JPWO2019131670A1 - Encapsulation composition and semiconductor device - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 92
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 62
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 57
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 43
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical group P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 32
- -1 aldehyde compound Chemical class 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 11
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 10
- 238000005040 ion trap Methods 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical group C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 10
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 4
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N salicylaldehyde Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=O SMQUZDBALVYZAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N [hydroxy(octoxy)phosphoryl] octyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OP(O)(=O)OCCCCCCCC UMHKOAYRTRADAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N ditridecyl phosphite Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOP([O-])OCCCCCCCCCCCCC XHWQYYPUYFYELO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxycyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound COC1=C(OC)C(=O)C=CC1=O NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N butyric aldehyde Natural products CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 2
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N dioctyl hydrogen phosphate Chemical compound CCCCCCCCOP(O)(=O)OCCCCCCCC HTDKEJXHILZNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 238000005243 fluidization Methods 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-diol Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(O)=CC=C21 NXPPAOGUKPJVDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N octacosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O UTOPWMOLSKOLTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001755 resorcinol Drugs 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N ubiquinone-0 Chemical compound COC1=C(OC)C(=O)C(C)=CC1=O UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGINAUQXFXVBND-UHFFFAOYSA-N 1,2,6,7,8,8a-hexahydropyrrolo[1,2-a]pyrimidine Chemical compound N1CC=CN2CCCC21 XGINAUQXFXVBND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 1
- FSTTVKGSJLFJAC-UHFFFAOYSA-N 1-diphenylphosphoryl-4-methylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FSTTVKGSJLFJAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IEKHISJGRIEHRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEGDFCCYTFPECB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone Natural products C1=CC=C2C(=O)C(OC)=C(OC)C(=O)C2=C1 ZEGDFCCYTFPECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SENUUPBBLQWHMF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=CC(=O)C=C(C)C1=O SENUUPBBLQWHMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 2-dodecylbenzenesulfonic acid;propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O.CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O KKOHCQAVIJDYAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 2-phenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1 RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VGDAMJGKFYMEDE-UHFFFAOYSA-N 5-(dimethoxymethylsilyl)pentane-1,3-diamine Chemical compound NCCC(CC[SiH2]C(OC)OC)N VGDAMJGKFYMEDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNANZMNFPYPCHN-UHFFFAOYSA-N N'-[2-(dimethoxymethylsilyl)propan-2-yl]ethane-1,2-diamine Chemical compound COC(OC)[SiH2]C(C)(C)NCCN KNANZMNFPYPCHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000004203 carnauba wax Substances 0.000 description 1
- 235000013869 carnauba wax Nutrition 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N diazomethylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=CC1=CC=CC=C1 CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N diglycidyl ether Chemical compound C1OC1COCC1CO1 GYZLOYUZLJXAJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical compound [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 238000003918 potentiometric titration Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N triphenylborane;triphenylphosphane Chemical compound C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QLAGHGSFXJZWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
- C08K3/20—Oxides; Hydroxides
- C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
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- C08K5/53—Phosphorus bound to oxygen bound to oxygen and to carbon only
- C08K5/5397—Phosphine oxides
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- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
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- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
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Abstract
封止組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、３級ホスフィンオキシド又はアルミナ流動化剤と、を含有する。The sealing composition contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, and a tertiary phosphine oxide or an alumina fluidizing agent.
Description
本発明は、封止組成物及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a sealing composition and a semiconductor device.
近年、半導体パッケージの小型化及び高集積化に伴い、半導体パッケージ内部の発熱が懸念されている。発熱により、半導体パッケージを有する電気部品又は電子部品の性能低下が生じる恐れがある。そのため、半導体パッケージに使用される部材には、高い熱伝導性が求められている。例えば、半導体パッケージの封止材を高熱伝導化することが求められている。
封止材を高熱伝導化する手法の一つとして、封止材に含まれる無機充填材として、シリカ及び高熱伝導性の無機充填材であるアルミナを用いる方法が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。In recent years, with the miniaturization and high integration of semiconductor packages, there is a concern about heat generation inside the semiconductor package. Due to heat generation, the performance of electric or electronic components having a semiconductor package may deteriorate. Therefore, the members used in the semiconductor package are required to have high thermal conductivity. For example, it is required to make the encapsulant of a semiconductor package highly thermally conductive.
As one of the methods for increasing the thermal conductivity of the encapsulant, there is a method of using silica and alumina, which is an inorganic filler having high thermal conductivity, as the inorganic filler contained in the encapsulant (see, for example, Patent Document 1). ).
封止材を高熱伝導化するためにアルミナを用いると、流動性が悪化することがある。例えば、半導体素子と基板とをワイヤを介して接続するワイヤボンディング構造と呼ばれる方法を採用した半導体パッケージは、半導体素子と、基板と、これらを電気的に接続しているワイヤとを樹脂組成物である封止材で封止することにより形成される。その際、封止材の流動によりワイヤに圧力がかかり、ワイヤの位置ずれ（ワイヤ流れ）が生じたり、半導体素子の保護が充分にされないことがある。 If alumina is used to increase the thermal conductivity of the encapsulant, the fluidity may deteriorate. For example, in a semiconductor package that employs a method called a wire bonding structure in which a semiconductor element and a substrate are connected via wires, the semiconductor element, the substrate, and the wire that electrically connects them are made of a resin composition. It is formed by sealing with a certain sealing material. At that time, pressure is applied to the wire due to the flow of the sealing material, which may cause the wire to be displaced (wire flow) or the semiconductor element may not be sufficiently protected.
本発明の一形態は、上記従来の事情に鑑みてなされたものであり、無機充填材としてアルミナを用いた場合における流動性に優れる封止組成物及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。 One embodiment of the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and provides a sealing composition having excellent fluidity when alumina is used as an inorganic filler and a semiconductor device using the same. The purpose.
前記課題を達成するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞ エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、３級ホスフィンオキシドと、を含有する封止組成物。
＜２＞ 前記３級ホスフィンオキシドが、トリアリールホスフィンオキシドを含む＜１＞に記載の封止組成物。
＜３＞ 前記トリアリールホスフィンオキシドが、トリフェニルホスフィンオキシドを含む＜２＞に記載の封止組成物。
＜４＞ 前記３級ホスフィンオキシドの含有量が、前記エポキシ樹脂１００質量部に対して２５質量部以下である＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の封止組成物。
＜５＞ 前記無機充填材に占める前記アルミナの含有率が、５０体積％以上である＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の封止組成物。
＜６＞ エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、アルミナ流動化剤と、を含有する封止組成物。
＜７＞ 半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の封止組成物の硬化物と、を含む半導体装置。Specific means for achieving the above-mentioned problems are as follows.
<1> A sealing composition containing an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, and a tertiary phosphine oxide.
<2> The sealing composition according to <1>, wherein the tertiary phosphine oxide contains a triarylphosphine oxide.
<3> The sealing composition according to <2>, wherein the triarylphosphine oxide contains triphenylphosphine oxide.
<4> The sealing composition according to any one of <1> to <3>, wherein the content of the tertiary phosphine oxide is 25 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin.
