JPWO2020149223A1 - Vapor chamber and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
本発明は、薄型高密電子回路板に実装される発熱電子部品の放熱を効率的に行うベーパーチャンバー及びその製造方法提供をするものである。電子回路板に形成された回路板放熱路を介して、電子部品とベーパーチャンバーを接続し、効率よく放熱するものである。回路板放熱路はベーパーチャンバーと接続材料を介さず一体となっている。バーパーチャンバーの密閉空間を構成する凹部面を粗面化することによりさらに効率良く放熱する。また、エッチングストップ層を用いることにより、生産性が高く品質の安定した薄型で放熱効率の良いベーパーチャンバーを提供することができる。The present invention provides a vapor chamber that efficiently dissipates heat from heat-generating electronic components mounted on a thin and dense electronic circuit board, and a method for manufacturing the same. An electronic component and a vapor chamber are connected via a circuit board heat dissipation path formed on the electronic circuit board to efficiently dissipate heat. The circuit board heat dissipation path is integrated with the vapor chamber without the connection material. Heat is dissipated more efficiently by roughening the concave surface that constitutes the closed space of the barper chamber. Further, by using the etching stop layer, it is possible to provide a thin vapor chamber having high productivity, stable quality, and good heat dissipation efficiency.
Description
薄型のべーパーチャンバー及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a thin vapor chamber and a method for manufacturing the same.
従来、半導体の放熱方法として、半導体のバック面にダイボンド材として高熱伝導ペーストやはんだを用い、コールドプレートやベーパーチャンバー等のヒートコンダクターに導く方法が一般的である。また、半導体のアクティブ面にサーマルビアを形成し、電子回路基板を介して、はんだ付けによりヒートコンダクターに導く方法もある。また近年、スマートフォンを中心にモバイル機器はさらなる小型、薄型が求められている。また、半導体の信号大量伝送、高速化に伴う発熱問題が顕在化しており、様々な半導体の放熱対策が講じられている。 Conventionally, as a heat dissipation method of a semiconductor, a method of using a high heat conductive paste or solder as a die bond material on the back surface of the semiconductor and guiding it to a heat conductor such as a cold plate or a vapor chamber is common. There is also a method of forming a thermal via on the active surface of the semiconductor and soldering it to a heat conductor via an electronic circuit board. In recent years, mobile devices, mainly smartphones, are required to be smaller and thinner. In addition, the problem of heat generation due to mass transmission of semiconductor signals and high speed has become apparent, and various heat dissipation measures for semiconductors have been taken.
スマートフォンに代表されるモバイル機器では、実装の厚さに制限があり、半導体の放熱対策として、グラファイトシートが使用されている。さらに、スマートフォンでの半導体の放熱能力の向上のため、ベーパーチャンバーの導入も検討されている。しかしながら、スマートフォンでは、ケースの厚みが制約されることから、ベーパーチャンバーの厚さは、0.3mm以下が要求され、未だ0.3mm以下のベーパーチャンバーの使用は実現されていない(非特許文献1)。 In mobile devices such as smartphones, there is a limit to the thickness of the mounting, and graphite sheets are used as a heat dissipation measure for semiconductors. Furthermore, in order to improve the heat dissipation capacity of semiconductors in smartphones, the introduction of vapor chambers is also being considered. However, in smartphones, the thickness of the vapor chamber is required to be 0.3 mm or less because the thickness of the case is restricted, and the use of the vapor chamber of 0.3 mm or less has not been realized yet (Non-Patent Document 1). ).
ベーパーチャンバーは、ヒートパイプの原理を用いた平面放熱デバイスで、熱を放散させるヒートスプレターである。ベーパーチャンバーの内部は減圧された閉空間があり、熱を移動させるための作動流体が封入されている。作動流体が熱源によって加熱されると、作動流体は潜熱を吸収して蒸発する。蒸発した蒸気は閉空間内に拡散し、ヒートシンクに接している上部内壁面に到達すると冷却され、潜熱を放出して液体に戻る。ベーパーチャンバーの内壁または閉空間内には、毛細管力を発生させるウイックと呼ばれる構造体が配置されており、液体に戻った作動流体は毛細管現象によって移動する。ウイックは、作動流体を熱源方向に誘導するような形状をしており、熱源に移動した作動流体が再度吸熱を行って蒸発するといったサイクルが繰り返される。これにより、小さな熱源から発生した熱を、広い面積に拡散させることができる。 The vapor chamber is a flat heat dissipation device that uses the principle of heat pipes and is a heat spreader that dissipates heat. The inside of the vapor chamber has a decompressed closed space, and a working fluid for transferring heat is enclosed. When the working fluid is heated by a heat source, the working fluid absorbs latent heat and evaporates. The evaporated vapor diffuses into the closed space, and when it reaches the upper inner wall surface in contact with the heat sink, it is cooled and releases latent heat to return to the liquid. A structure called a wick that generates a capillary force is arranged in the inner wall or the closed space of the vapor chamber, and the working fluid that has returned to the liquid moves by the capillary phenomenon. The wick has a shape that guides the working fluid toward the heat source, and the cycle in which the working fluid that has moved to the heat source absorbs heat again and evaporates is repeated. As a result, the heat generated from a small heat source can be diffused over a wide area.
ベーパーチャンバーは、作動流体を循環させることで放熱を行っているため、ウイックの構造設計は、ベーパーチャンバーの性能を大きく左右する。ベーパーチャンバーに関する先行技術には、次のようなものがある。例えば、特許文献1には、複数の中間板を閉空間内に積層して配置することで毛細管流路を形成したベーパーチャンバーが記載されている。各中間板には、微細な穴が流路として設けられており、作動流体が、毛細管現象によって熱源まで誘導される構造となっている。
Since the vapor chamber dissipates heat by circulating the working fluid, the structural design of the wick greatly affects the performance of the vapor chamber. Prior arts for vapor chambers include: For example,
また、特許文献2には、閉空問内の上下に突起(フィン)を設けたベーパーチャンバーが記載されている。金属板を研削加工することで、金属板とー体化したウイックを形成することができるという特徴がある。
Further,
また、特許文献3には、アルミニウム製の筐体に、溶解した銅の粉未を溶射することでウイックを形成するベーパーチャンバーが記載されている。当該ベーパーチャンバーは、溶射成形によってウイックを形成するため、前述したものと比較すると、微細な構造物を形成する工程を経なくてもよいという特徴がある。
Further,
また、特許文献4には、樹脂材により形成された作動流体を循環させる空間を有する筐体及び筐体に一体成形されたウイックに金属メッキにより金属を被覆したベーパーチャンバーが開示されている。
Further,
また、特許文献5では、作動流体を循環させる空間をエッチングもしくはプレス可能で形成することが記載されている。これらのベーパーチャンバーが有するウイックは、それぞれ構造は異なるが、いずれも作動流体を熱源方向に誘導するように形成されているという点で共通している。 Further, Patent Document 5 describes that a space for circulating a working fluid is formed by etching or pressing. The wicks of these vapor chambers have different structures, but they all have in common that they are formed so as to guide the working fluid toward the heat source.
半導体の高機能化と小型化により、半導体チップの発熱が問題となっており、発熱した半導体のより効率の良い放熱の方法が必要となっている。すなわち、現状は前述のとおり半導体の裏面(アクティブ面の反対面)から熱を逃がす方法が主に用いられている。半導体のバック面に放熱グリース、銀ペーストやはんだといった接合材を介し、ヒートコンダクターやヒートシンクに接続するものが多用されている。しかしながら、上記の方法では、素子からヒートシンクまでの距離や接合材の熱伝導性により伝熱抵抗が高くなるため、より効率の良い放熱機構が求められている。 Due to the sophistication and miniaturization of semiconductors, heat generation of semiconductor chips has become a problem, and there is a need for a more efficient heat dissipation method for the heat-generating semiconductors. That is, at present, as described above, a method of releasing heat from the back surface (opposite surface of the active surface) of the semiconductor is mainly used. The back surface of a semiconductor is often connected to a heat conductor or a heat sink via a bonding material such as thermal paste, silver paste or solder. However, in the above method, the heat transfer resistance increases due to the distance from the element to the heat sink and the thermal conductivity of the bonding material, so that a more efficient heat dissipation mechanism is required.
