JPWO2018179068A1 - Euv光生成装置及びeuv光の重心位置の制御方法 - Google Patents
Euv光生成装置及びeuv光の重心位置の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2018179068A1 JPWO2018179068A1 JP2019508366A JP2019508366A JPWO2018179068A1 JP WO2018179068 A1 JPWO2018179068 A1 JP WO2018179068A1 JP 2019508366 A JP2019508366 A JP 2019508366A JP 2019508366 A JP2019508366 A JP 2019508366A JP WO2018179068 A1 JPWO2018179068 A1 JP WO2018179068A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- euv light
- target
- gravity
- center
- euv
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005484 gravity Effects 0.000 title claims abstract description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 4
- 238000012886 linear function Methods 0.000 claims description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 59
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 50
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 4
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0071—Beam steering, e.g. whereby a mirror outside the cavity is present to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2383—Parallel arrangements
- H01S3/2391—Parallel arrangements emitting at different wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/006—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas details of the ejection system, e.g. constructional details of the nozzle
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
Description
1.用語の説明
2.課題
2.1 比較例の構成
2.2 比較例の動作
2.3 EUV光センサ及びEUV光の重心位置制御
2.4 課題
3.第1実施形態
3.1 構成
3.2 動作
3.3 作用効果
4.第2実施形態
4.1 構成
4.2 動作
4.3 作用効果
5.第3実施形態
5.1 構成
5.2 動作
5.3 作用効果
6.その他
「ターゲット」は、チャンバ内に導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してEUV光を含む光を放射する。
「プラズマ生成領域」は、チャンバ内の所定領域である。プラズマ生成領域は、チャンバ内に出力されたターゲットに対してレーザ光が照射され、ターゲットがプラズマ化される領域である。
「ターゲット軌道」は、チャンバ内に出力されたターゲットが進行する経路である。ターゲット軌道は、プラズマ生成領域において、チャンバ内に導入されたレーザ光の光路と交差する。
「光路軸」は、レーザ光の進行方向に沿ってレーザ光のビーム断面の中心を通る軸である。
「光路」は、レーザ光が通る経路である。光路には、光路軸が含まれる。
「Z軸方向」は、チャンバ内に導入されたレーザ光がプラズマ生成領域に向かって進行する際の当該レーザ光の進行方向である。Z軸方向は、EUV光生成装置がEUV光を出力する方向と略同一であってもよい。
「Y軸方向」は、ターゲット供給器がチャンバ内にターゲットを出力する方向の逆方向である。Y軸方向は、X軸方向及びZ軸方向に垂直な方向である。
「X軸方向」は、Y軸方向及びZ軸方向に垂直な方向である。
EUV光生成装置による「バースト発光」とは、ある所定の期間、比較的高い周波数で繰り返しEUV光を発光することである。上記所定の期間は「バースト発光期間」とも言われる。通常、このバースト発光期間は、所定の休止期間を間に置いて繰り返すように設定される。つまり各バースト発光期間には、高周波数でパルス状に発光する一まとまりのEUV光が出力される。
図1乃至図3を用いて、比較例のEUV光生成装置1について説明する。比較例のEUV光生成装置1は、LPP方式のEUV光生成装置である。EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられる。EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11ともいう。
図1は、比較例のEUV光生成装置1の構成を説明するための図を示す。比較例のEUV光生成装置1は、チャンバ2と、レーザ光集光光学系22と、EUV光集光光学系23と、接続部24と、レーザ光伝送光学系33とを備える。加えて、比較例のEUV光生成装置1は、ターゲット供給器25と、ステージ26と、ターゲット回収器28と、ターゲット検出センサ41と、EUV光センサ43と、制御部8とを備える。
ターゲット供給器25は、タンク251、ノズル252、ヒータ253、圧力調節器254及びピエゾ素子255を用いて構成される。ターゲット供給器25の動作は、制御部8によって制御される。
制御部8は、ターゲット供給器25を制御し、ターゲット供給器25からプラズマ生成領域R1に向けてターゲット27を出力させる。具体的には、制御部8は、ターゲット供給器25のヒータ253をターゲット27の融点以上の温度まで加熱させ、ターゲット供給器25のタンク251に収容された固体のターゲット27を溶融させる。ターゲット27を形成する金属材料がスズである場合、スズの融点が232℃であることから、制御部8は、例えば250℃以上290℃以下の温度でヒータ253を加熱させる。制御部8は、ターゲット供給器25の圧力調節器254を制御して、タンク251内のターゲット27が所定速度で連続的にノズル252から出力されるよう、タンク251内のターゲット27に所定圧力を加える。制御部8は、ターゲット供給器25のピエゾ素子255を所定波形で振動させ、連続的に出力されたターゲット27を所定周期で分断してドロップレット状のターゲット27を形成し、ノズル252から所定周波数で出力させる。