<5> The sealing composition according to any one of <1> to <4>, wherein the content of the alumina in the inorganic filler is 50% by volume or more.
<6> A sealing composition containing an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, and an alumina fluidizing agent.
<7> A semiconductor device including a semiconductor element and a cured product of the sealing composition according to any one of <1> to <6>, which is obtained by sealing the semiconductor element.
本発明の一形態によれば、無機充填材としてアルミナを用いた場合における流動性に優れる封止組成物及びそれを用いた半導体装置を提供することができる。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a sealing composition having excellent fluidity when alumina is used as an inorganic filler and a semiconductor device using the same.
以下、本発明の封止組成物及び半導体装置を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
本開示において「〜」を用いて示された数値範囲には、「〜」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。Hereinafter, a mode for carrying out the sealing composition and the semiconductor device of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments. In the following embodiments, the components (including element steps and the like) are not essential unless otherwise specified. The same applies to the numerical values and their ranges, and does not limit the present invention.
The numerical range indicated by using "~" in the present disclosure includes the numerical values before and after "~" as the minimum value and the maximum value, respectively.
In the numerical range described stepwise in the present disclosure, the upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of another numerical range described stepwise. .. Further, in the numerical range described in the present disclosure, the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
In the present disclosure, each component may contain a plurality of applicable substances. When a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition, the content rate or content of each component is the total content rate or content of the plurality of substances present in the composition unless otherwise specified. Means quantity.
In the present disclosure, a plurality of types of particles corresponding to each component may be contained. When a plurality of particles corresponding to each component are present in the composition, the particle size of each component means a value for a mixture of the plurality of particles present in the composition unless otherwise specified.
＜封止組成物＞
本開示の第一の封止組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、３級ホスフィンオキシドと、を含有する。
また、本開示の第二の封止組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、アルミナ流動化剤と、を含有する。
以下、本開示の第一の封止組成物及び第二の封止組成物を合わせて本開示の封止組成物と称することがある。
本開示の封止組成物は、無機充填材としてアルミナを用いた場合における流動性に優れる。その理由は明確ではないが、以下のように推察される。
本開示の封止組成物は３級ホスフィンオキシド又はアルミナ流動化剤を含有するため、封止組成物が加熱されることで３級ホスフィンオキシドの粘度が低下するか又はアルミナの流動化が促進され、封止組成物の全体としての粘度が低下すると考えられる。その結果、無機充填材としてアルミナを用いた場合においても封止組成物の流動性が向上すると推察される。
また、従来の封止組成物では、高熱伝導性を担保するために無機充填材としてアルミナを用いると、封止組成物の低流動化及び硬化物の高弾性率化という背反特性が生じ、高熱伝導性の獲得と低流動性及び硬化物の低弾性率という特性を両立することが困難な場合があった。本開示の封止組成物によれば、無機充填材としてアルミナを用いることで高熱伝導性が担保され、且つ低流動化が可能となる。さらには、無機充填材としてアルミナを用いても硬化物の低弾性率化が可能となる。<Encapsulation composition>
The first sealing composition of the present disclosure contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, and a tertiary phosphine oxide.
In addition, the second sealing composition of the present disclosure contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, and an alumina fluidizing agent.
Hereinafter, the first sealing composition and the second sealing composition of the present disclosure may be collectively referred to as the sealing composition of the present disclosure.
The sealing composition of the present disclosure is excellent in fluidity when alumina is used as the inorganic filler. The reason is not clear, but it can be inferred as follows.
Since the sealing composition of the present disclosure contains a tertiary phosphine oxide or an alumina fluidizing agent, heating of the sealing composition reduces the viscosity of the tertiary phosphine oxide or promotes the fluidization of alumina. , It is considered that the viscosity of the sealing composition as a whole decreases. As a result, it is presumed that the fluidity of the sealing composition is improved even when alumina is used as the inorganic filler.
Further, in the conventional sealing composition, when alumina is used as the inorganic filler to ensure high thermal conductivity, contradictory characteristics such as low fluidity of the sealing composition and high elastic modulus of the cured product occur, resulting in high heat. In some cases, it was difficult to achieve both the acquisition of conductivity and the characteristics of low fluidity and low elastic modulus of the cured product. According to the sealing composition of the present disclosure, high thermal conductivity is ensured and low fluidization is possible by using alumina as the inorganic filler. Furthermore, even if alumina is used as the inorganic filler, the elastic modulus of the cured product can be reduced.
以下、封止組成物を構成する各成分について説明する。本開示の第一の封止組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、３級ホスフィンオキシドと、を含有し、必要に応じてその他の成分を含有してもよい。また、本開示の第二の封止組成物は、エポキシ樹脂と、硬化剤と、アルミナを含む無機充填材と、アルミナ流動化剤と、を含有し、必要に応じてその他の成分を含有してもよい。 Hereinafter, each component constituting the sealing composition will be described. The first sealing composition of the present disclosure contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, and a tertiary phosphine oxide, and may contain other components as necessary. Good. In addition, the second sealing composition of the present disclosure contains an epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler containing alumina, an alumina fluidizing agent, and if necessary, other components. You may.
−エポキシ樹脂−
封止組成物は、エポキシ樹脂を含有する。エポキシ樹脂の種類は特に限定されず、公知のエポキシ樹脂を使用することができる。
具体的には、例えば、フェノール化合物（例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ及びビスフェノールＦ）並びにナフトール化合物（例えば、α−ナフトール、β−ナフトール及びジヒドロキシナフタレン）からなる群より選択される少なくとも１種と、アルデヒド化合物（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド及びサリチルアルデヒド）と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの（例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂及びオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）；ビスフェノール（例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＦ及びビスフェノールＳ）及びビフェノール（例えば、アルキル置換及び非置換のビフェノール）からなる群より選択される少なくとも１種のジグリシジルエーテル；フェノール・アラルキル樹脂のエポキシ化物；フェノール化合物とジシクロペンタジエン及びテルペン化合物からなる群より選択される少なくとも１種との付加物又は重付加物のエポキシ化物；多塩基酸（例えば、フタル酸及びダイマー酸）とエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂；ポリアミン（例えば、ジアミノジフェニルメタン及びイソシアヌル酸）とエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂；オレフィン結合を過酸（例えば、過酢酸）で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂；並びに脂環族エポキシ樹脂が挙げられる。エポキシ樹脂は１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。-Epoxy resin-
The sealing composition contains an epoxy resin. The type of epoxy resin is not particularly limited, and known epoxy resins can be used.