さらに、現在、半導体の素子材料はシリコンが主体であるが、次世代の半導体素子材料では炭化シリコンが注目されている。炭化シリコンはシリコンに比べ、動作可能温度が高いため、シリコン素材の半導体よりも放熱の効率向上が求められている。また、素子の放熱方法として、効率よく放熱するため、熱源に近い半導体素子のアクティブ面からの放熱も行われている。電子回路板に形成された回路板放熱路を介して、ヒートコンダクターやヒートシンクに接続材料を用いて効率よく放熱するものである。 Further, at present, silicon is mainly used as a semiconductor device material, but silicon carbide is attracting attention as a next-generation semiconductor device material. Since silicon carbide has a higher operating temperature than silicon, it is required to improve heat dissipation efficiency more than semiconductors made of silicon material. Further, as a heat dissipation method of the element, in order to dissipate heat efficiently, heat is also dissipated from the active surface of the semiconductor element close to the heat source. It efficiently dissipates heat by using a connecting material for a heat conductor or a heat sink through a circuit board heat dissipation path formed in an electronic circuit board.
ここで、回路板放熱路とは、電子回路板を通して半導体の熱をベーパーチャンバーに放熱するための、電子回路板に形成されたサーマルビアや金属柱や回路配線といった熱伝導の良い放熱路のことをいう。この回路板放熱路を用いる方法は、素子からヒートシンクまでの距離や接合材の熱伝導性により伝熱抵抗が発生するため、より効率の良い放熱方法が求められている。 Here, the circuit board heat dissipation path is a heat dissipation path having good heat conduction such as thermal vias, metal columns, and circuit wiring formed on the electronic circuit board for radiating the heat of the semiconductor to the vapor chamber through the electronic circuit board. To say. In the method using this circuit board heat dissipation path, heat transfer resistance is generated due to the distance from the element to the heat sink and the thermal conductivity of the bonding material, so that a more efficient heat dissipation method is required.
特に、製品の厚さに制限のあるスマートフォンに代表されるモバイル機器を考えた場合に、上述のとおり放熱効率の課題に加え、薄型化が大きな課題になる。ベーパーチャンバーを使用する放熱は、冷却効率としては優れているが、現在では、スマートフォンに要求される薄型化には至っていない。スマートフォンの内部部品の冷却にベーパーチャンバーを使用するためには、ベーパーチャンバーの薄型化が必要である。実際には、発熱部品(例えばアプリケーションプロセッサーやパワー素子)、電子回路板及びベーパーチャンバーが実装されたスマートフォンとしてのトータル厚みを薄くする必要がある。現在は、ベーパーチャンバーと電子回路板は別々に作成し、張り合わせるため、薄型化にも限界がある。 In particular, when considering a mobile device represented by a smartphone whose product thickness is limited, in addition to the problem of heat dissipation efficiency as described above, thinning is a major problem. Although heat dissipation using a vapor chamber is excellent in cooling efficiency, it has not yet reached the thinness required for smartphones at present. In order to use the vapor chamber for cooling the internal parts of the smartphone, it is necessary to make the vapor chamber thinner. In reality, it is necessary to reduce the total thickness of a smartphone on which heat-generating components (for example, application processors and power elements), electronic circuit boards, and vapor chambers are mounted. Currently, the vapor chamber and the electronic circuit board are made separately and bonded together, so there is a limit to how thin they can be.
また、ベーパーチャンバーと電子回路板を別々に作製することにより、発熱部品から熱を効率よく逃がすサーマルビア等の回路板放熱路の形成は困難である。回路板放熱路は、発熱体の熱を発熱体の電極、電子回路板を通じてベーパーチャンバーに熱を導くもので、熱抵抗を小さくする必要がある。例えば、回路板放熱路がサーマルビアの場合、伝熱抵抗は、サーマルビアの金属の熱伝導率、断面積、距離に影響されるが、電子回路板とベーパーチャンバーとを接続する材料の熱伝導も放熱効率を決定する大きな要因となる。電子回路板とベーパーチャンバーの間に接着剤等の有機物が介在すると伝熱抵抗は大きくなり、高熱伝導の接着剤でも伝熱抵抗の増加は無視できない。 Further, by manufacturing the vapor chamber and the electronic circuit board separately, it is difficult to form a circuit board heat dissipation path such as a thermal via that efficiently dissipates heat from heat generating parts. The circuit board heat dissipation path guides the heat of the heating element to the vapor chamber through the electrodes of the heating element and the electronic circuit board, and it is necessary to reduce the thermal resistance. For example, when the heat transfer path of the circuit board is a thermal via, the heat transfer resistance is affected by the thermal conductivity, cross-sectional area, and distance of the metal of the thermal via, but the thermal conductivity of the material connecting the electronic circuit board and the vapor chamber. Is also a major factor in determining heat dissipation efficiency. If an organic substance such as an adhesive intervenes between the electronic circuit board and the vapor chamber, the heat transfer resistance increases, and even with a high heat conduction adhesive, the increase in heat transfer resistance cannot be ignored.
また、ベーパーチャンバーの閉空間とウイックの作製は上述のとおり、空間を作成した後、別の工法でウイックを形成する。ウイックの形成工程は複雑である。また、発熱部品、電子回路板及びベーパーチャンバーは一般的に個片ごとに作成されるため、実装における生産性が低い。現状、電子回路板のサーマルビアとベーパーチャンバーは接合材で接合されるため、接合材の伝熱抵抗が大きいこと、電子回路板とべーパーチャンバーを合わせた厚さが厚くなること、及びはんだ等の加熱による加工が難しいことが課題となっている。ベーパーチャンバーは熱伝導が良いため、熱の放散が良く、はんだ付けの際にはんだ等の冷却が早いため、はんだ等による接合加工は容易でない。また、ベーパーチャンバーを製造するにあたり、薄型化が可能で、寸法精度よく、効率よく製造できる加工方法が望まれている。 As for the closed space of the vapor chamber and the production of the wick, as described above, after the space is created, the wick is formed by another method. The process of forming a wick is complicated. Further, since the heat generating parts, the electronic circuit board, and the vapor chamber are generally manufactured for each piece, the productivity in mounting is low. At present, since the thermal via of the electronic circuit board and the vapor chamber are joined by the joining material, the heat transfer resistance of the joining material is large, the combined thickness of the electronic circuit board and the vapor chamber becomes thick, and the heating of solder etc. The problem is that it is difficult to process with solder. Since the vapor chamber has good heat conduction, heat is well dissipated, and the solder or the like cools quickly during soldering, so that the joining process by the solder or the like is not easy. Further, in manufacturing a vapor chamber, there is a demand for a processing method that can be made thinner, has dimensional accuracy, and can be manufactured efficiently.
本願発明に係るベーパーチャンバーは、金属からなる第1の部材と、当該第1の部材と作動流体が封入される密閉空間を形成する金属からなる第2の部材とを備えるベーパーチャンバーであって、前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材はエッチングにより形成された凹部を有し、当該凹部の前記エッチングにより形成される面が微細な粗化面を有することを特徴とする。 The vapor chamber according to the present invention is a vapor chamber including a first member made of metal and a second member made of metal forming a closed space in which the first member and a working fluid are enclosed. The first member, the second member, or the first member and the second member have recesses formed by etching, and the surface formed by the etching of the recess has a fine roughened surface. It is characterized by having.
また、本願発明に係るベーパーチャンバーにおいて、前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材は前記密閉空間を形成する面の反対側の面に電子回路板を有すると好適である。 Further, in the vapor chamber according to the present invention, the first member, the second member, or the first member and the second member have an electronic circuit board on the surface opposite to the surface forming the sealed space. It is preferable to have it.
また、本願発明に係るベーパーチャンバーにおいて、前記電子回路板は回路板放熱路を有すると好適である。 Further, in the vapor chamber according to the present invention, it is preferable that the electronic circuit board has a circuit board heat dissipation path.
