JPWO2019208461A1 - A method for manufacturing an etching solution for copper foil and a printed wiring board using the same, and a method for manufacturing an etching solution for an electrolytic copper layer and a copper pillar using the same. - Google Patents
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Abstract
本発明は、銅配線のサイドエッチングの発生を抑制しながら、銅箔をエッチング可能な銅箔用エッチング液およびそれを用いた銅箔のエッチング方法およびプリント配線板の製造方法に関する。また本発明は、電解銅層のサイドエッチングの発生を抑制しながら、電解銅層をエッチング可能な電解銅層用エッチング液およびそれを用いた電解銅層のエッチング方法および銅ピラーの製造方法に関する。本発明のエッチング液は、過酸化水素（Ａ）、硫酸（Ｂ）、および５−アミノ—１Ｈ—テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）を含有し、硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、リン酸を実質的に含有しないことを特徴とする。The present invention relates to an etching solution for copper foil capable of etching copper foil while suppressing the occurrence of side etching of copper wiring, an etching method for copper foil using the same, and a method for manufacturing a printed wiring board. The present invention also relates to an etching solution for an electrolytic copper layer capable of etching an electrolytic copper layer while suppressing the occurrence of side etching of the electrolytic copper layer, an etching method for the electrolytic copper layer using the etching solution, and a method for manufacturing a copper pillar. The etching solution of the present invention is at least selected from the group consisting of hydrogen peroxide (A), sulfuric acid (B), and 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-undecylimidazole. It contains one azole compound (C), the molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6 to 30, and the concentration of azole compound (C) is 0.001 to 0. It is in the range of 01% by mass and is characterized by substantially containing no phosphoric acid.
Description
本発明は、銅箔用エッチング液およびそれを用いたプリント配線板の製造方法に関する。また本発明は、電解銅層用エッチング液およびそれを用いた銅ピラーの製造方法に関する。 The present invention relates to an etching solution for copper foil and a method for manufacturing a printed wiring board using the etching solution. The present invention also relates to an etching solution for an electrolytic copper layer and a method for producing a copper pillar using the etching solution.
プリント配線板において、銅配線を形成する際に銅配線の微細化法の一つとして、エンベデッドトレースサブストレート（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｔｒａｃｅ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）工法（以下、「ＥＴＳ工法」という。）が知られている（特許文献１および２）。
ＥＴＳ工法では、銅配線幅の減少が少なく、微細配線の形成が可能である。しかし、ＥＴＳ工法では銅箔のエッチング時に、層間絶縁樹脂の側壁に沿った銅配線のエッチング（サイドエッチング）が生じることがあり、これが問題であった（特許文献３）。
また、半導体パッケージの製造において、半導体チップとパッケージインターポーザまたは半導体素子搭載用パッケージ基板との接続方式であるフリップチップ実装の接続端子として、従来のはんだバンプに代わり、より狭いピッチに対応できる銅ピラー（「銅ポスト」又は「銅バンプ」ともいう。）が知られている。銅ピラーの製造方法として、銅ピラーを形成しようとする基板上にレジストパターンを形成し、レジストパターンの間隙に電解銅メッキにより形成する工法が知られている。この工法では、電解銅メッキにより電解銅層を形成した後、通常、電解銅層を研磨し、さらに電解銅層表面をエッチング処理して、得られる銅ピラーの高さを調整する工程がある。この電解銅層のエッチング時に、レジストパターンを構成するレジストの側壁に沿った電解銅層のエッチング（サイドエッチング）が生じることがあり、これが問題であった。An embedded trace substrate method (hereinafter referred to as "ETS method") is known as one of the methods for miniaturizing copper wiring when forming copper wiring in a printed wiring board (patented).
In the ETS method, there is little reduction in the copper wiring width, and fine wiring can be formed. However, in the ETS method, etching (side etching) of copper wiring along the side wall of the interlayer insulating resin may occur at the time of etching the copper foil, which has been a problem (Patent Document 3).
Further, in the manufacture of semiconductor packages, as a connection terminal for flip chip mounting, which is a connection method between a semiconductor chip and a package interposer or a package substrate for mounting a semiconductor element, a copper pillar (which can handle a narrower pitch instead of a conventional solder bump) ( Also known as a "copper post" or "copper bump"). As a method for manufacturing copper pillars, a method is known in which a resist pattern is formed on a substrate on which a copper pillar is to be formed, and the gaps between the resist patterns are formed by electrolytic copper plating. In this method, after forming the electrolytic copper layer by electrolytic copper plating, there is usually a step of polishing the electrolytic copper layer and further etching the surface of the electrolytic copper layer to adjust the height of the obtained copper pillar. At the time of etching the electrolytic copper layer, etching (side etching) of the electrolytic copper layer along the side wall of the resist constituting the resist pattern may occur, which has been a problem.
このような状況の下、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に、特別な設備を使用することなく、銅配線のサイドエッチングを生じさせない、または銅配線のサイドエッチングの発生を抑えることができる、銅箔用エッチング液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法の提供が望まれている。
また、銅ピラーの製造工程において、電解銅層のエッチング時に電解銅層のサイドエッチングを生じさせない、または電解銅層のサイドエッチングを抑えることができる、電解銅層用エッチング液およびこれを用いた銅ピラーの製造方法の提供が望まれている。Under such circumstances, when etching the copper foil in the ETS method, the side etching of the copper wiring can be prevented or the side etching of the copper wiring can be suppressed without using special equipment. It is desired to provide an etching solution for use and a method for manufacturing a printed wiring board using the etching solution.
Further, in the copper pillar manufacturing process, an etching solution for an electrolytic copper layer and copper using the etching solution can prevent side etching of the electrolytic copper layer during etching of the electrolytic copper layer or suppress side etching of the electrolytic copper layer. It is desired to provide a method for manufacturing a pillar.
本発明は、以下に示す銅箔用エッチング液、銅箔のエッチング方法およびプリント配線板の製造方法を提供するものである。また、本発明は、以下に示す電解銅層用エッチング液、電解銅層のエッチング方法および銅ピラーの製造方法を提供するものである。
［１］ 過酸化水素（Ａ）、
硫酸（Ｂ）、ならびに
５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）
を含有する銅箔用エッチング液であって、
硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、
アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、
リン酸を実質的に含有しない、銅箔用エッチング液。
［２］ 過酸化水素（Ａ）の濃度が０．５〜２０質量％の範囲内にある、［１］に記載の銅箔用エッチング液。
［３］ 硫酸（Ｂ）の濃度が０．３〜５質量％の範囲内にある、［１］または［２］に記載の銅箔用エッチング液。
［４］ エンベデッドトレースサブストレート工法（ＥＴＳ工法）において、銅箔をエッチングするためのものである、［１］から［３］のいずれか一項に記載のエッチング液。
［５］ＥＴＳ工法において、［１］から［４］のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて銅箔をエッチングすることを含む、銅箔のエッチング方法。
［６］ＥＴＳ工法において、［１］から［４］のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて銅箔をエッチングすることを含む、プリント配線板の製造方法。
［７］過酸化水素（Ａ）、
硫酸（Ｂ）、ならびに
５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）を含有する電解銅層用エッチング液であって、
硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、
アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、
リン酸を実質的に含有しない、電解銅層用エッチング液。
［８］過酸化水素（Ａ）の濃度が０．５〜２０質量％の範囲内にある、［７］に記載の電解銅層用エッチング液。
［９］硫酸（Ｂ）の濃度が０．３〜５質量％の範囲内にある、［７］または［８］に記載の電解銅層用エッチング液。
［１０］銅ピラーの製造工程において、電解銅層をエッチングするためのものである、［７］から［９］のいずれか一項に記載の電解銅層用エッチング液。
［１１］銅ピラーの製造工程において、［７］から［９］のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて電解銅層をエッチングすることを含む、電解銅層のエッチング方法。
［１２］銅ピラーの製造工程において、［７］から［９］のいずれか一項に記載のエッチング液を用いて電解銅層をエッチングすることを含む、銅ピラーの製造方法。The present invention provides the following etching solution for copper foil, an etching method for copper foil, and a method for manufacturing a printed wiring board. The present invention also provides the following etching solution for an electrolytic copper layer, an etching method for an electrolytic copper layer, and a method for manufacturing a copper pillar.
[1] Hydrogen peroxide (A),
Sulfuric acid (B) and at least one azole compound (C) selected from the group consisting of 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-undecylimidazole.
An etching solution for copper foil containing
The molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6-30.
The concentration of the azole compound (C) is in the range of 0.001 to 0.01% by mass,
An etching solution for copper foil that contains substantially no phosphoric acid.
[2] The etching solution for copper foil according to [1], wherein the concentration of hydrogen peroxide (A) is in the range of 0.5 to 20% by mass.