Specifically, for example, it is selected from the group consisting of phenol compounds (eg, phenol, cresol, xylenol, resorcin, catechol, bisphenol A and bisphenol F) and naphthol compounds (eg, α-naphthol, β-naphthol and dihydroxynaphthalene). Epoxy of novolak resin obtained by condensing or co-condensing at least one of the above and an aldehyde compound (for example, formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde and salicylaldehyde) under an acidic catalyst (for example, phenol). Novolak type epoxy resin and orthocresol novolak type epoxy resin); at least selected from the group consisting of bisphenol (eg, bisphenol A, bisphenol AD, bisphenol F and bisphenol S) and biphenol (eg, alkyl-substituted and unsubstituted biphenol). One diglycidyl ether; an epoxie of a phenol-aralkyl resin; an epoxidate of an adduct or a heavy adduct of a phenol compound and at least one selected from the group consisting of dicyclopentadiene and terpen compounds; polybasic acid ( For example, a glycidyl ester type epoxy resin obtained by the reaction of phthalic acid and dimer acid) and epichlorohydrin; a glycidylamine type epoxy resin obtained by the reaction of polyamine (for example, diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid) and epichlorohydrin; Examples include linear aliphatic epoxy resins obtained by oxidation with (for example, peracetic acid); and alicyclic epoxy resins. One type of epoxy resin may be used alone, or two or more types may be used in combination.
集積回路（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）等の素子上のアルミニウム配線又は銅配線の腐食防止の観点から、エポキシ樹脂の純度は高い方が好ましく、加水分解性塩素量は少ない方が好ましい。封止組成物の耐湿性の向上の観点からは、加水分解性塩素量は質量基準で５００ｐｐｍ以下であることが好ましい。 From the viewpoint of preventing corrosion of aluminum wiring or copper wiring on an element such as an integrated circuit (IC), the purity of the epoxy resin is preferably high, and the amount of hydrolyzable chlorine is preferably small. From the viewpoint of improving the moisture resistance of the sealing composition, the amount of hydrolyzable chlorine is preferably 500 ppm or less on a mass basis.
ここで、加水分解性塩素量は、試料のエポキシ樹脂１ｇをジオキサン３０ｍＬに溶解し、１ｍｏｌ／Ｌ（１規定）−ＫＯＨメタノール溶液５ｍＬを添加して３０分間リフラックスした後、電位差滴定により求めた値である。 Here, the amount of hydrolyzable chlorine was determined by dissolving 1 g of the epoxy resin of the sample in 30 mL of dioxane, adding 5 mL of 1 mol / L (1 specified) -KOH methanol solution, refluxing for 30 minutes, and then potentiometric titration. The value.
封止組成物に占めるエポキシ樹脂の含有率は、２質量％〜１０質量％であることが好ましく、３質量％〜８質量％であることがより好ましく、４質量％〜６質量％であることがさらに好ましい。
無機充填材を除く封止組成物に占めるエポキシ樹脂の含有率は、３０質量％〜６０質量％であることが好ましく、３５質量％〜５５質量％であることがより好ましく、４０質量％〜５０質量％であることがさらに好ましい。The content of the epoxy resin in the sealing composition is preferably 2% by mass to 10% by mass, more preferably 3% by mass to 8% by mass, and 4% by mass to 6% by mass. Is even more preferable.
The content of the epoxy resin in the sealing composition excluding the inorganic filler is preferably 30% by mass to 60% by mass, more preferably 35% by mass to 55% by mass, and 40% by mass to 50% by mass. It is more preferably by mass%.
−硬化剤−
封止組成物は、硬化剤を含有する。硬化剤の種類は特に限定されず、公知の硬化剤を使用することができる。
具体的には、例えば、フェノール化合物（例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ及びビスフェノールＦ）及びナフトール化合物（例えば、α−ナフトール、β−ナフトール及びジヒドロキシナフタレン）からなる群より選択される少なくとも１種と、アルデヒド化合物（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド及びサリチルアルデヒド）と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂；フェノール・アラルキル樹脂；並びにナフトール・アラルキル樹脂；が挙げられる。硬化剤は１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。-Hardener-
The sealing composition contains a curing agent. The type of curing agent is not particularly limited, and known curing agents can be used.
Specifically, it is selected from the group consisting of, for example, phenolic compounds (eg, phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A and bisphenol F) and naphthol compounds (eg, α-naphthol, β-naphthol and dihydroxynaphthalene). Novolac resin obtained by condensing or co-condensing at least one and an aldehyde compound (for example, formaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde and salicylaldehyde) under an acidic catalyst; phenol-aralkyl resin; and naphthol-aralkyl resin. ; Can be mentioned. One type of curing agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.
硬化剤の官能基（例えば、ノボラック樹脂の場合にはフェノール性水酸基）の当量がエポキシ樹脂のエポキシ基１当量に対して０．５当量〜１．５当量になるように、硬化剤が配合されることが好ましく、特に、０．７当量〜１．２当量になるように硬化剤が配合されることが好ましい。 The curing agent is blended so that the equivalent of the functional group of the curing agent (for example, phenolic hydroxyl group in the case of novolak resin) is 0.5 equivalent to 1.5 equivalent with respect to 1 equivalent of the epoxy group of the epoxy resin. It is preferable that the curing agent is blended so as to have an amount of 0.7 equivalent to 1.2 equivalent.
−無機充填材−
封止組成物は、アルミナを含む無機充填材を含有する。封止組成物が無機充填材を含むことで、封止組成物の吸湿性が低減し、硬化状態での強度が向上する傾向にある。-Inorganic filler-
The sealing composition contains an inorganic filler containing alumina. When the sealing composition contains an inorganic filler, the hygroscopicity of the sealing composition tends to be reduced and the strength in the cured state tends to be improved.
無機充填材は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
無機充填材を２種類以上併用する場合としては、例えば、成分、平均粒子径、形状等が異なる無機充填材を２種類以上用いる場合が挙げられる。
無機充填材の形状は特に制限されず、例えば、粉状、球状、繊維状等が挙げられる。封止組成物の成形時の流動性及び金型摩耗性の点からは、球状であることが好ましい。As the inorganic filler, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Examples of the case where two or more kinds of inorganic fillers are used in combination include the case where two or more kinds of inorganic fillers having different components, average particle diameters, shapes and the like are used.
The shape of the inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include powder, spherical, and fibrous. From the viewpoint of fluidity during molding and mold wear resistance of the sealing composition, it is preferably spherical.
無機充填材はアルミナを含んでいればよく、無機充填材の全てがアルミナであってもアルミナとその他の無機充填材とが併用されていてもよい。無機充填材がアルミナを含むことで、封止組成物の熱伝導性が向上する傾向にある。
アルミナと併用可能なその他の無機充填材としては、球状シリカ、結晶シリカ等のシリカ、ジルコン、酸化マグネシウム、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニアなどが挙げられる。さらに、難燃効果のある無機充填材としては水酸化アルミニウム、硼酸亜鉛等が挙げられる。The inorganic filler may contain alumina, and even if all of the inorganic fillers are alumina, alumina and other inorganic fillers may be used in combination. When the inorganic filler contains alumina, the thermal conductivity of the sealing composition tends to be improved.
Other inorganic fillers that can be used in combination with alumina include silica such as spherical silica and crystalline silica, zircon, magnesium oxide, calcium silicate, calcium carbonate, potassium titanate, silicon carbide, silicon nitride, boron nitride, beryllium, and zirconia. Can be mentioned. Further, examples of the inorganic filler having a flame-retardant effect include aluminum hydroxide and zinc borate.