また、本願発明に係るベーパーチャンバーにおいて、前記回路板放熱路は、前記電子回路板の断面方向に形成されるビアホールの内部に金属が充填されていると好適である。 Further, in the vapor chamber according to the present invention, it is preferable that the circuit plate heat dissipation path is filled with metal in the via hole formed in the cross-sectional direction of the electronic circuit plate.
また、本願発明に係るベーパーチャンバーにおいて、前記回路板放熱路の少なくとも1つが前記電子回路板に接続される電子部品に接触していると好適である。 Further, in the vapor chamber according to the present invention, it is preferable that at least one of the circuit board heat dissipation paths is in contact with an electronic component connected to the electronic circuit board.
また、本願発明に係るベーパーチャンバーにおいて、前記エッチングされる面の前記エッチングされる層の下側にエッチングストップ層を有すると好適である。 Further, in the vapor chamber according to the present invention, it is preferable to have an etching stop layer under the etched layer on the etched surface.
また、本願発明に係るベーパーチャンバーにおいて、前記エッチングストップ層の一部に前記エッチングストップ層を設けず、前記エッチングにより前記エッチングストップ層が設けられない部分に前記エッチングにより形成される面が微細な粗化面を有すると好適である。 Further, in the vapor chamber according to the present invention, the etching stop layer is not provided in a part of the etching stop layer, and the surface formed by the etching is finely rough in the portion where the etching stop layer is not provided by the etching. It is preferable to have an etching surface.
本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法は、金属からなる第1の部材と、金属からなる第2の部材とを接合することにより作動流体が封入される密閉空間を形成するベーパーチャンバーの製造方法であって、前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材をエッチングすることにより密閉空間を形成する凹部を形成し、当該凹部の面を微細な粗化面とすることを特徴とする。 The method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention is a method for manufacturing a vapor chamber that forms a closed space in which a working fluid is sealed by joining a first member made of metal and a second member made of metal. Therefore, a recess is formed by etching the first member, the second member, or the first member and the second member to form a closed space, and the surface of the recess is a finely roughened surface. It is characterized by the fact that.
また、本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法において、前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材は前記密閉空間を形成する面の反対側の面に電子回路板を設けると好適である。 Further, in the method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention, the first member, the second member, or the first member and the second member have electrons on the surface opposite to the surface forming the enclosed space. It is preferable to provide a circuit board.
また、本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法において、前記電子回路に回路板放熱路を設けると好適である。 Further, in the method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention, it is preferable to provide a circuit plate heat dissipation path in the electronic circuit.
また、本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法において、前記回路板放熱路は、前記電子回路板の断面方向にビアホールを形成し、当該ビアホールの内部に金属を充填することにより設けると好適である。 Further, in the method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention, it is preferable that the circuit plate heat dissipation path is provided by forming a via hole in the cross-sectional direction of the electronic circuit plate and filling the inside of the via hole with metal.
また、本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法において、前記回路板放熱路の少なくとも1つを前記電子回路板に接続される電子部品に接触させると好適である。 Further, in the method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention, it is preferable to bring at least one of the circuit board heat dissipation paths into contact with an electronic component connected to the electronic circuit board.
また、本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法において、前記エッチングされる面の前記エッチングされる層の下側にエッチングストップ層を設けると好適である。 Further, in the method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention, it is preferable to provide an etching stop layer under the etched layer on the etched surface.
また、本発明に係るベーパーチャンバーの製造方法において、前記エッチングストップ層の一部に前記エッチングストップ層を設けず、前記エッチングストップ層に接する層を前記エッチングにより除去し、前記エッチングストップ層に開口を設け、開口面に前記エッチングにより微細な粗化面を形成すると好適である。 Further, in the method for manufacturing a vapor chamber according to the present invention, the etching stop layer is not provided in a part of the etching stop layer, the layer in contact with the etching stop layer is removed by the etching, and an opening is provided in the etching stop layer. It is preferable to provide and form a fine roughened surface on the opening surface by the etching.
本発明により、発熱する電子部品が実装された電子回路板を効率的に放熱させるベーパーチャンバーを提供することができる。また、本発明のベーパーチャンバーの製造方法は、薄型化が可能で、寸法精度よく、効率よくベーパーチャンバーを製造することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a vapor chamber that efficiently dissipates heat from an electronic circuit board on which an electronic component that generates heat is mounted. Further, the method for manufacturing a vapor chamber of the present invention can be made thinner, and can efficiently manufacture a vapor chamber with high dimensional accuracy.
本発明により得られるベーパーチャンバーは、空隙の限られた機器内での放熱が可能であるため、スマートフォンに代表されるモバイル機器をはじめ、LED使用機器、高周波機器、IGBTやMOSFETの様な発熱部品を有する機器の放熱に利用される。 Since the vapor chamber obtained by the present invention can dissipate heat in a device having a limited space, it includes mobile devices such as smartphones, LED devices, high frequency devices, and heat generating components such as IGBTs and MOSFETs. It is used to dissipate heat from equipment that has.
本発明は、電子回路板に実装される半導体のような発熱を伴う電子部品に発生する熱を速やかに放熱させるベーパーチャンバー及び当該ベーパーチャンバーの製造方法に関する。 The present invention relates to a vapor chamber that rapidly dissipates heat generated in an electronic component that generates heat, such as a semiconductor mounted on an electronic circuit board, and a method for manufacturing the vapor chamber.
本発明のベーパーチャンバーは、ベーパーチャンバー内の作動流体の気化、液化を迅速に行うためにベーパーチャンバーの密閉空間を形成する面を粗面化することを特徴とする。このことにより、本発明に係るベーパーチャンバーは吸放熱を効率的に行うことができる。また、本発明は、電子部品の放熱を阻害するのは、電子部品とベーパーチャンバーに介在する電子回路板や接合材であり、電子部品とベーパーチャンバーに回路板放熱路を形成し、電子部品とバーパーチャンバー間を伝熱性の良好な材料により直接熱伝導させることを特徴とする。 The vapor chamber of the present invention is characterized in that the surface forming the closed space of the vapor chamber is roughened in order to rapidly vaporize and liquefy the working fluid in the vapor chamber. As a result, the vapor chamber according to the present invention can efficiently absorb and dissipate heat. Further, in the present invention, it is the electronic circuit board and the bonding material that are interposed between the electronic component and the vapor chamber that hinder the heat dissipation of the electronic component. It is characterized in that heat is directly conducted between the barper chambers by a material having good heat transfer properties.
回路板放熱路とは、電子回路板を通して電子部品の熱をベーパーチャンバーに放熱するための、電子回路板に形成されたサーマルビアや金属柱や回路配線といった熱伝導の良い熱経路のことをいう。 The circuit board heat dissipation path is a heat path with good heat conduction such as thermal vias, metal columns, and circuit wiring formed on the electronic circuit board to dissipate the heat of electronic components to the vapor chamber through the electronic circuit board. ..
さらに、本発明は、電子回路板の回路板放熱路からベーパーチャンバーへの伝熱抵抗を低減しつつ、電子回路板とベーパーチャンバーを合わせた厚さを薄くするものである。また、半導体のグラウンドを回路板放熱路に接続することにより、ベーパーチャンバーの筐体(コンテナ)をグランドとして使用できるため、電子回路板の機能の安定化にも寄与することができる。 Further, the present invention reduces the combined thickness of the electronic circuit board and the vapor chamber while reducing the heat transfer resistance from the circuit board heat dissipation path of the electronic circuit board to the vapor chamber. Further, by connecting the semiconductor ground to the heat dissipation path of the circuit board, the housing (container) of the vapor chamber can be used as the ground, which can contribute to the stabilization of the function of the electronic circuit board.
以下、本発明が適応された電子回路板と一体となった薄型ベーパーチャンバー及びその製造方法について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, a thin vapor chamber integrated with an electronic circuit board to which the present invention is applied and a method for manufacturing the same will be described with reference to the drawings.
