KR0116901Y1 - Overvoltage protcetion circuit - Google Patents
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Abstract
카 로직 데크의 모토구동회로에 공급되는 전압이 과전압으로 공급되어 전원회로 및 모터구동회로의 파손을 방지하기 위해서,In order to prevent the damage to the power circuit and motor drive circuit, the voltage supplied to the motor logic circuit of the car logic deck is supplied with overvoltage.
재생모드 선택신호(L+, L-)에 의해 제어되는 제 2 트랜지스터(Q2)의 콜렉출력으로 베이스 바이어스 크기가 결정되는 제 1 트랜지스터(Q1)와,A first transistor Q1 whose base bias magnitude is determined by the collector output of the second transistor Q2 controlled by the regeneration mode selection signals L + , L − , and
상기 제 1 트랜지스터(Q1)를 거친 B+전압을 모터구동회로(MD)에 전달하며 고속모드 선택신호 발생시 온되는 제 4 트랜지스터(Q4)에 의해 베이스 제너다이오드(ZDI)의 전류패스가 선택적으로 형성되는 제 3 트랜지스터(Q3)로 구성된 카 로직 데크 모터구동용 전원공급회로에,The current path of the base zener diode ZDI is selectively formed by the fourth transistor Q4 which transfers the B + voltage passing through the first transistor Q1 to the motor driving circuit MD and is turned on when the high speed mode selection signal is generated. In a power supply circuit for driving a car logic deck motor composed of a third transistor (Q3),
상기 제 4 트랜지스터(Q4)에 병렬로 제 5 트랜지스터(Q5)를 연결하고,A fifth transistor Q5 is connected in parallel to the fourth transistor Q4;
상기 제 5 트랜지스터(Q5)에 베이스에는 저항(R5-R7)에 의해 분압된 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜랙터 입력 전압이 바이어스로 제공되게 연결한다.A base is connected to the fifth transistor Q5 so that a collector input voltage of the third transistor Q3 divided by the resistors R5-R7 is provided as a bias.
Description
제 1 도는 종래의 회로도1 is a conventional circuit diagram
제 2 도는 본고안의 회로도2 is a circuit diagram of this paper
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
MD : 모터구동회로 Q1-Q5 : 트랜지스터MD: Motor Drive Circuit Q1-Q5: Transistor
ZD1 : 제너다이오드 R1-R7 : 바이어스 저항ZD1: Zener Diodes R1-R7: Bias Resistor
본 고안은 카 오디오의 로직데크의 전원공급회로에 관한 것으로, 특히 로직데크의 모터 구동회로에 과전압이 걸리게 되는 것을 방지하기 위한 카 로직데크의 과전압 방지회로에 관한 것이다.The present invention relates to the power supply circuit of the logic deck of the car audio, and more particularly to the overvoltage protection circuit of the car deck to prevent the overvoltage is applied to the motor drive circuit of the logic deck.
카 로직데크에서의 모터구동 속도는 동작모드 별로 다른 속도로 회전하게된다. 즉, 정, 역방향 재생모드에서는 저속 회전을 하게되고, 정, 역 방향 재생모드에서는 저속회전을 하게되고, 정, 역 방향 고속진행 모드에서는 고속 회전을 하게 되어 있다.The motor drive speed in the car deck is rotated at different speeds according to the operation modes. That is, low speed rotation is performed in the forward and reverse regeneration modes, low speed rotation is performed in the forward and reverse regeneration modes, and high speed rotation is performed in the forward and reverse high speed progressive modes.
제 1 도는 종래의 카 로직 데크에 사용되는 모터구동제어회로의 전원공급 회로로써, 단자(T1)에 입력되는 B+전압은 PNP형의 제 1 트랜지스터(Q1)와 NPN형의 제 3 트랜지스터(Q3)를 통하여 모터 구동회로(MD)에 B-으로 제공되게 연결하고 있다.1 is a power supply circuit of a motor drive control circuit used in a conventional car logic deck, in which the voltage B + input to the terminal T1 is the first transistor Q1 of the PNP type and the third transistor Q3 of the NPN type. and it provided to be connected to -) B in the motor driving circuit (MD) through the.