[3] The etching solution for copper foil according to [1] or [2], wherein the concentration of sulfuric acid (B) is in the range of 0.3 to 5% by mass.
[4] The etching solution according to any one of [1] to [3], which is used for etching copper foil in the embedded trace substrate method (ETS method).
[5] A method for etching a copper foil, which comprises etching the copper foil with the etching solution according to any one of [1] to [4] in the ETS method.
[6] A method for manufacturing a printed wiring board, which comprises etching a copper foil with the etching solution according to any one of [1] to [4] in the ETS method.
[7] Hydrogen peroxide (A),
Electrolytic copper layer containing sulfuric acid (B) and at least one azole compound (C) selected from the group consisting of 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-undecylimidazole. Etching solution for
The molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6-30.
The concentration of the azole compound (C) is in the range of 0.001 to 0.01% by mass,
An etching solution for an electrolytic copper layer that contains substantially no phosphoric acid.
[8] The etching solution for an electrolytic copper layer according to [7], wherein the concentration of hydrogen peroxide (A) is in the range of 0.5 to 20% by mass.
[9] The etching solution for an electrolytic copper layer according to [7] or [8], wherein the concentration of sulfuric acid (B) is in the range of 0.3 to 5% by mass.
[10] The etching solution for an electrolytic copper layer according to any one of [7] to [9], which is for etching an electrolytic copper layer in a copper pillar manufacturing process.
[11] A method for etching an electrolytic copper layer, which comprises etching the electrolytic copper layer with the etching solution according to any one of [7] to [9] in the copper pillar manufacturing step.
[12] A method for producing a copper pillar, which comprises etching an electrolytic copper layer with the etching solution according to any one of [7] to [9] in the copper pillar manufacturing step.
本発明によれば、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に好適に使用される銅箔用エッチング液を提供することができる。
本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液を用いることにより、ＥＴＳ工法において、銅配線のサイドエッチングの発生を抑えながら、銅箔をエッチングすることができ、配線の微細化に対応したプリント配線板を製造することができる。
また、本発明によれば、銅ピラーの製造工程において、電解銅層のエッチング時に好適に使用される電解銅層用エッチング液を提供することができる。
また本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液を用いることにより、銅ピラーの製造工程において、電解銅層のサイドエッチングの発生を抑えながら、電解銅層をエッチングすることができ、所望の形状を有する銅ピラーを製造することができる。According to the present invention, it is possible to provide an etching solution for copper foil that is suitably used when etching copper foil in the ETS method.
According to a preferred embodiment of the present invention, by using the etching solution of the present invention, it is possible to etch the copper foil while suppressing the occurrence of side etching of the copper wiring in the ETS method, and it corresponds to the miniaturization of the wiring. A printed wiring board can be manufactured.
Further, according to the present invention, it is possible to provide an etching solution for an electrolytic copper layer that is suitably used when etching an electrolytic copper layer in a copper pillar manufacturing process.
Further, according to a preferred embodiment of the present invention, by using the etching solution of the present invention, the electrolytic copper layer can be etched while suppressing the occurrence of side etching of the electrolytic copper layer in the copper pillar manufacturing process, which is desired. Copper pillars having the shape of can be manufactured.
以下、本発明の銅箔用エッチング液、銅箔のエッチング方法およびプリント配線板の製造方法、ならびに電解銅層用のエッチング液、電解銅層のエッチング方法および銅ピラーの製造方法について、それぞれ具体的に説明する。 Hereinafter, the etching solution for copper foil, the etching method for copper foil and the manufacturing method for the printed wiring board of the present invention, and the etching solution for the electrolytic copper layer, the etching method for the electrolytic copper layer and the manufacturing method for the copper pillar will be specifically described. Explain to.
１．銅箔用エッチング液
本発明の銅箔用エッチング液は、過酸化水素（Ａ）、硫酸（Ｂ）、ならびに、５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）を含み、硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、リン酸を実質的に含有しないことを特徴としている。1. 1. Etching Solution for Copper Foil The etching solution for copper foil of the present invention contains hydrogen peroxide (A), sulfuric acid (B), and 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-un. It contains at least one azole compound (C) selected from the group consisting of decylimidazole, and the molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6 to 30. The concentration is in the range of 0.001 to 0.01% by mass, and is characterized in that it contains substantially no phosphoric acid.
本発明のエッチング液は、銅箔のエッチングに使用される。本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液は、上記の成分を特定の比率で含有することで、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に銅配線のサイドエッチングの発生を抑えることができ、また、フラットなエッチング処理を行うことができる。 The etching solution of the present invention is used for etching copper foil. According to a preferred embodiment of the present invention, the etching solution of the present invention contains the above-mentioned components in a specific ratio, so that the occurrence of side etching of copper wiring can be suppressed at the time of etching the copper foil in the ETS method. Moreover, a flat etching process can be performed.
以下、本発明の銅箔用エッチング液に含有される各成分について詳細に説明する。 Hereinafter, each component contained in the etching solution for copper foil of the present invention will be described in detail.
［過酸化水素（Ａ）］
本発明において過酸化水素（Ａ）（以下、単に（Ａ）成分ということがある。）は、銅の酸化剤として機能する成分である。
過酸化水素としては、特に制限はなく、工業用および電子工業用など、様々なグレードのものを使用することができる。一般的には過酸化水素水溶液として用いることが入手性および操作性の点で好ましい。[Hydrogen peroxide (A)]
In the present invention, hydrogen peroxide (A) (hereinafter, may be simply referred to as component (A)) is a component that functions as an oxidizing agent for copper.
The hydrogen peroxide is not particularly limited, and various grades of hydrogen peroxide such as those for industrial use and those for the electronic industry can be used. Generally, it is preferable to use it as an aqueous hydrogen peroxide solution in terms of availability and operability.
エッチング液中の過酸化水素（Ａ）の濃度（含有量）は特に制限されないが、０．５〜２０質量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜１０質量％、さらに好ましくは１．５〜５．０質量％の範囲である。過酸化水素（Ａ）の濃度が上記範囲内にあることで、銅のエッチング速度および配線形状が良好なものとなる。また、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に銅配線のサイドエッチングの発生を抑えることができる。 The concentration (content) of hydrogen peroxide (A) in the etching solution is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.5 to 20% by mass, more preferably 0.5 to 10% by mass, and even more preferably 1. It is in the range of 5 to 5.0% by mass. When the concentration of hydrogen peroxide (A) is within the above range, the etching rate and wiring shape of copper are good. Further, it is possible to suppress the occurrence of side etching of the copper wiring at the time of etching the copper foil in the ETS method.
［硫酸（Ｂ）］
本発明おいて硫酸（Ｂ）（以下、単に（Ｂ）成分ということがある。）は、過酸化水素によって酸化された銅のエッチング剤として作用する成分である。[Sulfuric acid (B)]
In the present invention, sulfuric acid (B) (hereinafter, may be simply referred to as component (B)) is a component that acts as an etching agent for copper oxidized by hydrogen peroxide.
エッチング液中の硫酸（Ｂ）の濃度（含有量）は特に制限されないが、０．３〜５質量％の範囲が好ましく、より好ましくは０．４〜３質量％、さらに好ましくは０．５〜１質量％の範囲である。硫酸（Ｂ）の濃度が上記範囲内にあることで、銅のエッチング速度および配線形状が良好なものとなる。また、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に銅配線のサイドエッチングの発生を抑えることができる。 The concentration (content) of sulfuric acid (B) in the etching solution is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.3 to 5% by mass, more preferably 0.4 to 3% by mass, and further preferably 0.5 to 0.5% by mass. It is in the range of 1% by mass. When the concentration of sulfuric acid (B) is within the above range, the etching rate and wiring shape of copper are good. Further, it is possible to suppress the occurrence of side etching of the copper wiring at the time of etching the copper foil in the ETS method.
本発明のエッチング液において、硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比は６〜３０の範囲であり、より好ましくは６．５〜１５、さらに好ましくは６〜８の範囲である。過酸化水素（Ａ）および硫酸（Ｂ）の配合比を制御することで、銅のエッチング速度および配線形状が良好なものとなる。また、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に銅配線のサイドエッチングの発生を抑えることができる。 In the etching solution of the present invention, the molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6 to 30, more preferably 6.5 to 15, and even more preferably 6 to 8. By controlling the blending ratio of hydrogen peroxide (A) and sulfuric acid (B), the etching rate and wiring shape of copper are improved. Further, it is possible to suppress the occurrence of side etching of the copper wiring at the time of etching the copper foil in the ETS method.
