JPWO2017212650A1 - 内視鏡及び内視鏡装置 - Google Patents

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Abstract

内視鏡２は、センサ２７と、センサ２７の出力信号の温度補償を行う温度補償回路２８とを先端部１１に備える。温度補償回路２８は、センサ２７の出力信号を増幅する差動増幅部４０と、感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６との並列接続部に抵抗Ｒ８が直列に接続された感温部４１とを有する。

Description

本発明は、内視鏡及び内視鏡装置に関するものである。
従来、被検体の内部の被写体を撮像する内視鏡と、内視鏡により撮像された被写体の観察画像を生成するプロセッサと、プロセッサにより生成された観察画像を表示するモニタとを備えた内視鏡装置が、医療分野及び工業分野等において広く用いられている。
内視鏡には、ＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子、内視鏡形状検出用の磁気コイル等、様々なセンサが配置されている。各種センサの入出力信号は、内視鏡のコネクタ部（すなわち、プロセッサとの接続部）、または、プロセッサに配置される信号検出回路に対して、長尺なケーブルを介して伝送される。
このような各種センサは温度依存性を有するため、センサの出力信号の精度を確保するには、出力信号の温度補正を行う必要がある。例えば、日本国特開２００８−２５２９０６号公報には、内視鏡の先端部に温度センサを設け、ＣＣＤ周辺の温度変化に基づき、プロセッサに設けられた温度補正回路においてＣＣＤの暗電流ノイズを除去する内視鏡装置が提案されている。
しかしながら、プロセッサには複数種類の内視鏡が接続されるため、プロセッサにおいて温度補正を行う場合、接続される内視鏡の種類に応じて温度補正を行う必要がある。すなわち、接続される内視鏡に搭載されているセンサの種類、検出対象の種類によって温度依存性が異なるため、プロセッサは、センサの種類、検出対象の種類に応じて温度補正を行う必要があり、プロセッサでの処理が増大するという問題があった。
そこで、本発明は、プロセッサでの温度補正を行うことなく、センサが有する温度依存性を補償することができる内視鏡及び内視鏡装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様の内視鏡は、センサと、前記センサの出力信号の温度補償を行う温度補償回路とを先端部に備える内視鏡であって、前記温度補償回路は、前記センサの出力信号を増幅する差動増幅部と、感温素子と抵抗との並列接続部に抵抗が直列に接続された感温部とを有する。
また、本発明の一態様の内視鏡装置は、前記内視鏡に接続されるプロセッサを有し、前記内視鏡は、ケーブルと前記プロセッサに着脱可能性に接続されるコネクタ部とを有し、前記プロセッサは、前記差動増幅部に供給する基準電圧を生成し、前記コネクタ部及び前記ケーブルを介して前記基準電圧を伝送する。
また、本発明の他の態様の内視鏡装置は、前記内視鏡に接続されるプロセッサを有し、前記内視鏡は、ケーブルと前記プロセッサに着脱可能性に接続されるコネクタ部とを有し、前記コネクタ部は、前記差動増幅部に供給する基準電圧を生成し、前記ケーブルを介して前記基準電圧を伝送する。
第１の実施形態に係わる内視鏡装置の構成を示す構成図である。 内視鏡及びプロセッサの詳細な構成を説明するための構成図である。 センサ、温度補償回路の詳細な構成を示す図である。 温度とＮＴＣサーミスタである感温素子Ｒｔｈを含む感温部４１の合成抵抗との関係について説明するための図である。 センサの増幅信号と温度との関係を説明するための図である。 センサの増幅信号と温度との関係を説明するための図である。 第２の実施形態に温度補償回路の詳細な構成を示す図である。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係わる内視鏡装置の構成を示す構成図である。図１に示すように、本実施の形態の内視鏡装置１は、内視鏡２と、プロセッサ３と、モニタ４とを備えて主に構成されている。プロセッサ３とモニタ４とは、ケーブル５を介して電気的に接続されている。