상기 제 1 트랜지스터(Q1)는 바이어스 저항(R1,R2)과 제 2 트랜지스터(Q2)에 의해 그의 베이스바이어스가 제어되게 연결하며, 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스에는 저항(R3)과 각각의 다이오드(D1, D2)를 거친 정, 역방향 재생모드 선택신호(L+, L-)가 각각의 단자(T2, T3)를 통하여 입력되게 구성하고 있다.The first transistor Q1 is connected so that its base bias is controlled by the bias resistors R1 and R2 and the second transistor Q2, and the base of the second transistor Q2 is connected to the resistor R3 and the respective ones. The forward and reverse regeneration mode selection signals L + and L - passing through the diodes D1 and D2 are configured to be input through the respective terminals T2 and T3.
상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 바이어스는 그의 베이스에 연결된 저항(R4)과 콘덴서(C1)와 제너다이오드(ZDI)에 의해 이루어지게 연결하며, 상기 제너다이오드(ZDI)의 동작은 이 제너다이오드에 직렬로 연결된 제 4 트랜지스터(Q4)는 저항(R5)을 통하여 그의 베이스에 입력되는 단자(T4)의 고속모드 선택 신호(H)에 의해 제어되게 연결하고 있다.The bias of the third transistor Q3 is connected by a resistor R4 connected to its base, a capacitor C1, and a zener diode ZDI, and the operation of the zener diode ZDI is in series with the zener diode. The fourth transistor Q4 connected to is controlled to be controlled by the high speed mode selection signal H of the terminal T4 input to the base thereof through the resistor R5.
이와같이 구성된 종래의 회로는 카로직데크의 정방향 또는 역방향 재생모드 일 때 발생되는 정방향 재생모드 선택신호(L+)또는 역방향 재생모드 선택신호(L-)가 단자(T2 또는 T3)에 나타나게 되면 제 2 트랜지스터(Q2)의 구동에 의해 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스바이어스가 결정되므로, 상기 제 1 트랜지스터(Q1)를 통한 단자(T1)의 B+전압이 제 3 트랜지스터(Q3)를 거쳐 모터 구동회로(MD)에 B+전압으로 제공되게 된다.In the conventional circuit configured as described above, when the forward regeneration mode selection signal L + or the reverse regeneration mode selection signal L − generated in the forward or reverse regeneration mode of the logic deck appears at the terminal T2 or T3, Since the base bias of the first transistor Q1 is determined by the driving of the transistor Q2, the B + voltage of the terminal T1 through the first transistor Q1 passes through the third transistor Q3 and thus the motor driving circuit. It is provided at (MD) as the voltage B + .
이때 제 3 트랜지스터(Q3)는 바이어스 저항(R4)과 콘덴서(CI)에 의해 바이어스 되게 된다.At this time, the third transistor Q3 is biased by the bias resistor R4 and the capacitor CI.
한편 카로직데크의 정, 역 방향 고속 진행 모드에서는 단자(T4)에 고속모드 선택신호(H)가 나타나게 되고, 이에따라 제 4 트랜지스터(Q4)가 온되어 제 3 트랜지스터(Q3)는 제너다이오드(ZDI)에 의해 그의 출력전압(B+)이 안정화 되게 된다.On the other hand, in the forward and reverse fast forward modes of the logic deck, the high speed mode selection signal H is displayed at the terminal T4. Accordingly, the fourth transistor Q4 is turned on, and the third transistor Q3 is the zener diode ZDI. Its output voltage (B + ) is stabilized.
그런데 모터 구동회로(MD)에 인가되는 B+전압은 카로직데크의 고속 진행모드에서는 제너다이오드(ZDI)에 의해 안정화 되지만 정, 역방향 재생모드에서는 상기 제너다이오드(ZDI)의 동작이 차단되므로 과도한 B+입력전압이 발생되는 경우 제 1, 3 트랜지스터(Q1, Q3) 및 모터구동회로(MD)가 손상을 입게 될 수 있다.However, the B + voltage applied to the motor driving circuit MD is stabilized by the zener diode ZDI in the fast forward mode of the cariceck, but the operation of the zener diode ZDI is blocked in the forward and reverse regeneration modes, so excessive B is applied. When the input voltage is generated, the first and third transistors Q1 and Q3 and the motor driving circuit MD may be damaged.