［アゾール化合物（Ｃ）］
本発明においてアゾール化合物（Ｃ）（以下、単に（Ｃ）成分ということがある。）は、銅表面に吸着し、銅のエッチング速度およびエッチング形状をコントロールする機能を有すると考えられる。
本発明においてアゾール化合物（Ｃ）は、５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種である。これらのアゾール化合物は、１種で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。[Azole compound (C)]
In the present invention, the azole compound (C) (hereinafter, may be simply referred to as the component (C)) is considered to have a function of adsorbing to the copper surface and controlling the etching rate and etching shape of copper.
In the present invention, the azole compound (C) is at least one selected from the group consisting of 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-undecylimidazole. These azole compounds may be used alone or in combination of two or more.
エッチング液中のアゾール化合物（Ｃ）の濃度（含有量）は、０．００１〜０．０１質量％の範囲であり、好ましくは０．００１５〜０．００７、より好ましくは０．００２〜０．００５の範囲である。アゾール化合物（Ｃ）の濃度が上記範囲内にあることで、銅のエッチング速度および配線形状がより良好なものとなる。また、ＥＴＳ工法において銅箔のエッチング時に銅配線のサイドエッチングの発生を抑えることができる。 The concentration (content) of the azole compound (C) in the etching solution is in the range of 0.001 to 0.01% by mass, preferably 0.0015 to 0.007, and more preferably 0.002 to 0. It is in the range of 005. When the concentration of the azole compound (C) is within the above range, the etching rate and wiring shape of copper become better. Further, in the ETS method, it is possible to suppress the occurrence of side etching of the copper wiring at the time of etching the copper foil.
［リン酸］
本発明のエッチング液は、リン酸を実質的に含有しない。リン酸を含有すると、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に銅配線のサイドエッチングの発生を十分に抑えることができない場合がある。ここで、「リン酸を実質的に含有しない」とは、エッチング液中のリン酸の含有量が０．１質量％未満、好ましくは０．０１質量％未満、より好ましくは０．００１質量％未満であることを意味する。本発明においてはリン酸を含有しないことが特に好ましい。[phosphoric acid]
The etching solution of the present invention contains substantially no phosphoric acid. If phosphoric acid is contained, it may not be possible to sufficiently suppress the occurrence of side etching of copper wiring during etching of copper foil in the ETS method. Here, "substantially free of phosphoric acid" means that the content of phosphoric acid in the etching solution is less than 0.1% by mass, preferably less than 0.01% by mass, and more preferably 0.001% by mass. Means less than. In the present invention, it is particularly preferable that it does not contain phosphoric acid.
［その他の成分］
本発明のエッチング液は、上記成分の他、必要に応じて、水およびその他エッチング用の液体組成物に通常用いられる各種添加剤の１種以上を、上記した液体組成物の効果を害しない範囲で含むことができる。
例えば、水としては、蒸留、イオン交換処理、フイルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーテイクル粒子などが除去されたものが好ましく、純水がより好ましく、特に超純水が好ましい。エッチング液中の水の濃度（含有量）は、本発明のエッチング液の残部であり、４５〜９９質量％が好ましく、より好ましくは７５〜９８質量％、さらに好ましくは８５〜９７質量％である。
また、大きくｐＨが変わらない範囲であれば、微量のアルカリを加えてもよい。
さらに、本発明のエッチング液には、アルコール類、フェニル尿素、有機カルボン酸類、有機アミン化合物類等の公知の過酸化水素安定剤、およびエッチング速度調整剤等を必要に応じて添加してもよい。
なお、本発明のエッチング液は溶解液であることが好ましく、研磨粒子等の固形粒子は含有しない。[Other ingredients]
In addition to the above-mentioned components, the etching solution of the present invention contains, if necessary, water and one or more of various additives usually used for other etching liquid compositions, as long as the effects of the above-mentioned liquid composition are not impaired. Can be included in.
For example, as the water, it is preferable that metal ions, organic impurities, particle particles and the like are removed by distillation, ion exchange treatment, filter treatment, various adsorption treatments and the like, pure water is more preferable, and ultrapure water is particularly preferable. .. The concentration (content) of water in the etching solution is the balance of the etching solution of the present invention, preferably 45 to 99% by mass, more preferably 75 to 98% by mass, and further preferably 85 to 97% by mass. ..
Further, a small amount of alkali may be added as long as the pH does not change significantly.
Further, known hydrogen peroxide stabilizers such as alcohols, phenylurea, organic carboxylic acids and organic amine compounds, an etching rate adjusting agent and the like may be added to the etching solution of the present invention, if necessary. ..
The etching solution of the present invention is preferably a solution and does not contain solid particles such as abrasive particles.
本発明のエッチング液のｐＨ範囲は、０．１〜３が好ましく、より好ましくは０．３〜２、さらに好ましくは０．５〜１．５の範囲である。 The pH range of the etching solution of the present invention is preferably 0.1 to 3, more preferably 0.3 to 2, and even more preferably 0.5 to 1.5.
［エッチング液の調製］
本発明のエッチング液は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、および必要に応じてその他の成分を均一に攪拌することで調製することができる。これらの成分の攪拌方法は特に制限されなく、エッチング液の調製において通常用いられる撹拌方法を採用することができる。[Preparation of etching solution]
The etching solution of the present invention can be prepared by uniformly stirring the component (A), the component (B), the component (C), and if necessary, other components. The stirring method for these components is not particularly limited, and a stirring method usually used in the preparation of the etching solution can be adopted.
［エッチング液の用途］
本発明のエッチング液は、銅箔のエッチングに好適に用いることができる。例えば、本発明のエッチング液は、ＥＴＳ工法において、銅箔のエッチング時に好適に用いることができる。また、本発明のエッチング液は、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチングのほか、銅箔のエッチングが要求される他の用途にも使用できる。
本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液を用いてエッチングすることで、エッチング速度および配線形状がより良好なものとなる。また、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチングに用いた際は、銅配線のサイドエッチングの発生を抑えながら銅箔をエッチングすることができ、配線の微細化に対応したプリント配線板を得ることができる。[Use of etching solution]
The etching solution of the present invention can be suitably used for etching copper foil. For example, the etching solution of the present invention can be suitably used when etching a copper foil in the ETS method. Further, the etching solution of the present invention can be used not only for etching copper foil in the ETS method, but also for other applications requiring etching of copper foil.
According to a preferred embodiment of the present invention, the etching rate and the wiring shape are improved by etching with the etching solution of the present invention. Further, when used for etching the copper foil in the ETS method, the copper foil can be etched while suppressing the occurrence of side etching of the copper wiring, and a printed wiring board corresponding to the miniaturization of the wiring can be obtained.
エッチング対象となる銅箔は特に制限されないが、電解銅箔であることが好ましい。銅箔の厚みは特に制限されないが、通常１．５〜１０５μｍであり、好ましくは１．５〜５μｍ、より好ましくは１．５〜３μｍである。
銅箔のエッチング速度（「エッチングレート」ともいう）は、特に制限されないが、液温３０℃において、１〜４０μｍ／ｍｉｎが好ましく、５〜３０μ／ｍｉｎがより好ましく、５〜２０μｍ／ｍｉｎがさらに好ましい。エッチング速度が１〜４０μｍ／ｍｉｎであると、高い生産効率を維持し、安定的にエッチング操作を行うことができる。The copper foil to be etched is not particularly limited, but is preferably an electrolytic copper foil. The thickness of the copper foil is not particularly limited, but is usually 1.5 to 105 μm, preferably 1.5 to 5 μm, and more preferably 1.5 to 3 μm.
The etching rate (also referred to as "etching rate") of the copper foil is not particularly limited, but is preferably 1 to 40 μm / min, more preferably 5 to 30 μm / min, and further 5 to 20 μm / min at a liquid temperature of 30 ° C. preferable. When the etching rate is 1 to 40 μm / min, high production efficiency can be maintained and the etching operation can be performed stably.
２．銅箔のエッチング方法
本発明のエッチング方法は、前述した本発明のエッチング液を用いて銅箔をエッチングすることを含む。本発明のエッチング方法は特に、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に好適に用いることができる。2. Etching Method of Copper Foil The etching method of the present invention includes etching the copper foil using the etching solution of the present invention described above. The etching method of the present invention can be particularly preferably used when etching a copper foil in the ETS method.
本発明のエッチング液の使用温度に特に制限はないが、１０〜５０℃の温度が好ましく、より好ましくは２０〜４５℃であり、さらに好ましくは２５〜４０℃である。エッチング液の温度が１０℃以上であれば、エッチング速度が良好となるため、優れた生産効率が得られる。一方、エッチング液の温度が５０℃以下であれば、液組成変化を抑制し、エッチング条件を一定に保つことができる。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の組成変化（例えば、過酸化水素の分解）を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。 The operating temperature of the etching solution of the present invention is not particularly limited, but is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 20 to 45 ° C, and even more preferably 25 to 40 ° C. When the temperature of the etching solution is 10 ° C. or higher, the etching rate is good, so that excellent production efficiency can be obtained. On the other hand, when the temperature of the etching solution is 50 ° C. or lower, the change in the composition of the solution can be suppressed and the etching conditions can be kept constant. By increasing the temperature of the etching solution, the etching rate increases, but the optimum processing temperature should be determined as appropriate, taking into consideration the fact that changes in the composition of the etching solution (for example, decomposition of hydrogen peroxide) are kept small. Just do it.