図1は本発明の実施形態1に係るベーパーチャンバー1の密閉空間3を形成する面の反対側に電子回路板2を有するベーパーチャンバー1の断面構造図であって、図(A)は、ベーパーチャンバー1のエッチングにより凹部を有する金属からなる第1の部材4の密閉空間3を形成する面の反対側の全面に電子回路板2を有する状態を、図(B)はベーパーチャンバー1の第1の部材の密閉空間3を形成する面の反対側の一部に電子回路板2aを有する状態を示す。また、図1(A)および図1(B)には電子部品である半導体等の発熱部品と電気的接続するための電極11が設けてある。図1(A)は、フリップチップ実装の場合の、断面構造図例で、ベーパーチャンバー1と電子回路板2は一体となっている。ベーパーチャンバー1と電子回路板2が一体となっているため、第1の部材4を構成する金属と回路板放熱路8である金属が充填されたビアホールにより、ベーパーチャンバー1と電子部品が接合層を介さず直接金属により接合している。すなわち、電子回路板2の回路板放熱路8の一つであるサーマルビアと第一の部材4が金属により接合されることにより、電子回路板2の回路放熱路8とベーパーチャンバー1は一体となり、本発明の電子回路板2を有するベーパーチャンバー1となる。すなわち、回路放熱路8を形成する金属は直接電子部品19及びベーパーチャンバー1と接触することができる。
FIG. 1 is a cross-sectional structural view of a
第1の部材4は第2の部材17と接合材16により接合され、ベーパーチャンバー1 が形成される。
The
電子回路板2の回路板放熱路8の一方はベーパーチャンバー1と一体となっており、回路板放熱路8を有する電子回路板2には、電子部品と接続するための電極11が形成されている。図1に示すように、発熱する電子部品(例えばアプリケーションプロセッサー)等の実装部品、電子回路板2及びベーパーチャンバー1が積層された実装形態のトータル厚みを薄くするために、電子回路板2とベーパーチャンバー1を一体で形成することで、ベーパーチャンバー1を備える電子回路板2を薄型化することができる。また、電子回路板2とベーパーチャンバー1の一体化により、発熱する電子部品から熱を効率よくベーパーチャンバーに逃がすサーマルビアやヒートコンダクター等の回路板放熱路8の形成を可能にするものである。
One of the circuit board
ここで、回路板放熱路8とは、前述の通り、電子回路板2を通して電子部品の熱をベーパーチャンバー1に放熱するための、電子回路板2に形成されたサーマルビアや金属柱や回路配線といった熱伝導の良い熱経路のことをいう。電子回路板2の回路板放熱路8とベーパーチャンバー1が接続材料を用いず直接接合されるため、電子回路板2とベーパーチャンバー1をあわせた厚さを薄くすることができる。
Here, as described above, the circuit board
本発明の実施形態に係るベーパーチャンバー1の製造方法を図2用いて説明する。図2は、本発明の密閉空間3を形成するための凹部を形成するエッチングを行う前の金属部材12に電子回路板2を形成する方法を示す。電子回路板2は、絶縁材13、外層配線導体10、層間接続のためのビアホール9、電極11、ソルダーマスク7等一般の電子回路板と同様の構造と、回路板放熱路8からなる。
The method for manufacturing the
電子回路板2は一般に半導体実装に用いられている材料、工法を用いて形成される。すなわち、リジッド配線板の製造において用いられる材料、例えばCCL、プリプレグ、銅箔、絶縁フィルムや、フレキシブル配線板の製造において用いられる材料、例えばポリイミドやLCPといった耐熱フィルムと銅箔を用いることができる。また、工法は、サブトラクティブ工法、セミアディティブ工法、ビルドアップ工法、コアレス工法等電子回路板の製造工法を用いることができる。
The
電子回路板2は、図2に示すように、金属部材12の一方の面に順次形成することも可能であるが、途中工程まで形成された電子回路板を、接着剤を用いて金属部材12に張り付けてもよい。途中工程の電子回路板を形成し、接着剤を用いて金属部材12に張り付ける場合は、途中工程の電子回路板を金属部材12に張り付けたのち、途中工程の電子回路板の断面方向に金属部材12に到達するビアホールを形成させ、めっき等を行うことにより、ビアホールの内部に金属を充填することにより、回路板放熱路8を形成する。
As shown in FIG. 2, the
金属部材12の一方の面に電子回路板2を形成した後、電子回路板2を形成した金属部材12をエッチングにより凹部を形成して第1の部材とすることができる。また、金属部材12をエッチングし、凹部を形成したのち、密閉空間3を形成する凹部が形成される反対面に電子回路板2を設けても構わない。
After forming the
金属部材12に回路板放熱路8を形成する以降に、回路板放熱路8を含む電子回路板2の形成を完了させる。以下、実際に実施できる方法を具体的に例示しながら説明する。
After forming the circuit plate
図2(C)は金属部材12である。金属部材12は、エッチングにより凹部を形成して密閉空間3を有する第1の部材4となるが、厚さ200μmの銅板とすることが可能である。金属部材12は、使用する温度で熱伝導性が10W/m2・K以上の金属が使用可能であり、銅、銅モリブデン合金、アルミニウムが好適であるが、めっきやエッチングといった加工性と伝導率の観点から、銅がさらに好適である。金属部材12の厚さは、9μmから10000μmが適しており、50μmから500μmが好適である。9μm未満であると、形成されるベーパーチャンバー1の密閉空間3の容積が小さくなり、作動流体を密閉空間3に封入する流路の確保が困難で、10000μmを超えるとベーパーチャンバーの形成時エッチングの効率が悪く生産性が著しく低下する。さらに加工性を考慮すると、50μmから500μmが好適である。FIG. 2C is a
金属部材12は銅板を用いることが可能であるが、銅板は例えば、福田金属箔粉工業株式会社の圧延銅箔が使用できるが、本発明ではそれに限定されない。
A copper plate can be used for the
図2(D)は金属部材12に絶縁材13と金属箔14を貼り合わせた図である。絶縁材13として、例えば、日立化成GEA−679の厚さ40μmを用いることでが可能である。絶縁材13は、電気抵抗率が10の10乗Ωm以上であって、接着剤として機能すれば使用が可能であり、他の例として、ガラス布基材エポキシ樹脂含侵のプリプレグ、ガラス布基材ポリイミド樹脂含侵のプリプレグ、味の素ファインテクノABFシリーズ等の層間絶縁材料、株式会社カネカのアピカル等のポリイミドフィルムを用いることができる。絶縁材13と金属箔14の接着性を向上させるため、絶縁材13と金属箔14の間に接着剤を介してもよい。絶縁材13の厚さは3μmから200μmが好ましい。3μm未満では層間絶縁性が低下し回路の故障が起こる。200μmを超えると、電子部品である半導体からベーパーチャンバー1への伝熱抵抗が大きくなる。
FIG. 2D is a diagram in which the insulating
金属箔14として、三井金属鉱業株式会社の銅箔で厚さ12μmを用いることが可能である。金属箔14とは膜状の金属を言う。金属箔14は電子回路板に常用される銅箔や金属箔を用いることができ、電解銅箔、圧延銅箔、キャリア付き銅箔、樹脂付き銅箔、アルミニウム箔が例示できる。
As the
金属部材12に絶縁材13を貼り合わせる場合、必要に応じて金属部材12の表面を前処理により清浄化する。金属部材12が銅の場合、前処理は、酸処理やマイクロエッチング剤による化学研磨、バフ、ブラシ又はスクラブといった物理研磨を用いることができ、研磨の後には水洗、乾燥を行う。これらの処理は電子回路板製造で通常行われている処理である。また、上記の表面清浄のため前処理を行うことができるが、これ以降は前処理の記載を省略する。貼り合わせは、真空成型プレス機にて、金属部材12、絶縁材13及び銅箔14を重ねて、熱及び圧力を加えながら、絶縁材13が含む樹脂が硬化する十分な条件で行われる。真空成型プレス機ではなく、加熱ロールにより熱及び圧力を加えながら、貼り合わせすることも可能である。
When the insulating
図2(E)は金属箔14および絶縁材13の断面方向に、金属部材12に到達するビアホールを形成し、形成されるビアホールの内部に金属を充填し、回路放熱路8と電子回路板12の形成を行った図である。ビアホールを設けるには、ビアメカニクス株式会社製レーザー穴あけ機により金属部材12まで達するビアを開口させる。形成されるビアホールの内部に金属を充填するには、株式会社ケミトロン社製縦型めっき装置で銅めっきにより、回路板放熱路8となるビアホールに銅を充填する。形成される回路板放熱路8により、金属部材12の銅板と回路放熱路8は銅により結合される。すなわち、電子回路板2の回路放熱路8と金属部材12が金属により結合することにより、電子回路板2の回路放熱路8と金属部材12により形成されるベーパーチャンバー1は一体として形成できる。金属放熱路8に充填される金属とベーパーチャンバー1は接触することとなる。
In FIG. 2E, a via hole reaching the
金属箔14および絶縁材13の断面方向に金属部材12に到達するビアホールを形成し、形成されるビアホールの内部に金属を充填する工程は、レーザードリルによる孔開け、過マンガン酸による孔内クリーニング、孔の内面への触媒層の形成、無電解めっき、電気めっき、の順となる。これらの工程、及び工程に使用される装置及び材料は、通常の電子回路板の製造に用いられているものである。
The steps of forming a via hole reaching the