본 고안의 목적은 카 로직데크에서의 재생모드시 과전압 입력으로부터 모터 전원 공급회로와 모터구동회로의 손상을 방지할 수 있는 카 로직데크의 과전압 방지회로를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide an overvoltage protection circuit of a car deck that can prevent damage to a motor power supply circuit and a motor driving circuit from an overvoltage input in a regeneration mode in a car deck.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 고안을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제 2 도는 본 고안의 회로구성도 로서,2 is a circuit diagram of the present invention,
단자(T1)에 입력되는 B+전압은 PNP형의 제 1 트랜지스터(Q1)와 NPN 형의 제 3 트랜지스터(Q3)를 통하여 모터 구동회로(MD)에 B+으로 제공되게 연결한다.The voltage B + input to the terminal T1 is connected to the motor driving circuit MD via the first transistor Q1 of the PNP type and the third transistor Q3 of the NPN type to be provided as B + .
상기 제 1 트랜지스터(Q1)는 바이어스 저항(R1, R2)과 제 2 트랜지스터(Q2)에 의해 그의 베이스 바이어스가 제어되게 연결하면, 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 베이스에는 저항(R3)과 각각의 다이오드(D1, D2)를 거친 정, 역방향 재생모드 선택신호(L+, L+)가 각각의 단자(T2, T3)를 통하여 입력되게 구성한다.When the first transistor Q1 is connected so that its base bias is controlled by the bias resistors R1 and R2 and the second transistor Q2, the base of the second transistor Q2 is connected to the resistor R3 and the respective ones. The forward and reverse regeneration mode selection signals L + and L + passing through the diodes D1 and D2 are configured to be input through the respective terminals T2 and T3.
상기 제 3 트랜지스터(Q3)의 바이어스는 그의 베이스에 연결된 저항(R4)과 콘덴서(C1)와 제너다이오드(ZDI)에 의해 이루어지게 연결하며, 상기 제너다이오드(ZDI)의 동작은 이 제너다이오드에 직렬로 연결된 제 4 트랜지스터(Q4)에 의해 결정되게 연결하고, 상기 제 4 트랜지스터(Q4)는 저항(R5)를 통하여 그이 베이스에 입력되는 단자(T4)의 고속모드 선택 신호(H)에 의해 제어되게 연결한다.The bias of the third transistor Q3 is connected by a resistor R4 connected to its base, a capacitor C1, and a zener diode ZDI, and the operation of the zener diode ZDI is in series with the zener diode. The fourth transistor Q4 is controlled by the high speed mode selection signal H of the terminal T4 input to the base thereof through the resistor R5. Connect.
한편 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜레터측 입력 전압은 저항(R5, R7)으로 분압된후 저항(R6)을 통하여 제 5 트랜지스터(Q5)의 베이스로 인가되게 연결하고, 상기 제 5 트랜지스터(Q5)는 제 4 트랜지스터(Q4)에 병렬로 연결하여 제너다이오드(ZDI)의 또 다른 전류패스를 형성하도록 구성한다.On the other hand, the input voltage of the collet side of the third transistor Q3 is divided by the resistors R5 and R7 and connected to be applied to the base of the fifth transistor Q5 through the resistor R6 and connected to the fifth transistor Q5. ) Is configured to be connected in parallel to the fourth transistor Q4 to form another current path of the zener diode ZDI.
이와같이 구성된 본 고안의 작용 및 효과를 다음에 설명한다.The operation and effects of the present invention thus constructed will be described next.
카로직 데크가 정방향 또는 역방향 재생모드 일 때 발생되는 정방향 재생모드 선택신호(L+)또는 역방향 재생모드 선택신호(L-)가 단자(T2 또는 T3)에 나타나게 되면 제 2 트랜지스터(Q2)의 구동에 의해 제 1 트랜지스터(Q1)의 베이스바이어스가 결정되므로, 상기 제 1 트랜지스터(Q1)를 통한 단자(T1)의 B+전압이 제 3 트랜지스터(Q3)를 거쳐 모터 구동회로(MD)에 B+전압으로 제공되게 된다.When the forward play mode select signal L + or the reverse play mode select signal L − generated when the logic deck is in the forward or reverse play mode is displayed at the terminal T2 or T3, the second transistor Q2 is driven. a first transistor (Q1), since the base bias is determined of the first transistor (Q1) terminal (T1) to the motor drive circuit (MD) B + voltage via a third transistor (Q3) of the via by a B + To be provided as a voltage.