無機充填材としてアルミナとその他の無機充填材とが併用される場合、球形の形状である観点から、その他の無機充填材としてシリカを用いることが好ましい。
無機充填材としてアルミナとシリカとが併用される場合、無機充填材に占めるアルミナの含有率は、５０体積％以上であることが好ましく、６０体積％以上であることがより好ましく、７０体積％以上であることがさらに好ましい。また、無機充填材に占めるアルミナの含有率は、１００体積％以下であってもよく、９９体積％以下であることが好ましい。When alumina and other inorganic fillers are used in combination as the inorganic filler, it is preferable to use silica as the other inorganic filler from the viewpoint of the spherical shape.
When alumina and silica are used in combination as the inorganic filler, the content of alumina in the inorganic filler is preferably 50% by volume or more, more preferably 60% by volume or more, and 70% by volume or more. Is more preferable. Further, the content of alumina in the inorganic filler may be 100% by volume or less, and preferably 99% by volume or less.
無機充填材の含有率としては、吸湿性、線膨張係数の低減、強度向上及びはんだ耐熱性の観点から、封止組成物の全体に対して７０体積％以上であることが好ましく、７３体積％以上であることがより好ましく、７６体積％以上であることがさらに好ましい。無機充填材の含有率は、８５体積％以下であってもよい。 The content of the inorganic filler is preferably 70% by volume or more, preferably 73% by volume, based on the entire sealing composition, from the viewpoints of hygroscopicity, reduction of linear expansion coefficient, strength improvement and solder heat resistance. The above is more preferable, and 76% by volume or more is further preferable. The content of the inorganic filler may be 85% by volume or less.
無機充填材の平均粒子径（体積平均粒子径）としては、１μｍ〜３０μｍであることが好ましく、３μｍ〜２０μｍであることがより好ましく、５μｍ〜１５μｍであることがさらに好ましい。本開示において、無機充填材の平均粒子径は、無機充填材としてアルミナが単独で用いられている場合にはアルミナの平均粒子径を、無機充填材としてアルミナとその他の無機充填材とが併用されている場合には無機充填材全体としての平均粒子径をいう。
無機充填材の平均粒子径は、以下の方法により測定することができる。The average particle size (volume average particle size) of the inorganic filler is preferably 1 μm to 30 μm, more preferably 3 μm to 20 μm, and even more preferably 5 μm to 15 μm. In the present disclosure, the average particle size of the inorganic filler is the average particle size of alumina when alumina is used alone as the inorganic filler, and alumina and other inorganic filler are used in combination as the inorganic filler. If so, it means the average particle size of the entire inorganic filler.
The average particle size of the inorganic filler can be measured by the following method.
溶媒（純水）に、測定対象の無機充填材を０．０２質量％〜０．０８質量％の範囲内で添加し、１１０Ｗのバス式超音波洗浄機で１分〜１０分振動し、無機充填材を分散する。分散液の約４０ｍＬ程度を測定セルに注入して２５℃で測定する。測定装置は、レーザー回折／散乱式粒子径分布測定装置（例えば、株式会社堀場製作所、ＬＡ９２０（商品名））を用い、体積基準の粒度分布を測定する。平均粒子径は、体積基準の粒度分布において小径側からの累積が５０％となるときの粒子径（Ｄ５０％）として求められる。なお、屈折率はアルミナの屈折率を用いる。無機充填材がアルミナとその他の無機充填材の混合物である場合においては、屈折率はアルミナの屈折率を用いるものとする。 The inorganic filler to be measured is added to the solvent (pure water) in the range of 0.02% by mass to 0.08% by mass, and vibrated with a 110 W bath type ultrasonic cleaner for 1 to 10 minutes to be inorganic. Disperse the filler. About 40 mL of the dispersion is injected into the measuring cell and measured at 25 ° C. As the measuring device, a laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device (for example, Horiba Seisakusho Co., Ltd., LA920 (trade name)) is used to measure the volume-based particle size distribution. The average particle size is obtained as the particle size (D50%) when the accumulation from the small diameter side is 50% in the volume-based particle size distribution. The refractive index of alumina is used as the refractive index. When the inorganic filler is a mixture of alumina and other inorganic filler, the refractive index of alumina shall be used as the refractive index.
−３級ホスフィンオキシド−
本開示の第一の封止組成物は、３級ホスフィンオキシドを含有する。
３級ホスフィンオキシドとしては特に限定されるものではなく、脂肪族系３級ホスフィンオキシド、芳香族系３級ホスフィンオキシド等を用いることができる。３級ホスフィンオキシドは、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。-3rd grade phosphine oxide-
The first sealing composition of the present disclosure contains a tertiary phosphine oxide.
The tertiary phosphine oxide is not particularly limited, and an aliphatic tertiary phosphine oxide, an aromatic tertiary phosphine oxide and the like can be used. One type of tertiary phosphine oxide may be used alone, or two or more types may be used in combination.
３級ホスフィンオキシドの具体例としては、トリフェニルホスフィンオキシド、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィンオキシド、トリス（アルキルフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（アルキルアルコキシフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィンオキシド、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィンオキシド等のトリアリールホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィンオキシド、ジアルキルアリールホスフィンオキシド、アルキルジアリールホスフィンオキシドなどが挙げられる。 Specific examples of the tertiary phosphine oxide include triphenylphosphine oxide, diphenyl (p-tolyl) phosphine oxide, tris (alkylphenyl) phosphine oxide, tris (alkoxyphenyl) phosphine oxide, tris (alkylalkoxyphenyl) phosphine oxide, and tris. (Dialkylphenyl) phosphine oxide, tris (trialkylphenyl) phosphine oxide, tris (tetraalkylphenyl) phosphine oxide, tris (dialkoxyphenyl) phosphine oxide, tris (trialkoxyphenyl) phosphine oxide, tris (tetraalkoxyphenyl) phosphine Examples thereof include triarylphosphine oxide such as oxide, trialkylphosphine oxide, dialkylarylphosphine oxide, and alkyldiarylphosphine oxide.
これらの中でも、３級ホスフィンオキシドは、トリアリールホスフィンオキシドを含むことが好ましい。また、トリアリールホスフィンオキシドは、トリフェニルホスフィンオキシドを含むことがより好ましい。
３級ホスフィンオキシドに占めるトリアリールホスフィンオキシドの割合は、３０質量％〜１００質量％であることが好ましく、５０質量％〜１００質量％であることがより好ましく、７０質量％〜１００質量％であることがさらに好ましい。
また、トリアリールホスフィンオキシドに占めるトリフェニルホスフィンオキシドの割合は、３０質量％〜１００質量％であることが好ましく、５０質量％〜１００質量％であることがより好ましく、７０質量％〜１００質量％であることがさらに好ましい。Among these, the tertiary phosphine oxide preferably contains triarylphosphine oxide. Further, the triarylphosphine oxide more preferably contains triphenylphosphine oxide.
The ratio of triarylphosphine oxide to the tertiary phosphine oxide is preferably 30% by mass to 100% by mass, more preferably 50% by mass to 100% by mass, and 70% by mass to 100% by mass. Is even more preferable.