また、エッチング処理時間にも特に制限はないが、１〜６００秒が好ましく、５〜３００秒がより好ましく、１０〜１８０秒がさらに好ましく、１５〜１２０秒が特に好ましい。処理時間は、銅箔表面の状態、エッチング液の濃度、温度および処理方法等の種々の条件により適宜選択すればよい。 The etching treatment time is also not particularly limited, but is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 5 to 300 seconds, further preferably 10 to 180 seconds, and particularly preferably 15 to 120 seconds. The treatment time may be appropriately selected depending on various conditions such as the state of the copper foil surface, the concentration of the etching solution, the temperature, and the treatment method.
エッチング対象物に本発明のエッチング液を接触させる方法は、特に制限されない。例えば、エッチング液の滴下（枚葉スピン処理）またはスプレー（噴霧処理）などの形式によりエッチング対象物に接触させる方法、またはエッチング対象物をエッチング液に浸漬させる方法などの湿式法（ウェット）エッチング方法を採用することができる。本発明のエッチング方法においては、いずれの方法を採用することもできる。 The method of bringing the etching solution of the present invention into contact with the object to be etched is not particularly limited. For example, a wet etching method such as a method of contacting an etching object with a form such as dropping an etching solution (single-wafer spin treatment) or a spray (spray treatment), or a method of immersing an etching object in an etching solution Can be adopted. In the etching method of the present invention, any method can be adopted.
本発明のエッチング方法によるエッチング対象物は銅箔であり、電解銅箔が好ましい。本発明のエッチング方法によりエッチングされる銅箔の厚みについては、前記「１．銅箔用エッチング液」において述べたとおりである。 The object to be etched by the etching method of the present invention is a copper foil, and an electrolytic copper foil is preferable. The thickness of the copper foil etched by the etching method of the present invention is as described in "1. Etching solution for copper foil".
３．プリント配線板の製造方法
本発明のプリント配線板の製造方法は、ＥＴＳ工法において、前述した本発明のエッチング液を用いて銅箔をエッチングすることを含む。3. 3. Method for Manufacturing Printed Wiring Board The method for manufacturing a printed wiring board of the present invention includes etching a copper foil with the etching solution of the present invention described above in the ETS method.
図１は、ＥＴＳ工法によるプリント配線板の製造方法の工程の一例を示した図である。
まず、図１（ａ）に示すとおり、デタッチコア（回路形成用支持基板）（１）にキャリア箔（２）付き銅箔（３）をラミネートする。デタッチコアとしては、例えば、熱硬化性樹脂を含有する基板を用いることができる。キャリア箔（２）としては、アルミニウム箔、銅箔、ステンレス箔、樹脂フィルム、表面をメタルコーティングした樹脂フィルム、ガラス板等が挙げられる。銅箔（３）としては、電解銅箔が好ましい。
なお、デタッチコア、キャリア箔付き銅箔に代えて、同等の機能を有する他のものも使用することができる。FIG. 1 is a diagram showing an example of a process of a method for manufacturing a printed wiring board by the ETS method.
First, as shown in FIG. 1A, a copper foil (3) with a carrier foil (2) is laminated on a detachable core (support substrate for circuit formation) (1). As the detachable core, for example, a substrate containing a thermosetting resin can be used. Examples of the carrier foil (2) include aluminum foil, copper foil, stainless steel foil, a resin film, a resin film having a metal coating on the surface, a glass plate, and the like. As the copper foil (3), an electrolytic copper foil is preferable.
Instead of the detachable core and the copper foil with the carrier foil, other materials having the same function can be used.
次に、銅箔（３）の表面にドライフィルムレジスト層を形成し、露光および現像して、図１（ｂ）に示すとおりレジストパターン（４）を形成する。
その後、図１（ｃ）に示すとおり、レジストパターン（４）が形成されていない銅箔（３）の露出部分に銅メッキ（５）を施す。銅メッキは、電解銅メッキでも、無電解銅メッキでもよいが、コストおよび生産性の点から電解銅メッキが好ましい。
次いで、図１（ｄ）に示すとおりレジストパターン（４）を剥離液により剥離して、銅配線（５ａ）を形成する。Next, a dry film resist layer is formed on the surface of the copper foil (3), exposed and developed to form a resist pattern (4) as shown in FIG. 1 (b).
Then, as shown in FIG. 1 (c), copper plating (5) is applied to the exposed portion of the copper foil (3) on which the resist pattern (4) is not formed. The copper plating may be electrolytic copper plating or electroless copper plating, but electrolytic copper plating is preferable from the viewpoint of cost and productivity.
Next, as shown in FIG. 1 (d), the resist pattern (4) is peeled off with a stripping liquid to form the copper wiring (5a).
次に、図１（ｅ）に示すとおり、得られた構造体を反転させ、層間絶縁樹脂（６）に配線（５ａ）を埋め込む。層間絶縁樹脂（６）としては、一般にプリント配線板の製造に用いられるものであれば特に制限されない。
その後、図１（ｆ）に示すとおり、デタッチコア（１）とキャリア箔（２）を剥がす。
最後に、図１（ｇ）に示すとおり、銅箔（３）を、本発明のエッチング液を用いてエッチバックして、銅配線（５ａ）が形成されたプリント配線板（１０）を得ることができる。Next, as shown in FIG. 1 (e), the obtained structure is inverted and the wiring (5a) is embedded in the interlayer insulating resin (6). The interlayer insulating resin (6) is not particularly limited as long as it is generally used for manufacturing a printed wiring board.
Then, as shown in FIG. 1 (f), the detachable core (1) and the carrier foil (2) are peeled off.
Finally, as shown in FIG. 1 (g), the copper foil (3) is etched back with the etching solution of the present invention to obtain a printed wiring board (10) on which the copper wiring (5a) is formed. Can be done.
本発明の好ましい態様によれば、ＥＴＳ工法において、本発明のエッチング液を用いて銅箔をエッチングすることにより、層間絶縁樹脂（６）の側壁に沿った銅配線（５ａ）のサイドエッチングの発生を抑えながら、銅箔（３）をエッチングすることができ、配線の微細化に対応したプリント配線板（１０）を製造することができる。本発明の好ましい態様によれば、特別な設備を使用することなく、配線の微細化に対応したプリント配線板（１０）を製造することができる。 According to a preferred embodiment of the present invention, in the ETS method, by etching the copper foil with the etching solution of the present invention, side etching of the copper wiring (5a) along the side wall of the interlayer insulating resin (6) is generated. The copper foil (3) can be etched while suppressing the above, and a printed wiring board (10) corresponding to the miniaturization of wiring can be manufactured. According to a preferred embodiment of the present invention, a printed wiring board (10) corresponding to miniaturization of wiring can be manufactured without using special equipment.
４．電解銅層用エッチング液
本発明の電解銅層用エッチング液は、過酸化水素（Ａ）、硫酸（Ｂ）、ならびに、５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）を含み、硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、リン酸を実質的に含有しないことを特徴としている。4. Etching Solution for Electrolytic Copper Layer The etching solution for electrolytic copper layer of the present invention includes hydrogen peroxide (A), sulfuric acid (B), and 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n. -Contains at least one azole compound (C) selected from the group consisting of undecylimidazole, the molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6 to 30, and the azole compound (C). ) Is in the range of 0.001 to 0.01% by mass, and is characterized in that it does not substantially contain phosphoric acid.
本発明のエッチング液は、電解銅層のエッチングに使用される。本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液は、上記の成分を特定の比率で含有することで、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造工程において、電解銅層表面のエッチング時に電解銅層のサイドエッチングの発生を抑えることができ、また、フラットなエッチング処理を行うことができる。 The etching solution of the present invention is used for etching an electrolytic copper layer. According to a preferred embodiment of the present invention, the etching solution of the present invention is electrolyzed in a copper pillar manufacturing process using a method of forming copper pillars by electrolytic copper plating by containing the above components in a specific ratio. It is possible to suppress the occurrence of side etching of the electrolytic copper layer when etching the surface of the copper layer, and it is possible to perform a flat etching process.
本発明の電解銅層用エッチング液に含有される各成分は、前記「１．銅箔用エッチング液」で述べたものと同じであり、各成分の含有量および具体例、さらには任意成分等についても同様である。 Each component contained in the etching solution for the electrolytic copper layer of the present invention is the same as that described in the above "1. Etching solution for copper foil", and the content and specific examples of each component, further optional components, etc. The same applies to.
