JPWO2020179388A1 - 積層造形用Ni基耐食合金粉末、この粉末を用いた積層造形品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、前記Ni合金の合金種別を表す「UNS」は、ASEHS−1086とASTMDS−566に規定された「Unified Numbering System」のことであり、前記N06625,N10276,N06022,(後記する)N07718等はこれに登録された合金固有の番号である。
しかし、近年、3Dプリンタと呼ばれる付加製造(Additive Manufacturing)の技術が進歩し、板や棒、パイプのような素形材の機械加工では、形状付与が困難あるいは不可能な複雑形状の付与が可能になってきている。
そして、精度の必要な比較的小型品の製作に際しては、付加製造に適用する原料として、金属粉末も採用されている。
上述のように、超耐熱合金の分野では複雑形状の部材の作製のために付加製造が適用されつつあるものの、過酷な腐食環境下に耐える耐食合金を上述の付加製造で製造する方法、およびそれを高品質で実現するために好適な粉末は提供されていなかった。すなわち、耐食性に優れ、且つ、欠陥が少なく複雑形状の付与が可能となる積層造形に適したNi基耐食合金粉末が強く求められると共に、このNi基耐食合金粉末を用いた半導体製造装置用部材などの積層造形品の開発が強く要望されている。
この積層造形用Ni基耐食合金粉末は(d90−d10)/d50で表される均一度が1.5以下であることが良い。
また、前記成分組成には必要に応じて、Ta:2.5%以下、W:5.0%以下のいずれかをさらに含有しても良い。好ましくはTa:1.0超〜2.5%、W:2.0〜5.0%である。
また、この積層造形用Ni基耐食合金粉末を用いた積層造形により半導体製造装置用部材を製作した場合には、欠陥が少なく、かつ、高耐食性の積層造形品からなる半導体製造装置用部材を製作し得るため、半導体製造装置用部材のデザインの自由度が格段に増し、半導体製造装置の高度化を実現できるようになり、産業上、優れた効果がもたらされる。
Crは、腐食環境における耐食性向上に効果がある。例えば、積層造形品として半導体製造装置用部材として用いられたとすると、HCl,Cl2,HF,F2,NF3,ClF3およびHBrなどのハロゲン系ガスに対して、耐食性を向上させる効果がある。特に、半導体製造装置部材が、開放時に一旦外気に触れた際に、金属表面に大気起源の水分が吸着し、吸着した水分とハロゲン系プロセスガスが水和し、電気化学的腐食が発生する。水和した酸に対して、Crは特に比較的濃度が希薄な領域でその耐食性を発揮する。その場合、Crは14.5%以上含有することが必要であるが、24.5%を超えて含有するとMoとの組み合わせにおいて、積層造形時に相安定性を損ない単一相維持が困難となり、粗大なμ相を形成してしまい耐食性劣化をもたらす。そのため、その含有量を14.5%〜24.5%とした。
好ましいCrの上限は、22.5%であり、さらに好ましくは20.5%である。また、好ましいCrの下限は、15.0%であり、さらに好ましくは18.0%である。
上記Cr量の上限値と下限値は任意に組み合わせることができる。また、以下では記載を省略するが、以下に記載する夫々の元素においても上限値と下限値は任意に組み合わせることができる。
Moは、Crと同様に、腐食環境における耐食性向上に効果がある。即ち、HCl,Cl2,HF,F2,NF3,ClF3およびHBrなどのハロゲン系ガスに対して、耐食性を向上させる効果がある。特に、半導体製造装置部材が、開放時に一旦外気に触れた際に、金属表面に大気起源の水分が吸着し、吸着した水分とハロゲン系プロセスガスが水和し、電気化学的腐食が発生する。水和した酸に対して、Moは特に中〜高濃度領域でその耐食性を発揮する。その場合、Moは12.0%以上含有することが必要であるが、23.0%を超えて含有すると、Moは高温における酸化性が劣るため、ガスアトマイズ法等によって粉末を製造する際に、個々の粉末表面に形成される酸化膜が厚くなる。その粉末を用いて製造された積層造形品には酸化物起因の欠陥が顕在化してくるため好ましくない。そのため、その含有量を12.0%〜23.0%とした。
好ましいMoの上限は、20.5%であり、さらに好ましくは19.5%である。また、好ましいMoの下限は、14.0%であり、さらに好ましくは16.0%である。