The ratio of triphenylphosphine oxide to triarylphosphine oxide is preferably 30% by mass to 100% by mass, more preferably 50% by mass to 100% by mass, and 70% by mass to 100% by mass. Is more preferable.
３級ホスフィンオキシドの含有量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して２５質量部以下であることが好ましく、２０質量部以下であることがより好ましく、１５質量部以下であることがさらに好ましい。３級ホスフィンオキシドの含有量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して１質量部以上であってもよい。 The content of the tertiary phosphine oxide is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, and further preferably 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. The content of the tertiary phosphine oxide may be 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin.
−アルミナ流動化剤−
本開示の第二の封止組成物は、アルミナ流動化剤を含有する。
本開示において、アルミナ流動化剤とは、以下の特性を満たす化合物をいう。
エポキシ樹脂と硬化剤とアルミナとをアルミナの含有率が７５体積％となるように混合して第一封止組成物を調製し、第一封止組成物について１７５℃における粘度を流動特性評価装置（株式会社島津製作所、ＣＦＴ−１００Ｄ（商品名））により測定する。次いで、第一封止組成物１００質量部に対して所定の化合物５質量部を添加して第二封止組成物を調製し、第二封止組成物について１７５℃における粘度を流動特性評価装置（株式会社島津製作所、ＣＦＴ−１００Ｄ（商品名））により測定する。第一封止組成物の粘度に対する第二封止組成物の粘度の低下率（（（第一封止組成物の粘度−第二封止組成物の粘度）／第一封止組成物の粘度）×１００（％））が１０％以上である場合に、当該所定の化合物をアルミナ流動化剤とみなす。-Alumina fluidizer-
The second sealing composition of the present disclosure contains an alumina fluidizing agent.
In the present disclosure, the alumina fluidizing agent refers to a compound satisfying the following properties.
An epoxy resin, a curing agent, and alumina are mixed so that the content of alumina is 75% by volume to prepare a first sealing composition, and the viscosity of the first sealing composition at 175 ° C. is measured by a flow characteristic evaluation device. Measured by (Shimadzu Seisakusho Co., Ltd., CFT-100D (trade name)). Next, 5 parts by mass of a predetermined compound is added to 100 parts by mass of the first sealing composition to prepare a second sealing composition, and the viscosity of the second sealing composition at 175 ° C. is measured by a flow characteristic evaluation device. Measured by (Shimadzu Corporation, CFT-100D (trade name)). Rate of decrease in viscosity of second sealing composition with respect to viscosity of first sealing composition (((Viscosity of first sealing composition-Viscosity of second sealing composition) / Viscosity of first sealing composition ) X 100 (%)) is 10% or more, the predetermined compound is regarded as an alumina fluidizing agent.
本発明者等は鋭意検討の結果、無機充填材としてアルミナを用いた封止組成物の流動性を向上させ得る化合物の評価方法を見出した。上記方法により、無機充填材としてアルミナを用いた場合の封止組成物の流動性を向上させる化合物（アルミナ流動化剤）を容易に見出すことが可能となる。 As a result of diligent studies, the present inventors have found a method for evaluating a compound capable of improving the fluidity of a sealing composition using alumina as an inorganic filler. By the above method, it becomes possible to easily find a compound (alumina fluidizing agent) that improves the fluidity of the sealing composition when alumina is used as the inorganic filler.
アルミナ流動化剤の溶融温度は特に限定されるものではなく、封止組成物を用いて半導体パッケージを封止する際の封止温度において液状となる観点から、溶融温度は封止温度以下であることが好ましく、１６５℃以下であることがより好ましく、１６０℃以下であることがさらに好ましい。
アルミナ流動化剤は、封止組成物の保存安定性の観点から、エポキシ樹脂の硬化反応を促進させる官能基を含まないものであることが好ましい。エポキシ樹脂の硬化反応を促進させる官能基としては、カルボキシ基、アミノ基、水酸基等が挙げられる。The melting temperature of the alumina fluidizing agent is not particularly limited, and the melting temperature is equal to or lower than the sealing temperature from the viewpoint of becoming liquid at the sealing temperature when the semiconductor package is sealed using the sealing composition. It is preferably 165 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or lower.
From the viewpoint of storage stability of the sealing composition, the alumina fluidizing agent preferably does not contain a functional group that promotes the curing reaction of the epoxy resin. Examples of the functional group that accelerates the curing reaction of the epoxy resin include a carboxy group, an amino group, and a hydroxyl group.
アルミナ流動化剤の含有量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して２５質量部以下であることが好ましく、２０質量部以下であることがより好ましく、１５質量部以下であることがさらに好ましい。アルミナ流動化剤の含有量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して１質量部以上であってもよい。 The content of the alumina fluidizing agent is preferably 25 parts by mass or less, more preferably 20 parts by mass or less, and further preferably 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. The content of the alumina fluidizing agent may be 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin.
（硬化促進剤）
封止組成物は、硬化促進剤をさらに含有してもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されず、公知の硬化促進剤を使用することができる。
具体的には、１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７、１，５−ジアザ−ビシクロ［４．３．０］ノネン、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザ−ビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物；シクロアミジン化合物に無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂などのπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物；ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の３級アミン化合物、３級アミン化合物の誘導体；２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、イミダゾール化合物の誘導体；トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン化合物；有機ホスフィン化合物に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩、テトラフェニルボロン塩の誘導体；トリフェニルホスホニウム−トリフェニルボラン、Ｎ−メチルモルホリンテトラフェニルホスホニウム−テトラフェニルボレート等のホスフィン化合物とテトラフェニルボロン塩との付加物などが挙げられる。硬化促進剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。(Curing accelerator)
The sealing composition may further contain a curing accelerator. The type of the curing accelerator is not particularly limited, and a known curing accelerator can be used.
Specifically, 1,8-diaza-bicyclo [5.4.0] undecene-7, 1,5-diaza-bicyclo [4.3.0] nonene, 5,6-dibutylamino-1,8- Cycloamidine compounds such as diaza-bicyclo [5.4.0] undecene-7; maleic anhydride, 1,4-benzoquinone, 2,5-turquinone, 1,4-naphthoquinone, 2,3-dimethyl as cycloamidine compounds Kinone compounds such as benzoquinone, 2,6-dimethylbenzoquinone, 2,3-dimethoxy-5-methyl-1,4-benzoquinone, 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone, phenyl-1,4-benzoquinone, diazo Compounds with intramolecular polarization formed by adding compounds with π bonds such as phenylmethane and phenol resins; tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol and tris (dimethylaminomethyl) phenol, Derivatives of tertiary amine compounds; imidazole compounds such as 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, derivatives of imidazole compounds; tributylphosphine, methyldiphenylphosphine, triphenylphosphine, tris (4- Methylphenyl) Organic phosphine compounds such as phosphine, diphenylphosphine, and phenylphosphine; Intramolecular polarization formed by adding a compound having a π bond such as maleic anhydride, the above quinone compound, diazophenylmethane, and phenol resin to the organic phosphin compound. Phosphorus compounds; tetraphenylborone salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, triphenylphosphine tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, N-methylmorpholin tetraphenylborate, and derivatives of tetraphenylborone salts. Examples thereof include additions of a phosphine compound such as triphenylphosphonium-triphenylboran and N-methylmorpholintetraphenylphosphonium-tetraphenylborate and a tetraphenylborone salt. As the curing accelerator, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
硬化促進剤の含有率は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量に対して、０．１質量％〜８質量％であることが好ましい。 The content of the curing accelerator is preferably 0.1% by mass to 8% by mass with respect to the total amount of the epoxy resin and the curing agent.