制御部8は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングを、ターゲット27がターゲット検出領域R2を通過したタイミングと判定する。すなわち、制御部8は、ターゲット検出センサ41の検出結果に基づいて、ターゲット27がターゲット検出領域R2を通過したタイミングを特定する。制御部8は、通過タイミング信号が所定の閾値より低くなったタイミングで、ターゲット27がターゲット検出領域R2を通過したことを示すターゲット検出信号を生成する。なお、ターゲット27がターゲット検出領域R2を通過したタイミングを、単に、ターゲット検出領域R2の通過タイミングともいう。
図2は、図1に示されたEUV光センサ43の配置を説明するための図を示す。図3は、図2に示されたEUV光センサ43の配置をX軸方向の逆方向から視た図を示す。比較例に係る複数のEUV光センサ43は、少なくとも3つのEUV光センサ43から構成される。複数のEUV光センサ43は、図2及び図3に示されるように、例えばEUV光センサ43a乃至43cから構成される。
プラズマ275から放射された放射光276は、プラズマ生成領域R1を中心として等方的に発散すると考えられる。このため、複数のEUV光センサ43a乃至43cのそれぞれの検出感度が略同じである場合、EUV光277の生成効率の高いシューティング条件においては、複数のEUV光センサ43a乃至43cのそれぞれの計測値E1乃至E3が、略同じ値となる。この場合、EUV光277の重心位置を評価する指標である数式1及び数式2のそれぞれの計算値は、略0(ゼロ)となり、目標重心位置としてもこのゼロが設定される。数式1及び数式2のそれぞれの計算値が略ゼロになることは、EUV光277の重心位置が目標重心位置に略一致することを意味する。
図1乃至図10を用いて、第1実施形態のEUV光生成装置1について説明する。第1実施形態のEUV光生成装置1は、EUV光277の重心位置制御における目標重心位置を較正する機能を備える。第1実施形態のEUV光生成装置1の構成及び動作において、図1に示した比較例のEUV光生成装置1と同様の構成及び動作については説明を省略する。
第1実施形態のEUV光生成装置1は、図1に示される通り、照射位置調節部7を備えてもよい。照射位置調節部7は、パルスレーザ光31の照射位置を調節する機構である。照射位置調節部7は、レーザ光集光光学系22を用いて構成される。なお、照射位置調節部7は、EUV光の重心位置制御において、マニピュレータ224の代わりに、高反射ミラー331を搭載する上述のステージ及び高反射ミラー332を搭載する上述のステージを駆動させる場合、これらのステージを用いて構成されてもよい。或いは、照射位置調節部7は、高反射ミラー331及び332を搭載するこれらのステージと、レーザ光集光光学系22とを用いて構成されてもよい。照射位置調節部7の動作は、制御部8によって制御される。
第1実施形態のEUV光生成装置1の動作について説明する。具体的には、EUV光277の重心位置制御における目標重心位置を較正する際に、第1実施形態に係る制御部8が実行する処理について説明する。なお、この「目標重心位置」とは、言い換えれば、重心位置制御における制御目標値である。EUV光の重心制御を実行するにあたって、EUV光277の目標重心位置を較正するために制御部8が実行する処理を、単に、目標重心位置の較正処理ともいう。
第1実施形態における制御部8は、EUV光277の重心位置の制御を行う際に、その都度、EUV光277の目標重心位置をより適正な位置に較正し得る。すなわち、制御部8は、検出感度や汚染のされ方等の影響でEUV光センサ43の計測精度が安定していなくても、その計測精度を考慮した最適な位置に目標重心位置を較正し得る。それにより、第1実施形態のEUV光生成装置1は、適切なEUV光の重心位置制御を恒常的に実行できるので、パルスレーザ光31の照射位置を適切な位置に制御し得る。その結果、第1実施形態のEUV光生成装置1は、シューティングずれを抑制して、EUV光277の性能劣化を抑制し得る。さらに第1実施形態のEUV光生成装置1は、EUV光277の生成及び供給を続けた状態でシューティングずれを抑制できるので、稼働率を高く維持し得る。
[4.1 構成]
次に図11を参照して、第2実施形態のEUV光生成装置1について説明する。第2実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態のEUV光生成装置1と対比すると、図5のステップS13において、EUV光277の重心位置制御における制御目標値、つまり目標重心位置を更新する処理が相違する。第2実施形態のEUV光生成装置1における制御部8は、この相違する処理を実行するための構成を備え得る。以上の点以外、第2実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態のEUV光生成装置1と同様の構成とされてよい。
図11は、図4のステップS6でなされる処理に代えて実行され得る、EUV光277の重心位置の制御目標値を更新する処理を示すフローチャートである。なおこの処理については、以下、特にX軸座標成分の制御目標値を較正する場合と、Y軸座標成分の制御目標値を較正する場合とに分けて説明しない。しかし、図11に示す傾きαとして図8に示す傾きαXを用いればX軸座標成分の制御目標値を較正可能であり、図9に示す傾きαYを用いればY軸座標成分の制御目標値を較正可能である。
以上の通り動作する本第2実施形態のEUV光生成装置1によれば、基本的に、第1実施形態におけるのと同様の作用効果が得られる。また、第2実施形態のEUV光生成装置1によれば、重心位置の制御目標値は、一定補正量Δが減じられ、或いは加えられる処理が繰り返されて、緩やかに最適値に設定されるようになる。
[5.1 構成]
次に図12を参照して、第3実施形態のEUV光生成装置1について説明する。第3実施形態のEUV光生成装置1は、図1に示す第1実施形態のEUV光生成装置1と対比すると、ビームスプリッタ500およびレーザ光センサ501が含まれている点で異なる。ビームスプリッタ500は、レーザ装置3からレーザ光集光光学系22に向かうパルスレーザ光31の光路に挿入され、パルスレーザ光31の一部を反射させ、残余を透過させる。レーザ光センサ501は、ビームスプリッタ500で反射した一部のパルスレーザ光31のエネルギを検出する。さらに第3実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態及び第2実施形態のEUV光生成装置1と対比すると、EUV光277の重心位置の制御目標値を較正する処理が相違する。第3実施形態のEUV光生成装置1における制御部8は、この相違する処理を実行するための構成を備え得る。以上の点以外、第3実施形態のEUV光生成装置1は、第1実施形態或いは第2実施形態のEUV光生成装置1と同様の構成とされてよい。