FeおよびCoは、Niよりも融点が高く、溶湯粘度を高める効果がある。粉末の製造は、例えば、雰囲気ガス中、溶湯を噴霧状に吹いて急冷させることで得られる。FeおよびCoを添加することにより、粉末を製造する際に、粒径制御が容易になるとともに、積層造形が困難となりやすい微粉(粒径5μm未満)の生成を抑制できる。その場合、Feは0.01%以上含有することが必要であるが、7.00%を超えて含有すると水和した酸に対して耐食性劣化をもたらすので、その含有量を0.01%〜7.00%とした。
好ましいFeの上限は、5.50%であり、さらに好ましくは1.00%である。また、好ましいFeの下限は、0.05%であり、さらに好ましくは0.10%である。
同様に、Coは0.001%以上含有することが必要であるが、2.500%を超えて含有すると、積層造形時における粉末の凝固の際のミクロレベルでの引け巣に起因した欠陥が顕在化してくるので好ましくない。そのため、Coの含有量を0.001〜2.500%とした。
好ましいCoの上限は、1.000%であり、さらに好ましくは0.500%である。また、好ましいCoの下限は、0.005%であり、さらに好ましくは0.010%である。
N、MnおよびMgを共存させることにより、ミクロ偏析を抑制する効果がある。積層造形する際、個々の粉末はレーザにより瞬間的に溶湯となり、一方、比較的急冷で凝固することにより造形される。この時に、ミクロ偏析が生じる懸念がある。ミクロ偏析が生じることにより、Cr,Mo等の耐食性を発揮する元素の希薄領域が形成され、この希薄領域に耐食性が支配されるので、ミクロ偏析はできるだけ抑制されなければならない。N、MnおよびMgは母相であるNi−fcc相を安定化させ、CrおよびMoの固溶化を促進する効果があるため、結果として、急冷凝固時のミクロ偏析の発生を抑制する。
しかし、Nの含有量は極少量でも含まれていれば積層造形時にミクロ偏析を抑制する効果はあるが、0.040%を超えて含有すると窒化物を形成し、積層造形品に欠陥が増大する原因となるため、その含有量を0.040%以下とした。
好ましいNの上限は、0.030%であり、さらに好ましくは0.020%である。また、Nを含有する場合の下限は、0超であり、好ましくは0.001%であり、より好ましくは0.003%であり、さらに好ましくは0.005%である。
同様に、Mgの含有量は、極少量でも含まれていれば積層造形時にミクロ偏析を抑制する効果はあるが、0.010%を超えて含有すると、逆にミクロ偏析を促進するようになり、積層造形品の耐食性を劣化させる傾向となるため、その含有量を0.010%以下とした。
好ましいMgの上限は、0.0050%であり、より好ましくは0.0030%であり、さらに好ましくは0.0020%である。また、Mgを含有する場合の下限は、0超であり、好ましくは0.0001%であり、より好ましくは0.0003%であり、さらに好ましくは0.0005%である。
一方、Mnの含有量が0.001%未満では、積層造形時にミクロ偏析を抑制する効果は無く、0.50%を超えて含有すると、逆にミクロ偏析を促進するようになり、例えば、半導体プロセスガスに対する積層造形品の耐食性を劣化させる傾向となるため、その含有量を0.001%〜0.50%とした。
好ましいMnの上限は、0.40%であり、さらに好ましくは0.35%である。また、好ましいMnの下限は、0.005%であり、より好ましくは0.006%であり、さらに好ましくは0.007%である。
なお、これら前記の3元素の効果はそれぞれ等価ではなく、3元素が同時に所定の範囲で含有されていない場合には、ミクロ偏析を抑制する効果が無いことを確認している。
Si,AlおよびTiは、それぞれ脱酸剤として添加することにより、合金内の清浄度を高める効果がある。これにより、積層造形時に粉と粉の接合が滑らかとなり、結果、積層造形品の欠陥が抑制される。
Siは、0.001%以上含有することで、その効果を示すが、0.200%を超えて含有すると、粒界中に偏析し耐食性が劣化する傾向が現れるため、Siの含有量を0.001%〜0.200%とした。
好ましいSiの上限は、0.100%であり、さらに好ましくは0.010%である。また、好ましいSiの下限は、0.002%であり、さらに好ましくは0.005%である。