（イオントラップ剤）
封止組成物は、イオントラップ剤をさらに含有してもよい。
本開示において使用可能なイオントラップ剤は、半導体装置の製造用途に用いられる封止材において、一般的に使用されているイオントラップ剤であれば特に制限されるものではない。イオントラップ剤としては、例えば、下記一般式（ＩＩ−１）又は下記一般式（ＩＩ−２）で表される化合物が挙げられる。(Ion trap agent)
The sealing composition may further contain an ion trap agent.
The ion trap agent that can be used in the present disclosure is not particularly limited as long as it is an ion trap agent that is generally used in a sealing material used for manufacturing semiconductor devices. Examples of the ion trapping agent include compounds represented by the following general formula (II-1) or the following general formula (II-2).
Ｍｇ１−ａＡｌａ（ＯＨ）２（ＣＯ３）ａ／２・ｕＨ２Ｏ （ＩＩ−１）
（一般式（ＩＩ−１）中、ａは０＜ａ≦０．５であり、ｕは正数である。）
ＢｉＯｂ（ＯＨ）ｃ（ＮＯ３）ｄ （ＩＩ−２）
（一般式（ＩＩ−２）中、ｂは０．９≦ｂ≦１．１、ｃは０．６≦ｃ≦０．８、ｄは０．２≦ｄ≦０．４である。）Mg 1-a Al a (OH) 2 (CO 3 ) a / 2 · uH 2 O (II-1)
(In the general formula (II-1), a is 0 <a≤0.5 and u is a positive number.)
BiO b (OH) c (NO 3 ) d (II-2)
(In the general formula (II-2), b is 0.9 ≦ b ≦ 1.1, c is 0.6 ≦ c ≦ 0.8, and d is 0.2 ≦ d ≦ 0.4.)
イオントラップ剤は、市販品として入手可能である。一般式（ＩＩ−１）で表される化合物としては、例えば、「ＤＨＴ−４Ａ」（協和化学工業株式会社、商品名）が市販品として入手可能である。また、一般式（ＩＩ−２）で表される化合物としては、例えば、「ＩＸＥ５００」（東亞合成株式会社、商品名）が市販品として入手可能である。 The ion trap agent is available as a commercial product. As the compound represented by the general formula (II-1), for example, "DHT-4A" (Kyowa Chemical Industry Co., Ltd., trade name) is available as a commercially available product. Further, as a compound represented by the general formula (II-2), for example, "IXE500" (Toagosei Co., Ltd., trade name) is available as a commercially available product.
また、上記以外のイオントラップ剤として、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、アンチモン等から選ばれる元素の含水酸化物などが挙げられる。
イオントラップ剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。Examples of ion trapping agents other than the above include hydrous oxides of elements selected from magnesium, aluminum, titanium, zirconium, antimony and the like.
One type of ion trapping agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.
封止組成物がイオントラップ剤を含有する場合、イオントラップ剤の含有量は、充分な耐湿信頼性を実現する観点からは、エポキシ樹脂１００質量部に対して１質量部以上であることが好ましい。他の成分の効果を充分に発揮する観点からは、イオントラップ剤の含有量は、エポキシ樹脂１００質量部に対して１５質量部以下であることが好ましい。 When the sealing composition contains an ion trapping agent, the content of the ion trapping agent is preferably 1 part by mass or more with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin from the viewpoint of realizing sufficient moisture resistance reliability. .. From the viewpoint of fully exerting the effects of the other components, the content of the ion trap agent is preferably 15 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin.
また、イオントラップ剤の平均粒子径は０．１μｍ〜３．０μｍであることが好ましく、最大粒子径は１０μｍ以下であることが好ましい。イオントラップ剤の平均粒子径は、無機充填材の場合と同様にして測定することができる。 The average particle size of the ion trap agent is preferably 0.1 μm to 3.0 μm, and the maximum particle size is preferably 10 μm or less. The average particle size of the ion trap agent can be measured in the same manner as in the case of the inorganic filler.
（カップリング剤）
封止組成物は、カップリング剤をさらに含有してもよい。カップリング剤の種類は、特に制限されず、公知のカップリング剤を使用することができる。カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤が挙げられる。カップリング剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。(Coupling agent)
The sealing composition may further contain a coupling agent. The type of coupling agent is not particularly limited, and known coupling agents can be used. Examples of the coupling agent include a silane coupling agent and a titanium coupling agent. One type of coupling agent may be used alone, or two or more types may be used in combination.
シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、ビニルトリメトキシシラン及びγ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランが挙げられる。 Examples of the silane coupling agent include vinyltrichlorosilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxy) silane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane. , Γ-Glysidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ- [bis (β-hydroxyethyl)] aminopropyltriethoxysilane, N -Β- (Aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ- (β-aminoethyl) aminopropyldimethoxymethylsilane, N- (trimethoxysilylpropyl) ethylenediamine, N- (dimethoxymethylsilylisopropyl) ethylenediamine, Methyltrimethoxysilane, Methyltriethoxysilane, N-β- (N-vinylbenzylaminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, hexamethyldisilane, γ-anilinopropyltrimethoxy Examples thereof include silane (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), vinyltrimethoxysilane and γ-mercaptopropylmethyldimethoxysilane.
チタンカップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート及びテトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネートが挙げられる。 Examples of the titanium coupling agent include isopropyltriisostearoyl titanate, isopropyltris (dioctylpyrophosphate) titanate, isopropyltri (N-aminoethyl-aminoethyl) titanate, tetraoctylbis (ditridecylphosphite) titanate, and tetra (ditridecylphosphite) titanate. 2,2-Diallyloxymethyl-1-butyl) bis (ditridecylphosphite) titanate, bis (dioctylpyrophosphate) oxyacetate titanate, bis (dioctylpyrophosphate) ethylene titanate, isopropyltrioctanoyl titanate, isopropyldimethacrylic iso Examples thereof include stearoyl titanate, isopropyltridodecylbenzenesulfonyl titanate, isopropylisostearoyl diacrylic titanate, isopropyltri (dioctyl phosphate) titanate, isopropyltricylphenyl titanate and tetraisopropylbis (dioctyl phosphate) titanate.
封止組成物がカップリング剤を含有する場合、カップリング剤の含有率は、封止組成物の全体に対して３質量％以下であることが好ましく、その効果を発揮させる観点からは、０．１質量％以上であることが好ましい。 When the sealing composition contains a coupling agent, the content of the coupling agent is preferably 3% by mass or less with respect to the entire sealing composition, and from the viewpoint of exerting the effect, it is 0. It is preferably 1% by mass or more.