本実施形態の内視鏡２は、人体等の被検体内に導入可能であって被検体内の所定の観察部位を光学的に撮像する構成を有している。なお、内視鏡２が導入される被検体は、人体に限らず、他の生体であってもよいし、機械、建造物等の人工物であってもよい。
内視鏡２は、被検体の内部に挿入される挿入部１０と、挿入部１０の基端に位置する操作部１４と、操作部１４の側部から延出するユニバーサルケーブル（以下、単にケーブルという）１５とにより主に構成されている。
挿入部１０は、先端に配設される先端部１１と、先端部１１の基端側に配設される湾曲自在な湾曲部１２と、湾曲部１２の基端側に配設され操作部１４の先端側に接続される可撓性を有する可撓管部１３とが連設されて構成されている。
操作部１４は、湾曲部１２を上下方向に湾曲させる上下用湾曲操作ノブ、湾曲部１２を左右方向に湾曲させる左右用湾曲操作ノブ、送気送水を行うための送気送水用ボタン、吸引を行うための吸引用ボタン、及び、各種内視鏡機能を実行するためのスイッチ等を備える。
ケーブル１５の基端部には、プロセッサ３に接続されるコネクタ部１６が設けられている。内視鏡２は、コネクタ部１６を介してプロセッサ３に着脱自在に接続される構成となっている。
プロセッサ３は、先端部１１に設けられた後述する撮像ユニットのレンズの駆動及び制御を行う。また、プロセッサ３は、先端部１１に設けられた後述する撮像ユニットの撮像素子から出力された撮像信号に所定の映像信号処理を施し、所定の映像信号を生成してモニタ４に出力する。すなわち、プロセッサ３は、撮像素子により撮像された光学像（内視鏡像）を映像としてモニタ４に表示させる。
また、プロセッサ３は、光源装置が一体に形成されている。すなわち、プロセッサ３は、ハロゲンランプまたはＬＥＤ等の光源が発した照明光を内視鏡２及びプロセッサ３内に挿通されたライトガイド等を介して、内視鏡２の先端部１１の先端面から被写体に向けて出射する。
図２は、内視鏡及びプロセッサの詳細な構成を説明するための構成図である。
内視鏡２の先端部１１は、レンズ駆動部２０と、レンズ枠２１と、撮像ユニット２２と、位置検出部２５とを有して構成されている。撮像ユニット２２は、対物レンズ２３及び撮像素子２４を有して構成されている。位置検出部２５は、磁石２６と、センサ２７と、差動増幅部２８とを有して構成されている。
プロセッサ３は、レンズ駆動回路３０と、駆動制御部３１と、位置検出回路３２とを有して構成されている。位置検出回路３２は、アナログデジタルコンバータ（以下、ＡＤＣという）３３と、電源回路３４とを有して構成されている。
レンズ駆動部２０は、レンズ駆動回路３０からの電流値に基づき、レンズ枠２１に保持された対物レンズ２３を挿入部１０の長手方向に進退させる。レンズ駆動部２０は、例えば電圧アクチュエータ、モータ等が用いられる。レンズ駆動部２０により対物レンズ２３を挿入部１０の長手方向に進退させることで、焦点位置を変更可能となっている。
対物レンズ２３は、照明された被写体の光学像を結像する。撮像素子２４は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳ等のイメージセンサであり、対物レンズ２３の結像位置に受光面が配置されている。撮像素子２４は、被写体の光学像を撮像することにより撮像信号を生成し、内視鏡２に内蔵された信号線（不図示）を介して、生成した撮像信号をプロセッサ３に出力する。
プロセッサ３は、撮像素子２４から出力された撮像信号に対して所定の映像信号処理を施す映像信号処理回路（不図示）を備え、撮像信号に所定の映像信号処理を施して所定の映像信号を生成する。プロセッサ３は、生成した所定の映像信号をモニタ４に出力することで、上述したように、撮像素子により撮像された光学像（内視鏡像）を映像としてモニタ４に表示させる。
また、レンズ枠２１には、磁石２６が配置されている。センサ２７は、プロセッサ３の位置検出回路３２の電源回路３４からの電流に応じて磁石２６の位置を検知し、温度補償回路２８に出力する。温度補償回路２８は、センサ２７の出力信号に対して温度補償を行い、プロセッサ３の位置検出回路３２のＡＤＣ３３に出力する。なお、温度補償回路２８の詳細な構成については後述する。電源回路３４は、センサ２７及び温度補償回路２８の電源を生成し、センサ２７及び温度補償回路２８に出力する。
ＡＤＣ３３は、温度補償回路２８からの信号をアナログ信号からデジタル信号に変換して駆動制御部３１に出力する。駆動制御部３１は、対物レンズ２３の位置が所望の位置となるように、レンズ駆動部２０に流す電流値を決定し、決定した電流値の情報をレンズ駆動回路３０に出力する。