本発明のエッチング液は、電解銅層のエッチングに用いることができる。例えば、本発明のエッチング液は、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造工程において、電解銅層のエッチング時に好適に用いることができる。また、本発明のエッチング液は、電解銅層のエッチングが要求される他の用途（例えば、配線回路の形成）にも使用できる。
本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液を用いてエッチング処理することで、銅のエッチング速度および銅ピラーの形状・表面形状がより良好なものとなる。また、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造工程において、本発明のエッチング液を電解銅層のエッチングに用いた際は、電解銅層のサイドエッチングの発生を抑えながら電解銅層をエッチングすることができ、所望の形状・表面形状の銅ピラーを得ることができる。銅ピラーの形状・表面形状が良好となることにより、フリップチップ実装（フリップチップ接合）がより容易となる。
本発明において、銅ピラーは特に限定されない。銅ピラーは、例えば、フリップチップ実装が可能な接続端子であり、銅バンプ、銅ポストをも含む。The etching solution of the present invention can be used for etching the electrolytic copper layer. For example, the etching solution of the present invention can be suitably used when etching an electrolytic copper layer in a copper pillar manufacturing process using a method of forming copper pillars by electrolytic copper plating. Further, the etching solution of the present invention can also be used for other applications (for example, formation of a wiring circuit) in which etching of an electrolytic copper layer is required.
According to a preferred embodiment of the present invention, the etching process using the etching solution of the present invention improves the etching rate of copper and the shape and surface shape of copper pillars. Further, in the copper pillar manufacturing process using the method of forming copper pillars by electrolytic copper plating, when the etching solution of the present invention is used for etching the electrolytic copper layer, the occurrence of side etching of the electrolytic copper layer is suppressed. The electrolytic copper layer can be etched, and copper pillars having a desired shape and surface shape can be obtained. By improving the shape and surface shape of the copper pillar, flip-chip mounting (flip-chip bonding) becomes easier.
In the present invention, the copper pillar is not particularly limited. The copper pillar is, for example, a connection terminal capable of flip-chip mounting, and also includes a copper bump and a copper post.
本発明において、電解銅層は、電解銅を含む層であれば、特に限定されない。また、エッチング対象となる電解銅層の形状は特に制限されず、例えば、円柱状、略角状、配線状であってよい。電解銅層の厚みも特に制限されないが、通常１．５〜１０５μｍであり、好ましくは１．５〜１０μｍ、より好ましくは１．５〜８μｍである。
電解銅層のエッチング速度（「エッチングレート」ともいう）は、特に制限されないが、液温３０℃において、１〜４０μｍ／ｍｉｎが好ましく、５〜３０μ／ｍｉｎがより好ましく、５〜２０μｍ／ｍｉｎがさらに好ましい。エッチング速度が１〜４０μｍ／ｍｉｎであると、高い生産効率を維持し、安定的にエッチング操作を行うことができる。In the present invention, the electrolytic copper layer is not particularly limited as long as it is a layer containing electrolytic copper. Further, the shape of the electrolytic copper layer to be etched is not particularly limited, and may be, for example, a columnar shape, a substantially angular shape, or a wiring shape. The thickness of the electrolytic copper layer is also not particularly limited, but is usually 1.5 to 105 μm, preferably 1.5 to 10 μm, and more preferably 1.5 to 8 μm.
The etching rate (also referred to as “etching rate”) of the electrolytic copper layer is not particularly limited, but is preferably 1 to 40 μm / min, more preferably 5 to 30 μm / min, and 5 to 20 μm / min at a liquid temperature of 30 ° C. More preferred. When the etching rate is 1 to 40 μm / min, high production efficiency can be maintained and the etching operation can be performed stably.
５．電解銅層のエッチング方法
本発明のエッチング方法は、前述した本発明のエッチング液を用いて電解銅層をエッチングすることを含む。本発明のエッチング方法は特に、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造工程における電解銅層のエッチング時に好適に用いることができる。5. Etching Method of Electrolytic Copper Layer The etching method of the present invention includes etching the electrolytic copper layer with the etching solution of the present invention described above. The etching method of the present invention can be particularly preferably used at the time of etching the electrolytic copper layer in the manufacturing process of the copper pillar using the method of forming the copper pillar by electrolytic copper plating.
本発明のエッチング液の使用温度には特に制限はないが、１０〜５０℃の温度が好ましく、より好ましくは２０〜４５℃であり、さらに好ましくは２５〜４０℃である。エッチング液の温度が１０℃以上であれば、エッチング速度が良好となるため、優れた生産効率が得られる。一方、エッチング液の温度が５０℃以下であれば、液組成変化を抑制し、エッチング条件を一定に保つことができる。エッチング液の温度を高くすることで、エッチング速度は上昇するが、エッチング液の組成変化（例えば、過酸化水素の分解）を小さく抑えることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すればよい。 The operating temperature of the etching solution of the present invention is not particularly limited, but is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 20 to 45 ° C, and even more preferably 25 to 40 ° C. When the temperature of the etching solution is 10 ° C. or higher, the etching rate is good, so that excellent production efficiency can be obtained. On the other hand, when the temperature of the etching solution is 50 ° C. or lower, the change in the composition of the solution can be suppressed and the etching conditions can be kept constant. By increasing the temperature of the etching solution, the etching rate increases, but the optimum processing temperature should be determined as appropriate, taking into consideration the fact that changes in the composition of the etching solution (for example, decomposition of hydrogen peroxide) are kept small. Just do it.
また、エッチング処理時間も特に制限はないが、１〜６００秒が好ましく、５〜３００秒がより好ましく、１０〜１８０秒がさらに好ましく、１５〜１２０秒が特に好ましい。処理時間は、所望の電解銅層の高さ、電解銅層表面の状態、エッチング液の濃度、温度および処理方法等の種々の条件により適宜選択すればよい。 The etching treatment time is also not particularly limited, but is preferably 1 to 600 seconds, more preferably 5 to 300 seconds, further preferably 10 to 180 seconds, and particularly preferably 15 to 120 seconds. The treatment time may be appropriately selected depending on various conditions such as the desired height of the electrolytic copper layer, the state of the surface of the electrolytic copper layer, the concentration of the etching solution, the temperature, and the treatment method.
エッチング対象物に本発明のエッチング液を接触させる方法は、特に制限されない。例えば、エッチング液の滴下（枚葉スピン処理）またはスプレー（噴霧処理）などの形式によりエッチング対象物に接触させる方法、またはエッチング対象物をエッチング液に浸漬させる方法などの湿式法（ウェット）エッチング方法を採用することができる。本発明のエッチング方法においては、いずれの方法を採用することもできる。 The method of bringing the etching solution of the present invention into contact with the object to be etched is not particularly limited. For example, a wet etching method such as a method of contacting an etching object with a form such as dropping an etching solution (single-wafer spin treatment) or a spray (spray treatment), or a method of immersing an etching object in an etching solution. Can be adopted. In the etching method of the present invention, any method can be adopted.
本発明のエッチング方法によるエッチング対象物は電解銅層である。本発明のエッチング方法によりエッチングされる電解銅層の厚みについては、前記「４．電解銅層用エッチング液」において述べたとおりである。 The object to be etched by the etching method of the present invention is an electrolytic copper layer. The thickness of the electrolytic copper layer etched by the etching method of the present invention is as described in "4. Etching solution for electrolytic copper layer".
６．銅ピラーの製造方法
本発明の銅ピラーの製造方法は、銅ピラーの製造工程において、前述した本発明のエッチング液を用いて電解銅層をエッチングすることを含む。6. Method for Manufacturing Copper Pillar The method for manufacturing a copper pillar of the present invention includes etching an electrolytic copper layer with the etching solution of the present invention described above in the copper pillar manufacturing process.
図２は、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造方法の工程の一例を示した図である。
以下に示した電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法は、例示であり、これに限定されるものではない。
まず、図２（ａ）に示すとおり、層間絶縁樹脂（１１ａ）の間隙に銅配線（１１ｂ）を有する樹脂基板（１１）を準備する。樹脂基板（１１）は、半導体チップ（半導体素子）の構成の一部としてチップ上に形成されていてもよく、半導体素子搭載用パッケージ基板（プリント配線板）の構成の一部としてパッケージ基板上に形成されていてもよい。FIG. 2 is a diagram showing an example of a process of a method for manufacturing a copper pillar using a method of forming a copper pillar by electrolytic copper plating.
The method of forming copper pillars by electrolytic copper plating shown below is an example and is not limited thereto.
First, as shown in FIG. 2A, a resin substrate (11) having copper wiring (11b) in the gap between the interlayer insulating resin (11a) is prepared. The resin substrate (11) may be formed on the chip as a part of the configuration of the semiconductor chip (semiconductor element), or may be formed on the package substrate as a part of the configuration of the package substrate (printed wiring board) for mounting the semiconductor element. It may be formed.
