JPWO2017094362A1 - 固体撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
固体撮像素子は、フォトダイオードと集光部とを備える。そのフォトダイオードは、受光面および受光面に配置された電極を有してその電極に降伏電圧を超える電圧が印加された状態においてその受光面に入射した光に応じた電気信号を出力する。その集光部は、その電極が配置された領域以外のそのフォトダイオードの受光面に被写体からの光を集光させる。
Description
1.第1の実施の形態(距離計測センサに使用する場合の例)
2.第2の実施の形態(切込みを有するマイクロレンズを使用する場合の例)
3.第3の実施の形態(複数のマイクロレンズを使用する場合の例)
4.第4の実施の形態(異なる屈折率の集光部材により集光する場合の例)
5.第5の実施の形態(低照度環境における撮像に使用する場合の例)
6.第6の実施の形態(瞳補正を行う場合の例)
[撮像装置の構成]
図1は、本技術の第1の実施の形態における撮像システム1の構成例を示す図である。同図は、被写体との距離の計測を行う撮像システム1の構成例を表したものである。この撮像システム1は、撮像装置10と、距離計測部20と、赤外光照射部30とを備える。
図2は、本技術の第1の実施の形態における画素110の構成例を示す図である。同図は、画素110の回路構成を表したものである。画素110は、SPAD112と、抵抗111とを備える。SPAD112のカソードは電源線201に接続され、アノードは信号線301および抵抗111の一端に接続される。抵抗111の他の一端は、接地線202に接続される。
図3は、本技術の第1の実施の形態における画素110の構成例を示す断面図である。同図は、2個配置された画素110の構成例を表す模式断面図である。
図4は、本技術の第1の実施の形態におけるマイクロレンズ121の構成例を示す図である。同図におけるaは、画素110の上面図を表す。同図におけるbは、同図におけるaのA−A'線に沿ったマイクロレンズ121の断面図を表す。同図におけるcは、マイクロレンズ121および信号線301を除いた画素110の上面図を表す。なお、前述した図3は、同図におけるaのA−A'線に沿った画素110の断面図に相当する。
マイクロレンズ121は、次の手順により形成することができる。絶縁層101の上にレジストを塗布し、円環形状にパターニングする。次に、リフロー炉等により全体を加熱し、レジストを溶解させる。この際、表面張力により、パターニングされたレジストは、断面が半球形状になる。その後、これらを冷却することにより、ドーナツ形状のマイクロレンズ121を形成することができる。レジストには、感光性のアクリル樹脂等を使用することができる。
図5は、本技術の実施の形態におけるSPAD112の特性を示す図である。同図におけるaは、SPAD112の印加電圧と電流との関係を表す図である。SPAD112に対して逆方向に電圧を印加すると、所定の降伏電圧Vbd以上の印加電圧において、流れる電流が急激に増加することがわかる。この降伏電圧Vbdは、第1の半導体領域105および第2の半導体領域106によるPN接合部に形成された空乏層において電子雪崩を生じ得る電圧である。同図におけるaにおいて、降伏電圧Vbd以上の逆方向電圧が印加された領域は、アバランシェ領域と称され、電子雪崩によるキャリアの増倍作用を生じる領域である。この電子雪崩は、空乏層中の強電界により加速された電子による衝突電離が発生し、新たなキャリアが生成されることにより、キャリアが増倍する現象である。この電子雪崩により、光電変換に基づくキャリアの増倍作用が行われる。ただし、この領域においては、入射光量とSPAD112を流れる電流との間には、比例関係が存在する。
上述の第1の実施の形態では、中央部に凹部を有するマイクロレンズ121を使用していた。これに対し、本技術の第2の実施の形態では、信号線301に沿った切込みを有する形状のマイクロレンズを使用する。これにより、検出効率をさらに向上させることができる。
図6は、本技術の第2の実施の形態におけるマイクロレンズ123の構成例を示す図である。同図におけるaは、画素110の上面図を表す。同図の画素110は、マイクロレンズ121の代わりにマイクロレンズ123を備える点で、図4において説明した画素110と異なっている。また、同図におけるbは、同図におけるaのB−B'線に沿ったマイクロレンズ123の断面を表す図である。
上述の第1の実施の形態では、中央部に凹部を有するマイクロレンズ121を使用していた。これに対し、本技術の第3の実施の形態では、複数のマイクロレンズにより、集光を行う。これにより、検出効率を向上させることができる。
図7は、本技術の第3の実施の形態における画素110の構成例を示す図である。同図におけるaは、画素110の上面図を表す。同図におけるbは、同図におけるaのC−C'線に沿ったマイクロレンズ126の断面図を表す。同図におけるcは、マイクロレンズ126および配線301を除いた画素110の上面図を表す。
上述の第1の実施の形態では、マイクロレンズ121により集光を行っていた。これに対し、本技術の第4の実施の形態では、屈折率が異なる2つの部材により集光を行う。これにより、画素の構成を簡略化することができる。
図8は、本技術の第4の実施の形態における画素110の構成例を示す断面図である。同図の画素110は、図4において説明した画素110と比較して、マイクロレンズ121の代わりに第1の集光部材127を備える。また、図4において説明したSPAD112と比較して、同図のSPAD112は、ガードリング108を備える必要はない。さらに、同図のSPAD112は、第1の半導体領域105および第3の半導体領域107に代えて第1の半導体領域131および第3の半導体領域132を備える。
図9は、本技術の第4の実施の形態における集光の一例を示す図である。同図は、第1の集光部材127および絶縁層101による集光の様子を表したものである。同図において、電極103および信号線301の上方から入射する光は、絶縁層101および第1の集光部材127の界面において、屈折により光路が変化する。上述のように絶縁層101の方が第1の集光部材127より屈折率が大きいため、絶縁層101から第1の集光部材127に入射する際に屈折角が大きくなる方向に屈折する。一方、入射角が臨界角を超える場合には、光は集光部材127および絶縁層101の界面において全反射する。このため、同図に表したように、入射光の光路が変化し、受光面である第2の半導体領域106に集光することができる。
上述の第4の実施の形態では、ラテラル構造のSPAD112を使用していたが図4において説明した構造のSPAD112を使用してもよい。第1の集光部材127および絶縁層101による受光面への集光が可能であるためである。
図10は、本技術の第4の実施の形態の変形例における画素110の構成例を示す断面図である。同図のSPAD112は、図4において説明したSPAD112と同様な構成としている。同図の画素110においても、集光部材127および絶縁層101による受光面である第1の半導体領域105への集光を行うことができる。
上述の第1の実施の形態では、SPADを距離計測のためのセンサとして使用していた。これに対し、本技術の第5の実施の形態では、SPADを撮像に使用する。これにより、低照度環境における撮像装置の感度を向上させることができる。
図11は、本技術の第5の実施の形態における撮像装置10の構成例を示す図である。この撮像装置10は、垂直駆動部400をさらに備えるとともに信号処理部300の代わりに信号処理部500を備える点で、図1において説明した撮像装置10と異なる。
図12は、本技術の第5の実施の形態における画素150の構成例を示す図である。同図は、画素150の回路構成を表したものである。画素150は、SPAD112と、抵抗153と、波形整形部154と、保持部155と、MOSトランジスタ156乃至159とを備える。なお、MOSトランジスタ156乃至159には、NチャンネルMOSトランジスタを使用することができる。
図13は、本技術の第5の実施の形態における画素の配置の一例を示す図である。同図は、画素アレイ部100における画素150乃至180の配置について、図11において説明した配置とは異なる配置の例を表したものである。同図におけるaは、画素150が市松形状に配置され、これ以外の部分に他の画素が配置された例を表したものである。SPAD112を有する画素150が多く配置されるため、低照度環境における解像度を向上させることができる。同図におけるbは、画素170が市松形状に配置された例を表したものである。緑色画素である画素170が多く配置されており、通常の環境における解像度を向上させることができる。また、白色光に応じた画像信号を生成する白色画素をさらに有する配置にすることも可能である。
上述の第5の実施の形態では、同じサイズの画素により構成された画素アレイ部100を使用していたが、SPADを有する画素150のサイズを通常のフォトダイオードを有する画素160乃至180より大きくしてもよい。SPADを有する画素150の感度を向上させることができるためである。
上述の第5の実施の形態では、SPADを低照度環境における撮像に使用していた。これに対し、本技術の第6の実施の形態では、SPADを有する画素に瞳補正を行う。これにより、撮像装置10の感度の低下を防止することができる。
図15は、本技術の第6の実施の形態における画素150の構成例を示す図である。この画素150は、画素150の中心からずれた位置にマイクロレンズ121が配置されている点で、図3において説明した画素110と異なる。このようにマイクロレンズ121を画素150の中心からずらして配置することにより、瞳補正を行うことができる。ここで、瞳補正とは、画素アレイ部100に配置された画素のうち周辺部に配置された画素のマイクロレンズ121の位置を画素アレイ部100の中央部に向かう方向にずらして配置することにより、周辺部の感度の低下を補正するものである。周辺部に配置された画素には、光が斜め方向からマイクロレンズ121に入射するため、画素アレイ部100の中央部に配置された画素とは異なる位置に入射光が集光される。この集光位置が電極等にかかる場合、画素アレイ部100の周辺部に配置された画素における感度の低下を生じる。瞳補正を行って所望の位置に集光させることにより、この感度の低下を防止することができる。
(1)受光面と当該受光面に配置された電極とを有して前記電極に降伏電圧を超える電圧が印加された状態において前記受光面に入射した光に応じた電気信号を出力するフォトダイオードと、
前記電極が配置された領域以外の前記受光面に被写体からの光を集光させる集光部と
を具備する固体撮像素子。
(2)前記フォトダイオードは、前記電極が前記受光面の略中央に配置される前記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)前記集光部は、略中央部に凹部を有するマイクロレンズにより構成される前記(1)または(2)に記載の固体撮像素子。
(4)前記マイクロレンズは、前記凹部に開口部を有する前記(3)に記載の固体撮像素子。
(5)前記電極と電気的に接続される配線をさらに具備し、
前記マイクロレンズは、前記配線に沿って連続する凹部を有する
前記(3)または(4)に記載の固体撮像素子。
(6)前記マイクロレンズは、前記連続する凹部の底部に切込みを有する前記(5)に記載の固体撮像素子。
(7)前記集光部は、前記電極が配置された領域以外の前記受光面にそれぞれが集光させる複数のマイクロレンズにより構成される前記(1)に記載の固体撮像素子。
(8)隣接する前記複数のマイクロレンズの間に配置されて前記電極と電気的に接続される配線をさらに具備する前記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)前記複数のマイクロレンズは、四角形状の底面を有する前記(7)または(8)に記載の固体撮像素子。
(10)前記集光部は、前記電極と前記被写体との間に第1の集光部材と当該第1の集光部材より屈折率が大きい第2の集光部材とが順に配置されて構成される前記(1)に記載の固体撮像素子。
(11)受光面と当該受光面に配置された電極とを有して前記電極に降伏電圧を超える電圧が印加された状態において前記受光面に入射した光に応じた電気信号を出力するフォトダイオードと、前記電極が配置された領域以外の前記受光面に被写体からの光を集光させる集光部とを備える画素が2次元アレイ状に配置された画素回路と、
前記出力された電気信号を処理する処理回路と
を具備する撮像装置。
10 撮像装置
20 距離計測部
30 赤外光照射部
100 画素アレイ部
101 絶縁層
103、104 電極
105、131 第1の半導体領域
106 第2の半導体領域
107、132 第3の半導体領域
108 ガードリング
109 半導体基板
110、150、160、170、180 画素
111、153 抵抗
121、123、126 マイクロレンズ
122 開口部
124 切込み
127 第1の集光部材
154 波形整形部
155 保持部
156〜159 MOSトランジスタ
200 電源部
300、500 信号処理部
301 信号線
400 垂直駆動部
Claims (11)
- 受光面と当該受光面に配置された電極とを有して前記電極に降伏電圧を超える電圧が印加された状態において前記受光面に入射した光に応じた電気信号を出力するフォトダイオードと、
前記電極が配置された領域以外の前記受光面に被写体からの光を集光させる集光部と
を具備する固体撮像素子。 - 前記フォトダイオードは、前記電極が前記受光面の略中央に配置される請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記集光部は、略中央部に凹部を有するマイクロレンズにより構成される請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記マイクロレンズは、前記凹部に開口部を有する請求項3記載の固体撮像素子。
- 前記電極と電気的に接続される配線をさらに具備し、
前記マイクロレンズは、前記配線に沿って連続する凹部を有する
請求項3記載の固体撮像素子。 - 前記マイクロレンズは、前記連続する凹部の底部に切込みを有する請求項5記載の固体撮像素子。
- 前記集光部は、前記電極が配置された領域以外の前記受光面にそれぞれが集光させる複数のマイクロレンズにより構成される請求項1記載の固体撮像素子。
- 隣接する前記複数のマイクロレンズの間に配置されて前記電極と電気的に接続される配線をさらに具備する請求項7記載の固体撮像素子。
- 前記複数のマイクロレンズは、四角形状の底面を有する請求項7記載の固体撮像素子。
- 前記集光部は、前記電極と前記被写体との間に第1の集光部材と当該第1の集光部材より屈折率が大きい第2の集光部材とが順に配置されて構成される請求項1記載の固体撮像素子。
- 受光面と当該受光面に配置された電極とを有して前記電極に降伏電圧を超える電圧が印加された状態において前記受光面に入射した光に応じた電気信号を出力するフォトダイオードと、前記電極が配置された領域以外の前記受光面に被写体からの光を集光させる集光部とを備える画素が2次元アレイ状に配置された画素回路と、
前記出力された電気信号を処理する処理回路と
を具備する撮像装置。
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