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가된다.
한편, 모니터가 파워세이빙 모드로 절환될 때 또는 전원스위치가 오프되면, 고전압 처리부(10)에 인가되는 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압은 다이오드(D11)를 통해 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압중 네거티브성분이 출력되며, 다이오드(D11)의 출력전압은 콘덴서(C11)에 충전된다.
상기 콘덴서(C11)의 충전전압은 저항(R11) 및 가변저항(VR21)(R22)에 의해 분배된다. 그때 고전압 처리부(10)의 출력전위는 약 -60V정도이다.
한편, 스포트킬러 동작시 입력전압(B)이 제거되면, 콘덴서(C21)의 충전전압은 역전압으로 방전된다.
그리고, 다이오드(D22)를 통해 바이어스된 고전압 처리부(10)의 출력전압은 저항(R21)(R22)에 의해 분배되고, 저항(R21)(R22)의 분배전압은 트랜지스터(Q21)의 베이스측에 인가되고, 콘덴서(C21)의 역전압과 다이오드(D22)의 출력전압은 트랜지스터(Q21)의 에미터측전위에 인가되며, 그때 트랜지스터(Q21)의 에미터측전위가 트랜지스터(Q21)의 베이스측 전위보다 낮아지므로, 트랜지스터(Q21)가 턴온상태로 스위칭된다.
즉, 상기 콘덴서(C21)의 방전전압과 다이오드(D22)의 출력전압은 트랜지스터(Q21) 및 다이오드(D23)를 통해 그레이드단자(G1)에 인가되므로, 그레이드단자(G1)의 전위가 -200V정도로 낮아지게 된다.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 따른 모니터의 스포트킬러회로에 있어서, 정상동작시 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압이 고전압처리부(10)의 콘덴서(C11)에 충전되고, 콘덴서(C11)의 방전전압이 저항(R11) 및 가변저항(VR11)(R12)에 의해 분배되어 음극선관에 인가된다. 그러나 스포트킬러 동작시 콘덴서(C21)의 충전전압과 다이오드(D22)의 출력전압은 그대로 스포트킬러부(20)의 트랜지스터(Q21) 및 다이오드(D22)을 통해 음극선관에 인가되므로, 정상동작시 보다 음극선관에 인가되는 전압이 낮아지게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 따른 모니터의 스포트킬러회로는 정상모드시 고전압 처리부의 출력전압이 그대로 음극선관의 그레이드단자에 인가되고, 스포트킬러 동작시 스포트킬러부의 트랜지스터가 턴온상태로 스위칭되어 콘덴서의 방전전압이 트랜지스터 및 다이오드를 통해 음극선관의 그레이드단자에 인가되므로, 정상모드시 또는 스포트킬러 동작시 그레이드단자의 전위가 정확하게 유지되어 스포트킬러회로의 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 고압트랜스포머(FBT)의 여자전압을 처리하여 음극선관의 그레이드단자(G1)에 인가시키는 고전압 처리부(10)와, 스포트킬러 동작시 충전전압에 의해 그레이드단자(G1)의 전위를 낮추어 스포트현상을 제거하는 스포트킬러부(20)로 구성된 모니터에 있어서, 상기 스포트킬러부(20)가 입력전압(B)을 충전한 후 바이어스전압을 출력시키는 콘덴서(C21) 및 다이오드(D21)와, 상기 고전압 처리부(10)의 출력전압을 바이어스시키는 다이오드(D22)와, 상기 다이오드(D22)의 출력전압을 분배하는 저항(R21)(R22)과, 스포트킬러 동작시 상기 저항(R21)(R22)의 분배전압에 의해 스위칭하여 콘덴서(C21)의 방전전압과 다이오드의 출력전압을 출력하는 트랜지스터(Q21)와, 상기 트랜지스터(Q21)의 출력전압을 통과하여 그레이드단자(G1)의 전위를 낮추는 다이오드(D23)로 구성됨을 특징으로 하는 모니터의 스포트킬러회로.
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