次に、図２（ｂ）に示すとおり、樹脂基板（１１）の表面に化学銅メッキを施して化学銅層（１２）を形成する。
次に、化学銅層（１２）の表面にドライフィルムレジスト層を形成し、露光および現像して、図２（ｃ）に示すとおりレジストパターン（１３）を形成する。
その後、レジストパターン（１３）が形成されていない化学銅層（１２）の露出部分に電解銅メッキを施し、図２（ｄ）に示すとおり、電解銅層（１４）を形成する。得られる銅ピラーの高さを均一にするため電解銅層（１４）は、通常、レジストパターン（１３）を超える高さまで形成し、その後、ケミカルメカニカルポリッシングなどを用いて研磨してレジストパターン（１３）と同程度の高さに調整することが望ましい。
次いで、電解銅層（１４）の表面を本発明のエッチング液を用いてエッチング処理し、図２（ｅ）に示すとおり、電解銅層（１４）の高さをレジストパターン（１３）の高さよりも低く調整する。電解銅層（１４）の高さがレジストパターン（１３）の高さと同等程度であると、レジストパターン（１３）上部に銅が残る場合があり、次のレジストパターン（１３）の剥離が難しくなる場合がある。このため、電解銅層（１４）の高さがレジストパターン（１３）の高さよりも低くなるまでエッチング処理して、レジストパターン（１３）上部の銅を完全に除去することが望ましい。また、電解銅層（１４）の高さがレジストパターン（１３）の高さよりも低くなるまでエッチング処理することで、電解銅層（１４）の上に他の金属層を形成することも可能になる。電解銅層（１４）の高さは、目的または用途に応じて適宜選択すればよい。
最後に、図２（ｆ）に示すとおり、レジストパターン（１３）を剥離液により剥離して、樹脂基板（１１）および化学銅層（１２）上に銅ピラー（１５）を形成することができる。なお、この後、フラッシュエッチングにより、銅ピラー（１５）が形成されていない部分の化学銅層（１２）を除去してもよい。Next, as shown in FIG. 2B, the surface of the resin substrate (11) is plated with chemical copper to form the chemical copper layer (12).
Next, a dry film resist layer is formed on the surface of the chemical copper layer (12), exposed and developed to form a resist pattern (13) as shown in FIG. 2 (c).
After that, the exposed portion of the chemical copper layer (12) on which the resist pattern (13) is not formed is plated with electrolytic copper to form the electrolytic copper layer (14) as shown in FIG. 2 (d). In order to make the height of the obtained copper pillar uniform, the electrolytic copper layer (14) is usually formed to a height exceeding the resist pattern (13), and then polished by using chemical mechanical polishing or the like to make the resist pattern (13). It is desirable to adjust the height to the same level as).
Next, the surface of the electrolytic copper layer (14) is etched with the etching solution of the present invention, and the height of the electrolytic copper layer (14) is adjusted from the height of the resist pattern (13) as shown in FIG. 2 (e). Also adjust low. If the height of the electrolytic copper layer (14) is about the same as the height of the resist pattern (13), copper may remain on the upper part of the resist pattern (13), making it difficult to peel off the next resist pattern (13). In some cases. Therefore, it is desirable to completely remove the copper on the upper part of the resist pattern (13) by etching until the height of the electrolytic copper layer (14) is lower than the height of the resist pattern (13). Further, by etching until the height of the electrolytic copper layer (14) is lower than the height of the resist pattern (13), it is possible to form another metal layer on the electrolytic copper layer (14). Become. The height of the electrolytic copper layer (14) may be appropriately selected depending on the purpose or application.
Finally, as shown in FIG. 2 (f), the resist pattern (13) can be peeled off with a stripping liquid to form copper pillars (15) on the resin substrate (11) and the chemical copper layer (12). .. After that, the chemical copper layer (12) in the portion where the copper pillar (15) is not formed may be removed by flash etching.
本発明の好ましい態様によれば、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造工程において、本発明のエッチング液を用いて電解銅層（１４）をエッチングすることにより（図２（ｅ））、レジストパターン（１３）の側壁に沿った電解銅層（１４）のサイドエッチングを生じることなく、またはサイドエッチングの発生を抑えながら、電解銅層（１４）をエッチングすることができ、所望の形状・表面形状を有する銅ピラー（１５）を効率よく製造することができる。電解銅層（１４）のサイドエッチングが生じる場合は、銅ピラーを介した電気接続の信頼性が低下したり、サイドエッチングを考慮してピラー径の接続面積を大きく設計する必要があり、銅ピラーの高密度化に適さないが、本発明の好ましい態様によれば、より狭いピッチにも対応可能なフリップチップ実装用の接続端子を基板上の所望の位置に形成することができるため、半導体デバイスなどの実装部品の高密度化および高集積化の要求に対応しうる。 According to a preferred embodiment of the present invention, in the process of manufacturing a copper pillar using a method of forming a copper pillar by electrolytic copper plating, the electrolytic copper layer (14) is etched with the etching solution of the present invention (FIG. 2 (e)) The electrolytic copper layer (14) can be etched without causing side etching of the electrolytic copper layer (14) along the side wall of the resist pattern (13) or while suppressing the occurrence of side etching. It is possible to efficiently manufacture a copper pillar (15) having a desired shape and surface shape. When the side etching of the electrolytic copper layer (14) occurs, the reliability of the electrical connection via the copper pillar is lowered, and it is necessary to design the connection area of the pillar diameter to be large in consideration of the side etching. However, according to a preferred embodiment of the present invention, a connection terminal for mounting a flip chip capable of supporting a narrower pitch can be formed at a desired position on the substrate, and thus the semiconductor device. It is possible to meet the demands for high density and high integration of mounted components such as.
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明の効果を奏する限りにおいて適宜実施形態を変更することができる。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples, but the embodiments can be appropriately changed as long as the effects of the present invention are exhibited.
［評価用基板の作製（銅配線と銅箔を具備した樹脂基板）］
本発明の銅箔用エッチング液、銅箔のエッチング方法およびプリント配線板の製造方法は、図１（ｆ）の銅箔（３）が付いた基板を用いて評価することができる。
ＥＴＳ工法により、以下のようにして、プリプレグ上に５μｍの厚みを有する銅箔が積層されてなる図１（ｆ）の銅箔（３）が付いた基板を作製し、評価用基板として使用した。
評価用基板の作製は以下のようにして行った。
まず、厚さ５μｍの極薄銅箔（銅箔（３）に相当する）を有するキャリア箔付極薄銅箔「ＭＴ１８ＳＤ−Ｈ−Ｔ５」（三井金属鉱業株式会社製）を１００μｍのデタッチコア（基材：「ＨＬ−８３２ＮＳＦ」）（三菱瓦斯化学株式会社製）に対しキャリア箔側が接するように積層した。
次いで、積層した基材の極薄銅箔側にドライフィルムレジストをラミネートし、ライン／スペース（Ｌ／Ｓ）＝１０／１０μｍの配線デザインでドライフィルムレジストを露光した。炭酸ナトリウム水溶液を用いて露光後のドライフィルムレジストを現像し、レジストパターンを形成した後、電解銅メッキにより配線高さが１０μｍとなるようにパターンメッキを行った。
パターンメッキ後、ドライフィルム剥離液「Ｒ−１００Ｓ」（三菱瓦斯化学株式会社製）を用いてレジストパターンを剥離し、銅配線を形成した。
銅配線がプリプレグ「ＧＨＰＬ−８３０ＮＳ ＳＨ６５」（三菱瓦斯化学株式会社製）に埋め込まれるように積層した。なお、図示していないが、プリプレグを積層する際に用いた、銅配線とは反対側にプリプレグに積層されている外層銅箔としては、銅箔厚みが５μmのキャリア箔付極薄銅箔「ＭＴ１８Ｅｘ」（三井金属鉱業株式会社製）を、５μmの銅箔がプリプレグ側となるようにして、使用した。その後、デタッチコアとキャリア箔を剥がし、図１（ｆ）の銅箔（３）が付いた基板を作製した。
得られた基板を、処理デザイン部を中心に寸法：３０ｍｍ×３０ｍｍに裁断し評価用基板とした。なお、評価用基板のプリプレグ内には、２０μｍピッチで１０〜１０．５μｍの配線幅で銅配線が形成されている。[Preparation of evaluation board (resin board with copper wiring and copper foil)]
The etching solution for copper foil, the method for etching copper foil, and the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention can be evaluated using the substrate with the copper foil (3) of FIG. 1 (f).
By the ETS method, a substrate having the copper foil (3) of FIG. 1 (f) in which a copper foil having a thickness of 5 μm was laminated on the prepreg was produced as follows and used as an evaluation substrate. ..