第1実施形態及び第2実施形態のEUV光生成装置1においては、EUVCentroidXとEUVDoseError3σ[%]との関係、及びEUVCentroidYとEUVDoseError3σ[%]との関係に基づいて、重心位置の制御目標値を較正している。しかし本開示においては、EUVDoseError3σ[%]に代えてその他のパラメータを用いて、重心位置の制御目標値を較正するようにしてもよい。そのようなパラメータとしては、EUV光277のエネルギに関連するパラメータや、パルスレーザ光31のエネルギに関連するパラメータが利用され得る。さらに具体的には、前者のパラメータとして、前述したバースト発光がなされる場合等における複数のEUV光277のエネルギばらつきを示す3σ値が挙げられる。一方、後者のパラメータとしては、パルスレーザ光を増幅する光増幅器の電源を構成するインバータ回路から出力されるインバータ電流のデューティ比[%]が挙げられる。またこのデューティ比のばらつきを示す3σ値も挙げられる。図13には、このインバータ電流の波形の一例を示す。図示のようにインバータ電流は、電流指令値となるゲート信号によって値が変化し、このゲート信号の幅が上記デューティ比に対応する。さらに、前者と後者に関わるパラメータとして、EUV変換効率も挙げられる。このEUV変換効率は、パルスレーザ光31のプラズマ生成領域R1への入射エネルギに対するEUV発光エネルギの比率である。
以上の通り動作する本第3施形態のEUV光生成装置1によれば、基本的に、第1実施形態におけるのと同様の作用効果が得られる。
上記で説明した実施形態は、変形例を含めて各実施形態同士で互いの技術を適用し得ることは、当業者には明らかであろう。
11 …EUV光生成システム
2 …チャンバ
211 …壁
212 …ターゲット供給路
215 …ウィンドウ
216 …ウィンドウ
217 …ウィンドウ
22 …レーザ光集光光学系
221 …レーザ光集光ミラー
222 …軸外放物面ミラー
223 …平面ミラー
224 …マニピュレータ
23 …EUV光集光光学系
231 …EUV光集光ミラー
232 …貫通孔
24 …接続部
241 …壁
242 …アパーチャ
25 …ターゲット供給器
251 …タンク
252 …ノズル
253 …ヒータ
254 …圧力調節器
255 …ピエゾ素子
26 …ステージ
27 …ターゲット
275 …プラズマ
276 …放射光
277 …EUV光
28 …ターゲット回収器
3 …レーザ装置
31 …パルスレーザ光
33 …レーザ光伝送光学系
331 …高反射ミラー
332 …高反射ミラー
41 …ターゲット検出センサ
410 …照明部
411 …光源
412 …照明光学系
420 …検出部
421 …光センサ
422 …受光光学系
43 …EUV光センサ
43a …EUV光センサ
43b …EUV光センサ
43c …EUV光センサ
500 …ビームスプリッタ
501 …レーザ光センサ
7 …照射位置調節部
8 …制御部
81 …遅延回路
9 …露光装置
IF …中間集光点
Q …ターゲット軌道
R1 …プラズマ生成領域
R2 …ターゲット検出領域
Claims (20)
- チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたEUV光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のEUV光センサと、
前記所定領域に供給された前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、
前記複数のEUV光センサの計測結果から特定された前記EUV光の重心位置が目標重心位置となるよう前記照射位置調節部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記複数のEUV光センサが計測したEUV光エネルギから得られた複数のEUV光の重心位置と、前記複数のEUV光の重心位置に対応するEUV光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて前記目標重心位置を較正する
EUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記EUV光の計測エネルギと目標エネルギとの差を前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項1に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記EUV光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項1に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記EUV光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを、標準偏差に基づいて算出する
請求項3に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記EUV光の計測エネルギのばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項1に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記複数のEUV光の重心位置と、前記パラメータとの関係を1次関数に近似させ、その傾きに基づいて前記目標重心位置を較正する
請求項1に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記傾きの値が次第にゼロに近付いて行くように前記目標重心位置の較正を繰り返す
請求項6に記載のEUV光生成装置。 - 前記照射位置調節部は、
前記レーザ光を前記所定領域に集光する集光ミラーと、
前記集光ミラーの位置及び姿勢の少なくとも1つを調節するマニピュレータと、
を含む
請求項1に記載のEUV光生成装置。 - チャンバ内の所定領域に供給されたターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたEUV光のエネルギを互いに異なる方向から計測する複数のEUV光センサと、
前記所定領域に供給された前記ターゲットに対する前記レーザ光の照射位置を調節する照射位置調節部と、
前記複数のEUV光センサの計測結果から特定された前記EUV光の重心位置が目標重心位置となるよう前記照射位置調節部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記複数のEUV光センサが計測したEUV光エネルギから得られた複数のEUV光の重心位置と、前記複数のEUV光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギに関わるパラメータとに基づいて前記目標重心位置を較正する
EUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記複数のEUV光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギのばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項9に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記レーザ光を増幅する増幅器における電流のデューティ比を前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項9に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記レーザ光を増幅する増幅器における電流のデューティ比のばらつきを前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項9に記載のEUV光生成装置。 - 前記制御部は、
前記複数のEUV光の重心位置に照射されるレーザ光のエネルギに対する、前記複数のEUV光の重心位置に対応するEUV光の計測エネルギの比率を前記パラメータとして前記目標重心位置を較正する
請求項9に記載のEUV光生成装置。 - ターゲットにレーザ光が照射されることによって生成されたEUV光の重心位置を制御する方法であって、
前記EUV光のエネルギを互いに異なる方向から計測し、
前記計測したEUV光エネルギから得られた複数のEUV光の重心位置と、前記複数のEUV光の重心位置に対応するEUV光の計測エネルギに関わるパラメータとに基づいて前記目標重心位置を較正する
EUV光の重心位置の制御方法。 - 前記EUV光の計測エネルギと目標エネルギとの差を前記パラメータとする
請求項14に記載のEUV光の重心位置の制御方法。 - 前記EUV光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを前記パラメータとする
請求項14に記載のEUV光の重心位置の制御方法。 - 前記EUV光の計測エネルギと目標エネルギとの差のばらつきを、標準偏差に基づいて算出する
請求項16に記載のEUV光の重心位置の制御方法。 - 前記EUV光の計測エネルギのばらつきを前記パラメータとする
請求項14に記載のEUV光の重心位置の制御方法。 - 前記複数のEUV光の重心位置と、前記パラメータとの関係を1次関数に近似させ、その傾きに基づいて前記目標重心位置を較正する
請求項14に記載のEUV光の重心位置の制御方法。 - 前記傾きの値が次第にゼロに近付いて行くように前記目標重心位置の較正を繰り返す
請求項19に記載のEUV光の重心位置の制御方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/012450 WO2018179068A1 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | Euv光生成装置及びeuv光の重心位置の制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018179068A1 true JPWO2018179068A1 (ja) | 2020-01-30 |
JP6866471B2 JP6866471B2 (ja) | 2021-04-28 |
Family
ID=63674736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019508366A Active JP6866471B2 (ja) | 2017-03-27 | 2017-03-27 | Euv光生成装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10609803B2 (ja) |
JP (1) | JP6866471B2 (ja) |
WO (1) | WO2018179068A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10925142B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-02-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV radiation source for lithography exposure process |
US11499924B2 (en) * | 2019-06-03 | 2022-11-15 | KLA Corp. | Determining one or more characteristics of light in an optical system |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109451A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置の初期アライメント方法 |
JP2012199512A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
US20130043401A1 (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Cymer, Inc. | Energy Sensors for Light Beam Alignment |
US8598552B1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-03 | Cymer, Inc. | System and method to optimize extreme ultraviolet light generation |
WO2014030645A1 (ja) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | ギガフォトン株式会社 | 光源装置及びデータ処理方法 |
JP2014086523A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2015524599A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-08-24 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 液滴ターゲットとレーザとの間の相互作用を制御するための方法、および、前記方法を行なうための装置 |
US9536631B1 (en) * | 2015-11-19 | 2017-01-03 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods to avoid instability conditions in a source plasma chamber |
-
2017