同様に、Alを極少量でも含有することで、合金内の清浄効果を示すが、0.50%を超えて含有すると、積層造形時の酸化物形成が顕在化し、積層造形品の欠陥が増大する。そのため、Alの含有量を0超〜0.50%とした。
好ましいAlの上限は、0.40%であり、さらに好ましくは0.30%である。また、好ましいAlの下限は、0超であり、好ましくは0.001%であり、より好ましくは0.003%であり、さらに好ましくは0.005%である。
同様に、Tiを0.001%以上含有することで、合金内の清浄効果を示すが、0.500%を超えて含有すると、積層造形時の酸化物形成が顕在化し、積層造形品の欠陥が増大する。そのため、Tiの含有量を0.001%〜0.500%とした。
好ましいTiの上限は、0.200%であり、さらに好ましくは0.100%である。また、好ましいTiの下限は、0.003%であり、さらに好ましくは0.005%である。
Cuは、塩酸やフッ酸などの還元性の湿潤腐食環境で耐食性を向上させる効果がある。そのため、プロセスガスと金属表面に吸着した水分にて形成される電気化学腐食に対して有効となる。Cuを極少量でも含有することで、効果を示すが、0.250%を超えて含有すると製造した粉末表面の酸化物が積層造形品の欠陥を顕在化させてしまうため、Cuの含有量を0.250%以下とした。
好ましいCuの上限は、0.100%であり、さらに好ましくは0.010%である。また、Cuを含有する場合の下限は、0超であり、好ましくは0.001%であり、より好ましくは0.002%であり、さらに好ましくは0.005%である。
Vは、粉末を溶湯から霧吹き状に製造する際に粗大な径の粉末が生成されることを抑制する効果がある。大き過ぎる径の粉末は、積層造形の際に粒子間の隙間が大きくなることで、欠陥が顕在化してしまうため好ましくない。そのため、粉末を分級する際に除かれるが、その収率(粉末歩留まり)が低下するため、工業生産上の課題となる。Vを0.001%以上添加しなければ、粗大粉末の抑制効果が得られないが、0.300%を超えて含有すると、逆に微粉化が進行し、これも必要な粒径の収率(粉末歩留まり)を低下させることとなるために好ましくない。そのため、Vの含有量を0.001%〜0.300%とした。
好ましいVの上限は、0.200%であり、さらに好ましくは0.100%である。また、好ましいVの下限は、0.003%であり、さらに好ましくは0.005%である。
BおよびZrは、それぞれ凝固過程で核となり引け巣発生防止に効果がある。積層造形物を成形する際に、個々の粉末が溶解凝固していく過程が繰り返されるが、凝固過程で引け巣が発生すると、それら欠陥がパーティクルの発生源となるために半導体製造装置用の部材や部品として用いる積層造形物としては不適となってしまう。
Bを0.0001%以上含有することで、引け巣発生防止効果を示すが、0.0050%を超えて含有すると、粒界中に偏析し耐食性が劣化する傾向が現れるため、Bの含有量を0.0001%〜0.0050%とした。
好ましいBの上限は、0.0040%であり、さらに好ましくは0.0030%である。また、好ましいBの下限は、0.0002%であり、さらに好ましくは0.0005%である。
同様に、Zrを0.0001%以上含有することで、引け巣発生防止効果を示すが、0.0200%を超えて含有すると、Bと同様に粒界中に偏析し耐食性が劣化する傾向が現れるため、Zrの含有量を0.0001%〜0.0200%とした。
好ましいZrの上限は、0.0100%であり、より好ましくは0.0080%であり、さらに好ましくは0.0060%である。また、好ましいZrの下限は、0.0005%であり、さらに好ましくは0.0008%である。
なお、これら前記の2元素の効果はそれぞれ等価ではなく、2元素が同時に所定の範囲で含有されていない場合には、引け巣発生を防止する効果が無いことを確認している。
Oは、粉末製造時の溶湯の噴霧工程で凝固直後の高温状態で、主にCrと瞬時に結びつき、粉末表面に極薄く強固な酸化皮膜を形成することで、それ以上の酸化の進行が抑制される効果がある。これにより、積層造形品に異物として混入してしまう粉末起源の酸化物の量は極めて低く抑制される。Oを0.0010%以上含有することで、その効果を示すが、0.0300%を超えて含有すると粉末表面の酸化物が積層造形品の欠陥を顕在化させてしまうこととなるため、Oの含有量を0.0010%〜0.0300%とした。