The evaluation substrate was prepared as follows.
First, a 100 μm detach core (base) of an ultra-thin copper foil “MT18SD-HT5” (manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) with a carrier foil having an ultra-thin copper foil (corresponding to copper foil (3)) having a thickness of 5 μm. Material: "HL-832NSF") (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) was laminated so that the carrier foil side was in contact with the material.
Next, a dry film resist was laminated on the ultrathin copper foil side of the laminated base material, and the dry film resist was exposed with a wiring design of line / space (L / S) = 10/10 μm. The dry film resist after exposure was developed using an aqueous sodium carbonate solution to form a resist pattern, and then pattern plating was performed by electrolytic copper plating so that the wiring height was 10 μm.
After pattern plating, the resist pattern was peeled off using a dry film release liquid "R-100S" (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.) to form copper wiring.
The copper wiring was laminated so as to be embedded in the prepreg "GHPL-830NS SH65" (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.). Although not shown, the outer layer copper foil laminated on the prepreg on the side opposite to the copper wiring used when laminating the prepreg is an ultrathin copper foil with a carrier foil having a copper foil thickness of 5 μm. "MT18Ex" (manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) was used with a 5 μm copper foil on the prepreg side. Then, the detachable core and the carrier foil were peeled off to prepare a substrate with the copper foil (3) of FIG. 1 (f).
The obtained substrate was cut into a size of 30 mm × 30 mm centering on the processing design portion to obtain an evaluation substrate. In the prepreg of the evaluation substrate, copper wiring is formed with a wiring width of 10 to 10.5 μm at a pitch of 20 μm.
［サイドエッチング量の評価］
サイドエッチング量の評価はエッチング後の配線断面形状から判断した。
実施例および比較例で得られたエッチングを行った後の基板の配線断面について、走査型電子顕微鏡（「Ｓ３７００Ｎ形（型番）」；株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて観察倍率３万倍（加速電圧２ｋＶ、エミッション電流１０μＡ）で観察した。得られたＳＥＭ画像をもとに、配線断面のサイドエッチング量を調べた。図４に示すように、サイドエッチング量を求め、以下のように評価した。なお、本明細書において、「サイドエッチング量」とは、銅配線の上端部より銅箔に接する樹脂との最短距離のことである。
優：いずれの値も０．１μｍ未満
不可：いずれの値も０．１μｍ以上
優が合格品である。[Evaluation of side etching amount]
The evaluation of the side etching amount was judged from the cross-sectional shape of the wiring after etching.
The wiring cross section of the substrate after etching obtained in Examples and Comparative Examples was observed at a magnification of 30,000 times using a scanning electron microscope (“S3700N type (model number)”; manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation). The observation was performed at an acceleration voltage of 2 kV and an emission current of 10 μA). Based on the obtained SEM image, the amount of side etching of the wiring cross section was examined. As shown in FIG. 4, the amount of side etching was determined and evaluated as follows. In the present specification, the "side etching amount" is the shortest distance from the upper end of the copper wiring to the resin in contact with the copper foil.
Excellent: All values are less than 0.1 μm Impossible: All values are 0.1 μm or more Excellent is a passing product.
［銅箔のエッチングレートの評価］
銅箔のエッチング処理前後の膜厚差を処理時間で除した値を銅箔のエッチングレートと定義し、これを算出し、以下のように評価した。
Ａ：５μｍ／ｍｉｎ以上２０μｍ／ｍｉｎ以下
Ｂ：１μｍ／ｍｉｎ以上５μｍ／ｍｉｎ未満、または２０μｍ／ｍｉｎ超４０μｍ／ｍｉｎ以下
Ｃ：１μｍ／ｍｉｎ未満、４０μｍ／ｍｉｎ超
ＡおよびＢが合格品である。[Evaluation of etching rate of copper foil]
The value obtained by dividing the difference in film thickness before and after the etching treatment of the copper foil by the treatment time was defined as the etching rate of the copper foil, which was calculated and evaluated as follows.
A: 5 μm / min or more and 20 μm / min or less B: 1 μm / min or more and less than 5 μm / min, or 20 μm / min or more and 40 μm / min or less C: 1 μm / min or less, 40 μm / min or more A and B are acceptable products.
［実施例１]
容量１Ｌのガラスビーカーに、純水０．９４９ｋｇと、過酸化水素（Ａ）（三菱瓦斯化学株式会社製、６０質量％品、分子量３４）を０.０３３ｋｇと、硫酸（Ｂ）（三菱瓦斯化学株式会社製、４６質量％希硫酸、分子量９８）を０．０１７ｋｇ、およびアゾール化合物（Ｃ）として５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール（増田化学工業株式会社製）を０．０００３ｋｇ投入した。攪拌して均一な状態としてエッチング液を調製した。
このエッチング液を用いて、評価用基板に対し、液温３０℃、スプレー圧０．１５ＭＰaで、銅箔の厚み８μｍをエッチングするスプレー処理を行った。[Example 1]
In a glass beaker with a capacity of 1 L, 0.949 kg of pure water, 0.033 kg of hydrogen peroxide (A) (manufactured by Mitsubishi Gas Chemicals Co., Ltd., 60% by mass, molecular weight 34) and sulfuric acid (B) (Mitsubishi Gas Chemicals Co., Ltd.) 0.017 kg of 46 mass% dilute sulfuric acid manufactured by Masuda Chemical Industries, Ltd., and 0.0003 kg of 5-amino-1H-tetrazole (manufactured by Masuda Chemical Industry Co., Ltd.) as the azole compound (C) were added. The etching solution was prepared in a uniform state by stirring.
Using this etching solution, the evaluation substrate was spray-treated to etch a copper foil thickness of 8 μm at a liquid temperature of 30 ° C. and a spray pressure of 0.15 MPa.
銅箔の厚み８μｍのエッチング処理時間を決めるため、全面銅箔基板（寸法４０ｍｍ×４０ｍｍ）を液温３０℃で６０秒間スプレー処理し６０秒当たりの銅溶解量であるエッチングレート（以下、「ＥＲ」と言う）を測定しＥＲより処理秒数を算出した。
ＥＲ［μｍ/分］＝（処理前質量［ｇ］-処理後質量［ｇ］）/（処理面積［ｍ２］×８．９６［ｇ/ｃｍ３］（銅の比重））
銅箔の厚み８μｍのエッチング処理の所要秒数＝８［μｍ］×［６０秒］/ＥＲ［μｍ/分］
エッチング処理後の評価用基板を破断し、基板の断面（配線断面）を、走査型二次電子顕微鏡を用いて観察した。基板の断面（配線断面）の走査型二次電子顕微鏡写真を図３に示す。図３に示すとおり、実施例１のエッチング液を用いてエッチングした場合、サイドエッチングの発生を抑えることができ、銅配線の形状も良好であった。In order to determine the etching treatment time for a copper foil thickness of 8 μm, the entire copper foil substrate (dimensions 40 mm × 40 mm) is spray-treated at a liquid temperature of 30 ° C. for 60 seconds, and the etching rate is the amount of copper dissolved per 60 seconds (hereinafter, “ER”). The number of processing seconds was calculated from the ER.
ER [μm / min] = (mass before treatment [g] -mass after treatment [g]) / (treatment area [m 2 ] x 8.96 [g / cm 3 ] (copper specific gravity))
The number of seconds required for etching a copper foil with a thickness of 8 μm = 8 [μm] x [60 seconds] / ER [μm / min]
The evaluation substrate after the etching treatment was broken, and the cross section (wiring cross section) of the substrate was observed using a scanning secondary electron microscope. A scanning secondary electron micrograph of a cross section (wiring cross section) of the substrate is shown in FIG. As shown in FIG. 3, when etching was performed using the etching solution of Example 1, the occurrence of side etching could be suppressed and the shape of the copper wiring was also good.
［実施例２］
フェニル尿素を表１に記載の量比で用いたこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Example 2]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that phenylurea was used in the amount ratio shown in Table 1, and the evaluation substrate was spray-treated, and then the side etching amount was evaluated.
［実施例３、４］
（Ａ）成分の量比を変更し、（Ａ）成分および（Ｂ）成分のモル比を表１に記載のものに変更したこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Examples 3 and 4]
An etching solution was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the amount ratio of the component (A) was changed and the molar ratios of the component (A) and the component (B) were changed to those shown in Table 1. After spraying the substrate, the amount of side etching was evaluated.
［実施例５、６］
（Ａ）成分および（Ｂ）成分を表１に記載の量比で用いたこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Examples 5 and 6]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the components (A) and (B) were used in the amount ratios shown in Table 1, sprayed on the evaluation substrate, and then the side etching amount was evaluated. did.
［実施例７、８］
（Ｃ）成分として表１に記載の化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Examples 7 and 8]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the compounds shown in Table 1 were used as the component (C), and after spraying the evaluation substrate, the amount of side etching was evaluated.