レンズ駆動回路３０は、レンズ駆動部２０に電流を流すドライバ回路である。レンズ駆動回路３０は、駆動制御部３１から電流値の情報に応じて、駆動制御部３１で決定された電流値をレンズ駆動部２０に出力する。
図３は、センサ、温度補償回路の詳細な構成を示す図である。
本実施形態では、磁石２６の位置を検出するセンサ２７が、磁界を検出するホール素子２７ａにより構成されている。ホール素子２７ａは、２つの入力端子と、２つの出力端子とを有している。なお、センサ２７は、ホール素子２７ａに限定されることなく、例えば磁気抵抗素子等であってもよい。
温度補償回路２８は、ホール素子２７ａからの出力信号を差動増幅する差動増幅部４０と、差動増幅された信号を反転増幅する増幅器４２とを有して構成されている。差動増幅部４０は、増幅器４２の入力部に接続されている。また、増幅器４２は、感温部４１を有している。
差動増幅部４０は、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、オペアンプＵ１により構成されている。オペアンプＵ１は、非反転入力端子と、反転入力端子と、出力端子と備えて構成されている。プロセッサ３の電源回路３４は、ＧＮＤ、ＶＲＥＦ、Ｖｏｐ、Ｖｃｃの電源電圧を発生し、コネクタ部１６及びケーブル１５を介してセンサ２７及び温度補償回路２８に供給する。
本実施形態の内視鏡装置１は、内視鏡２の差動増幅部４０及び増幅器４２に供給する基準電圧ＶＲＥＦをプロセッサ３の電源回路３４により生成し、内視鏡２に伝送する。基準電圧ＶＲＥＦを伝送るケーブル１５には電流が略流れないため、内視鏡２とプロセッサ３とを接続するケーブル１５及びコネクタ部１６の抵抗の使用環境ばらつきによるホール素子２７ａからの出力信号の増幅後の電圧の変動を大きく抑えることができる。この結果、内視鏡２は、高精度な温度補償を行うことができる。
ホール素子２７ａの一方の入力端子には、プロセッサ３からの電源Ｖｃｃが接続され、他方の入力端子には、プロセッサ３からのグランドＧＮＤが接続されている。ホール素子２７ａの一方の出力端子は、抵抗Ｒ１を介してオペアンプＵ１の反転入力端子に接続されている。また、ホール素子２７ａの他方の出力端子は、抵抗Ｒ２を介してオペアンプＵ１の非反転入力端子に接続されている。また、オペアンプＵ１の非反転入力端子には、抵抗Ｒ４を介して基準電圧ＶＲＥＦが接続されている。
オペアンプＵ１の出力端子から出力された電位は、抵抗Ｒ３を介して反転入力端子に入力される。また、オペアンプＵ１から出力された電位は、感温部４１に入力される。
感温部４１は、感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６との並列接続部に抵抗Ｒ８が直列に接続されて構成されている。感温素子Ｒｔｈは、例えば、負の温度特性を有するチップ型のＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）サーミスタであり、温度が上昇すると抵抗値が減少する。ＮＴＣサーミスタは、感温素子の中でもサイズの小さい素子である。そのため、本実施形態では、感温素子ＲｔｈとしてＮＴＣサーミスタを使用することで、温度補償回路２８の回路面積を小さくすることができる。この結果、内視鏡２は、先端部１１の狭いスペースで温度補償を行うことが可能となる。
なお、感温素子Ｒｔｈは、ＮＴＣサーミスタに限定されることなく、センサ２７の温度依存性等に応じて、ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタ、あるいは、ＣＴＲ（Critical Temperature Resistor）サーミスタを用いるようにしてもよい。
ここで、温度とＮＴＣサーミスタである感温素子Ｒｔｈを含む感温部４１の合成抵抗との関係について説明する。図４は、温度とＮＴＣサーミスタである感温素子Ｒｔｈを含む感温部４１の合成抵抗との関係について説明するための図である。
感温素子Ｒｔｈは、ＮＴＣサーミスタであり、図４に示すように、温度が高くなるに従って指数関数的に抵抗が減少する。並列に接続された感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６の合成抵抗は、Ｒ６×Ｒｔｈ／（Ｒ６＋Ｒｔｈ）となる。感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６を並列に接続することで、図４に示すように、所望の温度範囲で合成抵抗が線形的に低下するようになる。
そして、感温素子Ｒｔｈ、抵抗Ｒ６及び抵抗Ｒ８の合成抵抗、すなわち、感温部４１の合成抵抗（以下、感温部４１の合成抵抗をＲｃとする）は、式（１）で表せられる。並列に接続された感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６に抵抗Ｒ８を直列に接続することで、図４に示すように、合成抵抗Ｒｃが所望の温度係数（傾き）で低下するようになる。
 式１
Figure 2017212650
図３に戻り、増幅器４２は、感温部４１に加え、抵抗Ｒ７と、オペアンプＵ２とを有して構成されている。感温部４１の出力（抵抗Ｒ８の出力）は、オペアンプＵ２の反転入力端子に接続されている。また、オペアンプＵ２の非反転入力端子には、基準電圧ＶＲＥＦが接続されている。オペアンプＵ２の出力端子から出力された電位Ｖｏは、抵抗Ｒ７を介して反転入力端子に入力される。また、オペアンプＵ２から出力された電位Ｖｏは、ケーブル１５及びコネクタ部１６を介して、プロセッサ３の位置検出回路３２のＡＤＣ３３に入力される。
ここで、感温部４１により温度補償されたセンサ２７の増幅信号すなわち、オペアンプＵ２から出力される電位Ｖｏについて説明する。図５及び図６は、センサの増幅信号と温度との関係を説明するための図である。
オペアンプＵ２から出力される電位Ｖｏ（増幅信号）は、式（２）で表せられる。ここで、Ｒ１’は、抵抗Ｒ１とセンサ２７の出力抵抗Ｒｈ−との合成抵抗であり、式（３）で表せられる。合成抵抗Ｒ１’は、出力抵抗Ｒｈ−が温度係数持つ場合、温度によって変化する。
同様に、Ｒ２’は、抵抗Ｒ２とセンサ２７の出力抵抗Ｒｈ＋との合成抵抗であり、式（４）で表せられる。合成抵抗Ｒ２’は、出力抵抗Ｒｈ＋が温度係数持つ場合、温度によって変化する。
ここで、差動増幅部４０の抵抗Ｒ１〜Ｒ４は、一般的に式（５）を満たすように設定される。そのため、オペアンプＵ２から出力される電位Ｖｏは、最終的に式（６）に示すように、合成抵抗Ｒ１’、感温部４１の合成抵抗Ｒｃ、抵抗Ｒ３、抵抗Ｒ７、（Ｖｈ＋−Ｖｈ−）、及び、基準電圧ＶＲＥＦによって決定される。なお、（Ｖｈ＋−Ｖｈ−）は、センサ２７の出力信号である。
式２
Figure 2017212650
式３
Figure 2017212650
式４
Figure 2017212650
式５
Figure 2017212650
式６
Figure 2017212650
センサ２７がホール素子２７ａの場合、ホール素子２７ａの出力抵抗Ｒｈ−は正の温度係数を持つため、温度が上がると抵抗も上がる。この場合、合成抵抗Ｒ１’も正の温度係数を持つため、温度が上がると合成抵抗Ｒ１’も上がる。この結果、センサ２７の増幅信号は、温度が上がると低下する（図５のホール素子の出力抵抗の温度特性を参照）。
また、センサ２７がホール素子２７ａの場合、センサ２７の出力信号（Ｖｈ＋−Ｖｈ−）は負の温度係数を持つため、温度が上昇するため低下する。これには２つの要因が存在する。１つ目は、磁石２６の磁界が負の温度係数を持ち、温度が上昇するに伴って磁界が低下するためである（図５の磁石の磁界の温度特性を参照）。２つ目は、ホール素子２７ａの磁界を電圧に変換する変換率が負の温度係数を持ち、温度が上昇するに伴って変換率が低下するためである（図５のホール素子の変換率の温度特性を参照）。
このように、センサ２７がホール素子２７ａの場合、ホール素子２７ａの出力抵抗Ｒｈ−、磁石２６の磁界、及び、ホール素子２７ａの変換率の３つの要因が温度依存性を持つ。３つの要因のいずれも温度が上がるとセンサの２７の増幅信号が低下するような特性を有している。この結果、最終的に、図５の磁石＋ホール素子の温度特性に示すように、温度が上がるとセンサの２７の増幅信号が低下する。
一方、感温部４１の合成抵抗Ｒｃは、上述した図４に示すように、負の温度係数を持ち、温度が上昇すると合成抵抗Ｒｃが低下する。そのため、センサ２７の増幅信号は、図６に示すように、温度が上がると増加する。
図６に示すように、ホール素子２７ａの出力抵抗Ｒｈ−、磁石２６の磁界、及び、ホール素子２７ａの変換率の温度依存性によって、温度が上昇するに伴い、センサ２７の増幅信号が低下する。これに対し、感温部４１の合成抵抗Ｒｃの温度依存性によって、温度が上昇するに伴い、センサ２７の増幅信号を増加させる。この結果、温度補償回路２８は、温度に依存しない、すなわち、温度補償したセンサ２７の増幅信号を出力することができる。