好ましいOの上限は、0.0200%であり、さらに好ましくは0.0100%である。また、好ましいOの下限は、0.0020%であり、さらに好ましくは0.0050%である。
Taは、還元性酸や酸化性酸での耐食性や、孔食やすきま腐食に対する耐食性を改善する効果があるため、必要に応じて添加する。添加する場合は2.5%以下が良い。なお、1.0%を超えて含有することにより、耐食性を著しく改善する効果が発揮されるが、2.5%を超えて含有すると、粉末製造時に粉末表面に形成される酸化量が増大し、それにより積層物の欠陥が顕在化するため、好ましい含有量を1.0%超〜2.5%とする。
好ましいTaの上限は、2.3%であり、さらに好ましくは2.2%である。また、好ましいTaの下限は、1.1%であり、さらに好ましくは1.2%である。
Wは、Moと同様に還元性酸に対する耐食性を向上させる効果があると同時に、融点を高めることで溶湯の粘度を高め粉末を製造する際に、粒径制御が容易になる。これとともに、積層造形が困難となりやすい微粉(粒径5μm未満)の生成を抑制できるため、必要に応じて添加する。添加する場合は5.0%以下が良い。よりその効果を得るには、2.0%以上の添加が好ましい。しかし、5.0%を超えて含有すると融点が必要以上に高くなるため、粉末が粗大化する傾向となり、適正な粉末径を分級する収率(粉末歩留まり)が落ちる。そのため好ましい含有量を2.0%〜5.0%とする。
好ましいWの上限は、4.9%であり、さらに好ましくは4.5%である。また、好ましいWの下限は、2.2%であり、さらに好ましくは2.5%である。
不可避不純物として、Cは、結晶粒界近傍でCrと炭化物を形成し、耐食性の劣化を増大させる。そのため、Cは0.05%未満とした。また、SやPは粒界に偏析し、高温割れの原因となるため、0.01%未満に抑制しなければならない。
また、これら不可避不純物の含有量は少ないほうが好ましく、0%であっても良い。
後記する実施例でも述べるように、分級後の積層造形用の粉末を適切な水溶液中で溶解し、この水溶液を高周波誘導結合プラズマ(ICP)分析することにより、所定の成分の含有量を測定した。
なお、C、Sについては炭素硫黄分析装置、N、Oについては酸素窒素分析装置を用い、燃焼法によるガス分析を行って、その含有量を求めた。
本発明のNi基耐食合金粉末の粒度分布は、レーザ回折式粒度分布測定装置を用いて、レーザ回折法によって求められる。粒子径と小粒子径側からの体積積算との関係を示す積算分布曲線において、積算頻度10体積%に対応する粒子径d10、積算頻度50体積%に対応する粒子径d50および積算頻度90体積%に対応する粒子径d90を測定したとき、d10は15μm以上100μm以下である。d10の下限は、好ましくは20μm、より好ましくは40μmである。d10の上限は、好ましくは80μm、より好ましくは50μmである。上記d10の上限値と下限値は任意に組み合わせることができる。記載は省略するが、下記するd50、d90についても同様である。
d50は30μm以上250μm以下である。d50の下限は、好ましくは60μm、より好ましくは80μmである。d50の上限は、好ましくは200μm、より好ましくは120μmである。
d90は50μm以上480μm以下である。d90の下限は、好ましくは100μm、より好ましくは150μmである。d90の上限は、好ましくは300μm、より好ましくは250μm以下である。
LMDの場合、粒度が小さくなると搬送時の粉末の流れに偏りが生じ、溶融池への安定した粉末供給が困難になる。また、粉末が偏って流れることによりヘッド内でも粉末が偏って詰まりが生じる可能性がある。一方、粒度が大きくなるとレーザのパワー不足による溶融残りが懸念され、欠陥や表面粗さへの影響がでる可能性がある。また、EBMの場合は、粒度が小さすぎると粉末が舞い上がるスモーク現象が生じる。また、粒度が大きくなると欠陥や表面粗さへの影響がでる可能性がある。
本発明の粒度分布を有することにより、あるいはd50の数値を満足することだけでも、LMDやEBMにおいて、粉末を安定して供給し、造形することができる。よって、良好な搬送性が得られる。
以上より、本発明のNi基耐食合金粉末は、上述の粒度分布や均一度を備えることで、粉末の搬送性や敷詰め性に優れる。結果、積層造形時の欠陥率を低減でき、欠陥が抑制された積層造形品を得ることができる。
積層造形は、個々の粉末について溶融と凝固を繰り返すことにより形状付与をしていく造形法であるが、例えば、SLMによるパウダーベッド法では、Ni基耐食合金粉末の粒径が5μm未満だと1回の溶融凝固に必要な容積が得にくくなるため、健全な積層造形品が得にくい。粒子径5μm未満の粉末が少ないことで粉末歩留まりが向上し、欠陥率の低減に寄与する。一方、Ni基耐食合金粉末の粒径が100μmを超えると、1回の溶融凝固に必要な容積が大き過ぎ、健全な積層造形品が得にくい。粒子径100μm超の粉末が少ないことでレーザのパワー不足を抑えて、欠陥率の低減に寄与する。即ち、SLMによるパウダーベッド法では、Ni基耐食合金粉末としては、5μm以上100μm以下の範囲にある粉末を用いることが好ましい。より好ましくは20μm以上80μm以下である。
一方、EBMでは、SLMよりもビーム径が大きいことから、用いる合金粉末の粒径も大きくすることができる。このようなことから5μm以上500μm以下の粒度範囲にある粉末を用いることが好ましい。より好ましくは20μm以上250μm以下である。
本発明の積層造形用Ni基耐食合金粉末を用いた積層造形によって、欠陥が極めて少なく、湿潤環境下あるいは半導体プロセスガス環境下において優れた耐食性を示すハロゲンガスおよびハロゲン化合物ガス充填用ボンベのバルブ部材、マスフローメーター内の接ガス部材、ガスブロック部材、ガス継手等の半導体製造装置用部材を得ることができる。
また、積層造形装置としては、図1に示すものばかりではなく、積層造形品の形状等に応じて、図2に示す指向性エネルギー堆積方式の積層造形装置等を使用することもできる。積層造形装置の型式等については特に制限されるものではない。例えば、LMDを使用することもできる。LMDは肉盛り造形物などに適用し易いので、積層厚さが厚く部材の補修や局部的な耐食性や強度を持たせるときに有用である。
溶解原料を準備し、高周波真空溶解炉を用いて溶解し、母合金をそれぞれ約10kg作製し、アルゴン雰囲気中、ガスアトマイズ法を用いて、表1、表2、表3、表4に示される成分組成を有する積層造形用Ni基耐食合金粉末を得るための素粉末を製造した。尚、不可避不純物に相当するC、S、Pについては、共にCは0.05%未満、SとPは0.01%未満であった。
上記で得たガスアトマイズしたままのそれぞれの素粉末を、複数のふるいを用いて、積層造形用の粒径20〜80μmの粉末とそれ以外の粉末に分級した。
本実施例1では、レーザを用いたパウダーベッド法(SLM)で積層造形を行い、Ni基耐食合金粉末の耐食性(湿潤環境および半導体プロセスガス)等を確認するものである。ここで、表中、*が付記されたNo.41〜No.48、No.52、No.54〜No.60、No.62〜No.67、No.69〜No.70は本発明に係る組成の範囲外の例である。なお、積層造形用Ni基耐食合金粉末としての従来品は存在しない。
これら評価用積層造形品としての板材(30×30×5mm)について、以下の評価を行った。
評価用積層造形品としての板材(30×30×5mm)の断面を切断し、樹脂に埋め込み、耐水エメリー紙で#1500まで研磨後、さらに粒径1μmのダイヤモンドペーストにて研磨し、鏡面仕上げ面とした。
上記鏡面仕上げ面を光学顕微鏡にて観察し、1mm×1mmの範囲内にある欠陥(1μm角以上の空孔、巣)を画像解析装置(デジタルマイクロスコープVHX6000:キーエンス製)により特定し、その面積比率を欠陥率(面積%)として求めた。
なお、解像度は1024x1280pixelで、画像解析ソフトにより、二値化処理をし、8pixel以上の黒色部分を欠陥とした。
表5および表6に、欠陥率(面積%)の値を示す。
評価用積層造形品としての板材(30×30×5mm)の表面を研磨し、最終的に耐水エメリー紙#400仕上げとした。その後、電解研磨をし、研磨後の試料をアセトン中超音波振動状態に5分間保持し脱脂することにより、腐食試験片を作成した。
これら腐食試験片を用いて、沸騰した1%HCl,35%HCl中で24時間の腐食試験を実施した。
その試験前後の重量減少量を測定することにより、試験前表面積と試験期間から腐食速度(mm/year)を算出した。
表5および表6に、その結果を示す。
評価用積層造形品としての板材(30×30×5mm)の表面を研磨し、最終的に耐水エメリー紙#400仕上げとした。その後、電解研磨をし、研磨後の試料をアセトン中超音波振動状態に5分間保持し脱脂することにより、腐食試験片を作成した。
これら腐食試験片を、Ni基合金(UNS N06022)製試験用小型チャンバー内に設置し、真空引き後、腐食ガス(Cl2,HBr,NF3)をそれぞれ充填し、腐食ガスの種類に応じた所定の温度(Cl2:250℃,HBr:250℃,NF3:350℃)に24時間保持し、その後、室温まで冷却し、アルゴンガスに置換後、素早く真空デシケータに保管した。
腐食試験片を、順次、SEM観察に供し、撮影した写真から島状に観察される腐食部分の面積率を画像解析ソフト(winRooF2015)により測定した。
なお、解像度は1024x1280、倍率は500倍で、8ピクセル以上を腐食領域とした。
表5および表6に、その結果を示す。
なお、アトマイズしたままの粉末に対して、分級後に利用できる粉末の割合を粉末歩留まりとし、この粉末歩留まりの値が劣る合金粉末、及び欠陥率が高い合金粉末については、腐食試験片は作製せず、耐食性評価も行わなかった。
上述の成分組成の積層造形用Ni基耐食合金粉末の中からNo.1の合金粉末について、異なる粒度分布の試料を作製し、レーザ回折式粒子径分布測定装置(SALD-2300:SHIMADZU製)を用いてd10、d50、d90をそれぞれ測定した。また、(d90−d10)/d50で表される均一度を求めた。
これらのNi基耐食合金粉末をベッド上に供給し、スキージして厚さ70〜200μmの粉末層を形成するときの搬送性を評価した。搬送性は、目視により、一様に合金粉末が供給され、所定の厚さに敷き詰められるものは搬送性良好とみなし「良好」、粉末が舞い上がったり、供給が行き届いていないものは搬送性が悪いとみなし「NG」とした。
表7にその結果を示す。
Claims (7)
- 質量%で、
Cr:14.5〜24.5%,
Mo:12.0〜23.0%,
Fe:0.01〜7.00%,
Co:0.001〜2.500%,
Mg:0.010%以下,
N:0.040%以下,
Mn:0.001〜0.50%,
Si:0.001〜0.200%,
Al:0超〜0.50%,
Ti:0.001〜0.500%,
Cu:0.250%以下,
V:0.001〜0.300%,
B:0.0001〜0.0050%,
Zr:0.0001〜0.0200%,
O:0.0010〜0.0300%,
を含有し、残部がNiおよび不可避不純物からなり、
前記不可避不純物として含まれるC、SおよびPが、それぞれC:0.05%未満、S:0.01%未満およびP:0.01%未満とした成分組成を有するNi基合金の粉末からなり、
レーザ回折法によって求められる、粒子径と小粒子径側からの体積積算との関係を示す積算分布曲線において、
前記粉末の積算頻度10体積%に対応する粒子径d10が15μm以上100μm以下、
前記粉末の積算頻度50体積%に対応する粒子径d50が30μm以上250μm以下、
前記粉末の積算頻度90体積%に対応する粒子径d90が50μm以上480μm以下、であることを特徴とする積層造形用Ni基耐食合金粉末。 - 前記積算分布曲線において、(d90−d10)/d50で表される均一度が1.5以下であることを特徴とする請求項1に記載の積層造形用Ni基耐食合金粉末。
- 前記Ni基合金の前記成分組成が、Ta:2.5%以下をさらに含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層造形用Ni基耐食合金粉末。
- 前記Ni基合金の前記成分組成が、W:5.0%以下をさらに含有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層造形用Ni基耐食合金粉末。
- 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の積層造形用Ni基耐食合金粉末を原料粉末として用いて積層造形を行うことを特徴とする積層造形品の製造方法。
- 前記積層造形品が半導体製造装置用部材であることを特徴とする請求項5に記載の積層造形品の製造方法。
- 前記積層造形が電子ビームを用いた粉末床溶融結合方式あるいは指向性エネルギー堆積方式であることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の積層造形品の製造方法。
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