JPWO2019231828A5

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Publication number: JPWO2019231828A5
Application number: JP2020566594A
Authority: JP
Publication date: 2022-05-24
Anticipated expiration: 2039-05-23

Claims

少なくとも１つのシェルで取り囲まれたコアを含むナノ構造であって、前記コアがＺｎＳｅ_１－ｘＴｅ_ｘを含み、０＜ｘ＜１であり、前記少なくとも１つのシェルがＺｎＳ又はＺｎＳｅを含み、前記ナノ構造の集団は半値全幅（ＦＷＨＭ）が約１０ｎｍ～約３０ｎｍの間にあるフォトルミネッセンススペクトルを有する、ナノ構造。 A nanostructure containing a core surrounded by at least one shell, wherein the core contains ZnSe _1-x Te _x , 0 <x <1, and the at least one shell contains ZnS or ZnSe, said. The population of nanostructures is a nanostructure having a photoluminescence spectrum with a full width at half maximum (FWHM) between about 10 nm and about 30 nm.

前記ナノ構造の発光波長が４００ｎｍ～５００ｎｍの間である、請求項１に記載のナノ構造。 The nanostructure according to claim 1, wherein the emission wavelength of the nanostructure is between 400 nm and 500 nm.

前記コアが２つのシェルで取り囲まれる、請求項１又は２に記載のナノ構造。 The nanostructure according to claim 1 or 2 , wherein the core is surrounded by two shells.

少なくとも１つのシェルが３～５個の間の単層のＺｎＳｅを含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のナノ構造。 The nanostructure according to any one of claims 1 to 3 , wherein at least one shell comprises a single layer of ZnSe between 3 and 5.

少なくとも１つのシェルが３～５個の間の単層のＺｎＳを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のナノ構造。 The nanostructure according to any one of claims 1 to 4 , wherein at least one shell comprises a single layer of ZnS between 3 and 5.

前記ナノ構造のフォトルミネッセンス量子収率が３０％～９９％の間である、請求項１～５のいずれか一項に記載のナノ構造。 The nanostructure according to any one of claims 1 to 5 , wherein the photoluminescence quantum yield of the nanostructure is between 30% and 99%.

前記ナノ構造が２つのシェルを含み、第１のシェルがＺｎＳｅを含み、第２のシェルがＺｎＳを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のナノ構造。 The nanostructure according to any one of claims 1 to 6 , wherein the nanostructure comprises two shells, the first shell comprises ZnSe, and the second shell comprises ZnS.

請求項１に記載のナノ構造の製造方法であって：
（ａ）セレン源と少なくとも１つの配位子とを混合して反応混合物を生成することと；
（ｂ）（ａ）において得られた前記反応混合物を、亜鉛源と、テルル源、還元剤、及びカルボン酸亜鉛を含む溶液とに接触させることと；
（ｃ）（ｂ）の前記反応混合物を亜鉛源とセレン源に接触させることとによって；
前記ナノ構造を得ることを含む、製造方法。 The method for producing a nanostructure according to claim 1.
(A) Mixing a selenium source with at least one ligand to form a reaction mixture;
(B) The reaction mixture obtained in (a) is brought into contact with a zinc source and a solution containing a tellurium source, a reducing agent, and zinc carboxylate;
(C) By contacting the reaction mixture of (b) with a zinc source and a selenium source ;
A manufacturing method comprising obtaining the nanostructures .

（ａ）における前記セレン源が、トリオクチルホスフィンセレニド、トリ（ｎ－ブチル）ホスフィンセレニド、トリ（ｓｅｃ－ブチル）ホスフィンセレニド、トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィンセレニド、トリメチルホスフィンセレニド、トリフェニルホスフィンセレニド、ジフェニルホスフィンセレニド、フェニルホスフィンセレニド、シクロヘキシルホスフィンセレニド、オクタセレノール、ドデカセレノール、セレノフェノール、元素セレン、セレン化水素、ビス（トリメチルシリル）セレニド、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。 The selenium source in (a) is trioctylphosphine selenide, tri (n-butyl) phosphine selenide, tri (sec-butyl) phosphine selenide, tri (tert-butyl) phosphine selenide, trimethylphosphine selenide, and the like. From triphenylphosphine serenide, diphenylphosphine serenide, phenylphosphine serenide, cyclohexylphosphine serenide, octaselenol, dodecaserenol, serenophenol, elemental selenium, hydrogen selenide, bis (trimethylsilyl) serenide, and mixtures thereof. 8. The method of claim 8 , selected from the group of

