KR0122610Y1 - High implanter with extension tube - Google Patents

Abstract

본 고안은 웨이퍼에 이온을 주입하는 하이 임플랜터에 관한 것으로서, 하이 임플랜터의 구성부재인 슬라이딩 시일에 튜브와 고정판으로 이루어진 익스텐션 튜브를 장착함으로서 이온 비임은 익스텐션 튜브의 튜브 내부 공간을 통과하여 웨이퍼에 주입되어 챔버 내로 분산되지 않게 된다.The present invention relates to a high implanter for implanting ions into a wafer. By mounting an extension tube consisting of a tube and a fixed plate on a sliding seal, which is a component of the high implanter, the ion beam passes through the tube inner space of the extension tube. It is injected into the wafer so that it is not dispersed into the chamber.

Description

익스텐션 튜브를 구비한 하이 임플랜터High implanter with extension tube

제1도는 종전의 하이 임플랜터의 구성을 설명하기 위한 개략적인 구성도.1 is a schematic configuration diagram for explaining the configuration of a conventional high implanter.

제2도는 본 고안에 따른 하이 임플랜터의 개략적인 구성도.2 is a schematic configuration diagram of a high implanter according to the present invention.

제3도는 본 고안에 이용된 익스텐션 튜브의 사시도.3 is a perspective view of an extension tube used in the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1:이온 비임 2:플래그 패러데이1: ion beam 2: flag Faraday

3:슬라이딩 시일 4:디스크 어셈블리3: sliding seal 4: disc assembly

5:진공펌프 6:엔드스태이션 챔버5: Vacuum pump 6: End station chamber

7:익스텐션 튜브 11:웨이퍼7: Extension tube 11: Wafer

본 고안은 익스텐션 튜브를 구비한 하이 임플랜터에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼에 이온을 주입하는 장치인 하이 임플랜터(high implanter)에 익스텐션 튜브(extention tube)를 설치하여 이온비임의 손실을 줄이고 챔버내의 오염을 방지할 수 있는 익스텐션 튜브를 구비한 하이 임플랜터에 관한 것이다.The present invention relates to a high implanter having an extension tube. In particular, an extension tube is installed in a high implanter, which is a device for implanting ions into a wafer, to reduce the loss of the ion beam and the chamber. The present invention relates to a high implanter having an extension tube capable of preventing contamination inside.

웨이퍼에 이온을 주입시키는 장치인 하이 임플랜터에서는 엔드 스테이션 챔버(end station chamber)내의 디스크 어셈블리(disk assembly)에 웨이퍼를 장착한 후 이온을 고에너지로 가속하여 가속된 비임(beam)을 웨이퍼에 주입하게 된다.In the high implanter, a device that injects ions into the wafer, the wafer is mounted on a disk assembly in an end station chamber, and the ions are accelerated to high energy to accelerate the beam to the wafer. Will be injected.

하지만 현재 사용되고 있는 통상적인 하이 임플랜터에서는 제1도에 도시된 바와 같이 엔드 스테이션 챔버(6)내의 슬라이딩 시일(3)과 디스크 어셈블리(4) 사이의 거리가 너무 멀어서 이온비임의 분산될 수밖에 없으며, 이로서 균일하지 않은 상태의 이온빔이 웨이퍼에 주입되어 웨이퍼 표면저항의 균일도에 큰 영향을 미치게 된다. 또한 챔버내에서 분산된 이온 빔은 챔버내의 오염을 유발시키게 되어 장치의 유지보수에 많은 시간이 소요되어 장비의 가동율을 저하시키는 한 요인으로 지적되고 있다.However, in the conventional high implanter currently in use, as shown in FIG. 1, the distance between the sliding seal 3 and the disk assembly 4 in the end station chamber 6 is too long to disperse the ion beam. As a result, non-uniform ion beams are injected into the wafer, which greatly affects the uniformity of the wafer surface resistance. In addition, the ion beam dispersed in the chamber causes contamination in the chamber, and it is pointed out as a factor that decreases the operation rate of the equipment because it takes a lot of time to maintain the device.