이때 제 3 트랜지스터(Q3)는 바이어스 저항(R4)과 평활콘덴서(C1)에 의해 바이어스 되고 또한 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측 입력전압은 저항(R5, R7)으로 분압되어 제너다이오드(ZDI)의 전류패스를 제한하는 제 5 트랜지스터(Q5)에 베이스바이어스 전압으로제공된다.At this time, the third transistor Q3 is biased by the bias resistor R4 and the smoothing capacitor C1, and the collector side input voltage of the third transistor Q3 is divided by the resistors R5 and R7 so that the zener diode ZDI is divided. A base bias voltage is provided to the fifth transistor Q5 which limits the current path of the transistor.
그러므로 제 3 트랜지스터(Q3)의 콜렉터측 입력이 높으면, 즉 과전압이 입력되면 이러한 과전압 성분은 저항(R5, R7) 분압회로를 거쳐 제 5 트랜지스터(Q5)의 베이스에 입력한다.Therefore, when the collector-side input of the third transistor Q3 is high, that is, when an overvoltage is input, these overvoltage components are input to the base of the fifth transistor Q5 via the resistor R5 and R7 voltage divider circuits.
여기에서 설정된 과전압 이상일 때 제 5 트랜지스터(Q5)가 온되고, 이에 따라 제너다이오드(ZDI)의 전류패스가 형성되어 제 3 트랜지스터(Q3)의 베이스바이어스가 안정화되므로 모터구동회로(MD)에 제공될 그의 에미터측 출력 전압(B+)에는 과전압 성분이 나타나지 않게된다.The fifth transistor Q5 is turned on when the voltage exceeds the set overvoltage, and thus the current path of the zener diode ZDI is formed, and the base bias of the third transistor Q3 is stabilized, thereby providing the motor driving circuit MD. The emitter side output voltage (B + ) does not show an overvoltage component.
한편, 카 로직데크의 정, 역 방향 고속 진행모드애서는 단자(T4)에 고속모드 선택신호(H)가 나타나게되고, 이에 따라 제 4 트랜지스터(Q4)가 온되므로 제 3 트랜지스터(Q3)는 제너다이오드(ZDI)에 의해 그의 베이스 바이어스가 안정화되어 에미터 출력 전압(B+)이 안정화 되게 된다.On the other hand, in the forward and reverse fast forward modes of the car logic deck, the high speed mode selection signal H is displayed at the terminal T4. As a result, the fourth transistor Q4 is turned on so that the third transistor Q3 is Zener. The base bias is stabilized by the diode ZDI so that the emitter output voltage B + is stabilized.
이상에서 설명한 바와같은 본 고안은 카로직 데크에서 발생될 수 있는 재생 모드에서의 모터구동 회로용 전원 공급회로의 과전압 출력을 억제 시킬수 있게 됨에 따라, 모터 구동회로 뿐만 아니라 모터구동 회로용 전원공급 회로를 과전압으로부터 보호할 수 있게 된다.The present invention as described above can suppress the overvoltage output of the power supply circuit for the motor drive circuit in the regeneration mode that can be generated in the cariceck deck, so that not only the motor drive circuit but also the power supply circuit for the motor drive circuit. It can protect against overvoltage.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019940029908U KR0116901Y1 (en) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | Overvoltage protcetion circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR2019940029908U KR0116901Y1 (en) | 1994-11-11 | 1994-11-11 | Overvoltage protcetion circuit |
Publications (2)
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| KR960019268U KR960019268U (en) | 1996-06-19 |
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ID=19397924
Family Applications (1)
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR0116901Y1 (en) |
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1994
- 1994-11-11 KR KR2019940029908U patent/KR0116901Y1/en not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960019268U (en) | 1996-06-19 |
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