ビアホールの形状は円形、方形、多角形、楕円形等、どのような形状でも構わない。ビアホールの断面方向の面積は0.02mm2〜400mm2が好ましく、さらに0.05mm2〜50mm2が好ましい。面積が0.02mm2より小さいと放熱効果が小さく、またビアホールへのメッキの充填も困難になる。面積が400mm2より大きいとはんだ接合の際、回路接続用のバンプとの熱容量のバランスが悪く安定したはんだ付けができない。また、ビアホールの断面積の合計が、電子部品の発熱面積の1/20〜4/5が好ましく、さらには1/10〜1/2であることが好ましい。1/20未満では放熱速度が遅いため、電子部品の温度が上昇する。4/5を超える場合は、回路接続用のバンプのための領域を確保できなくなる。The shape of the via hole may be any shape such as a circle, a square, a polygon, and an ellipse. The cross-sectional direction of the area of the via hole is preferably 0.02mm 2 ~400mm 2, further 0.05mm 2 ~50mm 2 is preferred. If the area is smaller than 0.02 mm2, the heat dissipation effect is small, and it becomes difficult to fill the via holes with plating. If the area is larger than 400 mm 2 , the heat capacity is not well balanced with the bumps for circuit connection during soldering, and stable soldering cannot be performed. Further, the total cross-sectional area of the via hole is preferably 1/20 to 4/5, more preferably 1/10 to 1/2 of the heat generation area of the electronic component. If it is less than 1/20, the heat dissipation rate is slow, so the temperature of the electronic component rises. If it exceeds 4/5, the area for bumps for circuit connection cannot be secured.
金属箔14はエッチングにより配線回路が形成され、図2(E)に示すように外層配線導体10が形成される。
A wiring circuit is formed in the
配線回路形成は、めっきレジスト形成、露光、現像、電気めっき、めっきレジスト剥離、シード層除去により行われる。 The wiring circuit is formed by plating resist formation, exposure, development, electroplating, plating resist peeling, and seed layer removal.
図2(F)に示すように、図2(E)の絶縁材13の面に形成された外装配線導体10にさらに絶縁材13及び金属箔14を重ね、2層及び3層或いはそれ以上の多層に配線層を重ねても構わない。
As shown in FIG. 2 (F), the insulating
図2(G)は、金属部材12に形成された電子回路板2にソルダーマスク7を形成した図である。
FIG. 2 (G) is a diagram in which a
図3は、電子回路板2が形成された金属部材12により、ベーパーチャンバー1を形成する実施の形態1の製造方法である。
FIG. 3 is a manufacturing method of the first embodiment in which the
図3(H)は、電子回路板2が形成された金属部材12の電子回路板2が形成された反対側の面にエッチングマスク(エッチングレジストともいう)15を形成した図である。エッチングマスク15として、日立化成工業のフォテック膜厚40マイクロンメートルが使用できる。ベーパーチャンバーチャンバー1の密閉空間3に作動流体を封じ込める壁となる周囲の部分と作動流体の通る通路の部分はエッチングにより形成される。まず、エッチングマスク15を形成する金属部材12の面に前処理を行う。前処理は、酸処理、スクラブ整面バフ研磨、ソフトエッチング、ブラシ整面の単独もしくは組み合わせが一般的であるが、金属部材12の表面が清浄になれば、それにこだわらない。例えば、東京化工機株式会社の前処理機が使用できる。前処理を行った後、金属部材12の面にエッチングマスク15を形成する。
FIG. 3H is a diagram in which an etching mask (also referred to as an etching resist) 15 is formed on the surface of the
エッチングマスク15の形成方法は、写真法と印刷法が一般的である。写真法は、ドライフィルムを金属部材12にドライフィルムラミネーターで熱圧着感光成膜を形成する方法、ローラー等により感光膜を塗布する方法等により金属部材12の面に感光層を形成した後、感光層に保護フィルムを貼り合わせ、露光マスクを介して露光を行い、保護フィルムを剥離したのち、現像、エッチング、ドライフィルム剥離の順で行うものである。材料と装置は、例えば、ドライフィルムは、日立化成工業のフォテックシリーズが使用でき、ドライフィルムラミネーターは株式会社日立プラントメカニクス製、露光機は株式会社オーク製作所の手動露光機、現像、エッチング、ドライフィルム剥離は株式会社ケミトロンの装置が使用できるが、これらは例示でこれらに限定されない。また、エッチング液は例えば、塩化第二鉄溶液、メック株式会社EXEシリーズ、株式会社JCUのHE−500を例示できるが、これらは例示でこれらに限定されない。また、写真法は、露光マスクを使用するため、複雑な形状も形成でき、作動流体を封じ込める壁となる周囲の部分と作動流体の通る通路の部分に複雑な凹凸形状を形成できることから、ウイックを形成し易い。
As a method for forming the
印刷法は、前処理の後、シルクスクリーン法が一般的で、エッチングインクをスクリーン印刷機とスクリーンマスクを用いて金属部材12の面に印刷し、硬化し、エッチングマスク15を形成するものである。現像、エッチング、剥離は写真法と同様の方法で行うことができる。
The printing method is generally a silk screen method after pretreatment, in which etching ink is printed on the surface of the
図3(I)は、金属部材12をエッチングし密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4を形成した図である。上述のエッチング方法により、金属部材12をエッチングすることにより、密閉空間3の一部を形成できる。さらに、MEC社エッチボンドCZで当該エッチング面を粗化処理してウイックを形成する。エッチング系の粗化処理液を使いることで、第1の部材4の密閉空間3の壁となるエッチングにより形成される凹部の表面に微細な粗化面を形成でき、簡便に密閉空間3を形成する面にウイックを形成できる。前記エッチングの際は、電子回路板2は保護膜等でエッチングされない様必要に応じて、処理を行う。
FIG. 3 (I) is a diagram in which a
粗面化表面の表面粗さは、平均粗さ0.2μm〜5μm、最大粗さは20μm以下であることが好ましく、さらには平均粗さ0.5μm〜3.0μm、最大粗さは8μm以下であることが好ましい。平均粗さ0.2μmより小さく、最大粗さは0.3μm小さい場合は、良好なウイックが形成できず熱伝導能力が劣りバーパーチャンバー1の機能が著しく劣る。平均粗さ5μmより大きく、最大粗さは20μmより大きい場合は、ベーパーチャンバー1の底部の金属の強度が低下し液漏れ等の不良の原因になる。
The surface roughness of the roughened surface is preferably 0.2 μm to 5 μm on average, and the maximum roughness is preferably 20 μm or less, and further, the average roughness is 0.5 μm to 3.0 μm and the maximum roughness is 8 μm or less. Is preferable. When the average roughness is smaller than 0.2 μm and the maximum roughness is smaller than 0.3 μm, a good wick cannot be formed, the heat conduction capacity is poor, and the function of the
密閉空間3の壁となるエッチングにより形成される凹部の表面に微細な粗化面を形成することにより、ベーパーチャンバー1内に封入される作動流体が密閉空間3を形成する壁の面積が大きくなる。結果として作動流体の吸熱及び放熱の効率を高めることができる。バーパーチャンバー1を形成する密閉空間3となるの凹部を有する第1の部材4又は第2の部材17にエッチングにより形成される凹部を微細な粗化面とすることにより、密閉空間3の表面積を大きくし、作動流体の吸熱及び放熱の効率を高めることができる。
By forming a fine roughened surface on the surface of the recess formed by etching which becomes the wall of the
図3(J)は、エッチングマスク15を除去した図である。エッチングマスク15の除去は水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ溶液もしくは有機溶剤により行う。
FIG. 3J is a diagram in which the
図3(K)は、エッチングにより金属部材12に凹部を形成した第1の部材4に接合材16を形成した図である。接合材16の形成は、ディスペンサーによりはんだペーストを塗布することにより行うことができる。印刷法やはんだフローにより接合材16を形成することも可能である。接合材16としては、はんだペーストやはんだめっき等のはんだを使用することが一般的であるが、エポキシ等の耐熱性を有する接着剤でも使用が可能である。
