JPWO2018128088A1 - 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
<基板洗浄方法の内容>
まず、第1の実施形態に係る基板洗浄方法の内容について図1A〜図1Eを用いて説明する。図1A〜図1Eは、第1の実施形態に係る基板洗浄方法の説明図である。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの構成について図2を用いて説明する。図2は、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの構成を示す模式図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、基板洗浄装置14の構成について図3を参照して説明する。図3は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置14の構成を示す模式図である。
次に、基板洗浄装置14の具体的動作について図4を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る基板洗浄システム1が実行する基板洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。基板洗浄システム1が備える各装置は、制御部15の制御に従って図4に示す各処理手順を実行する。
第2の実施形態では、基板保持機構の具体的な構成例について説明する。第2の実施形態に係る基板保持機構は、独立して動作可能な2つの把持体群を備えており、これら2つの把持体群を用い、上述した溶解処理液供給処理においてウェハWの持ち替えを行う。
1 基板洗浄システム
14 基板洗浄装置
45a 薬液供給源
45b 成膜処理液供給源
45c 剥離処理液供給源
45d 溶解処理液供給源
310 第1ベース部
320 第2ベース部
323 押上機構
325_1 第1凹部
325_2 第2凹部
330_1 第1把持体
330_2 第2把持体
Claims (9)
- 揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給工程と、
前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液としての純水を供給する剥離処理液供給工程と、
前記剥離処理液供給工程後、前記処理膜に対して該処理膜を溶解させる溶解処理液を供給する溶解処理液供給工程と
を含み、
前記剥離処理液供給工程は、
前記処理膜に対し、純水よりも表面張力が小さい液体と純水とを混合した混合液を供給した後で、前記剥離処理液としての純水を供給する、基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液供給工程は、
前記処理膜に対して前記液体と純水とをそれぞれ供給して前記処理膜上で前記液体と純水とを混合することにより、前記処理膜に対して前記混合液を供給する、請求項1に記載の基板洗浄方法。 - 前記剥離処理液供給工程は、
前記処理膜に対して純水を供給して該処理膜上に純水を液盛りした後、前記処理膜に対して前記混合液を供給する、請求項2に記載の基板洗浄方法。 - 前記液体は、IPAである、請求項1に記載の基板洗浄方法。
- 前記IPAは、加熱されたIPAである、請求項4に記載の基板洗浄方法。
- 前記混合液は、IPAの濃度が25%未満である、請求項4に記載の基板洗浄方法。
- 前記溶解処理液供給工程は、
前記基板の周縁部を把持する複数の第1把持体と、前記第1把持体と独立して動作可能な前記基板の周縁部を把持する複数の第2把持体とを備える保持部を用い、前記複数の第1把持体により前記基板の周縁部を把持した状態と、前記複数の第2把持体により前記基板の周縁部を把持した状態とを切り替える、請求項1に記載の基板洗浄方法。 - 揮発成分を含み基板上に膜を形成するための成膜処理液を前記基板へ供給する成膜処理液供給部と、
前記揮発成分が揮発することによって前記成膜処理液が前記基板上で固化または硬化してなる処理膜に対して該処理膜を前記基板から剥離させる剥離処理液としての純水を供給する剥離処理液供給部と、
前記処理膜に対して該処理膜を溶解させる溶解処理液を供給する溶解処理液供給部と
を備え、
前記剥離処理液供給部は、
前記処理膜に対し、純水よりも表面張力が小さい液体と純水とを混合した混合液を供給した後で、前記剥離処理液としての純水を供給する、基板洗浄システム。 - コンピュータ上で動作し、基板洗浄システムを制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1に記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄システムを制御させる、記憶媒体。
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