본 고안은 상술한 문제점을 해결하여 이온비임의 손실을 줄이고 챔버내의 오염을 방지하기 위한 개선된 하이 임플랜터를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide an improved high implanter for solving the above problems to reduce the loss of ion beam and to prevent contamination in the chamber.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 고안은 주입되는 이온 비임의 전류를 측정하기 위한 플래그 패러데이가 설치된 메인 챔버와, 메인 챔버의 종단에 구성된 엔드 스테이션 챔버와, 메인 챔버와 엔드 스테이션 챔버간의 기밀을 유지하기 위한 슬라이딩 시일과, 엔드 스테이션 챔버 내에 회전가능하게 설치되어 다수의 웨이퍼가 장착되는 디스크 어셈블리로 이루어진 이온 주입용 하이 임플랜터에 설치되며, 슬라이딩 시일에 고정되는 플레이트 및 상기 플레이트에 수직으로 연장된 튜브로 이루어져 플래그 패러데이 및 슬라이딩 시일을 통과한 이온 빔을 디스크 어셈블리에 장착된 웨이퍼에 안내하는 익스텐션 튜브를 더 포함한다.The present invention for achieving this purpose is to maintain the airtight between the main chamber and the end station chamber configured at the end of the main chamber, the main chamber is installed with a flag Faraday for measuring the current of the ion beam to be injected It is installed in an ion implantation high implanter consisting of a sliding seal and a disk assembly rotatably installed in the end station chamber and mounted with a plurality of wafers. The plate is fixed to the sliding seal and a tube extending perpendicular to the plate. And an extension tube configured to guide the ion beam passing through the flag Faraday and the sliding seal to the wafer mounted to the disk assembly.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도에 본 고안에 따른 하이 임플랜터가 개략적으로 도시되어 있다. 제2도에서는 편의상 메인 챔버의 종단에 구성된 엔드 스테이션 챔버(6)의 구성이 나타나도록 일부분만을 도시하였다. 플래그 패러데이(Flag faraday : 2)는 웨이퍼로 주입되는 비임(1)의 양(비임의 전류)을 센싱하기 위한 센서의 일종이며, 슬라이딩 시일(3)은 엔드 스테이션 챔버(6)내의 기밀을 유지하기 위하여 사용된다. 또한 고진공용 펌프(5)가 장치내부를 진공상태로 유지하기 위해 사용된다. 앤드 스테이션 챔버(6)내에는 다수의 웨이퍼(11)가 장착되는 디스크 어셈블리(4)가 회전가능한 상태로 장착되며, 따라서 디스크 어셈블리(4)에 장착된 다수의 웨이퍼(11)들에 이온 비임(1)이 주입되게 한다.2 shows a high implanter according to the present invention. In FIG. 2, only a part of the configuration of the end station chamber 6 shown at the end of the main chamber is shown for convenience. Flag Faraday (2) is a kind of sensor for sensing the amount of beam 1 injected into the wafer (current of the beam), the sliding seal 3 is to maintain the airtight in the end station chamber (6) To be used. A high vacuum pump 5 is also used to keep the inside of the device in a vacuum. In the end station chamber 6, the disk assembly 4, on which the plurality of wafers 11 are mounted, is rotatably mounted, and thus the ion beams are mounted on the plurality of wafers 11 mounted on the disk assembly 4. Let 1) be injected.

본 고안의 가장 큰 특징은 플래그 패러데이(2)와 디스크 어셈블리(4)사이에 위치하는 슬라이딩 시일(3)에 제3도에 도시된 바와 같은 익스텐션 튜브(7)를 장착한 것이다. 익스텐션 튜브(7)는 슬라이딩 시일(3)에 대응되는 플레이트(9) 및 플레이트(9)에서 수직으로 연장된 튜브(8)로 이루어진다. 도시된 도면부호 10은 관통홀로서, 고정수단을 체결함으로서 플레이트(9)가 슬라이딩 시일(3)에 고정된다.The biggest feature of the present invention is the mounting of an extension tube 7 as shown in FIG. 3 on a sliding seal 3 located between the flag Faraday 2 and the disk assembly 4. The extension tube 7 consists of a plate 9 corresponding to the sliding seal 3 and a tube 8 extending vertically from the plate 9. The reference numeral 10 is a through-hole, in which the plate 9 is fixed to the sliding seal 3 by fastening the fixing means.