本実施形態では、差動増幅部４０のオペアンプＵ１の増幅率は、後段の増幅器４２のオペアンプＵ２の増幅率よりも大きくする。前段のオペアンプＵ１の増幅率を後段のオペアンプＵ２の増幅率よりも大きくすることで、温度補償の性能を向上させることができる。
感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６とが並列に接続され、並列に接続された感温素子Ｒｔｈ及び抵抗Ｒ６に抵抗Ｒ８が直列に接続されている。これらの感温素子Ｒｔｈ、抵抗Ｒ６、抵抗Ｒ８の合成抵抗が温度によって線形に変化することで、信号の増幅率が線形に変化し、温度補償を行っている。
感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６の並列回路部分は、合成抵抗が温度に対して線形に変化するように調整する回路部分である。そして、感温素子Ｒｔｈと抵抗Ｒ６に直列に接続される抵抗Ｒ８は、温度に対する合成抵抗の変化量（温度係数）を調節する回路部分である。
感温素子Ｒｔｈ、抵抗Ｒ６及び抵抗Ｒ８の合成抵抗の温度係数は、センサ２７の検出物理量から電圧への変換倍率の温度係数と、センサの温度依存性による差動増幅率の温度係数との和が小さくなるように設定される。これにより、温度補償回路２８は、センサ２７の電圧への変換倍率と、センサ２７の出力抵抗との温度特性の補正が可能となる。
また、センサ２７がホール素子２７ａの場合、感温素子Ｒｔｈ、抵抗Ｒ６及び抵抗Ｒ８の合成抵抗の温度係数は、磁石２６の磁束密度の温度係数と、ホール素子２７ａの磁束密度から電圧への変換率の温度係数と、ホール素子２７ａの出力抵抗の温度依存性による差動増幅率の温度係数との和が小さくなるように設定される。これにより、温度補償回路２８は、磁石２６及びホール素子２７ａの温度特性の補正が可能となる。温度補償回路２８は、磁石２６及びホール素子２７ａの温度特性の補正を行うことで、正確な温度補正が可能となる。
以上のように、本実施形態の内視鏡２は、温度補償回路２８を先端部１１に設け、内視鏡２においてセンサ２７の温度補正を行うようにした。そのため、内視鏡２に接続されるプロセッサ３は温度補正に関する機能を持つ必要がなくなる。この結果、内視鏡２は、旧世代、あるいは、次世代のプロセッサとの互換性を確保することが容易となる。また、内視鏡２においてセンサ２７の温度補正を行うため、プロセッサ３は、接続される内視鏡２の種類に応じた温度補正を行う必要がなく、プロセッサ３の処理が増大することがない。
よって、本実施形態の内視鏡によれば、プロセッサでの温度補正を行うことなく、センサが有する温度依存性を補償することができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。
図７は、第２の実施形態に温度補償回路の詳細な構成を示す図である。なお、図７において、図３と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
第２の実施形態の内視鏡２は、図３の温度補償回路２８に代わり、温度補償回路２８ａを用いて構成されている。温度補償回路２８ａは、差動増幅部４０を有する。差動増幅部４０は、感温部４１ａを有して構成されている。
感温部４１ａは、感温素子Ｒｔｈ１と抵抗Ｒ１との並列接続部に抵抗Ｒ５が直列に接続された回路と、感温素子Ｒｔｈ２と抵抗Ｒ２との並列接続部に抵抗Ｒ６が直列に接続された回路とを有している。抵抗Ｒ５は、オペアンプＵ１の反転入力端子に接続されている。同様に、抵抗Ｒ６は、オペアンプＵ１の非反転入力端子に接続されている。
このように、温度補償回路２８ａは、差動増幅部４０のオペアンプＵ１の２つの入力のそれぞれに対して、感温素子Ｒｔｈ１、Ｒｔｈ２を含む回路を設けて温度補償を行っている。その他の構成は、第１の実施形態と同様である。
ここで、感温部４１ａにより温度補償されたセンサ２７の増幅信号すなわち、オペアンプＵ１から出力される電位Ｖｏについて説明する。
オペアンプＵ１から出力される電位Ｖｏ（増幅信号）は、式（７）で表せられる。ここで、感温素子Ｒｔｈ１、抵抗Ｒ１、及び、抵抗Ｒ５の合成抵抗をＲｃ１とすると、合成抵抗Ｒｃ１は、式（８）で表せられる。同様に、感温素子Ｒｔｈ２、抵抗Ｒ２、及び、抵抗Ｒ６の合成抵抗をＲｃ２とすると、合成抵抗Ｒｃ２は、式（９）で表せられる。