FIG. 3K is a diagram in which the
図3(L)は、接合材16を介して密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4と第2の部材17を接合し、密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4の密閉空間3を形成する面の反対側に有する電子回路板2が一体化されたベーパーチャンバー1が形成された図である。密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4と第2の部材17の接合は、接合材16を介して行われるが、接合材16による接着は、リフロー装置やレーザー加熱装置やボックスオーブンが使用できる。接合材16は、熱伝導性が良好で、ベーパーチャンバー1の作動時の内圧で破壊されないものであれば、どのようなものでも使用可能であり、はんだ又は有機系接着剤が例示できる。はんだは、一般的に用いられるSnAgCu系やSnPb等が使用できるが、低温はんだや高温はんだも使用できる。はんだ付けの方法は、手付によるもの、はんだペーストを用いてメタルマスク印刷し、リフロー炉やレーザー光による加熱によるもの、フローソルダーによるものが例示できる。接合工程において、必要に応じて治具やロボットを使って第1の部材4と第2の部材17を密着固定することも行われる。
FIG. 3 (L) shows the
接合材16により、密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4と第2の部材17が接合され、密閉空間3が形成される。上述のとおり、接合材16は、密閉空間3を形成し、さらにベーパーチャンバーの動作時の内圧で破裂しない十分な強度が必要である。
The joining
図4は、本発明の電子回路板2を有するベーパーチャンバー1に、熱源である電子部品19を実装した例である。電子部品19は、ベアチップ、BGA、CSP、WLP等と同一面に電極を持つ半導体素子又は半導体パッケージである。
FIG. 4 shows an example in which an
図4(M)は、電子部品19をフリップチップ実装した図で、半導体ベアチップの外部電極と電子回路板2の電極11は、はんだ18で接合されている。電子回路板2の電極11の一部には、回路板放熱路8の一つであるサーマルビアが形成されている。電子回路板2の電極11から回路板放熱路8を経てベーパーチャンバー1への熱経路は、接続材を介さず、金属で一体となるように接続されている。電子部品19のグランドを回路板放熱路8の形成された電子回路板2の電極11に接続することにより、電気的にベーパーチャンバー1と同電位になるため、ベーパーチャンバー1を形成する金属からなる密閉空間3となる凹部を有する第1の部材及び第2の部材はグランドとして使用できるため、グランドの安定に寄与することができる。
FIG. 4M is a view in which the
図4(N)は、電子部品であるCSP(Chip Scale Package)19aとワイヤーボンドにより電極11と接続された半導体ベアチップ19bを電子回路板2に実装した図である。半導体ベアチップ19bの外部電極と電子回路板2の電極11はアルミニウムワイヤーで接合されている。ワイヤーは、金線、銅線も使用される。CSP19aと半導体ベアチップ19bは、ともに回路板放熱路8と接続されている。回路板放熱路8は比較的大きな貫通孔により形成される金属柱状の回路板放熱路23により形成され、電子部品19a及び19bがベーパーチャンバー1と接続されている。
FIG. 4N is a diagram in which a CSP (Chip Scale Package) 19a, which is an electronic component, and a semiconductor
本発明の実施形態2に係るベーパーチャンバー1の製造方法を図5及び図6を用いて説明する。
The method for manufacturing the
図5は本発明のベーパーチャンバー1を構成する電子回路板2の製造方法であり、金属部材12aに凹部を形成して密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4を得る製造方法を示す。図5(O)は、エッチングストップ層21を有する金属部材12aを示し、金属部材12aは、金属層29及び金属層30の間にエッチングストップ層21を有する。金属層29及び金属層30は銅であり、エッチングストップ層21をニッケルとすることができる。金属部材12aは、金属層29の一方の面にエッチングストップ層21をメッキ又は蒸着により形成し、さらにエッチングストップ層21に金属層30をメッキ、スパッタリング又は蒸着により形成することにより得られる。
FIG. 5 is a manufacturing method of the
金属層29はエッチング液によるエッチングにより凹部が形成される。エッチングによりエッチングマスク15が形成されない金属層29はエッチングストップ層21まで溶出される。すなわち、エッチング液により溶出されないエッチングストップ膜21により、溶出が止まるため、金属部材12aがエッチングストップ層21の溶出面の反対側に有する金属層30は溶出されずに残すことができる。
A recess is formed in the
金属層29を溶出させた後、露出したエッチングストップ層21にエッチングマスクを形成し、エッチング液を選択することによりエッチングストップ層21の表面をエッチングすることができる。
After elution of the
金属層29及び金属層30はベーパーチャンバー1が使用される温度で、熱伝導率が10W/m2・K以上の金属が使用可能である。金属層29及び金属層30の材料としては、銅、銅モリブデン合金、アルミニウムが好適であるが、めっきやエッチングといった加工に対する適性と熱伝導率の観点から銅がさらに好適である。金属層29および金属層30が銅もしくは銅モリブデン合金の場合、エッチングストップ層21は、ニッケル、アルミニウム、錫が好適である。金属層29および金属層30がアルミニウムの場合、エッチングストップ層21は、銅、ニッケル、錫が好適である。As the
エッチングストップ層21の厚さは、0.1μm〜5μmが好ましく、さらに0.5μm〜2μmが好ましい。0.1μmより薄いと、ピンホール等で十分なエッチングストップの機能をしない。また、5μmを超えると、エッチングストップ層21の除去が容易でない。
The thickness of the
図5(P)は、金属層29、エッチングストップ層21及び金属層30を有する金属部材12aにエッチングマスク15を形成した図である。エッチングマスク15は、エッチングする必要のない金属層30には、全面に形成される。本発明の図3(H)と同様の方法で、エッチングマスク15を形成することができる。
FIG. 5P is a diagram in which an
図5(Q)は、エッチングマスク15を形成した金属層29、エッチングストップ層21及び金属層30を有する金属部材12aをエッチングした図である。金属層29および金属層30が銅で、エッチングストップ層21がニッケルの場合、金属層29のエッチング液はアルカリエッチング液を用いると所望の処理ができる。ニッケルはアルカリエッチング液に侵されないので、ニッケルからなるエッチングストップ層21はエッチングストップ層として機能する。アルカリエッチング液は塩化鉄エッチング液や塩化銅エッチング液よりもエッチング効率が劣る。そのため、はじめに塩化鉄エッチング液や塩化銅エッチング液でエッチングを行い、途中でアルカリエッチング液に切り替えるエッチング方法も可能である。
FIG. 5 (Q) is a diagram in which a
金属層29を溶出させ、露出したエッチングストップ層21を粗面化するためには、エッチングストップ層21をエッチングしなければならない。ニッケルからなるエッチングストップ層21は硫酸によりエッチングすることができる。硫酸に浸漬することにより、ニッケル膜を溶出することができる。硫酸はニッケルを溶解するが、銅は硫酸に不溶であるため。上述の処理が可能である。さらに、MEC社エッチボンドCZ等の粗化処理液で、エッチングストップ層21の面を粗化処理してウイックを形成することができる。エッチング系の粗化処理液を使いることで、エッチングストップ層21を有する金属部材12の金属層29を溶出させた後に露出するエッチングストップ層21の面を簡便に粗化面とし、ウイックを形成できる。粗化面の形成は、粗化めっきを用いることも可能である。
In order to elute the
図5(R)はエッチングマスクを除去し、形成された第1の部材4を示す。
FIG. 5 (R) shows the
本発明の実施形態3に係るベーパーチャンバー1の製造方法を図6に示す。
FIG. 6 shows a method for manufacturing the
図6(S)は、金属層29a、開口22を有するエッチングストップ層21a及び金属層30aを有する金属部材12bの断面構造図である。エッチングストップ層21aは部分的に開口22があり、開口22にエッチング液が30aに到達した場合、開口22からエッチングが進み、エッチング液が侵入する金属層30aの開口22の面をエッチングにより凹部24とすることができる。さらに、凹部24と粗面化処理と組み合わせて、良好なウイックを形成することができる。
FIG. 6S is a cross-sectional structural view of a
金属部材12bは、金属層29aの一方の面にメッキ又は蒸着によりエッチングストップ層21aを形成し、エッチングストップ層21aの開口部22以外の部分にエッチングマスクを形成したのち、エッチングを行い、開口部22を形成したのち、金属層30aをメッキにより形成することにより得られる。
In the
金属層29a層が溶出して露出したエッチングストップ層21aの面、は図5(Q)に示したのと同様に粗化面とすることができる。
The surface of the
図6(S)は、金属層29a、開口22を有するエッチングストップ層21a及び金属層30aを有する金属部材12bの断面を示す。
FIG. 6S shows a cross section of a