이러한 익스텐션 튜브(7)를 장착함으로서 주입되는 이온 비임(1)은 익스텐션 튜브(7)의 튜브(8)에 의하여 웨이퍼(11)까지 안내되며, 따라서 이온 비임(1)은 분산되지 않고 웨이퍼(11)에 도달하게 하여 이온 비임(1)이 챔버(6)내로 분산되는 것을 방지하게 된다.The ion beam 1 implanted by mounting this extension tube 7 is guided to the wafer 11 by the tube 8 of the extension tube 7, so that the ion beam 1 is not dispersed and the wafer 11 is not dispersed. ) To prevent the ion beam 1 from dispersing into the chamber 6.

본 고안의 익스텐션 튜브(6)의 튜브(8)는 제2도 및 제3도에 도시된 바와같이 된 디스크 어셈블리(4)에 장착되는 웨이퍼(11)의 직경보다 큰 직경을 갖게 되며, 튜브(8)의 종단은 웨이퍼(11)의 손상을 방지하기 위하여 디스크 어셈블리(4)와 어느 정도 이격된 상태이다.The tube 8 of the extension tube 6 of the present invention has a diameter larger than the diameter of the wafer 11 mounted on the disc assembly 4 as shown in FIGS. 2 and 3. The end of 8) is somewhat spaced apart from the disk assembly 4 in order to prevent damage to the wafer 11.

이상과 같은 본 고안을 이용할 경우, 플래그 패러데이(2) 및 슬라이딩 시일(3)을 통과한 이온 비임(1)은 익스텐션 튜브(7)의 튜브(8) 내부 공간을 통과하여 웨이퍼(11)에 주입됨으로서 챔버(6)내로 분산되지 않게 되며, 따라서 이온 비임(1)의 손실을 크게 감소할 수 있다. 또한 챔버(6) 내부로 이온 비임의 분산이 방지됨으로서 이온으로 인한 챔버(6) 내부의 오염을 방지할 수 있어 장치의 관리보수에 시간 및 인력이 절감되어 생산성 증대에 큰 효과가 있다.When using the present invention as described above, the ion beam (1) passing through the flag Faraday (2) and the sliding seal (3) is injected into the wafer 11 through the inner space of the tube (8) of the extension tube (7) As a result, it is not dispersed into the chamber 6, and thus the loss of the ion beam 1 can be greatly reduced. In addition, since the dispersion of the ion beam into the chamber 6 is prevented, contamination of the inside of the chamber 6 due to the ions can be prevented, thereby reducing the time and manpower in the maintenance and maintenance of the device, thereby increasing productivity.

Claims (2)

주입되는 이온 비임의 전류를 측정하기 위한 플래그 패러데이가 설치된 메인 챔버와, 상기 메인 챔버의 종단에 구성된 엔드 스테이션 챔버와, 상기 메인 챔버와 상기 엔드 스테이션 챔버간의 기밀을 유지하기 위한 슬라이딩 시일과, 상기 엔드 스테이션 챔버 내에 회전가능하게 설치되어 다수의 웨이퍼가 장착되어 디스크 어셈블리로 이루어진 이온 주입용 하이 임플랜터에 있어서, 상기 슬라이딩 시일에 고정되는 플레이트 및 상기 플레이트에 수직으로 연장된 튜브로 이루어져 상기 플래그 패러데이 및 슬라이딩 시일을 통과한 이온 빔을 상기 디스크 어셈블리에 장착된 웨이퍼에 안내하는 익스텐션 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하이 임플랜터.A main chamber provided with a flag Faraday for measuring the current of the ion beam injected, an end station chamber configured at an end of the main chamber, a sliding seal for maintaining airtightness between the main chamber and the end station chamber, and the end A high implant implantable ion implantation comprising a disk assembly in which a plurality of wafers are rotatably installed in a station chamber, the flag Faraday comprising a plate fixed to the sliding seal and a tube extending perpendicular to the plate. And an extension tube for guiding the ion beam passing through the sliding seal to the wafer mounted to the disk assembly. 제1항에 있어서, 상기 튜브는 상기 웨이퍼의 직경보다 크며, 상기 튜브의 종단은 상기 디스크 어셈블리와 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 하이 임플랜터.The high implanter of claim 1, wherein the tube is larger than the diameter of the wafer and the end of the tube is spaced apart from the disk assembly.