- 2017-03-27 WO PCT/JP2017/012450 patent/WO2018179068A1/ja active Application Filing
- 2017-03-27 JP JP2019508366A patent/JP6866471B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-05 US US16/532,124 patent/US10609803B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007109451A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Komatsu Ltd | 極端紫外光源装置の初期アライメント方法 |
JP2012199512A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-18 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
US20130043401A1 (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Cymer, Inc. | Energy Sensors for Light Beam Alignment |
JP2014531743A (ja) * | 2011-08-19 | 2014-11-27 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 光ビームアラインメントのためのエネルギセンサ |
US8598552B1 (en) * | 2012-05-31 | 2013-12-03 | Cymer, Inc. | System and method to optimize extreme ultraviolet light generation |
JP2015524599A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-08-24 | イーティーエイチ・チューリッヒ | 液滴ターゲットとレーザとの間の相互作用を制御するための方法、および、前記方法を行なうための装置 |
WO2014030645A1 (ja) * | 2012-08-23 | 2014-02-27 | ギガフォトン株式会社 | 光源装置及びデータ処理方法 |
JP2014086523A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
US9536631B1 (en) * | 2015-11-19 | 2017-01-03 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods to avoid instability conditions in a source plasma chamber |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2018179068A1 (ja) | 2018-10-04 |
US20190361361A1 (en) | 2019-11-28 |
US10609803B2 (en) | 2020-03-31 |
JP6866471B2 (ja) | 2021-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8993976B2 (en) | Energy sensors for light beam alignment | |
US9241395B2 (en) | System and method for controlling droplet timing in an LPP EUV light source | |
JP6763015B2 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US20150342015A1 (en) | Extreme ultraviolet light generation apparatus and control method for laser apparatus in extreme ultraviolet light generation system | |
US8809823B1 (en) | System and method for controlling droplet timing and steering in an LPP EUV light source | |
JP6775606B2 (ja) | 極端紫外光生成システム | |
TWI821839B (zh) | 量測目標之移動屬性的方法及光學設備 | |
JPWO2017056324A1 (ja) | 極端紫外光生成システム | |
JP2018525666A (ja) | Lpp euv光源におけるソースレーザの発射を制御するためのシステム及び方法 | |
JP6799583B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の重心位置の制御方法 | |
JP6866471B2 (ja) | Euv光生成装置 | |
WO2016170972A1 (ja) | ドロップレット検出器及び極端紫外光生成装置 | |
US10054861B2 (en) | Extreme ultraviolet light generating apparatus and method for generating extreme ultraviolet light | |
US10667376B2 (en) | Target supply device, extreme ultraviolet light generation device, and target supply method | |
WO2017130346A1 (ja) | 極端紫外光生成装置 | |
US20180173102A1 (en) | Extreme ultraviolet light generation device | |
TWI569688B (zh) | 雷射源中之光電磁感測器之校正技術 | |
US9239269B1 (en) | Calibration of photoelectromagnetic sensor in a laser source | |
US9239268B1 (en) | Calibration of photoelectromagnetic sensor in a laser source | |
WO2018225117A1 (ja) | レーザ装置、及びeuv光生成システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6866471 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |