JPWO2018016213A1 - 半導体膜及びその製造方法、並びに、光電変換素子、固体撮像素子及び電子装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本技術に係る半導体膜に含まれる前記半導体ナノ粒子が、少なくとも赤外領域の光を選択的に吸収してよい。
また、本技術に係る半導体膜の製造方法において、前記半導体ナノ粒子が、少なくとも赤外領域の光を選択的に吸収してよい。
1.本技術の概要
2.第1の実施形態(半導体膜の例)
2−1.半導体膜
2−2.半導体ナノ粒子
2−3.一般式(1)で表される化合物
3.第2の実施形態(半導体膜の例)
3−1.半導体膜
3−2.分散液
3−3.一般式(2)で表される化合物
4.第3の実施形態(半導体膜の製造方法の例)
4−1.半導体膜の製造方法
4−2.成膜(塗布)
4−3.半導体膜の製造方法の具体例
5.第4の実施形態(光電変換素子の例)
5−1.光電変換素子
5−2.第1電極
5−3.第2電極
5−4.電子輸送層
5−5.正孔輸送層
5−6.光電変換素子用の基板
5−7.光電変換素子の製造方法
6.第5の実施形態(固体撮像素子の例)
6−1.固体撮像素子
6−2.裏面照射型の固体撮像素子
6−3.表面照射型の固体撮像素子
7.第6の実施形態(電子装置の例)
8.本技術を適用した固体撮像素子の使用例
9.第7の実施形態(発光デバイスの例)
まず、本技術の概要について説明をする。
デジタルカメラ等に搭載されたカラー撮像デバイスの性能の向上や機能の多様化を実現するためには、半導体ナノ粒子を用いた光電変換素子や発光デバイスに関する技術の進歩が必須である。
[2−1.半導体膜]
本技術に係る第1の実施形態の半導体膜は、半導体ナノ粒子と、下記の一般式(1)で表される化合物とを含み、一般式(1)で表される化合物が半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜である。
本技術に係る第1の実施形態の半導体膜に含まれる半導体ナノ粒子は、随意の半導体ナノ粒子でよいが、例えば、少なくとも1つのTiO2、ZnO、WO3、NiO、MoO3、CuO、Ga2O3、SrTiO3、SnO2、InSnOx、Nb2O3、MnO2、V2O3、CrO、CuInSe2、CuInS2、AgInS2、Si、PbS、PbSe、PbTe、CdS、CdSe、CdTe、Fe2O3、GaAs、GaP、InP、InAs、Ge、In2S3、Bi2S3、ZnSe、ZnTe、ZnS等により構成されている。半導体ナノ粒子の粒径は任意の大きさでよいが、2nm〜20nmが好ましい。半導体ナノ粒子の形状は、球形でもよく、楕円体でもよく、三角柱等でもよい。
本技術に係る第1の実施形態の半導体膜に含まれる化合物は、下記の一般式(1)で示される。下記の一般式(1)で示される化合物は、半導体ナノ粒子に配位するときに立体障害の小さい観点から選ばれてよい。
[3−1.半導体膜]
本技術に係る第2の実施形態の半導体膜は、半導体ナノ粒子と、下記の一般式(2)で表される化合物とを含む分散液を基板に塗布することによって得られ、一般式(2)で表される化合物が半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜である。なお、本技術に係る第2の実施形態の半導体膜に含まれる半導体ナノ粒子は上記のとおりであるので、ここでは説明を省略する。
本技術に係る第2の実施形態の半導体膜を得るために用いられる分散液は、半導体ナノ粒子と、一般式(2)で表される化合物とを含む。分散液は、半導体ナノ粒子と、一般式(2)で表される化合物とを溶媒に分散させて得ることができる。溶媒は極性溶媒でもよいし、低極性溶媒でもよいし、無極性溶媒でもよいが、極性溶媒であることが好ましい。極性溶媒で、一般式(2)で表される化合物が配位した半導体ナノ粒子を分散させると分散性が向上する。極性溶媒は随意でよいが、例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルホルムアミド等が挙げられる。
本技術に係る第1の実施形態の半導体膜に含まれる化合物は、下記の一般式(2)で示される。
上記の分散液が塗布される基板は電極を含む概念であり、基板そのものが電極である単層構造でもよいし、無機材料、樹脂等の支持基板に電極が積層された積層構造でもよい。また、当該基板は、無機材料、樹脂等の支持基板に電極及び絶縁膜が積層された積層構造でもよい。基板の形状、大きさ、厚みについては特に制限はなく、製造適性の観点、使用目的の観点等に応じて適宜選択することができる。
[4−1.半導体膜の製造方法]
本技術に係る第3の実施形態の半導体膜の製造方法は、半導体ナノ粒子と、下記の一般式(2)で表される化合物とを含む分散液を基板に塗布することを含み、一般式(2)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、製造方法である。なお、本技術に係る第3の実施形態の半導体膜の製造方法で用いられる半導体ナノ粒子及び一般式(2)で表される化合物は上記のとおりであるので、ここでは説明を省略する。
半導体膜の成膜(塗布)方法としては、例えば、湿式塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法として、具体的には、スピンコート法;浸漬法;キャスト法;スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法といった各種印刷法;スタンプ法;スプレー法;エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法を例示することができる。
半導体膜の製造方法の例を、図1を参照しながら説明する。図1に示される半導体膜の製造方法は、所謂、Layer−by−Layer(LBL)法というものである。図1に示されるように、(a)→(b)→(c)→[(d)→(e)]→(f)の順にしたがって半導体膜は製造される。なお、後述するように、[(d)→(e)]は、半導体膜の膜厚(積層回数)に従って繰り返されてよい。
[5−1.光電変換素子]
本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子は、本技術に係る第1の実施形態の半導体膜又は第2の実施形態の半導体膜と、対向配置された第1電極及び第2電極と、を備え、半導体膜が、第1電極と第2電極との間に配される、光電変換素子である。この場合、半導体膜は光電変換膜(光電変換層)として作用する。後述するように、第1電極と半導体膜との間には電子輸送層が配されてよいし、第2電極と半導体膜との間には正孔輸送層が配されてもよい。なお、本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子に備えられる第1の実施形態の半導体膜又は第2の実施形態の半導体膜は上記のとおりであるので、ここでは説明を省略する。
本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子に備えられる第1電極は、半導体膜で生じた信号電荷(電荷)を取り出すものである。第1電極は、例えば、光透過性の導電材料、具体的にはITO(Indium−Tin−Oxide)により構成される。第1電極は例えば、酸化スズ(SnO2)系材料又は酸化亜鉛(ZnO)系材料により構成するようにしてもよい。酸化スズ系材料とは酸化スズにドーパントを添加したものであり、酸化亜鉛系材料とは例えば、酸化亜鉛にドーパントとしてアルミニウム(Al)を添加したアルミニウム亜鉛酸化物(AZO)、酸化亜鉛にドーパントとしてガリウム(Ga)を添加したガリウム亜鉛酸化物(GZO)及び酸化亜鉛にドーパントとしてインジウム(In)を添加したインジウム亜鉛酸化物(IZO)等である。この他、IGZO、CuI、InSbO4、ZnMgO、CuInO2、MgIn2O4、CdO及びZnSnO3等を用いることも可能である。第1電極の厚み(積層方向の厚み、以下単に厚みという。)は、任意の厚みでよいが、例えば50nm〜500nmである。
本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子に備えられる第2電極は正孔を取りだすためのものである。第2電極は、例えば、金(Au),銀(Ag),銅(Cu)、アルミニウム(Al)等の導電材料により構成されていてよい。第1電極と同様に、透明導電材料により第2電極を構成するようにしてもよい。第2電極の厚みは、任意の厚みでよいが、例えば、0.5nm〜100nmである。
本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子に備えられていてもよい電子輸送層は、半導体膜で生じた電子の第1電極への供給を促進するためのものであり、例えば、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)等により構成されていてよい。酸化チタンと酸化亜鉛とを積層させて電子輸送層を構成するようにしてもよい。電子輸送層の厚みは、任意の厚みでよいが、例えば0.1nm〜1000nmであり、0.5nm〜200nmであることが好ましい。
本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子に備えられていてもよい正孔輸送層は、半導体膜で生じた正孔の第2電極への供給を促進するためのものであり、例えば、酸化モリブデン(MoO3),酸化ニッケル(NiO)又は酸化バナジウム(V2O5)等により構成されていてよい。PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene))、TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenylbenzidine)等の有機材料により正孔輸送層を構成するようにしてもよい。正孔輸送層の厚みは、任意の厚みでよいが、例えば0.5nm〜100nmである。
光電変換素子を基板上に形成してもよい。ここで、基板として、ポリメチルメタクリレート(ポリメタクリル酸メチル,PMMA)やポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルフェノール(PVP)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)に例示される有機ポリマー(高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する)を挙げることができる。このような可撓性を有する高分子材料から構成された基板を使用すれば、例えば曲面形状を有する電子機器への撮像素子の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは、基板として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、シリコン半導体基板、表面に絶縁膜が形成されたステンレス鋼等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。なお、絶縁膜として、酸化ケイ素系材料(例えば、SiOXやスピンオンガラス(SOG));窒化ケイ素(SiNY);酸窒化ケイ素(SiON);酸化アルミニウム(Al2O3);金属酸化物や金属塩を挙げることができる。また、有機物の絶縁膜を形成することも可能である。例えば、リソグラフィー可能なポリフェノール系材料、ポリビニルフェノール系材料、ポリイミド系材料、ポリアミド系材料、ポリアミドイミド系材料、フッ素系ポリマー材料、ボラジン-珪素ポリマー材料、トルクセン系材料等が挙げられる。更に、表面にこれらの絶縁膜が形成された導電性基板(金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板)を用いることもできる。
本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子の製造方法について説明をする。ここでは、本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子が、電子輸送層及び正孔輸送層を備える場合を説明する。
[6−1.固体撮像素子]
本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子は、1次元又は2次元に配列された複数の画素毎に、少なくとも、本技術に係る第4の実施形態の光電変換素子と、半導体基板とが積層された、固体撮像素子である。本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子としては、裏面照射型の固体撮像素子と表面照射型の固体撮像素子とが挙げられる。まず、裏面照射型の固体撮像素子について説明をする。なお、本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子に備えられる第4の実施形態の光電変換素子は上記のとおりであるので、ここでは説明を省略する。
裏面照射型の固体撮像素子の例を、図2を用いて説明をする。図2は、裏面照射型の固体撮像素子10の1つの画素20の構成例を示す断面図である。
本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子は、裏面照射型の固体撮像素子だけではなく、表面照射型の固体撮像素子にも適用することができる。表面照射型の固体撮像素子ついて説明をする。
本技術に係る第6の実施形態の電子装置は、本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子を備える、装置である。本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子は上記のとおりであるので、ここでは説明を省略する。本技術に係る第6の実施形態の電子装置は、優れた光電変換効率を有する固体撮像素子を備えるので、カラー画像の画質等の性能の向上を図ることができる。
図5は、イメージセンサとしての本技術に係る第5の実施形態の固体撮像素子の使用例を示す図である。
本技術に係る第7の実施形態の発光デバイスは、対向配置された2つの電極と、その2つの電極の間に配される半導体膜とを備える。この場合、半導体膜は発光膜(発光層)として作用する。その半導体膜には、本技術に係る第1の実施形態の半導体膜及び第2の実施形態の半導体膜を適用することができる。本技術に係る第1の実施形態の半導体膜及び第2の実施形態の半導体膜は上記のとおりである。本技術に係る第7の実施形態の発光デバイスには、半導体膜と一方の電極との間に電子輸送層(n型バッファ層)が更に配されてもよいし、半導体膜と他方の電極との間に正孔輸送層(p型バッファ層)が更に配されてもよい。
[1]
半導体ナノ粒子と、下記の一般式(1)で表される化合物とを含み、
該一般式(1)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜。
[2]
半導体ナノ粒子と、下記の一般式(2)で表される化合物とを含む分散液を基板に塗布することによって得られ、
該一般式(2)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜。
[3]
前記半導体ナノ粒子が、少なくとも可視領域の光を選択的に吸収する、[1]又は[2]に記載の半導体膜。
[4]
前記半導体ナノ粒子が、少なくとも赤外領域の光を選択的に吸収する、[1]から[3]のいずれか1つに記載の半導体膜。
[5]
半導体ナノ粒子と、下記の一般式(2)で表される化合物とを含む分散液を基板に塗布することを含み、
該一般式(2)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜の製造方法。
[6]
前記半導体ナノ粒子が、少なくとも可視領域の光を選択的に吸収する、[5]に記載の半導体膜の製造方法。
[7]
前記半導体ナノ粒子が、少なくとも赤外領域の光を選択的に吸収する、[5]又は[6]に記載の半導体膜の製造方法。
[8]
[1]から[4]のいずれか1つに記載の半導体膜と、対向配置された第1電極及び第2電極と、を備え、
前記半導体膜が、該第1電極と該第2電極との間に配される、光電変換素子。
[9]
1次元又は2次元に配列された複数の画素毎に、
少なくとも、[8]に記載の光電変換素子と、半導体基板とが積層された、固体撮像素子。
[10]
[9]に記載の固体撮像素子を備える、電子装置。
[分散液1の作製]
実施例1は、半導体ナノ粒子を用いた光電変換素子において、半導体ナノ粒子を含む半導体膜を作製するために用いられる分散液1の作製に関する実施例である。すなわち、実施例1は半導体ナノ粒子としてPbS、配位子として3−メルカプトプロピオン酸テトラブチルアンモニウムを用いて分散液1を作製した実施例である。
[分散液2の作製]
実施例2は、半導体ナノ粒子を用いた光電変換素子において、半導体ナノ粒子を含む半導体膜を作製するために用いられる分散液2の作製に関する実施例である。すなわち、実施例2は半導体ナノ粒子としてPbS、配位子として3−メルカプトプロピオン酸ヘキシルトリメチルアンモニウムを用いて分散液2を作製した実施例である。
[光電変換素子1の作製]
実施例3は、半導体ナノ粒子を用いた光電変換素子において、半導体ナノ粒子を含む半導体膜を作製するために用いられた分散液1を用いる光電変換素子1の作製に関する実施例である。すなわち、実施例3は、分散液1に含まれるナノ粒子にとしてPbS、配位子として3−メルカプトプロピオン酸テトラブチルアンモニウムを用いて光電変換素子1を作製した実施例である。
[光電変換素子2の作製]
実施例4は、半導体ナノ粒子を用いた光電変換素子において、半導体ナノ粒子を含む半導体膜を作製するために用いられた分散液2を用いる光電変換素子2の作製に関する実施例である。すなわち、実施例4は、分散液2に含まれるナノ粒子としてPbS、配位子として3−メルカプトプロピオン酸ヘキシルトリメチルアンモニウムを用いて光電変換素子2を作製した実施例である。
[ハロゲン化金属前駆体の調製]
塩化カドミウム(Sigma−Aldrich、99.98%)又は塩化鉛(Alfa Aesar、99.999%)と、TDPA(テトラデシルホスホン酸、Alfa Aesar、98%)とをオレイルアミン(Acros、80%)に、100℃、16時間で脱気しながら溶解させた。生成物は凝固しないよう80℃で保管した。典型的な手順として、塩化カドミウム0.30g(1.64mmol)とTDPA0.033g(0.12mmol)をオレイルアミン5mlに溶解させ、カドミウムとTDPAのモル比が13.6:1である前駆体を調製した。
硫化鉛ナノ粒子(量子ドット)の合成は公知の方法に基づいて行った。ハロゲン化金属の処理は、まず、反応容器に注入された硫黄源に、ハロゲン化金属前駆体1.0mlを加え徐々に冷却した。この合成では鉛とカドミウムとのモル比が6:1に保たれていた。反応系の温度が30〜35℃まで到達したら、アセトン60mLを加え遠心分離を行うことでナノ結晶が分離した。ナノ結晶をトルエンで分散させ、体積比1:1のアセトン/メタノール溶液で再沈殿を行ったのち、無水トルエンに溶解させた。さらに、メタノールで2、3回洗浄したのちオクタンに分散させた(50mgmL−1)。
硫化鉛ナノ粒子(コロイド量子ドット)(CQD)フィルムは室温雰囲気下にて層ごとにスピンコートを行うことで重ねていった。各層、CQD溶液(50mg mL−1オクタン溶液)を酸化亜鉛/酸化チタン基板に重ね、2500rpmでスピンキャストを行った。ハイブリッドと有機の手法では、層表面を3−メルカプトプロピオン酸(MPA)のメタノール溶液(1%v/v)に3秒浸漬し、2500rpmでスピンコートすることで固体状態での配位子交換を行った。これを、所望の膜厚になるまで繰り返して半導体膜Aを200nm形成した。なお、結合のほどけた配位子を除去するために、メタノールで2回洗浄を行った。この半導体膜Aを用いて、光電変換素子Aを作製した。光電変換素子Aの作製方法は、実施例3及び4で作製された光電変換素子1及び2と同様で、石英基板、第1電極、電子輸送層、半導体膜A、正孔輸送層、及び第2電極の順で積層して光電変換素子Aを完成させた。
[光電変換効率の測定方法]
疑似太陽光光源(AM1.5,100mW/cm2)をモノクロマティックに絞った光を用いて、光電変換素子1(実施例3)、光電変換素子2(実施例4)及び光電変換素子A(比較例1)の光電変換効率(外部量子効率:光子−電子変換効率)を測定した。
光電変換素子A(比較例1)の光電変換効率が40%であったのに対して、光電変換素子1(実施例3)及び光電変換素子2(実施例4)では、60%の高い光電変換効率を得た。光電変換素子1(実施例3)及び光電変換素子2(実施例4)を用いることによって、光電変換効率が向上することが確認できた。
Claims (13)
- 半導体ナノ粒子と、下記の一般式(1)で表される化合物とを含み、
該一般式(1)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜。
- 半導体ナノ粒子と、下記の一般式(2)で表される化合物とを含む分散液を基板に塗布することによって得られ、
該一般式(2)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜。
- 前記半導体ナノ粒子が、少なくとも可視領域の光を選択的に吸収する、請求項1に記載の半導体膜。
- 前記半導体ナノ粒子が、少なくとも赤外領域の光を選択的に吸収する、請求項1に記載の半導体膜。
- 半導体ナノ粒子と、下記の一般式(2)で表される化合物とを含む分散液を基板に塗布することを含み、
該一般式(2)で表される化合物が該半導体ナノ粒子に配位する、半導体膜の製造方法。
- 前記半導体ナノ粒子が、少なくとも可視領域の光を選択的に吸収する、請求項5に記載の半導体膜の製造方法。
- 前記半導体ナノ粒子が、少なくとも赤外領域の光を選択的に吸収する、請求項5に記載の半導体膜の製造方法。
- 請求項1に記載の半導体膜と、対向配置された第1電極及び第2電極と、を備え、
前記半導体膜が、該第1電極と該第2電極との間に配される、光電変換素子。 - 請求項2に記載の半導体膜と、対向配置された第1電極及び第2電極と、を備え、
前記半導体膜が、該第1電極と該第2電極との間に配される、光電変換素子。 - 1次元又は2次元に配列された複数の画素毎に、
少なくとも、請求項8に記載の光電変換素子と、半導体基板とが積層された、固体撮像素子。 - 1次元又は2次元に配列された複数の画素毎に、
少なくとも、請求項9に記載の光電変換素子と、半導体基板とが積層された、固体撮像素子。 - 請求項10に記載の固体撮像素子を備える、電子装置。
- 請求項11に記載の固体撮像素子を備える、電子装置。
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Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213472A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子製造方法 |
JP2006245285A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
US20070215856A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dot electroluminescence device and method of fabricating the same |
JP2008514737A (ja) * | 2004-09-09 | 2008-05-08 | アプレーラ コーポレイション | エネルギー移動検出系のためのジオキセタンナノ粒子アセンブリ、そのアセンブリを作製する方法、およびバイオアッセイにおいてそのアセンブリを使用する方法 |
US20110073835A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Xiaofan Ren | Semiconductor nanocrystal film |
JP2011528624A (ja) * | 2008-07-19 | 2011-11-24 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 水性適合性ナノ粒子の生成方法 |
JP2014143397A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-08-07 | Fujifilm Corp | 半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス |
JP2015128105A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 半導体ナノ粒子分散体、光電変換素子および撮像装置 |
US20150214400A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Nanoco Technologies, Ltd. | Metal-doped Cu(In,Ga) (S,Se)2 nanoparticles |
JP2015176956A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社アルバック | 量子ドット分散液及び量子ドット増感型太陽電池用光電極 |
JP2016513361A (ja) * | 2013-01-25 | 2016-05-12 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation,Inc. | 溶液処理法による硫化鉛光検出器を用いた新規の赤外線画像センサー |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011118203A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | 株式会社クラレ | 化合物半導体粒子組成物、化合物半導体膜とその製造方法、光電変換素子、及び太陽電池 |
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JP6177515B2 (ja) | 2012-10-31 | 2017-08-09 | 富士フイルム株式会社 | 半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス |
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US9862841B2 (en) * | 2015-12-24 | 2018-01-09 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Group IV nanocrystals with ion-exchangeable surface ligands and methods of making the same |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005213472A (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hitachi Software Eng Co Ltd | 半導体ナノ粒子製造方法 |
JP2008514737A (ja) * | 2004-09-09 | 2008-05-08 | アプレーラ コーポレイション | エネルギー移動検出系のためのジオキセタンナノ粒子アセンブリ、そのアセンブリを作製する方法、およびバイオアッセイにおいてそのアセンブリを使用する方法 |
JP2006245285A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
US20070215856A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-09-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dot electroluminescence device and method of fabricating the same |
JP2011528624A (ja) * | 2008-07-19 | 2011-11-24 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | 水性適合性ナノ粒子の生成方法 |
US20110073835A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Xiaofan Ren | Semiconductor nanocrystal film |
JP2014143397A (ja) * | 2012-12-26 | 2014-08-07 | Fujifilm Corp | 半導体膜、半導体膜の製造方法、太陽電池、発光ダイオード、薄膜トランジスタ、および、電子デバイス |
JP2016513361A (ja) * | 2013-01-25 | 2016-05-12 | ユニバーシティー オブ フロリダ リサーチ ファウンデーション,インコーポレイテッドUniversity Of Florida Research Foundation,Inc. | 溶液処理法による硫化鉛光検出器を用いた新規の赤外線画像センサー |
JP2015128105A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 半導体ナノ粒子分散体、光電変換素子および撮像装置 |
US20150214400A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Nanoco Technologies, Ltd. | Metal-doped Cu(In,Ga) (S,Se)2 nanoparticles |
JP2015176956A (ja) * | 2014-03-14 | 2015-10-05 | 株式会社アルバック | 量子ドット分散液及び量子ドット増感型太陽電池用光電極 |
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