図6(T)は、金属層29a、開口22を有するエッチングストップ層21a及び金属層30aを有する金属部材12bに図6(S)に示すようなエッチングマスク15を形成し、エッチングし、エッチングマスク15を除去し、金属層29aの一部が溶出し、凹部が形成されることにより得られる密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4bの平面図である。
FIG. 6 (T) shows an
金属部材12bをエッチングすることにより金属部材12bに凹部を形成させるが、金属部材12bの中央部に金属部材12bの周辺に形成するエッチングマスク15と分離させたエッチングマスク15aを形成することにより、得られる密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4bの凹部の中央部に金属層29aの島20を形成することができる。金属層29aの島20を形成することにより、作動流体の液化及び気化が行われる箇所を隔てる壁を設けることができ、液状の作動流体と気体状の作動流体が混合せずに、吸熱および放熱をスムーズに行うことができる。
A recess is formed in the
図6(U)は、金属層29a、開口22を有するエッチングストップ層21a及び金属層30aを有する金属部材12bに図6(S)に示すようなエッチングマスク15を形成し、エッチングし、エッチングマスク15を除去し、金属層29aの一部が溶出し、凹部が形成されることにより得られる密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4bの断面構造図である。
6 (U) shows that an
エッチングストップ層21aに形成される開口22の金属は、エッチング液により溶出し、金属層30aの一部も溶出する。開口22の形状は、凹部24の底面の深さを一定にするため、円形が望ましい。金属層30aの厚さTに対して、開口22の開口径は、T/5〜Tが好適で、さらにT/3〜T/2が好ましい。
The metal of the
図6(V)は、開口22に接する金属層30aの一部がエッチングにより溶出した状態を示す密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4bの部分拡大図である。金属層30aに形成された凹部24の表面を粗化処理することにより、第1の部材4bは、開口部22に接する金属層30aに形成された凹部24と金属層30aに形成された凹部24の面に形成されたと粗化面を組み合わせた、表面積の大きなウイックを有することができる。
FIG. 6V is a partially enlarged view of the
図7は、本発明の実施の形態に係る実施の形態4に係るベーパーチャンバーの密閉空間の形成方法を示す。 FIG. 7 shows a method of forming a closed space of the vapor chamber according to the fourth embodiment according to the embodiment of the present invention.
図7(W)は金属層29、開口22を有するエッチングストップ層21a、金属層30b、エッチングストップ層21及び金属層30を有する金属部材12cの断面構造図である。金属部材12cは金属部材12及び金属部材12aで述べた方法を組み合わせることにより得られる。開口22を有するエッチングストップ層21aに、さらにエッチングストップ層21を追加することにより、実施の形態3よりも精密な開口部22に接する金属層30bに形成された凹部24aを形成することができる。エッチングストップ層21および21aはニッケル、金属層29、30b及び30は銅により第1の部材12cを構成することも可能である。
FIG. 7W is a cross-sectional structural view of a
図7(X)は、開口22を有するエッチングストップ層21aに接する金属層30bのすべてが溶出され、エッチングストップ層21が露出している状態を示す。金属部材12cをエッチングし、密閉空間3となる凹部が形成され、形成された凹部を有する第1の部材4cの凹部の底面の一部を図7(X)に示す。開口22を有するエッチングストップ層21aの下層にさらにエッチングストップ層21を設けることにより、開口22を有するエッチングストップ層21aの開口形状や開口径に関わらず、エッチングを確実に止めることができる。
FIG. 7X shows a state in which all of the
第1の部材4cの開口部22に接する金属層30bに形成された凹部24a及び露出したエッチングストップ層21の面は粗面化処理により粗化面とすることができる。
The surfaces of the
図7(Y)は、図7(X)のエッチングストップ層21a及び21をエッチングにより溶出させ、除去した状態を示す。 図7(X)に示す第1の部材12cに形成される凹部の底面を図7(Y)に示す底面とすることにより、表面積をさらに大きくすることができる。
FIG. 7 (Y) shows a state in which the etching stop layers 21a and 21 of FIG. 7 (X) are eluted and removed by etching. The surface area can be further increased by using the bottom surface of the recess formed in the
図8は、実施の形態3で説明した金属層の島20を有する第1の部材4bと、金属層の島20を有しておらず、他の部分は第1の部材4bと同一の第2の部材17aを形成し、密閉空間3となる凹部を有する第1の部材4bと密閉空間3となる凹部を有する第2の部材17aを接合材16により接合し、形成されたベーパーチャンバー1を示す。第2の部材17は、図3(L)に示すように板状であっても、図8に示すようにエッチングにより凹部24が形成された第2の部材17aであっても構わない。さらに、密閉空間3を形成する面の反対側に電子回路板2が形成されていても構わない。
FIG. 8 shows the
ベーパーチャンバー1に作動液を充填する方法は、はヒートパイプや他のベーパーチャンバーと同様の一般的な方法ある。必要に応じて冷却しながら充填口から作動流体を注入し、充填口を物理的につぶし、さらにはんだ付けやろう付け、溶接等で封止するものである。充填口は第1の部材もしくは第2の部材に設けてもよいし、第1の部材と第2の部材両方に形成しても構わない。
The method of filling the
1:ベーパーチャンバー
2:電子回路板
3:密閉空間
4:第1の部材
7:ソルダーマスク
8:回路放熱路
9:層間接続のためのビアホール
10:外層配線導体
11:電極
12:金属部材
13:絶縁材
14:金属箔
15:エッチングマスク
16:接合材
17:第2の部材
18:はんだ
19:電子部品
20:金属層の島
21:エッチングストップ層
22:開口
23:金属柱状の回路放熱路
29:金属層
30:金属層1: Vapor chamber 2: Electronic circuit board 3: Sealed space 4: First member 7: Solder mask 8: Circuit heat dissipation path 9: Via hole for interlayer connection 10: Outer layer wiring conductor 11: Electrode 12: Metal member 13: Insulation material 14: Metal foil 15: Etching mask 16: Joining material 17: Second member 18: Solder 19: Electronic component 20: Metal layer island 21: Etching stop layer 22: Opening 23: Metal columnar circuit heat dissipation path 29 : Metal layer 30: Metal layer
Claims (14)
前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材はエッチングにより形成された凹部を有し、当該凹部の前記エッチングにより形成される面が微細な粗化面を有することを特徴とするベーパーチャンバー。A vapor chamber including a first member made of metal and a second member made of metal forming a closed space in which the first member and a working fluid are enclosed.
The first member, the second member, or the first member and the second member have recesses formed by etching, and the surface formed by the etching of the recess has a fine roughened surface. A vapor chamber characterized by having.
前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材は前記密閉空間を形成する面の反対側の面に電子回路板を有することを特徴とするベーパーチャンバー。In the vapor chamber according to claim 1,
A vapor chamber characterized in that the first member, the second member, or the first member and the second member have an electronic circuit board on a surface opposite to a surface forming the enclosed space.