また、Ｒｃ１’は、合成抵抗Ｒｃ１とセンサ２７の出力抵抗Ｒｈ−との合成抵抗であり、式（１０）で表せられる。同様に、Ｒｃ２’は、合成抵抗Ｒｃ２とセンサ２７の出力抵抗Ｒｈ＋との合成抵抗であり、式（１１）で表せられる。
ここで、合成抵抗Ｒｃ１＝合成抵抗Ｒｃ２となるように感温部４１ａの各抵抗を設定することにより、式（１２）が成立する。そのため、オペアンプＵ１から出力される電位Ｖｏは、最終的に式（１３）に示すように、抵抗Ｒ３、合成抵抗Ｒｃ１’、（Ｖｈ＋−Ｖｈ−）、及び、基準電圧ＶＲＥＦによって決定される。なお、合成抵抗Ｒｃ１の温度係数は、第１の実施形態と同様に、ホール素子２７ａの出力抵抗Ｒｈ−、磁石２６の磁界、及び、ホール素子２７ａの変換率の温度係数を考慮して設定すればよい。
式７
Figure 2017212650
式８
Figure 2017212650
式９
Figure 2017212650
式１０
Figure 2017212650
式１１
Figure 2017212650
式１２
Figure 2017212650
式１３
Figure 2017212650
このような構成により、本実施形態の内視鏡２の温度補償回路２８ａは、図３の温度補償回路２８に対して、増幅器４２を削除することができため、第１の実施形態の温度補償回路２８よりも回路面積を小さくすることができる。
本発明は、上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等が可能である。

Claims (9)

  1. センサと、前記センサの出力信号の温度補償を行う温度補償回路とを先端部に備える内視鏡であって、
    前記温度補償回路は、前記センサの出力信号を増幅する差動増幅部と、感温素子と抵抗との並列接続部に抵抗が直列に接続された感温部とを有することを特徴とする内視鏡。
  2. 前記差動増幅部は、増幅器の入力部に接続され、
    前記増幅器は前記感温部を有することを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
  3. 前記差動増幅部は、前記感温部を有することを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
  4. 前記差動増幅部の増幅率は、前記増幅器の増幅率よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の内視鏡。
  5. 前記温度補償回路の温度係数は、前記センサの検出物理量から電圧への変換倍率の温度係数と、前記センサの温度依存性による前記差動増幅率の温度係数との和が小さくなるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
  6. 前記センサは磁気抵抗素子であって、
    前記温度補償回路の温度係数は、磁界検出用磁石の磁束密度の温度係数と、前記磁気抵抗素子の磁束密度から電圧への変換倍率の温度係数と、前記磁気抵抗素子の出力抵抗の温度依存性による前記差動増幅率の温度係数との和が小さくなるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
  7. 前記感温素子は、負の温度係数を有するチップ型のＮＴＣサーミスタであることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
  8. 請求項１に記載の内視鏡に接続されるプロセッサを有し、
    前記内視鏡は、ケーブルと前記プロセッサに着脱可能性に接続されるコネクタ部とを有し、
    前記プロセッサは、前記差動増幅部に供給する基準電圧を生成し、前記コネクタ部及び前記ケーブルを介して前記基準電圧を伝送することを特徴とする内視鏡装置。
  9. 請求項１に記載の内視鏡に接続されるプロセッサを有し、
    前記内視鏡は、ケーブルと前記プロセッサに着脱可能性に接続されるコネクタ部とを有し、
    前記コネクタ部は、前記差動増幅部に供給する基準電圧を生成し、前記ケーブルを介して前記基準電圧を伝送することを特徴とする内視鏡装置。
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