（ｂ）における前記亜鉛源が、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛、ジフェニル亜鉛、酢酸亜鉛、亜鉛アセチルアセトネート、ヨウ化亜鉛、臭化亜鉛、塩化亜鉛、フッ化亜鉛、炭酸亜鉛、シアン化亜鉛、硝酸亜鉛、酸化亜鉛、過酸化亜鉛、過塩素酸亜鉛、及び硫酸亜鉛からなる群から選択される、請求項８又は９に記載の方法。 The zinc source in (b) is diethyl zinc, dimethyl zinc, diphenyl zinc, zinc acetate, zinc acetylacetonate, zinc iodide, zinc bromide, zinc chloride, zinc fluoride, zinc carbonate, zinc cyanide, zinc nitrate. The method according to claim 8 or 9 , which is selected from the group consisting of zinc oxide, zinc peroxide, zinc perchlorate, and zinc sulfate.

（ｂ）における前記テルル源が、トリオクチルホスフィンテルリド、トリ（ｎ－ブチル）ホスフィンテルリド、トリメチルホスフィンテルリド、トリフェニルホスフィンテルリド、トリシクロヘキシルホスフィンテルリド、元素テルル、テルル化水素、ビス（トリメチルシリル）テルリド、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項８～１０のいずれか一項に記載の方法。 The tellurium source in (b) is trioctylphosphine terlide, tri (n-butyl) phosphine terlide, trimethylphosphine terlide, triphenylphosphine terlide, tricyclohexylphosphine terlide, elemental tellurium, hydrogen telurate, bis. The method according to any one of claims 8 to 10 , selected from the group consisting of (trimethylsilyl) telluride and mixtures thereof.

（ｂ）における前記還元剤が、ジボラン、水素化ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、水素化カルシウム、水素化リチウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化ジイソブチルアルミニウム、水素化トリエチルホウ素ナトリウム、及び水素化トリエチルホウ素リチウムからなる群から選択される、請求項８～１１のいずれか一項に記載の方法。 The reducing agent in (b) is diborane, sodium borohydride, sodium borohydride, lithium borohydride, sodium cyanoborohydride, calcium borohydride, lithium hydride, lithium borohydride, diisobutylaluminum hydride, hydrogen. The method according to any one of claims 8 to 11 , which is selected from the group consisting of sodium triethylborohydride and lithium triethylborohydride borohydride.

（ｂ）における前記カルボン酸亜鉛が、オレイン酸亜鉛、ヘキサン酸亜鉛、オクタン酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ミリスチン酸亜鉛、パルミチン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、ジチオカルバミン酸亜鉛、又はそれらの混合物からなる群から選択される、請求項８～１２のいずれか一項に記載の方法。 The zinc carboxylate in (b) consists of a group consisting of zinc oleate, zinc hexanoate, zinc octanate, zinc laurate, zinc myristate, zinc palmitate, zinc stearate, zinc dithiocarbamate, or a mixture thereof. The method according to any one of claims 8 to 12 , which is selected.

コア／シェルナノ構造の製造方法であって：
（ｄ）請求項８に記載の方法によって調製されたＺｎＳｅ_１－ｘＴｅ_ｘナノ結晶を亜鉛源を含む溶液と混合することと；
（ｅ）（ｄ）の反応混合物をセレン源又は硫黄源と接触させることと、
を含む、製造方法。 A method for manufacturing core / shell nanostructures:
(D) Mixing the ZnSe _1-x Te _x nanocrystals prepared by the method according to claim 8 with a solution containing a zinc source;
(E) Contacting the reaction mixture of (d) with a selenium source or a sulfur source,
Manufacturing method, including.