前記電子回路板は回路板放熱路を有することを特徴とするベーパーチャンバー。In the vapor chamber according to claim 2,
The electronic circuit board is a vapor chamber characterized by having a circuit board heat dissipation path.
前記回路板放熱路は、前記電子回路板の断面方向に形成されるビアホールの内部に金属が充填されていることを特徴とするベーパーチャンバー。In the vapor chamber according to claim 3,
The circuit board heat dissipation path is a vapor chamber characterized in that the inside of a via hole formed in the cross-sectional direction of the electronic circuit board is filled with metal.
前記回路板放熱路の少なくとも1つが前記電子回路板に接続される電子部品に接触していることを特徴とするベーパーチャンバー。In the vapor chamber according to claim 4,
A vapor chamber characterized in that at least one of the circuit board heat dissipation paths is in contact with an electronic component connected to the electronic circuit board.
前記エッチングされる面の前記エッチングされる層の下側にエッチングストップ層を有することを特徴とするベーパーチャンバー。In the vapor chamber according to any one of claims 1 to 5.
A vapor chamber comprising an etching stop layer below the etched layer on the etched surface.
前記エッチングストップ層の一部に前記エッチングストップ層を設けず、前記エッチングにより前記エッチングストップ層が設けられない部分に前記エッチングにより形成される面が微細な粗化面を有することを特徴とするベーパーチャンバー。In the vapor chamber according to claim 6,
A vapor characterized in that the etching stop layer is not provided in a part of the etching stop layer, and the surface formed by the etching has a fine roughened surface in a portion where the etching stop layer is not provided by the etching. Chamber.
前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材をエッチングすることにより密閉空間を形成する凹部を形成し、当該凹部の面を微細な粗化面とすることを特徴とするベーパーチャンバーの製造方法。A method for manufacturing a vapor chamber, which forms a closed space in which a working fluid is enclosed by joining a first member made of metal and a second member made of metal.
A recess forming a closed space is formed by etching the first member, the second member, or the first member and the second member, and the surface of the recess is made into a fine roughened surface. A method for manufacturing a vapor chamber.
前記第1の部材若しくは前記第2の部材又は前記第1の部材及び第2の部材は前記密閉空間を形成する面の反対側の面に電子回路板を設けることを特徴とするベーパーチャンバー。In the method for manufacturing a vapor chamber according to claim 8,
The vapor chamber, wherein the first member, the second member, or the first member and the second member are provided with an electronic circuit board on a surface opposite to a surface forming the enclosed space.
前記電子回路板に回路板放熱路を設けることを特徴とするベーパーチャンバーの製造方法。In the method for manufacturing a vapor chamber according to claim 9,
A method for manufacturing a vapor chamber, which comprises providing a circuit board heat dissipation path on the electronic circuit board.
前記回路板放熱路は、前記電子回路板の断面方向にビアホールを形成し、当該ビアホールの内部に金属を充填することにより設けることを特徴とするベーパーチャンバーの製造方法。In the vapor chamber according to claim 10.
A method for manufacturing a vapor chamber, wherein the circuit plate heat dissipation path is provided by forming a via hole in the cross-sectional direction of the electronic circuit plate and filling the inside of the via hole with metal.
前記回路板放熱路の少なくとも1つを前記電子回路板に接続される電子部品に接触させることを特徴とするベーパーチャンバーの製造方法。In the method for manufacturing a vapor chamber according to claim 11,
A method for manufacturing a vapor chamber, which comprises contacting at least one of the circuit board heat dissipation paths with an electronic component connected to the electronic circuit board.
前記エッチングされる面の前記エッチングされる層の下側にエッチングストップ層を設けることを特徴とするベーパーチャンバーの製造方法。The method for manufacturing a vapor chamber according to any one of claims 8 to 12.
A method for manufacturing a vapor chamber, which comprises providing an etching stop layer under the etched layer on the surface to be etched.
前記エッチングストップ層の一部に前記エッチングストップ層を設けず、前記エッチングストップ層に接する層を前記エッチングにより除去し、前記エッチングストップ層に開口を設け、開口面に前記エッチングにより微細な粗化面を形成することを特徴とするベーパーチャンバーの製造方法。In the method for manufacturing a vapor chamber according to claim 13,
The etching stop layer is not provided in a part of the etching stop layer, the layer in contact with the etching stop layer is removed by the etching, an opening is provided in the etching stop layer, and the opening surface is a finely roughened surface by the etching. A method for manufacturing a vapor chamber, which comprises forming a vapor chamber.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022116985A JP7341560B2 (en) | 2019-01-15 | 2022-07-22 | Metal parts for manufacturing vapor chambers |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019014840 | 2019-01-15 | ||
JP2019014840 | 2019-01-15 | ||
PCT/JP2020/000587 WO2020149223A1 (en) | 2019-01-15 | 2020-01-10 | Vapor chamber and method for manufacturing same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022116985A Division JP7341560B2 (en) | 2019-01-15 | 2022-07-22 | Metal parts for manufacturing vapor chambers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020149223A1 true JPWO2020149223A1 (en) | 2021-11-25 |
JP7236165B2 JP7236165B2 (en) | 2023-03-09 |
Family
ID=71613319
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020566395A Active JP7236165B2 (en) | 2019-01-15 | 2020-01-10 | Vapor chamber and manufacturing method thereof |
JP2022116985A Active JP7341560B2 (en) | 2019-01-15 | 2022-07-22 | Metal parts for manufacturing vapor chambers |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022116985A Active JP7341560B2 (en) | 2019-01-15 | 2022-07-22 | Metal parts for manufacturing vapor chambers |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP7236165B2 (en) |
CN (1) | CN112088429A (en) |
WO (1) | WO2020149223A1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113281967B (en) * | 2021-05-07 | 2024-02-09 | 江西新菲新材料有限公司 | Manufacturing method of cover plate of vapor chamber and manufacturing method of vapor chamber |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006159797A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Toyo Kohan Co Ltd | Hollow structure formed body, hollow structure forming material used for hollow structure formed body, laminate used for hollow structure forming material and component part using hollow structure formed body |
JP2007212028A (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fujikura Ltd | Heat pipe |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003329379A (en) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Heat pipe circuit board |
JP4325263B2 (en) * | 2003-04-21 | 2009-09-02 | ソニー株式会社 | Circuit device and electronic device |
TWM253903U (en) * | 2004-02-20 | 2004-12-21 | Advanced Semiconductor Eng | Thermal enhanced ball grid array package |
JP2006313038A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Osk International:Kk | Manufacturing method of heat pipe circuit board and heat pipe circuit board |
JP5735594B2 (en) * | 2009-04-16 | 2015-06-17 | モレックス インコーポレイテドMolex Incorporated | Cooling system |
JP7167416B2 (en) * | 2017-02-09 | 2022-11-09 | 大日本印刷株式会社 | Vapor chamber, metal sheet for vapor chamber and method for manufacturing vapor chamber |
JP6917006B2 (en) * | 2017-05-24 | 2021-08-11 | 大日本印刷株式会社 | Manufacturing method of vapor chamber, metal sheet for vapor chamber and vapor chamber |
-
2020
- 2020-01-10 JP JP2020566395A patent/JP7236165B2/en active Active
- 2020-01-10 CN CN202080002652.2A patent/CN112088429A/en active Pending
- 2020-01-10 WO PCT/JP2020/000587 patent/WO2020149223A1/en active Application Filing
-
2022
- 2022-07-22 JP JP2022116985A patent/JP7341560B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006159797A (en) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Toyo Kohan Co Ltd | Hollow structure formed body, hollow structure forming material used for hollow structure formed body, laminate used for hollow structure forming material and component part using hollow structure formed body |
JP2007212028A (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Fujikura Ltd | Heat pipe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022145713A (en) | 2022-10-04 |
JP7341560B2 (en) | 2023-09-11 |
CN112088429A (en) | 2020-12-15 |
WO2020149223A1 (en) | 2020-07-23 |
JP7236165B2 (en) | 2023-03-09 |
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