（離型剤）
封止組成物は、離型剤をさらに含有してもよい。離型剤の種類は特に制限されず、公知の離型剤を使用することができる。具体的には、例えば、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、カルナバワックス及びポリエチレン系ワックスが挙げられる。離型剤は、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。
封止組成物が離型剤を含有する場合、離型剤の含有率は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、その効果を発揮させる観点からは、０．５質量％以上であることが好ましい。(Release agent)
The sealing composition may further contain a release agent. The type of release agent is not particularly limited, and a known release agent can be used. Specific examples thereof include higher fatty acids, higher fatty acid esters, carnauba wax and polyethylene wax. As the release agent, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
When the sealing composition contains a release agent, the content of the release agent is preferably 10% by mass or less with respect to the total amount of the epoxy resin and the curing agent, and from the viewpoint of exerting the effect. Is preferably 0.5% by mass or more.
（着色剤及び改質剤）
封止組成物は、着色剤（例えば、カーボンブラック）を含有してもよい。また、封止組成物は、改質剤（例えば、シリコーン及びシリコーンゴム）を含有してもよい。着色剤及び改質剤は、それぞれ、１種類を単独で使用しても、２種類以上を併用してもよい。(Colorants and modifiers)
The sealing composition may contain a colorant (eg, carbon black). In addition, the sealing composition may contain a modifier (for example, silicone and silicone rubber). As the colorant and the modifier, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
着色剤としてカーボンブラック等の導電性粒子を用いる場合、導電性粒子は、粒子径１０μｍ以上の粒子の含有率が１質量％以下であることが好ましい。
封止組成物が導電性粒子を含有する場合、導電性粒子の含有率は、エポキシ樹脂と硬化剤の合計量に対して４質量％以下であることが好ましい。When conductive particles such as carbon black are used as the colorant, the content of the conductive particles is preferably 1% by mass or less of particles having a particle diameter of 10 μm or more.
When the sealing composition contains conductive particles, the content of the conductive particles is preferably 4% by mass or less with respect to the total amount of the epoxy resin and the curing agent.
＜封止組成物の作製方法＞
封止組成物の作製方法は特に制限されず、公知の方法により行うことができる。例えば、所定の配合量の原材料の混合物をミキサー等によって充分混合した後、熱ロール、押出機等によって混練し、冷却、粉砕等の処理を経ることによって作製することができる。封止組成物の状態は特に制限されず、粉末状、固体状、液体状等であってよい。<Method for producing sealing composition>
The method for producing the sealing composition is not particularly limited, and a known method can be used. For example, it can be produced by sufficiently mixing a mixture of raw materials in a predetermined blending amount with a mixer or the like, kneading the mixture with a hot roll, an extruder or the like, cooling, pulverizing or the like. The state of the sealing composition is not particularly limited and may be powdery, solid, liquid or the like.
＜半導体装置＞
本開示の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子を封止してなる本開示の封止組成物の硬化物と、を含む。<Semiconductor device>
The semiconductor device of the present disclosure includes a semiconductor element and a cured product of the sealing composition of the present disclosure obtained by sealing the semiconductor element.
封止組成物を用いて半導体素子を封止する方法は特に限定されず、公知の方法を適用することが可能である。例えば、トランスファーモールド法が一般的であるが、コンプレッションモールド法、インジェクション成形法等を用いてもよい。 The method of sealing the semiconductor element using the sealing composition is not particularly limited, and a known method can be applied. For example, the transfer molding method is generally used, but a compression molding method, an injection molding method, or the like may be used.
本開示の半導体装置は、ＩＣ、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ−Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、大規模集積回路）等として好適である。 The semiconductor device of the present disclosure is suitable as an IC, an LSI (Large-Scale Integration, a large-scale integrated circuit), or the like.
以下に本発明の実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。また、表中の数値は特に断りのない限り「質量部」を意味する。 Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto. The values in the table mean "parts by mass" unless otherwise specified.
（実施例１〜５及び比較例１〜３）
表１及び表２に示す配合の材料を予備混合（ドライブレンド）した後、二軸ロール（ロール表面温度：約８０℃）で約１５分間混練し、冷却粉砕して粉末状の封止組成物を製造した。表１及び表２において、「−」は該当する成分を含まないことを表す。(Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3)
After premixing (dry blending) the materials of the formulations shown in Tables 1 and 2, they are kneaded with a biaxial roll (roll surface temperature: about 80 ° C.) for about 15 minutes, cooled and pulverized, and a powdery sealing composition. Manufactured. In Tables 1 and 2, "-" indicates that the corresponding component is not included.
−エポキシ樹脂−
・エポキシ樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１９２ｇ／ｅｑ
・エポキシ樹脂２：ビスフェノール型結晶性エポキシ樹脂、エポキシ当量：１９２ｇ／ｅｑ
・エポキシ樹脂３：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５８ｇ／ｅｑ
−硬化剤−
・硬化剤１：多官能フェノール樹脂、水酸基当量が１０４ｇ／ｅｑのトリフェニルメタン型フェノール樹脂
−硬化促進剤−
・リン系硬化促進剤
−カップリング剤−
・カップリング剤：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（シランカップリング剤）
−離型剤−
・モンタン酸エステル
−着色剤−
・カーボンブラック
−イオントラップ剤−
・ハイドロタルサイト系イオントラップ剤
−改質剤−
・改質剤１：シリコーン（エポキシ変性シリコーン樹脂）
−３級ホスフィンオキシド−
・３級ホスフィンオキシド：トリフェニルホスフィンオキシド
−無機充填材−
・アルミナ１：体積平均粒子径が１１．７μｍ
・アルミナ２：体積平均粒子径が１３．５μｍ
・アルミナ３：体積平均粒子径が０．６μｍ
・シリカ１：体積平均粒子径が２１．７μｍ
・シリカ２：体積平均粒子径が０．１μｍ
・シリカ３：体積平均粒子径が１４．５μｍ
・シリカ４：体積平均粒子径が０．６μｍ-Epoxy resin-
-Epoxy resin 1: Biphenyl type epoxy resin, epoxy equivalent: 192 g / eq
-Epoxy resin 2: Bisphenol type crystalline epoxy resin, epoxy equivalent: 192 g / eq
-Epoxy resin 3: Bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 158 g / eq
-Hardener-
-Curing agent 1: Polyfunctional phenol resin, triphenylmethane type phenol resin with hydroxyl group equivalent of 104 g / eq-curing accelerator-
・ Phosphorus-based curing accelerator-coupling agent-
-Coupling agent: N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane (silane coupling agent)
-Release agent-
・ Montanic acid ester-colorant-
・ Carbon black-ion trap agent-
・ Hydrotalcite ion trap agent-modifier-
-Modifier 1: Silicone (epoxy-modified silicone resin)
-3rd grade phosphine oxide-
・ Tertiary phosphine oxide: triphenylphosphine oxide-inorganic filler-
Alumina 1: Volume average particle diameter is 11.7 μm
-Alumina 2: Volume average particle diameter is 13.5 μm
-Alumina 3: Volume average particle diameter is 0.6 μm
-Silica 1: Volume average particle diameter is 21.7 μm
-Silica 2: Volume average particle diameter is 0.1 μm
-Silica 3: Volume average particle diameter is 14.5 μm
-Silica 4: Volume average particle diameter is 0.6 μm
＜熱伝導率の評価＞
上記で得られた封止組成物を用いて、圧縮成形機により、金型温度１７５℃〜１８０℃、成形圧力７ＭＰａ、硬化時間１５０秒の条件で半導体素子を封止して熱伝導率評価用の試験片を作製した。次いで、試験片の熱伝導率をキセノンフラッシュ（Ｘｅ−ｆｌａｓｈ）法により測定した。結果を表３に示す。<Evaluation of thermal conductivity>
Using the sealing composition obtained above, a semiconductor element is sealed by a compression molding machine under the conditions of a mold temperature of 175 ° C. to 180 ° C., a molding pressure of 7 MPa, and a curing time of 150 seconds for evaluation of thermal conductivity. Test pieces were prepared. Then, the thermal conductivity of the test piece was measured by the xenon flash (Xe-flash) method. The results are shown in Table 3.