［実施例９］
（Ｃ）成分を表１に記載の量比で用い、フェニル尿素を表１に記載の量比で用いたこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Example 9]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the component (C) was used in the amount ratio shown in Table 1 and phenylurea was used in the amount ratio shown in Table 1, and the evaluation substrate was spray-treated. After that, the amount of side etching was evaluated.
［比較例１］
（Ｃ）成分を使用しなかったこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。基板の断面（配線断面）の走査型二次電子顕微鏡写真を図４に示す。図４に示すとおり、比較例１のエッチング液を用いてエッチングした場合、サイドエッチングが生じてしまい、所望の形状の銅配線は得られなかった。[Comparative Example 1]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the component (C) was not used, and after spraying the evaluation substrate, the amount of side etching was evaluated. A scanning secondary electron micrograph of a cross section (wiring cross section) of the substrate is shown in FIG. As shown in FIG. 4, when etching was performed using the etching solution of Comparative Example 1, side etching occurred, and a copper wiring having a desired shape could not be obtained.
［比較例２］
（Ｃ）成分を使用しなかったこと以外は実施例２と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Comparative Example 2]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 2 except that the component (C) was not used, and the evaluation substrate was spray-treated, and then the amount of side etching was evaluated.
［比較例３〜８］
（Ａ）成分の量比を変更し、（Ａ）成分および（Ｂ）成分のモル比を表１に記載のものに変更したこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Comparative Examples 3 to 8]
An etching solution was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the amount ratio of the component (A) was changed and the molar ratios of the component (A) and the component (B) were changed to those shown in Table 1. After spraying the substrate, the amount of side etching was evaluated.
［比較例９、１０］
（Ｃ）成分の量比を表１に記載のものに変更したこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Comparative Examples 9 and 10]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the amount ratio of the component (C) was changed to that shown in Table 1, sprayed on the evaluation substrate, and then the side etching amount was evaluated.
［比較例１１〜１３］
（Ｂ）成分の代わりに表１に記載の酸を表１に記載の量比で使用したこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Comparative Examples 11 to 13]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the acid shown in Table 1 was used in place of the component (B) in the amount ratio shown in Table 1, sprayed on the evaluation substrate, and then sided. The etching amount was evaluated.
［比較例１４〜２１］
（Ｃ）成分の代わりに表１に記載のアゾール化合物を使用したこと以外は実施例１と同様にしてエッチング液を調製し、評価用基板にスプレー処理した後、サイドエッチング量を評価した。[Comparative Examples 14 to 21]
An etching solution was prepared in the same manner as in Example 1 except that the azole compound shown in Table 1 was used instead of the component (C), and the evaluation substrate was spray-treated, and then the amount of side etching was evaluated.
実施例の評価結果を表1に、比較例の評価結果を表２および３にそれぞれ示す。 The evaluation results of the examples are shown in Table 1, and the evaluation results of the comparative examples are shown in Tables 2 and 3, respectively.
表１に示すとおり、実施例１〜８のエッチング液ではいずれも、銅箔を良好なエッチング速度でエッチングでき、かつ、サイドエッチング量が抑えられ、エッチング後の銅配線の形状も良好であった。
一方、表２および３に示すとおり、比較例１〜１０および１２〜２１のエッチング液では、銅配線に大きくサイドエッチングが生じてしまい、所望の形状の銅配線は得られなかった。また、比較例１１では、銅配線中央部がエッチングされてしまい、所望の配線形状は得られなかった。As shown in Table 1, in each of the etching solutions of Examples 1 to 8, the copper foil could be etched at a good etching rate, the amount of side etching was suppressed, and the shape of the copper wiring after etching was also good. ..
On the other hand, as shown in Tables 2 and 3, in the etching solutions of Comparative Examples 1 to 10 and 12 to 21, large side etching occurred in the copper wiring, and the copper wiring having a desired shape could not be obtained. Further, in Comparative Example 11, the central portion of the copper wiring was etched, and the desired wiring shape could not be obtained.
上記実施例は、ＥＴＳ工法における銅箔エッチングにおいて本発明のエッチング液を用いて銅箔にサイドエッチングが生じなかったことを示したものであるが、ＥＴＳ工法における銅箔と電解銅メッキにより形成される銅ピラーは同じ電解銅であり、化学的に同じエッチング反応が進行すると考えられるため、銅ピラーの製造工程においても同様に電解銅層のサイドエッチングの発生を抑えられることができると考えられる。 The above example shows that side etching did not occur in the copper foil by using the etching solution of the present invention in the copper foil etching in the ETS method, but it was formed by the copper foil and electrolytic copper plating in the ETS method. Since the copper pillars are the same electrolytic copper and the same etching reaction is considered to proceed chemically, it is considered that the occurrence of side etching of the electrolytic copper layer can be similarly suppressed in the copper pillar manufacturing process.
本発明のエッチング液は、銅箔または電解銅層のエッチング液として好適に使用することができる。特に、本発明のエッチング液は、ＥＴＳ工法における銅箔のエッチング時に好適に使用することができる。本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液を用いることにより、ＥＴＳ工法において、銅配線のサイドエッチングの発生を抑えながら、銅箔をエッチングすることができ、配線の微細化に対応したプリント配線板を製造することができる。また、本発明のエッチング液は、電解銅メッキにより銅ピラーを形成する工法を用いた銅ピラーの製造工程において、電解銅層のエッチング時に好適に使用することができる。本発明の好ましい態様によれば、本発明のエッチング液を用いることにより、銅ピラーの製造工程において、電解銅層のサイドエッチングの発生を抑えながら、電解銅層をエッチングすることができ、所望の形状を有する銅ピラーを製造することができる。 The etching solution of the present invention can be suitably used as an etching solution for a copper foil or an electrolytic copper layer. In particular, the etching solution of the present invention can be suitably used when etching a copper foil in the ETS method. According to a preferred embodiment of the present invention, by using the etching solution of the present invention, it is possible to etch the copper foil while suppressing the occurrence of side etching of the copper wiring in the ETS method, and it corresponds to the miniaturization of the wiring. A printed wiring board can be manufactured. Further, the etching solution of the present invention can be suitably used at the time of etching the electrolytic copper layer in the copper pillar manufacturing process using the method of forming copper pillars by electrolytic copper plating. According to a preferred embodiment of the present invention, by using the etching solution of the present invention, the electrolytic copper layer can be etched while suppressing the occurrence of side etching of the electrolytic copper layer in the copper pillar manufacturing process, which is desired. A copper pillar having a shape can be manufactured.
１ デタッチコア
２ キャリア箔
３ 銅箔
４ レジストパターン
５ 銅メッキ
５ａ 銅配線
６ 層間絶縁樹脂
１０ プリント配線板
１１ 樹脂基板
１１ａ 層間絶縁樹脂
１１ｂ 銅配線
１２ 化学銅層
１３ レジストパターン
１４ 電解銅層
１５ 銅ピラー1 Detach
Claims (12)
硫酸（Ｂ）、ならびに
５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）を含有する銅箔用エッチング液であって、
硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、
アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、
リン酸を実質的に含有しない、銅箔用エッチング液。Hydrogen peroxide (A),
For copper foil containing sulfuric acid (B) and at least one azole compound (C) selected from the group consisting of 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-undecylimidazole. Etching solution
The molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6-30.
The concentration of the azole compound (C) is in the range of 0.001 to 0.01% by mass,
An etching solution for copper foil that contains substantially no phosphoric acid.
硫酸（Ｂ）、ならびに
５−アミノ―１Ｈ―テトラゾール、１，５−ペンタメチレンテトラゾールおよび２−ｎ−ウンデシルイミダゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種のアゾール化合物（Ｃ）を含有する電解銅層用エッチング液であって、
硫酸（Ｂ）に対する過酸化水素（Ａ）のモル比が６〜３０の範囲内にあり、
アゾール化合物（Ｃ）の濃度が０．００１〜０．０１質量％の範囲内にあり、
リン酸を実質的に含有しない、電解銅層用エッチング液。Hydrogen peroxide (A),
Electrolytic copper layer containing sulfuric acid (B) and at least one azole compound (C) selected from the group consisting of 5-amino-1H-tetrazole, 1,5-pentamethylenetetrazole and 2-n-undecylimidazole. Etching solution for
The molar ratio of hydrogen peroxide (A) to sulfuric acid (B) is in the range of 6-30.
The concentration of the azole compound (C) is in the range of 0.001 to 0.01% by mass,
An etching solution for an electrolytic copper layer that contains substantially no phosphoric acid.
A method for producing a copper pillar, which comprises etching an electrolytic copper layer with the etching solution according to any one of claims 7 to 9 in the process for producing the copper pillar.
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