＜流動性＞
（スパイラルフロー（ＳＦ）の評価）
ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、調製した封止組成物をトランスファー成形機により、金型温度１８０℃、成形圧力２２．５ＭＰａ、硬化時間３００秒間の条件で成形して流動距離を求めた。結果を表３に示す。
（ディスクフロー（ＤＦ）の評価）
２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×２５ｍｍ（Ｈ）の上型と２００ｍｍ（Ｗ）×２００ｍｍ（Ｄ）×１５ｍｍ（Ｈ）の下型を有する円板フロー測定用平板金型を用いて、上皿天秤にて秤量した封止組成物５ｇを、１８０℃に加熱した下型の中心部にのせ、５秒後に、１８０℃に加熱した上型を閉じて、荷重７８Ｎ、硬化時間９０秒の条件で圧縮成形し、ノギスで成形品の長径（ｍｍ）及び短径（ｍｍ）を測定して、その平均値（ｍｍ）をディスクフローとした。結果を表３に示す。<Liquidity>
(Evaluation of spiral flow (SF))
Using a mold for measuring spiral flow according to EMMI-1-66, the sealed composition prepared is molded by a transfer molding machine under the conditions of a mold temperature of 180 ° C., a molding pressure of 22.5 MPa, and a curing time of 300 seconds. And the flow distance was calculated. The results are shown in Table 3.
(Evaluation of disk flow (DF))
Using a flat plate mold for disk flow measurement having an upper mold of 200 mm (W) x 200 mm (D) x 25 mm (H) and a lower mold of 200 mm (W) x 200 mm (D) x 15 mm (H), the upper mold is used. 5 g of the sealing composition weighed with a dish balance is placed on the center of the lower mold heated to 180 ° C., and after 5 seconds, the upper mold heated to 180 ° C. is closed, the load is 78 N, and the curing time is 90 seconds. The major axis (mm) and minor axis (mm) of the molded product were measured with a caliper, and the average value (mm) was taken as the disk flow. The results are shown in Table 3.
＜高温弾性率＞
封止組成物を１７５℃で１０分加熱して、１０ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍの大きさの硬化物を得た。得られた硬化物の弾性率を、動的粘弾性測定装置（ＴＡ ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社の「ＲＳＡＩＩＩ」）を用いて測定した。測定は、３０℃〜３００℃まで１０℃／分の昇温速度で行った。２６０℃で測定した弾性率（ＭＰａ）を高温弾性率として表３に示す。<High-temperature elastic modulus>
The sealing composition was heated at 175 ° C. for 10 minutes to obtain a cured product having a size of 10 mm × 50 mm × 3 mm. The elastic modulus of the obtained cured product was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (“RSAIII” manufactured by TA instruments). The measurement was carried out from 30 ° C. to 300 ° C. at a heating rate of 10 ° C./min. The elastic modulus (MPa) measured at 260 ° C. is shown in Table 3 as a high-temperature elastic modulus.
表３の評価結果から明らかなように、無機充填材としてアルミナを含み、３級ホスフィンオキシドを含む実施例１〜５の封止組成物は、無機充填材としてアルミナを含み、３級ホスフィンオキシドを含まない比較例１の封止組成物に比較して、流動性に優れることが分かる。また、実施例１〜５の封止組成物は、無機充填材としてアルミナを含まない比較例２及び３の封止組成物に比較して、熱伝導性に優れることが分かる。 As is clear from the evaluation results in Table 3, the sealing compositions of Examples 1 to 5 containing alumina as the inorganic filler and containing the tertiary phosphine oxide contained alumina as the inorganic filler and contained the tertiary phosphine oxide. It can be seen that the fluidity is excellent as compared with the sealing composition of Comparative Example 1 which does not contain the mixture. Further, it can be seen that the sealing compositions of Examples 1 to 5 are superior in thermal conductivity as compared with the sealing compositions of Comparative Examples 2 and 3 which do not contain alumina as an inorganic filler.
２０１７年１２月２８日に出願された日本国特許出願２０１７−２５４８８４号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。The disclosure of Japanese Patent Application No. 2017-254884, filed December 28, 2017, is incorporated herein by reference in its entirety.
All documents, patent applications, and technical standards described herein are to the same extent as if the individual documents, patent applications, and technical standards were specifically and individually stated to be incorporated by reference. Incorporated herein by reference.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023056632A JP2023085411A (en) | 2017-12-28 | 2023-03-30 | Encapsulation composition and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017254884 | 2017-12-28 | ||
| JP2017254884 | 2017-12-28 | ||
| PCT/JP2018/047643 WO2019131670A1 (en) | 2017-12-28 | 2018-12-25 | Sealing composition and semiconductor device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023056632A Division JP2023085411A (en) | 2017-12-28 | 2023-03-30 | Encapsulation composition and semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019131670A1 true JPWO2019131670A1 (en) | 2020-12-24 |
| JP7255497B2 JP7255497B2 (en) | 2023-04-11 |
Family
ID=67067436
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019562047A Active JP7255497B2 (en) | 2017-12-28 | 2018-12-25 | Encapsulating composition and semiconductor device |
| JP2023056632A Pending JP2023085411A (en) | 2017-12-28 | 2023-03-30 | Encapsulation composition and semiconductor device |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023056632A Pending JP2023085411A (en) | 2017-12-28 | 2023-03-30 | Encapsulation composition and semiconductor device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7255497B2 (en) |
| TW (1) | TW201934651A (en) |
| WO (1) | WO2019131670A1 (en) |
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-
2018
- 2018-12-25 WO PCT/JP2018/047643 patent/WO2019131670A1/en active Application Filing
- 2018-12-25 JP JP2019562047A patent/JP7255497B2/en active Active
- 2018-12-26 TW TW107147264A patent/TW201934651A/en unknown
-
2023
- 2023-03-30 JP JP2023056632A patent/JP2023085411A/en active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2023085411A (en) | 2023-06-20 |
| WO2019131670A1 (en) | 2019-07-04 |
| JP7255497B2 (en) | 2023-04-11 |
| TW201934651A (en) | 2019-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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